×
09.08.2018
218.016.78ff

Результат интеллектуальной деятельности: Материал шпонки для высокотемпературных применений

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002663146
Дата охранного документа
01.08.2018
Аннотация: Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано в устройствах, при работе которых возможно выделение большого количества тепла, приводящего к тепловому расширению шпонки и заклиниванию устройства. Композиционный материал шпонки представляет собой матрицу из поликристаллического кремния, армированную волокнами карбида кремния. Материал с низкими значениями коэффициента теплового расширения и сухого трения по стали может использоваться при температурах до 1300°С. Кроме того, материал обладает высокой твердостью и стойкостью к окислению при нагреве. 1 ил., 3 табл.

Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано в устройствах, при работе которых возможно выделение большого количества тепла, приводящего к тепловому расширению шпонки и заклиниванию устройства. К такого рода устройствам относится, в частности, вращатель станка для колонкового бурения и т.п. Применяемые в настоящее время элементы обеспечения соосности элементов вращателя (шпонки) изготавливаются из металлических сплавов (как правило, стали), характеризующихся коэффициентом теплового расширения (КТР) на уровне (10-15)⋅10-6 град-1.

Такая шпонка должна обеспечивать возможности как высокооборотного вращения, так и плоскопараллельного перемещения бура. В связи с этим длина таких шпонок значительна, тепловые и механические нагрузки велики, износ протекает достаточно быстро, а для замены шпонки буровой станок необходимо доставить в специализированное ремонтное предприятие и провести практически полную разборку станка, что сопряжено со значительными затратами.

Использование шпонок и/или штоков из неметаллического композита на основе кремния, армированного карбидокремниевыми волокнами, позволяет значительно увеличить надежность устройств, поскольку КТР этого материала составляет 4.6⋅10-6 град-1. Кроме того, температурный предел использования деталей из спецсталей под нагрузкой составляет максимум 800°С, тогда как этот параметр для деталей из предложенного материала достигает 1300°С.

Известна сталь ХН 65 ВМТЮ ГОСТ 5632-72 (Журавлев В.Н., Николаева О.И. Машиностроительные стали. Справочник. М.: Машиностроение, 1987) [1], содержащая кроме углерода значительное количество никеля и принципиально пригодная для изготовления шпонок. Максимальная температура ее использования достигает 800°С, но ее себестоимость высока, КТР значителен, она с трудом обрабатывается и используется в основном для изготовления лопаток газовых турбин.

Известен материал для шпонок: сталь 45 ГОСТ 1050-74 (Анурьев В.И. Справочник конструктора-машиностроителя, М.: Машиностроение, 1974) [2], принятый за прототип. Из этой стали изготавливаются практически все применяемые в машиностроении шпонки. Химический состав этой стали представлен в Таблице 1.

Для использования при высоких температурах и больших динамических нагрузках недостатки материала [2] заключаются в следующем:

1. Предельная температура использования 600°С может быть недостаточной в экстремальных условиях эксплуатации и приводить к формоизменению («оплыванию») шпонки.

2. Коэффициент теплового расширения (КТР) материала α достигает 15⋅10-6 град-1, что может быть причиной заклинивания механизма при нагреве шпонки.

3. Коэффициент сухого трения μ для материала [2] имеет удовлетворительное значение, но его снижение было бы желательным применительно к работе шпонок при плоскопараллельном перемещении частей механизма.

4. Образование окалины на внешних поверхностях деталей из материала [2] при нагреве на воздухе неизбежно.

Технический результат, на достижение которого направлено заявляемое изобретение, заключается в применении (использовании) материала для изготовления шпонок, пригодных для эксплуатации в экстремальных условиях в воздушной среде при высоких температурах, и может выражаться, в частности, в снижении коэффициентов теплового расширения и сухого трения, увеличении твердости и максимально допустимой температуры использования, а также повышении стойкости к окислению при нагреве.

Для достижения указанного технического результата в качестве основы материала вместо железа используется поликристаллический кремний, содержащий армирующий компонент из волокон карбида кремния. Состав получаемой композиции (в масс. %) следующий: кремний - (85-65), карбид кремния - (5-35), свободный углерод - менее 1.

Сравнительные функциональные характеристики стали и предлагаемого материала приведены в Таблице 2. Из приведенных данных следует многократное повышение эксплуатационных параметров по сравнению с материалом-прототипом. Кратковременное сопротивление разрыву у сравниваемых материалов в основном совпадает, поэтому в Таблице 2 не приводится.

Структура предлагаемого материала иллюстрируется Фиг. 1 (микрофотографии выполнены на оптическом микроскопе). Толщина заготовки определяется количеством слоев углеграфитовой ткани перед проведением процесса ее пропитки расплавленным кремнием. На Фиг. 1а показан поперечный срез пропитанных кремнием слоев ткани при малом увеличении. Фиг. 1б иллюстрирует продольный срез материала при большем увеличении. На Фиг. 1в, г приведены поперечный и продольный срезы при еще больших увеличениях.

Использование чистого кремния для достижения указанного технического результата практически невозможно, поскольку он переходит в область пластического течения уже при температуре >600°С. Кроме того, он значительно уступает по твердости предложенному композиционному материалу. Физико-механические свойства обеспечиваются лишь после армирования матрицы волокнами карбида кремния.

Для получения предлагаемого композиционного материала используют направленную пропитку расплавленным кремнием нескольких слоев предварительно натянутой высокоактивной углеграфитовой ткани, нарезание полученного материала на пластины и дальнейшую обработку заготовок на плоско-шлифовальном станке вплоть до получения шпонок с требуемыми геометрическими размерами и качеством их поверхностей.


Материал шпонки для высокотемпературных применений
Материал шпонки для высокотемпературных применений
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 91.
10.01.2013
№216.012.1846

Устройство для получения массивов углеродных нанотрубок на металлических подложках

Изобретение относится к нанотехнологии. Устройство для получения массивов углеродных нанотрубок (УНТ) на металлических подложках состоит из двух электродов 7 и 8, расположенных соосно и перемещаемых навстречу друг другу водоохлаждаемыми штоками 8 и 9, скользящих графитовых токоподводов 11 и 12,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002471706
Дата охранного документа: 10.01.2013
10.02.2013
№216.012.2477

Устройство и способ с речевым интерфейсом определения водолазом направления на источник тонального звукового сигнала

Использование: для определения водолазом направления на источник тонального звукового сигнала. Сущность: сигнал источника принимается на две ненаправленные антенны, расстояние между которыми λ/4. Сигнал от первой антенны подается на вход сумматора, сигнал от второй антенны последовательно...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474837
Дата охранного документа: 10.02.2013
10.04.2013
№216.012.3480

Способ определения глубины погружения приводняющегося объекта

Использование: для измерения глубины погружения приводняющегося объекта с использованием гидролокатора ближнего действия, установленного на движущемся носителе относительно горизонта его движения. Сущность: с помощью гидролокатора производят излучение зондирующих сигналов гидролокатором, прием...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002478983
Дата охранного документа: 10.04.2013
20.06.2013
№216.012.4cb3

Способ получения монокристаллов теллурида галлия (ii)

Изобретение относится к технологии получения кристаллов GaTe, которые могут быть использованы в нелинейной оптике, а именно для оптических преобразователей частоты ИК и ТГц диапазонов. Кристаллы теллурида галлия (II) выращивают вертикальной зонной плавкой в графитовых тиглях под давлением...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485217
Дата охранного документа: 20.06.2013
20.06.2013
№216.012.4cb4

Способ получения кристаллов вольфрамата натрия-висмута

Изобретение относится к области выращивания из расплава нелегированных кристаллов вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO), являющегося перспективным материалом для Черепковских детекторов. Выращивание кристаллов осуществляют методом Чохральского в воздушной атмосфере со скоростью вытягивания 4-5...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485218
Дата охранного документа: 20.06.2013
27.10.2013
№216.012.783c

Крионаконечник с сапфировым хладопроводом-облучателем

Изобретение относится к хирургическим инструментам, применяемым для локального замораживания и деструкции выделенных участков биологической ткани, и может быть использовано в общей и детской хирургии, в онкологии, дерматологии, отоларингологии, гинекологии, косметологии. Крионаконечник с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002496442
Дата охранного документа: 27.10.2013
20.01.2014
№216.012.98be

Устройство для визуализации электрических полей свч в пространстве

Использование: относится к области визуализации распределения в пространстве электрических полей СВЧ диапазона. Сущность: в установке визуализации СВЧ полей применены измерительная камера «открытого» типа из двух расположенных горизонтально параллельных медных дисков, антенна-зонд,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504801
Дата охранного документа: 20.01.2014
27.03.2014
№216.012.adf5

Способ удаления опухолей мозга с выделением границ опухоли флуоресцентной диагностикой с одновременной коагуляцией и аспирацией и устройство для его осуществления

Группа изобретений относится к медицине. Устройство включает сапфировый зонд с продольными каналами, в которых размещены оптические волокна, одни из которых предназначены для подачи излучения, возбуждающего флуоресценцию и коагулирующего излучения в зону деструкции ткани от присоединенных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002510248
Дата охранного документа: 27.03.2014
10.06.2014
№216.012.d04b

Способ эксфолиации слоистых кристаллических материалов

Изобретение относится к нанотехнологиям. Способ включает эксфолиацию заготовок из слоистых кристаллических материалов, закрепленных с одной стороны на опоре из глипталя, с использованием клейкой ленты, глипталь по окончании эксфолиации растворяют в ацетоне, где образуется взвесь кристаллических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519094
Дата охранного документа: 10.06.2014
27.06.2014
№216.012.d5ae

Способ получения слоев карбида кремния

Изобретение относится к области получения карбида кремния, используемого в полупроводниковой промышленности в качестве материала для радиопоглощающих покрытий, диодов, светодиодов, солнечных элементов и силовых вентилей. Карбид кремния получают перемещением ленты углеродной фольги в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002520480
Дата охранного документа: 27.06.2014
Показаны записи 1-10 из 46.
10.01.2013
№216.012.1846

Устройство для получения массивов углеродных нанотрубок на металлических подложках

Изобретение относится к нанотехнологии. Устройство для получения массивов углеродных нанотрубок (УНТ) на металлических подложках состоит из двух электродов 7 и 8, расположенных соосно и перемещаемых навстречу друг другу водоохлаждаемыми штоками 8 и 9, скользящих графитовых токоподводов 11 и 12,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002471706
Дата охранного документа: 10.01.2013
20.06.2013
№216.012.4cb3

Способ получения монокристаллов теллурида галлия (ii)

Изобретение относится к технологии получения кристаллов GaTe, которые могут быть использованы в нелинейной оптике, а именно для оптических преобразователей частоты ИК и ТГц диапазонов. Кристаллы теллурида галлия (II) выращивают вертикальной зонной плавкой в графитовых тиглях под давлением...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485217
Дата охранного документа: 20.06.2013
20.06.2013
№216.012.4cb4

Способ получения кристаллов вольфрамата натрия-висмута

Изобретение относится к области выращивания из расплава нелегированных кристаллов вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO), являющегося перспективным материалом для Черепковских детекторов. Выращивание кристаллов осуществляют методом Чохральского в воздушной атмосфере со скоростью вытягивания 4-5...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485218
Дата охранного документа: 20.06.2013
10.06.2014
№216.012.d04b

Способ эксфолиации слоистых кристаллических материалов

Изобретение относится к нанотехнологиям. Способ включает эксфолиацию заготовок из слоистых кристаллических материалов, закрепленных с одной стороны на опоре из глипталя, с использованием клейкой ленты, глипталь по окончании эксфолиации растворяют в ацетоне, где образуется взвесь кристаллических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519094
Дата охранного документа: 10.06.2014
27.06.2014
№216.012.d5ae

Способ получения слоев карбида кремния

Изобретение относится к области получения карбида кремния, используемого в полупроводниковой промышленности в качестве материала для радиопоглощающих покрытий, диодов, светодиодов, солнечных элементов и силовых вентилей. Карбид кремния получают перемещением ленты углеродной фольги в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002520480
Дата охранного документа: 27.06.2014
27.06.2014
№216.012.d9fb

Способ получения наноалмазов при пиролизе метана в электрическом поле

Изобретение может быть использовано в медицине при производстве препаратов для послеоперационной поддерживающей терапии. Проводят термическое разложение метана в герметичной камере на подложках из кремния или никеля при давлении 10-30 Торр и температуре 1050-1150 °С. Нагрев осуществляют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002521581
Дата охранного документа: 27.06.2014
10.02.2015
№216.013.23ff

Способ получения пластин на основе карбида кремния

Изобретение относится к области получения карбида кремния, используемого в полупроводниковой промышленности для радиопоглощающих покрытий, термосопротивлений, диодов, светодиодов, солнечных элементов и силовых вентилей для использования при повышенных температурах. Способ включает перемещение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540668
Дата охранного документа: 10.02.2015
10.04.2015
№216.013.3f8e

Ампула для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации. Ампула содержит герметичный корпус 1 из кварцевого стекла и коаксиально размещенный в нем герметичный кварцевый тигель 4 с загрузкой селенида галлия 5 и графитовые...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002547758
Дата охранного документа: 10.04.2015
10.01.2016
№216.013.9ea0

Холодный катод

Изобретение относится к области получения углеродных наноструктур, а именно слоев углеродных нанотрубок на металлических подложках, применяемых в качестве холодных катодов (автоэлектронных источников эмиссии). Технический результат - создание простого в изготовлении холодного катода без...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002572245
Дата охранного документа: 10.01.2016
10.03.2016
№216.014.c143

Способ изготовления высокотемпературного фильтрующего материала для агрессивных жидкостей и газов

Изобретение относится к области химической технологии. Способ изготовления включает пропитку углеродных волокон расплавленным кремнием с удалением избыточного кремния растворением в смеси плавиковой и азотной кислот. Полученный фильтрующий материал образован нитями карбида кремния в текстильной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002576439
Дата охранного документа: 10.03.2016
+ добавить свой РИД