×
19.07.2019
219.017.b631

Результат интеллектуальной деятельности: Способ получения кристаллов CdAs

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области выращивания кристаллов диарсенида трикадмия. Кристаллы CdAs получают кристаллизацией капель расплава стехиометрического состава, свободно падающих в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5±0,5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 44-52 град./см. Способ позволяет получать монокристаллы, обладающие поверхностной сверхпроводимостью на образцах, ориентированных по (112). 1 ил., 7 пр.

Изобретение относится к области выращивания кристаллов неорганических соединений.

Диарсенид трикадмия Cd3As2 - это материал, вызывающий в настоящее время повышенный интерес в экспериментальной физике как полуметалл Дирака, для которого теоретически предсказана поверхностная сверхпроводимость. Экспериментальное наблюдение этого явления оказалось возможным только в местах точечных контактов, плотно прижатых к поверхности.

Известен способ получения кристаллов Cd3As2 из нестехиометрического расплава [Н. Wang, Н. Wang, Н. Liu, Н. Lu, W. Yang, S. Jia, X.-J. Liu, X. C. Xie, J. Wei, J. Wang, Nat. Mater. 15, 38 (2016)] - аналог. Недостатком этого способа является то, что выращенные кристаллы демонстрируют сверхпроводимость только в местах точечного контакта, плотно прижатого к поверхности, что может быть объяснено как несовершенством структуры кристаллов, так и отклонением их состава от стехиометрии.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ выращивания кристаллов (Cd0,6Zn0,4)3As2 из расплава стехиометрического состава методом Бриджмена [В.С. Захвалинский, Т.Б. Никуличева, E Lähderanta, М.А. Шахов, Е.А. Пилюк, С.В. Иванчихин. Прыжковая проводимость в монокристаллах (Cd0,6Zn0,4)3As2. Научные ведомости БелГУ. Серия Математика. Физика. 2015. №23 (220). Выпуск 41, стр. 71-79] - прототип. Недостатком этого метода является то, что при применении его к получению Cd3As2 в выращенных кристаллах не удается наблюдать поверхностной сверхпроводимости, что также может быть объяснено как несовершенством структуры кристаллов, так и возможным отклонением их состава от стехиометрии в ходе процесса.

Задачей данного изобретения является получение кристаллов Cd3As2, на которых возможно экспериментальное наблюдение поверхностной сверхпроводимости.

Эта задача решается в предлагаемом способе за счет того, что кристаллизации подвергают капли расплава стехиометрического состава, свободно падающие в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5±0,5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 44-52 град/см.

Предлагаемым способом получены монокристаллы диаметром до 5 мм, имеющие структуру α-Cd3As2 и хорошую спайность по кристаллографической плоскости (112), что иллюстрируется фотографией на Фиг. 1, где показана закристаллизованная капля, расколотая по плоскости спайности.

Полученные кристаллы демонстрируют поверхностную сверхпроводимость в областях площадью 100-120 мкм между сколотой по (112) поверхностью Cd3As2 и пленарным золотым контактом толщиной 100 нм, нанесенным на диэлектрическую подложку. Критическая температура перехода в сверхпроводящее состояние составляет ≈ 1 К. Параллельными измерениями установлено, что объемная сверхпроводимость в материале не наблюдается. Воспроизводимость результатов была подтверждена измерениями на образцах из четырех кристаллов.

Кристаллизация капель проводится под давлением инертного газа для предотвращения испарения расплава, ведущего к получению кристаллов нестехиометрического состава. Аргон выбран как распространенный и наиболее экономически доступный инертный газ.

Давление аргона выбрано экспериментально. При давлениях ниже 5±0,5 МПа полученные кристаллы не демонстрируют поверхностной сверхпроводимости, что может быть объяснено отклонением состава кристаллов от стехиометрии при недостаточно высоком давлении инертного газа. При давлениях выше 5±0,5 МПа не наблюдается дальнейшего положительного эффекта.

Градиент температуры на пути падения капель выбран экспериментально. При величине градиента менее 44 град/см капли представляют собой мелкозернистые поликристаллы, из которых невозможно подготовить образцы для измерений. При величине градиента более 52 град/см в кристаллизующихся каплях возникают значительные напряжения, приводящие к растрескиванию кристаллов, а при дальнейшем повышении градиента, и к полному их разрушению.

Процесс получения и кристаллизации капель был реализован в сосуде высокого давления. Графитовый резервуар для расплавления загрузки Cd3As2, снабженный графитовой трубкой для формирования капель при истечении расплава находился при температуре плавления Cd3As2 (990 K) и температурный градиент на пути падения капель задавали тепловым узлом, имеющим в конструкции графитовые нагреватели сопротивления. Процесс происходил под давлением инертного газа.

Пример 1.

Кристаллизации подвергают капли расплава, свободно падающие в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 42 град/см. Получены поликристаллы Cd3As2 c максимальным линейным размером зерен от ≈100 мкм до 0,5 мм.

Пример 2.

Кристаллизации подвергают капли расплава, свободно падающие в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 54 град/см. Происходит растрескивание закристаллизованных капель.

Пример 3.

Кристаллизации подвергают капли расплава, свободно падающие в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 65 град/см. Происходит разрушение кристаллизующихся капель.

Пример 4.

Кристаллизации подвергают капли расплава, свободно падающие в атмосфере аргона, находящегося под давлением 4 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 48 град/см. Полученные кристаллы не демонстрируют поверхностной сверхпроводимости, что объясняется отклонением состава от стехиометрии при недостаточно высоком давлении аргона.

Пример 5.

Кристаллизации подвергают капли расплава, свободно падающие в атмосфере аргона, находящегося под давлением 10 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 48 град/см. Получены монокристаллы, демонстрирующие поверхностную сверхпроводимость.

Пример 6.

Кристаллизации подвергают капли расплава, свободно падающие в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 44 град/см. Получены монокристаллы, демонстрирующие поверхностную сверхпроводимость.

Пример 7.

Кристаллизации подвергают капли расплава, свободно падающие в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 52 град/см. Получены монокристаллы, демонстрирующие поверхностную сверхпроводимость.

Способ получения кристаллов CdAs из расплава стехиометрического состава, отличающийся тем, что кристаллизации подвергают капли расплава, свободно падающие в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5±0,5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель составляет 44-52 град./см.
Способ получения кристаллов CdAs
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 21-30 из 91.
10.03.2016
№216.014.c143

Способ изготовления высокотемпературного фильтрующего материала для агрессивных жидкостей и газов

Изобретение относится к области химической технологии. Способ изготовления включает пропитку углеродных волокон расплавленным кремнием с удалением избыточного кремния растворением в смеси плавиковой и азотной кислот. Полученный фильтрующий материал образован нитями карбида кремния в текстильной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002576439
Дата охранного документа: 10.03.2016
10.05.2016
№216.015.3dc7

Фотохромное люминесцентное стекло

Изобретение относится к области материалов для твердотельных индикаторов ультрафиолетового излучения. Фотохромное люминесцентное стекло содержит оксид европия EuO в концентрации 0,43-0,49% (мас.) и тетраборат лития LiBO (остальное). Стекло интенсивно люминесцирует при воздействии...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002583967
Дата охранного документа: 10.05.2016
27.05.2016
№216.015.426a

Способ увеличения размеров алмазов

Изобретение относится к области получения синтетических алмазов и может быть использовано в качестве детекторов ядерного излучения в счетчиках быстрых частиц, а также в ювелирном деле. Способ включает осаждение углерода на затравочные кристаллы алмазов при их нагреве в вакууме, при этом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002585634
Дата охранного документа: 27.05.2016
12.01.2017
№217.015.580f

Трещиностойкие волокнистые керамические композиты

Изобретение относится к области высокотемпературных керамических материалов и может быть использовано при разработке конструкционных композитов с хрупкими компонентами. Трещиностойкие волокнистые керамические композиты содержат керамические матрицы и оксидные волокна. Используют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002588534
Дата охранного документа: 27.06.2016
13.01.2017
№217.015.7e6d

Способ нанесения газоплотного покрытия из карбида кремния

Изобретение относится к области термозащитных и антиокислительных покрытий, и может быть использовано для повышения химической инертности и температуры эксплуатации материалов, используемых в авиакосмической промышленности, топливо-энергетическом комплексе и др. Способ нанесения газоплотного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601049
Дата охранного документа: 27.10.2016
13.01.2017
№217.015.823a

Способ нанесения массивов углеродных нанотрубок на металлические подложки

Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано для изготовления автоэлектронных эмиттеров. Углеродные нанотрубки осаждают на металлические подложки в дуговом реакторе в рабочей атмосфере на основе инертного газа, содержащей водород 8-10 об.% и гелий - остальное. Металлические...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601335
Дата охранного документа: 10.11.2016
13.01.2017
№217.015.8350

Сапфировый терагерцовый фотонно-кристаллический волновод

Изобретение относится к области элементной базы терагерцовой оптотехники, в частности к волноводам для передачи терагерцового излучения. Сапфировый терагерцовый фотонно-кристаллический волновод представляет собой диэлектрическое тело, в котором имеются параллельные каналы, расположенные в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601770
Дата охранного документа: 10.11.2016
25.08.2017
№217.015.b151

Неорганический монокристаллический сцинтиллятор

Изобретение относится к новым неорганическим кристаллическим сцинтилляционным материалам на основе бромида лантана, легированного церием, и может быть использовано для регистрации ионизирующего излучения – гамма-квантов, рентгеновского излучения, космических излучений, элементарных частиц в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002613057
Дата охранного документа: 15.03.2017
25.08.2017
№217.015.bf3a

Способ получения опорных плит для обжига керамических изделий

Изобретение относится к области огнеупорных материалов и направлено на создание опорных плит (лещадок) для высокотемпературного обжига керамических изделий, таких как посуда, электроизоляторы и т.п. Для изготовления таких плит создан способ получения двухслойного кремний-углеродного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617133
Дата охранного документа: 21.04.2017
25.08.2017
№217.015.bf9d

Состав электрода накопителя электроэнергии

Изобретение относится к области материалов для создания конденсаторов, используемых в силовой электротехнике. Состав электрода накопителя электроэнергии, содержащий смесь активного углерода со связующим, отличается тем, что он содержит несколько слоев активного углерода в структурной форме...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617114
Дата охранного документа: 21.04.2017
Показаны записи 21-30 из 42.
03.10.2019
№219.017.d1c0

Искусственный эритроцинкит

Изобретение относится к искусственным ювелирным кристаллам. Предлагается искусственный эритроцинкит, имеющий в своем составе сульфид цинка, сульфид марганца и сульфид алюминия при следующем соотношении компонентов, мас.%: сульфид алюминия AlS - 0,001-0,01, сульфид марганца MnS - 0,2-0,5,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701822
Дата охранного документа: 01.10.2019
04.10.2019
№219.017.d219

Тигель для выращивания кристаллов халькогенидов металлов вертикальной зонной плавкой

Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов халькогенидов металлов: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, вертикальной зонной плавкой, осуществляемой путем перемещения тигля через неподвижно закрепленный нагреватель. Графитовый тигель состоит из корпуса и крышки 1, имеющей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701832
Дата охранного документа: 01.10.2019
04.10.2019
№219.017.d285

Способ получения кристаллов cosns

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов CoSnS, которые могут быть использованы в области экспериментальной физики как полуметаллический ферромагнетик, обладающий также свойствами полуметалла Вейля. Способ получения кристаллов CoSnS в вакуумированной ампуле из расплава...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701915
Дата охранного документа: 02.10.2019
26.10.2019
№219.017.db19

Способ пастилляции селенида цинка

Изобретение относится к технологии получения селенида цинка – широкозонного полупроводника, применяемого в технике в виде объемных поли- и монокристаллов, а также тонких пленок, получаемых термическим распылением кристаллической крошки, для которого наиболее подходящим является материал с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002704191
Дата охранного документа: 24.10.2019
19.12.2019
№219.017.ef3e

Устройство для измерения поверхностного натяжения расплавов сталагмометрическим методом

Устройство относится к измерительной технике для физических исследований свойств жидкостей. Устройство позволяет измерять поверхностное натяжение химически агрессивных расплавов тугоплавких веществ с высокими (больше 0,1 МПа) давлениями собственных паров над жидкой фазой, находящихся в инертной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002709422
Дата охранного документа: 17.12.2019
21.12.2019
№219.017.f00f

Способ электроэрозионной обработки поверхности молибдена

Изобретение относится к электроэрозионной обработке поверхности металлов и сплавов, используемой для повышения твердости, жаропрочности и коррозионной стойкости деталей машин. Предложен способ получения покрытия из карбида молибдена на детали из молибдена, включающий электроэрозионную обработку...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002709548
Дата охранного документа: 18.12.2019
06.02.2020
№220.017.ff42

Способ пространственной стабилизации дуги

Изобретение относится к области электрометаллургии и может быть использовано для прецизионной сварки, наплавки и изготовления деталей способом 3D-печати. Техническим результатом явяляется повышение эффективности способа пространственной стабилизации дуги. Способ пространственной стабилизации...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002713186
Дата охранного документа: 04.02.2020
13.03.2020
№220.018.0b07

Тигель для выращивания кристаллов на затравку

Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов на затравку методами Бриджмена, вертикальной зонной плавки, температурного градиента, а также их модификациями. Тигель состоит из корпуса 1 и хвостовика 2 с затравочной камерой 3, выполненной в виде сквозного отверстия в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002716447
Дата охранного документа: 11.03.2020
21.03.2020
№220.018.0e3a

Сверхпроводящая цепь с участком слабой связи

Использование: для сверхпроводящих логических элементов вычислительной техники. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводящая цепь с участком слабой связи включает два последовательно расположенных металлических сверхпроводящих контакта, нанесенных на поверхность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002717253
Дата охранного документа: 19.03.2020
25.03.2020
№220.018.0f34

Способ изготовления холодного катода

Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении электронных приборов, а также для инжекции зарядов в объём конденсированных сред при криогенных температурах. Слой углеродных нанотрубок наносят на металлическую подложку осаждением в дуговом разряде. После этого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002717526
Дата охранного документа: 23.03.2020
+ добавить свой РИД