×
21.12.2019
219.017.f00f

Способ электроэрозионной обработки поверхности молибдена

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к электроэрозионной обработке поверхности металлов и сплавов, используемой для повышения твердости, жаропрочности и коррозионной стойкости деталей машин. Предложен способ получения покрытия из карбида молибдена на детали из молибдена, включающий электроэрозионную обработку детали высоковольтной электрической дугой высокого давления в атмосфере водорода с фиксированным зазором между электродами, при которой в качестве катода используют обрабатываемую деталь, а в качестве анода - легирующий электрод из графита. При этом обработку осуществляют при напряжении 2000 B, токе разряда 0,5-1 А с частотой следования импульсов 60 Гц, причем путем изменения скважности импульсов контролируют шероховатость получаемого покрытия из карбида молибдена. Изобретение обеспечивает получение на поверхности молибдена покрытия из карбида молибдена с шероховатостью Ra=0,08-0,4 мкм. 2 ил., 3 пр.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к электроэрозионной обработке поверхности металлов и сплавов, используемой для повышения твердости, жаропрочности и коррозионной стойкости деталей машин.

В тексте патента используются термины и определения установленные ГОСТ Р МЭК 60974-1-2012 «Оборудование для дуговой сварки. Часть 1. Источники сварочного тока» и ГОСТ 25331-82 «Обработка электроэрозионная. Термины и определения».

Электроэрозионная обработка поверхности - процесс, основанный на разрушении электрода (анода) при искровом разряде и переносе продуктов эрозии на поверхность изделия, служащего катодом. Известны две схемы процесса: а) перенос материала происходит в виде очень мелких капель с кратковременным замыканием искрового промежутка и физическим контактом анода на изделие, и б) с постоянным (фиксированным) зазором между электродами. Вибрация легирующего электрода с периодическим контактом с поверхностью изделия облегчает ведение процесса, а поддержка постоянного межэлектродного зазора требует сложной автоматики. Широкое распространение получила первая схема, хотя, стоит заметить, что современное развитие высокодинамичных автоматизированных систем, например, линейных серводвигателей, нивелирует сложность регулировки межэлектроного зазора. Электроэрозионная обработка поверхности характеризуется: а) высокой адгезией материала анода с поверхностью обрабатываемого изделия; б) локальной обработкой поверхности с минимальной зоной термического влияния; в) относительной простотой реализации; г) отсутствием жестких требований к подготовке поверхности перед нанесением и д) высокой надежностью оборудования.

Характерным недостатком электроэрозионной обработки является увеличение шероховатости поверхности обрабатываемого изделия, причем, чем больше энергия электрического разряда при электроэрозионной обработке, тем больше шероховатость. Увеличение шероховатости, в свою очередь, влечет за собой рост площади поверхности теплообмена, что и было положено авторами в основу изобретения для оребрения трубы теплообменника способом электроэрозионного легирования поверхности [Тарельник В.Б., Марцинковский В.С., Тарельник Н.В., Коноплянченко Е.В. // Патент РФ №2615096.03.04.2017. Бюл. №10] - аналог. Без дополнительной обработки для снижения шероховатости поверхности методами поверхностно-пластического деформирования в частности безабразивной ультразвуковой финишной обработки, предложенный способ электроэрозионной обработки не пригоден для создания износостойких покрытий с низкой шероховатостью (Ra=0,08-0,4 мкм), используемых в парах трения, в деталях и узлах газо- и гидродинамических установок. Применение шлифовки после электроэрозионной обработки не представляется возможным, так как в данном случае удаляется 50-100 мкм поверхностного слоя, причем слоя с наибольшей твердостью.

Известен способ электроэрозионной обработки поверхности [А.Е. Кудряшов, Д.Н. Лебедев, А.Ю. Потанин, Н.В. Швындина, И.В. Сухорукова, Д.В. Штанский, Е.А. Левашов. / Кинетика осаждения, структура и свойства электроискровых покрытий Cr-Al-Si-B на жаропрочном никелевом сплаве. // Известия вузов. Порошковая металлургия и функциональные покрытия. - 2015. - №4. - С. 59-70.] -аналог. Авторами установлен оптимальный высокочастотный режим электроэрозионной обработки: энергия импульса Е=0,048 Дж, ток искрового разряда I=120 А при напряжении U=20 В, частота следования импульсов f=3200 Гц, длительность импульса т=20 мкс, характеризующийся минимальной эрозией катода при удовлетворительной скорости осаждения покрытий и относительно низкой шероховатостью (при толщине покрытия 15-25 мкм шероховатость Ra варьируется от 3 до 8,5 мкм при исходной шероховатости образца Ra=0,38 мкм). В работах других авторов, например, [Игнатенко Э.П., Верхотуров А.Д., Маркман М.З. / Формирование поверхностного слоя при электроискровом легировании легкоплавкими металлами // Электронная обработка материалов. - 1979. - №3. - С. 26-29.] установлено, что воздействие на поверхность электродов единичных искровых импульсов приводит к образованию лунок на аноде и катоде. Несмотря на одинаковое число искровых импульсов, воздействующих на поверхность электродов с одинаковой энергией, характер изменения массы последних различен: в режиме единичных импульсов всегда отмечалось уменьшение массы анода и катода, а в случае непрерывной подачи импульсов уменьшение массы у анода и повышение у катода. Приведенные экспериментальные данные объясняются тем, что в газовой среде вблизи электродов происходят чрезвычайно сложные процессы при возникновении разряда [Грановский В.Л. Электрический ток в газе. Установившийся ток./ под ред. Л.А. Сена и В.Е. Голанта. М., Наука, 1971.]. В частности, из-за негативного влияния пинч-эффекта (сжатие канала дугового разряда, вызванное силами магнитодинамической природы, зависящими от силы тока) в прикатодной области разряда возникают потоки плазмы, направленные от электрода, препятствующие осаждению легирующего материала. При токах разряда выше критических значений (50-100 А) катодный депозит образуется с большим трудом и наблюдается эрозия катода. По этой причине, получение износостойких покрытий с низкой шероховатостью (Ra=0,08-0,4 мкм) в известном способе электроэрозионной обработки поверхности при токах 120 А невозможно при любой длительности и частоте следования импульсов, что и наблюдается в ухудшении шероховатости поверхности в десятки раз по сравнению с исходной.

Известен способ цементации стальных деталей электроэрозионным легированием [Марцинковский В.С., Тарельник В.Б., Братущак М.П. // Патент РФ №2468899.10.12.2012 Бюл. №34] - прототип. Задача изобретения - снижение шероховатости поверхности стальных деталей после процесса цементации электроэрозионным легированием с сохранением качества поверхностного слоя: отсутствие микротрещин, наличие слоя повышенной твердости, 100% сплошность. Технический результат достигается за счет того, что последующее электроэрозионное легирование поверхности детали выполняют поэтапно тем же графитовым электродом, что и цементацию, при этом на каждом последующем этапе снижают энергию разряда режима электроэрозионного легирования. Наилучший результат по снижению шероховатости поверхности до значений Ra=0,8-0,9 мкм достигается при следующих режимах электроэрозионной обработки: энергия разряда Е=0,1 Дж, производительность 2 мин/см2. Процесс цементации стальных деталей электроэрозионным легированием проводили на открытом воздухе с физическим контактом анода на изделие при значениях тока, ведущих к эрозии катода (детали), что категорически неприемлемо для создания функциональных покрытий из карбида молибдена Мо2С с низкой шероховатостью (Ra=0,08-0,4 мкм).

Задачей настоящего изобретения является разработка способа электроэрозионной обработки поверхности деталей из молибдена графитовым анодом для получения функциональных покрытий из карбида молибдена Мо2С с шероховатостью не хуже Ra=0,08-0,4 мкм.

Технический результат достигается тем, что процесс электроэрозионной обработки поверхности проводят высоковольтной электрической дугой высокого давления в атмосфере водорода с фиксированным зазором между электродами и жесткой внешней характеристикой источника тока, причем скважность импульсов варьируется в зависимости от заданной шероховатости покрытия из карбида молибдена Мо2С.

При карбидизации тугоплавких металлов и сплавов, имеющих большое сродство к кислороду (вольфрам, молибден), для получения достаточно чистых по составу карбидных покрытий необходимо использовать защитные газовые смеси, не содержащие кислорода и его соединений [Самсонов Г.В., Эпик Л.П. / Тугоплавкие покрытия. // Изд. 2-е, пер. и доп. М. - «Металлургия». - 1973.]. В качестве защитного и плазмообразующего газа наиболее дешевым с экономической точки зрения и эффективным с термодинамической является использование водорода.

Из уровня техники известно, что использование электроэрозионной обработки поверхности с физическим контактом анода на изделие при токах 100-120 А даже с минимальной энергией импульса Е=0,05-0,1 Дж не может обеспечить шероховатость поверхности лучше, чем Ra=0,8-0,9 мкм. Поэтому в предлагаемом способе была выбрана схема процесса с фиксированным зазором между электродами, для того, чтобы однозначно исключить влияние пинч-эффекта на процесс обработки, ток разряда был снижен в 100 раз, по сравнению с прототипом, и варьировался в диапазоне 0,5-1 А. Напряжение между катодом и анодом было выбрано 2000 В, исходя из подводимой мощности (от 1 до 2 кВт), для достижения типовых значений производительности процесса 1-5 мин/см2. Источник тока имеет жесткую внешнюю характеристику. Во избежание поражения оператора электрическим током, частота следования импульсов выбрана 60 кГц - выше рекомендованного порогового значения 50 кГц [А.Г. Качалов В.В. Наумов / Основы электробезопасности. Методические материалы для работников охраны труда и ответственных за электрохозяйство. 3-е издание. // Издательство УПЦ «Талант» - 2003]. На фиг. 1 представлен график, поясняющий характер следования импульсов и их скважность (ϕа=2000 В - потенциал анода; ϕк=0 В - потенциал катода). Изменяя скважность импульсов (S) можно регулировать скорость массопереноса материала анода и контролировать шероховатость поверхности катода. На графике цифрами обозначены возможные режимы разряда, при которых: (1) S=1,1; (2) S=2; (3) S=10.

На фиг. 1 представлен график, поясняющий характер следования импульсов и их скважность.

На фиг. 2 представлено изображение рельефа поверхности, полученное с помощью атомно-силовой микроскопии.

Способ электроэрозионной обработки поверхности детали из молибдена (катод) с исходной шероховатостью после токарной обработки Ra=50-100 при использовании анода из графита в атмосфере водорода при давлении 0,1 МПа характеризуется следующими примерами.

Пример 1. Ток дугового разряда I=1 А, напряжение между электродами U=2000 В, межэлектродный зазор δ=2 мм, скважность импульсов S=1,1. Наблюдается активная эрозия анода с получением катодного депозита и карбидизацией Мо2С поверхности детали из молибдена. После электроэрозионной обработки шероховатость поверхности снизилась до значений Ra=0,8 мкм.

Пример 2. Ток дугового разряда I=0,5 А, напряжение между электродами U=2000 В, межэлектродный зазор δ=2 мм, скважность импульсов S=2. Эрозия анода снижается, производительность процесса карбидизации Мо2С поверхности молибденового изделия замедляется, шероховатость поверхности после обработки Ra=0,4 мкм.

Пример 3. Ток дугового разряда I=0,8 А, напряжение между электродами U=2000 В, межэлектродный зазор δ=2 мм, скважность импульсов S=10. Наблюдается выглаживание поверхности катода с «залечиванием» лунок и эрозией наростов, производительность процесса карбидизации Мо2С минимальна, шероховатость поверхности стремится к значению Ra=0,08 мкм. На фиг. 2 представлено изображение рельефа поверхности, полученное с помощью атомно-силовой микроскопии (Solver Р-47, NT-MDT).

Таким образом, предложенный способ электроэрозионной обработки является перспективным для создания покрытий на поверхности деталей из тугоплавких металлов, используемых в парах трения, в деталях и узлах газо- и гидродинамических установок.

Способ получения покрытия из карбида молибдена на детали из молибдена, включающий электроэрозионную обработку детали высоковольтной электрической дугой высокого давления в атмосфере водорода с фиксированным зазором между электродами, при которой в качестве катода используют обрабатываемую деталь, а в качестве анода - легирующий электрод из графита, при этом обработку осуществляют при напряжении 2000 B, токе разряда 0,5-1 А с частотой следования импульсов 60 Гц, причем путем изменения скважности импульсов контролируют шероховатость получаемого покрытия из карбида молибдена.
Способ электроэрозионной обработки поверхности молибдена
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 91.
10.01.2013
№216.012.1846

Устройство для получения массивов углеродных нанотрубок на металлических подложках

Изобретение относится к нанотехнологии. Устройство для получения массивов углеродных нанотрубок (УНТ) на металлических подложках состоит из двух электродов 7 и 8, расположенных соосно и перемещаемых навстречу друг другу водоохлаждаемыми штоками 8 и 9, скользящих графитовых токоподводов 11 и 12,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002471706
Дата охранного документа: 10.01.2013
10.02.2013
№216.012.2477

Устройство и способ с речевым интерфейсом определения водолазом направления на источник тонального звукового сигнала

Использование: для определения водолазом направления на источник тонального звукового сигнала. Сущность: сигнал источника принимается на две ненаправленные антенны, расстояние между которыми λ/4. Сигнал от первой антенны подается на вход сумматора, сигнал от второй антенны последовательно...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474837
Дата охранного документа: 10.02.2013
10.04.2013
№216.012.3480

Способ определения глубины погружения приводняющегося объекта

Использование: для измерения глубины погружения приводняющегося объекта с использованием гидролокатора ближнего действия, установленного на движущемся носителе относительно горизонта его движения. Сущность: с помощью гидролокатора производят излучение зондирующих сигналов гидролокатором, прием...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002478983
Дата охранного документа: 10.04.2013
20.06.2013
№216.012.4cb3

Способ получения монокристаллов теллурида галлия (ii)

Изобретение относится к технологии получения кристаллов GaTe, которые могут быть использованы в нелинейной оптике, а именно для оптических преобразователей частоты ИК и ТГц диапазонов. Кристаллы теллурида галлия (II) выращивают вертикальной зонной плавкой в графитовых тиглях под давлением...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485217
Дата охранного документа: 20.06.2013
20.06.2013
№216.012.4cb4

Способ получения кристаллов вольфрамата натрия-висмута

Изобретение относится к области выращивания из расплава нелегированных кристаллов вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO), являющегося перспективным материалом для Черепковских детекторов. Выращивание кристаллов осуществляют методом Чохральского в воздушной атмосфере со скоростью вытягивания 4-5...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485218
Дата охранного документа: 20.06.2013
27.10.2013
№216.012.783c

Крионаконечник с сапфировым хладопроводом-облучателем

Изобретение относится к хирургическим инструментам, применяемым для локального замораживания и деструкции выделенных участков биологической ткани, и может быть использовано в общей и детской хирургии, в онкологии, дерматологии, отоларингологии, гинекологии, косметологии. Крионаконечник с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002496442
Дата охранного документа: 27.10.2013
20.01.2014
№216.012.98be

Устройство для визуализации электрических полей свч в пространстве

Использование: относится к области визуализации распределения в пространстве электрических полей СВЧ диапазона. Сущность: в установке визуализации СВЧ полей применены измерительная камера «открытого» типа из двух расположенных горизонтально параллельных медных дисков, антенна-зонд,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504801
Дата охранного документа: 20.01.2014
27.03.2014
№216.012.adf5

Способ удаления опухолей мозга с выделением границ опухоли флуоресцентной диагностикой с одновременной коагуляцией и аспирацией и устройство для его осуществления

Группа изобретений относится к медицине. Устройство включает сапфировый зонд с продольными каналами, в которых размещены оптические волокна, одни из которых предназначены для подачи излучения, возбуждающего флуоресценцию и коагулирующего излучения в зону деструкции ткани от присоединенных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002510248
Дата охранного документа: 27.03.2014
10.06.2014
№216.012.d04b

Способ эксфолиации слоистых кристаллических материалов

Изобретение относится к нанотехнологиям. Способ включает эксфолиацию заготовок из слоистых кристаллических материалов, закрепленных с одной стороны на опоре из глипталя, с использованием клейкой ленты, глипталь по окончании эксфолиации растворяют в ацетоне, где образуется взвесь кристаллических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519094
Дата охранного документа: 10.06.2014
27.06.2014
№216.012.d5ae

Способ получения слоев карбида кремния

Изобретение относится к области получения карбида кремния, используемого в полупроводниковой промышленности в качестве материала для радиопоглощающих покрытий, диодов, светодиодов, солнечных элементов и силовых вентилей. Карбид кремния получают перемещением ленты углеродной фольги в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002520480
Дата охранного документа: 27.06.2014
Показаны записи 1-10 из 48.
10.01.2013
№216.012.1846

Устройство для получения массивов углеродных нанотрубок на металлических подложках

Изобретение относится к нанотехнологии. Устройство для получения массивов углеродных нанотрубок (УНТ) на металлических подложках состоит из двух электродов 7 и 8, расположенных соосно и перемещаемых навстречу друг другу водоохлаждаемыми штоками 8 и 9, скользящих графитовых токоподводов 11 и 12,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002471706
Дата охранного документа: 10.01.2013
20.06.2013
№216.012.4cb3

Способ получения монокристаллов теллурида галлия (ii)

Изобретение относится к технологии получения кристаллов GaTe, которые могут быть использованы в нелинейной оптике, а именно для оптических преобразователей частоты ИК и ТГц диапазонов. Кристаллы теллурида галлия (II) выращивают вертикальной зонной плавкой в графитовых тиглях под давлением...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485217
Дата охранного документа: 20.06.2013
20.06.2013
№216.012.4cb4

Способ получения кристаллов вольфрамата натрия-висмута

Изобретение относится к области выращивания из расплава нелегированных кристаллов вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO), являющегося перспективным материалом для Черепковских детекторов. Выращивание кристаллов осуществляют методом Чохральского в воздушной атмосфере со скоростью вытягивания 4-5...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485218
Дата охранного документа: 20.06.2013
10.06.2014
№216.012.d04b

Способ эксфолиации слоистых кристаллических материалов

Изобретение относится к нанотехнологиям. Способ включает эксфолиацию заготовок из слоистых кристаллических материалов, закрепленных с одной стороны на опоре из глипталя, с использованием клейкой ленты, глипталь по окончании эксфолиации растворяют в ацетоне, где образуется взвесь кристаллических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519094
Дата охранного документа: 10.06.2014
20.03.2015
№216.013.3499

Люминесцентное литий-боратное стекло

Изобретение относится к области люминесцентных стекол для преобразования ультрафиолетового излучения в белый цвет. Техническим результатом изобретения является создание люминесцентного стекла с высокой прозрачностью в видимом диапазоне. Люминесцентное литий-боратное стекло на основе тетрабората...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002544940
Дата охранного документа: 20.03.2015
10.04.2015
№216.013.3f8e

Ампула для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации. Ампула содержит герметичный корпус 1 из кварцевого стекла и коаксиально размещенный в нем герметичный кварцевый тигель 4 с загрузкой селенида галлия 5 и графитовые...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002547758
Дата охранного документа: 10.04.2015
20.04.2015
№216.013.437b

Способ определения доброкачественных и злокачественных новообразований щитовидной железы человека

Изобретение относится к области молекулярной биологии и медицины и предназначено для определения доброкачественных и злокачественных новообразований щитовидной железы (ЩЖ) человека. Осуществляют взятие образца ткани опухоли ЩЖ и прилежащей неизмененной ткани железы в качестве контроля,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002548773
Дата охранного документа: 20.04.2015
20.11.2015
№216.013.92a0

Способ дифференциальной диагностики новообразований щитовидной железы человека

Изобретение касается способа дифференциальной диагностики новообразований щитовидной железы (ЩЖ) человека. Способ включает выделение из образца опухолевой ткани ЩЖ человека и образца прилежащей неизмененной ткани железы (в качестве контроля) суммарного пула РНК (в том числе содержащий и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002569154
Дата охранного документа: 20.11.2015
10.01.2016
№216.013.9ea0

Холодный катод

Изобретение относится к области получения углеродных наноструктур, а именно слоев углеродных нанотрубок на металлических подложках, применяемых в качестве холодных катодов (автоэлектронных источников эмиссии). Технический результат - создание простого в изготовлении холодного катода без...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002572245
Дата охранного документа: 10.01.2016
10.05.2016
№216.015.3dc7

Фотохромное люминесцентное стекло

Изобретение относится к области материалов для твердотельных индикаторов ультрафиолетового излучения. Фотохромное люминесцентное стекло содержит оксид европия EuO в концентрации 0,43-0,49% (мас.) и тетраборат лития LiBO (остальное). Стекло интенсивно люминесцирует при воздействии...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002583967
Дата охранного документа: 10.05.2016
+ добавить свой РИД