×
06.07.2020
220.018.2fb7

Трансформатор импульсов электроэнергии однополярного тока

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электрометаллургии для гальванической развязки в источниках питания высокочастотной дуги, используемой для плавления металлических порошков, электроэрозионной обработки поверхности и изготовления деталей сложной формы. Технический результат состоит в уменьшении проводимости магнитопровода и достигается использованием вставки из неодимового магнита с аксиальным расположением полюсов, помещенной в зазор магнитопровода трансформатора толщиной 1 мм. 3 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в электрометаллургии в качестве гальванической развязки в источниках питания высокочастотной дуги постоянного тока, используемой для плавления металлических порошков, электроэрозионной обработки поверхности и изготовления деталей сложной формы.

Известно, что трансформация импульсов электроэнергии однополярного тока затруднительна по причине насыщения рабочей индукции магнитопровода трансформатора в соответствии с кривой намагничивания для данного материала. При небольшой мощности (например, управляющие сигналы на базу/затвор силовых транзисторов) возможна передача энергии с помощью трансформатора без существенных потерь полезного сигнала по частной петле намагничивания вблизи области насыщения магнитопровода, при этом индукция изменяется в пределах от остаточной Вr до (в пределе) индукции насыщения Bs. Схематично частная петля намагничивания показана на фиг.1 заштрихованной областью. У самых лучших представителей класса ферромагнетиков остаточная индукция примерно равна половине индукции насыщения [Силовая электроника от простого к сложному / Семенов Б.Ю. - М.: СОЛОН-Пресс, 2005. - 419 с]. В таких условиях работы магнитопровод трансформатора работает наименее эффективно. Для однотактных преобразователей предложенные схемы трансформации однополярного тока сильно ограничивают регулировочные характеристики источников силового электропитания и требуют введения в схему дополнительных элементов для защиты силовых транзисторов от потенциального пробоя вследствие возникновения ЭДС самоиндукции. Поэтому необходима разработка простых способов снижения остаточной индукции в магнитопроводе силового трансформатора без значительного усложнения схем.

В процессе развития импульсной электротехники наиболее интересные технологические решения этой проблемы предлагались в цепях двуполярного тока, где явление насыщения рабочей индукции магнитопровода имеет туже природу и объясняется подмагничиванием сердечника силового трансформатора кратковременными постоянными токами, возникающими из-за асимметрии импульсов, вызванной рядом причин схемотехнического характера.

Введение обратной связи по потоку рассеяния или току намагничивания силового трансформатора реализовано в импульсном преобразователе напряжения [И.В. Фомин // Патент РФ №2035833 от 20.05.1995] и [Тупиков Н.Г. и др. // Патент РФ №2410829 от 27.01.2011] - аналог. В этом случае, при увеличении тока подмагничивания, коррекция длительности управляющих импульсов производится в каждом такте управления. Такое схемное решение связано со значительными сложностями измерения контролируемых параметров (потока рассеивания и тока подмагничивания). При значительной асимметрии импульсов, вызванной разбросом параметров силовых транзисторов, ошибок монтажа ВЧ дросселей и топологии печатных плат, рост тока через первичную обмотку трансформатора может происходить с большой скоростью, и тогда ограничение длительности импульсов не успевает скорректировать асимметрию, компаратор отключает силовой каскад, что приводит к нарушению нормального режима работы преобразователя. Таким образом, наличие значительной инерционности переходных процессов в цепях обратной связи может приводить к выходу из строя силовых ключей и аварийным ситуациям. Такой преобразователь никак не предусматривает снижение остаточной индукции, что ограничивает его применение в качестве источника питания высокочастотной дуги однополярного тока.

Включение разделительного конденсатора в первичную обмотку силового трансформатора приводит к симметрированию положения рабочей петли гистерезиса в резонансных схемах [Особенности работы высокочастотного силового трансформатора в схеме последовательного резонансного инвертора. / С. Земан, А. Осипов, О. Сандырев. - Силовая Электроника. - №1. - 2007] - аналог. В этом случае ток подмагничивания силового трансформатора полностью отсутствует за счет того, что среднее значение тока разделительного конденсатора в установившемся режиме равно нулю. Такое техническое решение наиболее эффективно в резонансных схемах, однако при ступенчатом скачке напряжения с определенной величиной асимметрии возникают низкочастотные колебания, приводящие к завышению рабочей индукции трансформатора и нарушению нормального режима работы преобразователя. Для устранения этих колебаний необходимо, чтобы длительность фронта скачка напряжения не превышала постоянную времени колебательного процесса, что вызывает определенные сложности при расчете разделительной емкости. Устройство никак не предусматривает снижение остаточной индукции, что ограничивает его применение в качестве источника питания высокочастотной дуги однополярного тока.

Устранение асимметричного режима работы трансформатора путем введения немагнитного зазора [Б. Гусев, Д. Овчинников / Мостовой преобразователь с удвоителем тока при подмагничивании сердечника трансформатора // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2005. Вып. 5.] - прототип - является эффективным техническим решением в борьбе с подмагничиванием магнитопровода и позволяет уменьшить смещение частного цикла петли намагничивания при воздействии значительных асимметрий. Размагничивающий эффект зазора, приводит к сдвигу петли гистерезиса и заметному снижению магнитной проницаемости магнитопровода при уменьшении остаточной индукции, в связи с этим значительно увеличивается полезный размах индукции. Малые величины зазора фактически не влияют на потери в магнитопроводе, однако оказывают необходимый размагничивающий эффект, исключающий быстрое насыщение магнитопровода при действии однополярного тока. Такое устройство магнитопровода трансформатора наиболее простое, однако снизить остаточную индукцию до нуля и полностью устранить ток подмагничивания не удается, вследствие чего приходится увеличивать запас рабочей индукции по отношению к индукции насыщения, которая должна включать постоянный уровень, обусловленный током подмагничивания. Для повышения устойчивости к воздействию тока подмагничивания необходимо увеличение немагнитного зазора магнитопровода, что не всегда возможно из-за возрастания потерь на перемагничивание и значительного роста тока намагничивания трансформатора. Устройство не пригодно для снижения остаточной индукции до нуля и трансформации импульсов электроэнергии однополярного тока.

Задачей настоящего изобретения является разработка трансформатора импульсов электроэнергии однополярного тока с нулевой остаточной индукцией магнитопровода для гальванической развязки в источниках питания высокочастотной дуги, используемой для плавления металлических порошков, электроэрозионной обработки поверхности и изготовления деталей сложной формы.

Технический результат достигается за счет использования вставки из неодимового магнита с аксиальным расположением полюсов, помещенной в зазор магнитопровода трансформатора толщиной 1 мм. На фиг. 1, 2 представлена схема трансформатора со вставкой из неодимового магнита. На фиг. 3 изображен трансформатор со вставкой из неодимового магнита. Цифрами обозначены: (1) - магнитопровод трансформатора; (2) - вставка из неодимового магнита; (3) - обмотки трансформатора. Вектор индукции неодимового магнита, расположенного в зазоре магнитопровода, ориентирован навстречу вектору индукции однополярного тока, протекающего в обмотках трансформатора, и служит для снижения остаточной индукции магнитопровода Вr до нуля и, как следствие, для увеличения КПД трансформатора. В качестве магнитопровода использовали феррит марки М2000НМ со следующими характеристиками: коэрцитивная сила Нс=16 А/м; остаточная индукция Вr=0,14 Тл; индукция насыщения Bs=0,38 Тл [LTspice: компьютерное моделирование электронных схем. / Володин В.Я. - СПб. - БХВ-Петербург, 2010, - 400 с]. Работа трансформатора импульсов электроэнергии однополярного тока на частоте 60 кГц с различной скважностью импульсов S=1,1; S=2; S=10 напряжением 500 В и током от 0,5 до 1 А характеризуется следующими примерами.

Пример 1. Вставка из неодимового магнита предварительно намагничена до В1=0,15Тл. КПД трансформатора равен 82% при различной скважности импульсов S=1,1; S=2; S=10 и токах в диапазоне 0,5 - 1 А.

Пример 2. Вставка из неодимового магнита предварительно намагничена до В2=0,4 Тл. КПД трансформатора равен 92% при различной скважности импульсов S=1,1; S=2; S=10 и токах в диапазоне 0,5 - 1 А.

Пример 3. Вставка из неодимового магнита предварительно намагничена в поле соленоида без сердечника до Н=18А/м. КПД трансформатора равен 79% при различной скважности импульсов S=1,1; S=2; S=10 и токах в диапазоне 0,5 - 1 А.

Из приведенных примеров видно, что наиболее эффективным является случай, где вставка из неодимового магнита намагничена до величины индукции насыщения Bs феррита М200НМ - материла сердечника силового трансформатора.

Таким образом, предложенный трансформатор импульсов электроэнергии однополярного тока со вставкой из неодимового магнита с аксиальным расположением полюсов, помещенной в зазор магнитопровода трансформатора толщиной 1 мм может служить для гальванической развязки в источниках питания высокочастотной дуги, используемой для плавления металлических порошков, электроэрозионной обработки поверхности и изготовления деталей сложной формы.

Трансформатор импульсов электроэнергии однополярного тока по частной петле намагничивания, отличающийся тем, что для уменьшения остаточной намагниченности до нуля используется вставка из неодимового магнита с аксиальным расположением полюсов, помещенная в зазор магнитопровода трансформатора толщиной 1 мм.
Трансформатор импульсов электроэнергии однополярного тока
Трансформатор импульсов электроэнергии однополярного тока
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 91.
10.01.2013
№216.012.1846

Устройство для получения массивов углеродных нанотрубок на металлических подложках

Изобретение относится к нанотехнологии. Устройство для получения массивов углеродных нанотрубок (УНТ) на металлических подложках состоит из двух электродов 7 и 8, расположенных соосно и перемещаемых навстречу друг другу водоохлаждаемыми штоками 8 и 9, скользящих графитовых токоподводов 11 и 12,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002471706
Дата охранного документа: 10.01.2013
10.02.2013
№216.012.2477

Устройство и способ с речевым интерфейсом определения водолазом направления на источник тонального звукового сигнала

Использование: для определения водолазом направления на источник тонального звукового сигнала. Сущность: сигнал источника принимается на две ненаправленные антенны, расстояние между которыми λ/4. Сигнал от первой антенны подается на вход сумматора, сигнал от второй антенны последовательно...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474837
Дата охранного документа: 10.02.2013
10.04.2013
№216.012.3480

Способ определения глубины погружения приводняющегося объекта

Использование: для измерения глубины погружения приводняющегося объекта с использованием гидролокатора ближнего действия, установленного на движущемся носителе относительно горизонта его движения. Сущность: с помощью гидролокатора производят излучение зондирующих сигналов гидролокатором, прием...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002478983
Дата охранного документа: 10.04.2013
20.06.2013
№216.012.4cb3

Способ получения монокристаллов теллурида галлия (ii)

Изобретение относится к технологии получения кристаллов GaTe, которые могут быть использованы в нелинейной оптике, а именно для оптических преобразователей частоты ИК и ТГц диапазонов. Кристаллы теллурида галлия (II) выращивают вертикальной зонной плавкой в графитовых тиглях под давлением...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485217
Дата охранного документа: 20.06.2013
20.06.2013
№216.012.4cb4

Способ получения кристаллов вольфрамата натрия-висмута

Изобретение относится к области выращивания из расплава нелегированных кристаллов вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO), являющегося перспективным материалом для Черепковских детекторов. Выращивание кристаллов осуществляют методом Чохральского в воздушной атмосфере со скоростью вытягивания 4-5...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485218
Дата охранного документа: 20.06.2013
27.10.2013
№216.012.783c

Крионаконечник с сапфировым хладопроводом-облучателем

Изобретение относится к хирургическим инструментам, применяемым для локального замораживания и деструкции выделенных участков биологической ткани, и может быть использовано в общей и детской хирургии, в онкологии, дерматологии, отоларингологии, гинекологии, косметологии. Крионаконечник с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002496442
Дата охранного документа: 27.10.2013
20.01.2014
№216.012.98be

Устройство для визуализации электрических полей свч в пространстве

Использование: относится к области визуализации распределения в пространстве электрических полей СВЧ диапазона. Сущность: в установке визуализации СВЧ полей применены измерительная камера «открытого» типа из двух расположенных горизонтально параллельных медных дисков, антенна-зонд,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504801
Дата охранного документа: 20.01.2014
27.03.2014
№216.012.adf5

Способ удаления опухолей мозга с выделением границ опухоли флуоресцентной диагностикой с одновременной коагуляцией и аспирацией и устройство для его осуществления

Группа изобретений относится к медицине. Устройство включает сапфировый зонд с продольными каналами, в которых размещены оптические волокна, одни из которых предназначены для подачи излучения, возбуждающего флуоресценцию и коагулирующего излучения в зону деструкции ткани от присоединенных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002510248
Дата охранного документа: 27.03.2014
10.06.2014
№216.012.d04b

Способ эксфолиации слоистых кристаллических материалов

Изобретение относится к нанотехнологиям. Способ включает эксфолиацию заготовок из слоистых кристаллических материалов, закрепленных с одной стороны на опоре из глипталя, с использованием клейкой ленты, глипталь по окончании эксфолиации растворяют в ацетоне, где образуется взвесь кристаллических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519094
Дата охранного документа: 10.06.2014
27.06.2014
№216.012.d5ae

Способ получения слоев карбида кремния

Изобретение относится к области получения карбида кремния, используемого в полупроводниковой промышленности в качестве материала для радиопоглощающих покрытий, диодов, светодиодов, солнечных элементов и силовых вентилей. Карбид кремния получают перемещением ленты углеродной фольги в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002520480
Дата охранного документа: 27.06.2014
Показаны записи 1-10 из 34.
10.01.2013
№216.012.1846

Устройство для получения массивов углеродных нанотрубок на металлических подложках

Изобретение относится к нанотехнологии. Устройство для получения массивов углеродных нанотрубок (УНТ) на металлических подложках состоит из двух электродов 7 и 8, расположенных соосно и перемещаемых навстречу друг другу водоохлаждаемыми штоками 8 и 9, скользящих графитовых токоподводов 11 и 12,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002471706
Дата охранного документа: 10.01.2013
20.06.2013
№216.012.4cb3

Способ получения монокристаллов теллурида галлия (ii)

Изобретение относится к технологии получения кристаллов GaTe, которые могут быть использованы в нелинейной оптике, а именно для оптических преобразователей частоты ИК и ТГц диапазонов. Кристаллы теллурида галлия (II) выращивают вертикальной зонной плавкой в графитовых тиглях под давлением...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485217
Дата охранного документа: 20.06.2013
20.06.2013
№216.012.4cb4

Способ получения кристаллов вольфрамата натрия-висмута

Изобретение относится к области выращивания из расплава нелегированных кристаллов вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO), являющегося перспективным материалом для Черепковских детекторов. Выращивание кристаллов осуществляют методом Чохральского в воздушной атмосфере со скоростью вытягивания 4-5...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485218
Дата охранного документа: 20.06.2013
10.06.2014
№216.012.d04b

Способ эксфолиации слоистых кристаллических материалов

Изобретение относится к нанотехнологиям. Способ включает эксфолиацию заготовок из слоистых кристаллических материалов, закрепленных с одной стороны на опоре из глипталя, с использованием клейкой ленты, глипталь по окончании эксфолиации растворяют в ацетоне, где образуется взвесь кристаллических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519094
Дата охранного документа: 10.06.2014
20.03.2015
№216.013.3499

Люминесцентное литий-боратное стекло

Изобретение относится к области люминесцентных стекол для преобразования ультрафиолетового излучения в белый цвет. Техническим результатом изобретения является создание люминесцентного стекла с высокой прозрачностью в видимом диапазоне. Люминесцентное литий-боратное стекло на основе тетрабората...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002544940
Дата охранного документа: 20.03.2015
10.04.2015
№216.013.3f8e

Ампула для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации. Ампула содержит герметичный корпус 1 из кварцевого стекла и коаксиально размещенный в нем герметичный кварцевый тигель 4 с загрузкой селенида галлия 5 и графитовые...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002547758
Дата охранного документа: 10.04.2015
10.01.2016
№216.013.9ea0

Холодный катод

Изобретение относится к области получения углеродных наноструктур, а именно слоев углеродных нанотрубок на металлических подложках, применяемых в качестве холодных катодов (автоэлектронных источников эмиссии). Технический результат - создание простого в изготовлении холодного катода без...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002572245
Дата охранного документа: 10.01.2016
10.05.2016
№216.015.3dc7

Фотохромное люминесцентное стекло

Изобретение относится к области материалов для твердотельных индикаторов ультрафиолетового излучения. Фотохромное люминесцентное стекло содержит оксид европия EuO в концентрации 0,43-0,49% (мас.) и тетраборат лития LiBO (остальное). Стекло интенсивно люминесцирует при воздействии...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002583967
Дата охранного документа: 10.05.2016
27.05.2016
№216.015.426a

Способ увеличения размеров алмазов

Изобретение относится к области получения синтетических алмазов и может быть использовано в качестве детекторов ядерного излучения в счетчиках быстрых частиц, а также в ювелирном деле. Способ включает осаждение углерода на затравочные кристаллы алмазов при их нагреве в вакууме, при этом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002585634
Дата охранного документа: 27.05.2016
13.01.2017
№217.015.823a

Способ нанесения массивов углеродных нанотрубок на металлические подложки

Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано для изготовления автоэлектронных эмиттеров. Углеродные нанотрубки осаждают на металлические подложки в дуговом реакторе в рабочей атмосфере на основе инертного газа, содержащей водород 8-10 об.% и гелий - остальное. Металлические...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601335
Дата охранного документа: 10.11.2016
+ добавить свой РИД