×
13.03.2020
220.018.0b07

Результат интеллектуальной деятельности: Тигель для выращивания кристаллов на затравку

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002716447
Дата охранного документа
11.03.2020
Аннотация: Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов на затравку методами Бриджмена, вертикальной зонной плавки, температурного градиента, а также их модификациями. Тигель состоит из корпуса 1 и хвостовика 2 с затравочной камерой 3, выполненной в виде сквозного отверстия в хвостовике, закрытого пробкой 4, имеющей резьбовое соединение с хвостовиком 2. Технический результат состоит в упрощении конструкции, позволяющем осуществлять разметку и высверливание затравочной камеры с наружной стороны тигля, установку затравки вручную независимо от размеров тигля, а также извлекать кристалл без отрыва от затравки. 2 ил.

Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов из расплава на затравку.

Известен тигель для выращивания кристаллов из расплава на затравку [Ya-bu Shuichi. Apparatus and method for manufacturing single crystal. JP 2006219352 (A)] - прототип, в котором затравочная камера выполнена в виде глухого отверстия в хвостовике тигля, просверленного с внутренней стороны тигля.

Основной недостаток конструкции состоит в том, что в такой затравочной камере сложно размещать затравку, так как ее нужно вводить с внутренней стороны тигля. При большой глубине и небольшом внутреннем диаметре корпуса тигля установить затравку вручную становится невозможным и требуется специальное приспособление. Кроме того, такой тигель сложен в изготовлении - затравочная камера должна быть соосна с хвостовиком и корпусом тигля, а разметка и высверливание камеры возможны только внутри тигля. Сложным оказывается и извлечение кристалла, так как во многих реальных процессах роста кристаллов затравку может заклинить в затравочной камере. В результате кристалл при извлечении может оторваться от затравки, что приведет к образованию трещин и других повреждений.

Задачей настоящего изобретения является упрощение конструкции, позволяющее осуществлять разметку и высверливание затравочной камеры с наружной стороны тигля, установку затравки вручную независимо от размеров тигля, а также извлечение кристалла без отрыва от затравки.

Поставленная задача решается тем, что в известном тигле, состоящем из корпуса и хвостовика с затравочной камерой, затравочная камера выполнена в виде сквозного отверстия в хвостовике, закрытого пробкой, имеющей резьбовое соединение с хвостовиком.

Пример конкретного исполнения такого тигля показан на Фиг. 1 (сборочный чертеж) и Фиг. 2 (деталировка), где 1 - корпус тигля, 2 - хвостовик, 3 - затравочная камера, 4 - пробка.

Тигель работает следующим образом. Затравка помещается в затравочную камеру 3 со стороны хвостовика 2. Затем затравочная камера закрывается пробкой 4. В корпус тигля 1 помещается исходная загрузка для выращивания кристалла. Тигель устанавливается на шток ростовой установки и проводится процесс выращивания кристалла. По окончании процесса тигель извлекается из ростовой установки, пробка 4 выкручивается из хвостовика 2, а кристалл извлекается путем механического выталкивания его вместе с затравкой со стороны хвостовика (через затравочную камеру).

Предлагаемая конструкция тигля упрощает процесс разметки и высверливания затравочной камеры, так как эти работы могут быть выполнены со стороны хвостовика. Сквозная затравочная камера позволяет легко устанавливать затравку, например, вручную, независимо от высоты и внутреннего диаметра корпуса тигля, так как установка затравки производится со стороны хвостовика. Извлечение выращенного кристалла путем механического выталкивания его вместе с затравкой через затравочную камеру исключает отрыв кристалла от затравки.

Резьбовое соединение пробки 4 с хвостовиком 2 выбрано из соображений надежности крепления.

Тигель может быть использован в процессах роста кристаллов из расплава методами Бриджмена, вертикальной зонной плавки, температурного градиента, а также их модификациями.

Материал тигля может быть выбран в зависимости от свойств соединения, кристалл которого выращивается. Например, для халькогенидов цинка и кадмия, имеющих высокие температуры плавления (ZnS, CdS, ZnSe, CdSe), учитывая химическую агрессивность их расплавов и паров, можно использовать графит.

Тигель для выращивания кристаллов из расплава на затравку, состоящий из корпуса и хвостовика с затравочной камерой, отличающийся тем, что затравочная камера выполнена в виде сквозного отверстия в хвостовике, закрытого пробкой, имеющей резьбовое соединение с хвостовиком.
Тигель для выращивания кристаллов на затравку
Тигель для выращивания кристаллов на затравку
Тигель для выращивания кристаллов на затравку
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 31-40 из 91.
25.08.2017
№217.015.bfac

Способ изготовления изделия с фильтром для агрессивных жидкостей и газов

Изобретение относится к области химической технологии и может быть использовано для изготовления фильтров, способных применяться для очистки агрессивных жидкостей и газов от инородных включений при высоких температурах эксплуатации, в том числе диметилгидразина, используемого в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617105
Дата охранного документа: 20.04.2017
25.08.2017
№217.015.cee8

Способ получения полых нагревателей сопротивления на основе углеродкарбидокремниевого материала

Предложен способ получения полых трубчатых нагревателей из композиционного материала на основе углерода, кремния и карбида кремния путем пропитки расплавленным кремнием предварительно сформированной трубы из углеграфитовых тканей. Заготовку перемещают в вакуумной среде относительно капиллярного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002620688
Дата охранного документа: 29.05.2017
26.08.2017
№217.015.d64a

Устройство квантовой криптографии (варианты)

Устройство квантовой криптографии включает источник излучения, первый волоконный светоделитель, волоконный интерферометр, второй волоконный светоделитель, первый фазовый модулятор, третий волоконный светоделитель, детектор, аттенюатор, линию задержки, поляризационный фильтр, второй фазовый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622985
Дата охранного документа: 21.06.2017
26.08.2017
№217.015.d8c0

Способ получения сульфида галлия (ii)

Изобретение относится к неорганической химии, а именно к получению сульфида галлия (II), являющегося перспективным материалом для полупроводниковой оптоэлектронной техники и инфракрасной оптики. Cинтез GaS проводили в замкнутом объеме из элементарных галлия и серы, взятых в стехиометрическом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623414
Дата охранного документа: 26.06.2017
26.08.2017
№217.015.e440

Модулятор электромагнитного излучения субтерагерцового и терагерцового диапазона для систем высокоскоростной беспроводной связи

Изобретение относится к оптоэлектронике, а именно к модуляторам электромагнитного излучения, в частности, работающим в субтерагерцовом и терагерцовом диапазонах частот (100-10000 ГГц). Изобретение может использоваться в областях науки и техники, использующих данные диапазоны частот, в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002626220
Дата охранного документа: 24.07.2017
19.01.2018
№218.016.0759

Способ получения кремниевых мишеней для магнетронного распыления

Изобретение относится к литейному производству, в частности к получению кремниевых профильных отливок для мишеней магнетронного распыления. Шихту полупроводникового поликристаллического кремния расплавляют в графитовом тигле, который перемещают вертикально в полости нагревателя. В донном...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002631372
Дата охранного документа: 21.09.2017
10.05.2018
№218.016.4d2f

Способ выращивания кристаллов фуллерена с60

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой оптоэлектронике. Навеску порошка исходного фуллерена С60 загружают в кварцевую ампулу, внутренняя поверхность которой покрыта пироуглеродом для защиты исходного порошка от воздействия УФ излучения. Затем проводят низкотемпературную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002652204
Дата охранного документа: 25.04.2018
12.07.2018
№218.016.6fa1

Способ изготовления смесей для калибровки газоаналитического оборудования с использованием твердотельного электролизера

Изобретение относится к исследованию и анализу газов. Способ изготовления смесей для калибровки газоаналитического оборудования, включает: электролиз поступающих в электролизер газовых компонентов с контролируемым выходом продуктов, их смешивание с известным потоком инертного газа и получение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002661074
Дата охранного документа: 11.07.2018
09.08.2018
№218.016.78ff

Материал шпонки для высокотемпературных применений

Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано в устройствах, при работе которых возможно выделение большого количества тепла, приводящего к тепловому расширению шпонки и заклиниванию устройства. Композиционный материал шпонки представляет собой матрицу из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002663146
Дата охранного документа: 01.08.2018
14.03.2019
№219.016.dfbb

Способ прочного соединения изделий из графита

Изобретение относится к области химической технологии и может быть использовано для изготовления блоков из графитовых деталей, способных использоваться при высоких температурах. Сначала на торцевые поверхности подлежащих соединению графитовых деталей наносят слои поливинилацетата, в полученный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681628
Дата охранного документа: 11.03.2019
Показаны записи 31-40 из 48.
21.12.2019
№219.017.f00f

Способ электроэрозионной обработки поверхности молибдена

Изобретение относится к электроэрозионной обработке поверхности металлов и сплавов, используемой для повышения твердости, жаропрочности и коррозионной стойкости деталей машин. Предложен способ получения покрытия из карбида молибдена на детали из молибдена, включающий электроэрозионную обработку...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002709548
Дата охранного документа: 18.12.2019
06.02.2020
№220.017.ff42

Способ пространственной стабилизации дуги

Изобретение относится к области электрометаллургии и может быть использовано для прецизионной сварки, наплавки и изготовления деталей способом 3D-печати. Техническим результатом явяляется повышение эффективности способа пространственной стабилизации дуги. Способ пространственной стабилизации...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002713186
Дата охранного документа: 04.02.2020
21.03.2020
№220.018.0e3a

Сверхпроводящая цепь с участком слабой связи

Использование: для сверхпроводящих логических элементов вычислительной техники. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводящая цепь с участком слабой связи включает два последовательно расположенных металлических сверхпроводящих контакта, нанесенных на поверхность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002717253
Дата охранного документа: 19.03.2020
25.03.2020
№220.018.0f34

Способ изготовления холодного катода

Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении электронных приборов, а также для инжекции зарядов в объём конденсированных сред при криогенных температурах. Слой углеродных нанотрубок наносят на металлическую подложку осаждением в дуговом разряде. После этого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002717526
Дата охранного документа: 23.03.2020
28.03.2020
№220.018.115d

Коллинеарный электрод

Изобретение относится к плазменной технике, применяемой в электрометаллургии, и может быть использовано для инициирования высокочастотной плазмы на промышленной частоте 2,45 ГГц для плавления металлических порошков и изготовления деталей сложной геометрической формы в атмосфере защитных газов....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002717841
Дата охранного документа: 26.03.2020
20.05.2020
№220.018.1dcf

Неорганический фотохромный материал с пространственно-селективным эффектом памяти

Изобретение относится к области неорганических материалов для твердотельных индикаторов ультрафиолетового излучения. Неорганический фотохромный материал с пространственным эффектом памяти содержит Сu - 0,012-0,015 мас.%, Gd - 0,0004-0,0006 мас.% и ZnS – остальное. Техническим результатом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002721095
Дата охранного документа: 15.05.2020
03.07.2020
№220.018.2dda

Способ получения timnal

Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению объемных слитков спин-поляризованного бесщелевого полупроводника TiMnAl, который может быть использован в спинтронике. Способ получения TiMnAl из элементарных титана, марганца и алюминия включает помещение навесок марганца и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725229
Дата охранного документа: 30.06.2020
06.07.2020
№220.018.2fb7

Трансформатор импульсов электроэнергии однополярного тока

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электрометаллургии для гальванической развязки в источниках питания высокочастотной дуги, используемой для плавления металлических порошков, электроэрозионной обработки поверхности и изготовления деталей сложной формы....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725610
Дата охранного документа: 03.07.2020
20.04.2023
№223.018.4abb

Устройство защиты цепей питания постоянного тока от короткого замыкания

Изобретение относится к электротехнике и может использоваться в силовой электронике для повышения надежности работы цепей питания постоянного тока напряжением 310 В при работе на индуктивную нагрузку. Технический результат достигается за счет того, что в схеме прототипа драйвер «нижнего плеча»...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002778553
Дата охранного документа: 22.08.2022
20.04.2023
№223.018.4c95

Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом включает смешивание порошков селенида цинка и легирующей добавки и последующее выращивание кристалла из расплава под давлением аргона, при этом хром вводится в исходную загрузку в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751059
Дата охранного документа: 07.07.2021
+ добавить свой РИД