×
04.10.2019
219.017.d285

Способ получения кристаллов CoSnS

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов CoSnS, которые могут быть использованы в области экспериментальной физики как полуметаллический ферромагнетик, обладающий также свойствами полуметалла Вейля. Способ получения кристаллов CoSnS в вакуумированной ампуле из расплава стехиометрического состава состоит в том, что ампулу с предварительно синтезированной загрузкой нагревают в горизонтальной печи до температуры 920-940°С, выдерживают при этой температуре 20-22 часа, а затем охлаждают до комнатной температуры в течение 45-46 часов. Изобретение позволяет получать монокристаллы CoSnS. 1 ил., 3 пр.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области выращивания кристаллов неорганических соединений.

Co3Sn2S2 - это материал, вызывающий в настоящее время повышенный интерес в экспериментальной физике как полуметаллический ферромагнетик, обладающий также свойствами полуметалла Вейля. Для развития этих исследований, а также для возможных практических применений Co3Sn2S2, необходима разработка способов выращивания монокристаллов.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ выращивания кристаллов Co3Sn2S2 из расплава [М. Holder, Yu. S. Dedkov, A. Kade, H. Rosner, W. Schnelle, A. Leithe-Jasper, R. Weihrich, S.L. Molodtsov. Photoemission study of electronic structure of the half-metallic ferromagnet Co3Sn2S2. Physical Review B, 79, 205116 (2009)] - прототип, в котором предварительно синтезированную загрузку Co3Sn2S2 стехиометрического состава нагревают в вакуумированной ампуле, в вертикальной печи, до 1000°С, выдерживают при этой температуре 6 часов, а затем охлаждают до температуры 800°С в течение 72 часов, после чего отключают электропитание печи и охлаждают ампулу до комнатной температуры вместе с печью. Основным недостатком этого метода является то, что полученные кристаллы «состоят из нескольких крупных зерен», то есть являются поликристаллами. Таким образом, способ-прототип не позволяет выращивать монокристаллы Co3Sn2S2.

Задачей данного изобретения является получение монокристаллов Co3Sn2S2.

Эта задача решается в предлагаемом способе за счет того, что процесс проводится в вакуумированной ампуле из расплава стехиометрического состава в горизонтальной печи, ампулу с загрузкой нагревают до температуры 920-940°С, выдерживают при этой температуре 20-22 часа, а затем охлаждают до комнатной температуры в течение 45-46 часов.

Предлагаемым способом получены монокристаллы Co3Sn2S2, имеющие гексагональную структуру, что подтверждается рентгеноструктурными исследованиями по методу Лауэ в различных точках кристалла. На фотографии Фиг. 1 представлен монокристалл, сколотый по плоскости спайности (). Показаны кристаллографические плоскости, определенные по лауэграммам: (0001) на ростовой поверхности и () на сколе.

Параметры процесса выбраны экспериментально.

Проведение процесса в горизонтальной печи позволяет осуществляться кристаллизации в кристаллографических направлениях, перпендикулярных призматическим плоскостям, например, в направлений [],как в кристалле, представленном на Фиг. 1. В гексагональных кристаллах это обеспечивает сохранение подвижности дислокаций, что предотвращает образование замкнутых дислокационных стенок, часто приводящих к образованию блоков и получению поликристаллов.

При температуре нагрева ниже 920°С не происходит полной гомогенизации расплава. В результате в кристалле образуются блоки, отличающиеся по составу. Подъем температуры выше 940°С не дает дальнейшего положительного эффекта, причем возрастает риск разрушения ампулы вследствие роста давления собственных паров Co3Sn2S2.

Продолжительность выдержки расплава менее 20 часов не обеспечивает полной гомогенизации расплава, что приводит к появлению блочной структуры. Увеличение продолжительности выдержки свыше 22 часов не дает дальнейшего положительного эффекта.

При времени охлаждения менее 45 часов кристалл растрескивается под действием остаточных термических напряжений. Увеличение времени охлаждения свыше 46 часов не дает дальнейшего положительного эффекта.

Пример 1.

Предварительно синтезированную загрузку Co3Sn2S2 стехиометрического состава помещают в ампулу из кварцевого стекла. Ампулу вакуумируют и герметизируют, затем помещают в горизонтальную электропечь сопротивления и нагревают до температуры 920°С. При этой температуре ампулу с расплавленной загрузкой выдерживают 22 часа, а затем охлаждают до комнатной температуры в течение 45 часов. Получен монокристалл Co3Sn2S2.

Пример 2.

Предварительно синтезированную загрузку Co3Sn2S2 стехиометрического состава помещают в ампулу из кварцевого стекла. Ампулу вакуумируют и герметизируют, затем помещают в горизонтальную электропечь сопротивления и нагревают до температуры 930°С. При этой температуре ампулу с расплавленной загрузкой выдерживают 21 час, а затем охлаждают до комнатной температуры в течение 45 часов 30 минут. Получен монокристалл Co3Sn2S2, показанный на Фиг. 1.

Пример 3.

Предварительно синтезированную загрузку Co3Sn2S2 стехиометрического состава помещают в ампулу из кварцевого стекла. Ампулу вакуумируют и герметизируют, затем помещают в горизонтальную электропечь сопротивления и нагревают до температуры 940°С. При этой температуре ампулу с расплавленной загрузкой выдерживают 20 часов, а затем охлаждают до комнатной температуры в течение 46 часов. Получен монокристалл Co3Sn2S2.

Способ получения кристаллов CoSnS в вакуумированной ампуле из расплава стехиометрического состава, отличающийся тем, что процесс проводится в горизонтальной печи, ампулу с загрузкой нагревают до температуры 920-940°С, выдерживают при этой температуре 20-22 часа, а затем охлаждают до комнатной температуры в течение 45-46 часов.
Способ получения кристаллов CoSnS
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 91.
10.01.2013
№216.012.1846

Устройство для получения массивов углеродных нанотрубок на металлических подложках

Изобретение относится к нанотехнологии. Устройство для получения массивов углеродных нанотрубок (УНТ) на металлических подложках состоит из двух электродов 7 и 8, расположенных соосно и перемещаемых навстречу друг другу водоохлаждаемыми штоками 8 и 9, скользящих графитовых токоподводов 11 и 12,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002471706
Дата охранного документа: 10.01.2013
10.02.2013
№216.012.2477

Устройство и способ с речевым интерфейсом определения водолазом направления на источник тонального звукового сигнала

Использование: для определения водолазом направления на источник тонального звукового сигнала. Сущность: сигнал источника принимается на две ненаправленные антенны, расстояние между которыми λ/4. Сигнал от первой антенны подается на вход сумматора, сигнал от второй антенны последовательно...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474837
Дата охранного документа: 10.02.2013
10.04.2013
№216.012.3480

Способ определения глубины погружения приводняющегося объекта

Использование: для измерения глубины погружения приводняющегося объекта с использованием гидролокатора ближнего действия, установленного на движущемся носителе относительно горизонта его движения. Сущность: с помощью гидролокатора производят излучение зондирующих сигналов гидролокатором, прием...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002478983
Дата охранного документа: 10.04.2013
20.06.2013
№216.012.4cb3

Способ получения монокристаллов теллурида галлия (ii)

Изобретение относится к технологии получения кристаллов GaTe, которые могут быть использованы в нелинейной оптике, а именно для оптических преобразователей частоты ИК и ТГц диапазонов. Кристаллы теллурида галлия (II) выращивают вертикальной зонной плавкой в графитовых тиглях под давлением...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485217
Дата охранного документа: 20.06.2013
20.06.2013
№216.012.4cb4

Способ получения кристаллов вольфрамата натрия-висмута

Изобретение относится к области выращивания из расплава нелегированных кристаллов вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO), являющегося перспективным материалом для Черепковских детекторов. Выращивание кристаллов осуществляют методом Чохральского в воздушной атмосфере со скоростью вытягивания 4-5...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485218
Дата охранного документа: 20.06.2013
27.10.2013
№216.012.783c

Крионаконечник с сапфировым хладопроводом-облучателем

Изобретение относится к хирургическим инструментам, применяемым для локального замораживания и деструкции выделенных участков биологической ткани, и может быть использовано в общей и детской хирургии, в онкологии, дерматологии, отоларингологии, гинекологии, косметологии. Крионаконечник с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002496442
Дата охранного документа: 27.10.2013
20.01.2014
№216.012.98be

Устройство для визуализации электрических полей свч в пространстве

Использование: относится к области визуализации распределения в пространстве электрических полей СВЧ диапазона. Сущность: в установке визуализации СВЧ полей применены измерительная камера «открытого» типа из двух расположенных горизонтально параллельных медных дисков, антенна-зонд,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504801
Дата охранного документа: 20.01.2014
27.03.2014
№216.012.adf5

Способ удаления опухолей мозга с выделением границ опухоли флуоресцентной диагностикой с одновременной коагуляцией и аспирацией и устройство для его осуществления

Группа изобретений относится к медицине. Устройство включает сапфировый зонд с продольными каналами, в которых размещены оптические волокна, одни из которых предназначены для подачи излучения, возбуждающего флуоресценцию и коагулирующего излучения в зону деструкции ткани от присоединенных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002510248
Дата охранного документа: 27.03.2014
10.06.2014
№216.012.d04b

Способ эксфолиации слоистых кристаллических материалов

Изобретение относится к нанотехнологиям. Способ включает эксфолиацию заготовок из слоистых кристаллических материалов, закрепленных с одной стороны на опоре из глипталя, с использованием клейкой ленты, глипталь по окончании эксфолиации растворяют в ацетоне, где образуется взвесь кристаллических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519094
Дата охранного документа: 10.06.2014
27.06.2014
№216.012.d5ae

Способ получения слоев карбида кремния

Изобретение относится к области получения карбида кремния, используемого в полупроводниковой промышленности в качестве материала для радиопоглощающих покрытий, диодов, светодиодов, солнечных элементов и силовых вентилей. Карбид кремния получают перемещением ленты углеродной фольги в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002520480
Дата охранного документа: 27.06.2014
Показаны записи 1-10 из 42.
10.01.2013
№216.012.1846

Устройство для получения массивов углеродных нанотрубок на металлических подложках

Изобретение относится к нанотехнологии. Устройство для получения массивов углеродных нанотрубок (УНТ) на металлических подложках состоит из двух электродов 7 и 8, расположенных соосно и перемещаемых навстречу друг другу водоохлаждаемыми штоками 8 и 9, скользящих графитовых токоподводов 11 и 12,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002471706
Дата охранного документа: 10.01.2013
20.06.2013
№216.012.4cb3

Способ получения монокристаллов теллурида галлия (ii)

Изобретение относится к технологии получения кристаллов GaTe, которые могут быть использованы в нелинейной оптике, а именно для оптических преобразователей частоты ИК и ТГц диапазонов. Кристаллы теллурида галлия (II) выращивают вертикальной зонной плавкой в графитовых тиглях под давлением...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485217
Дата охранного документа: 20.06.2013
20.06.2013
№216.012.4cb4

Способ получения кристаллов вольфрамата натрия-висмута

Изобретение относится к области выращивания из расплава нелегированных кристаллов вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO), являющегося перспективным материалом для Черепковских детекторов. Выращивание кристаллов осуществляют методом Чохральского в воздушной атмосфере со скоростью вытягивания 4-5...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485218
Дата охранного документа: 20.06.2013
10.06.2014
№216.012.d04b

Способ эксфолиации слоистых кристаллических материалов

Изобретение относится к нанотехнологиям. Способ включает эксфолиацию заготовок из слоистых кристаллических материалов, закрепленных с одной стороны на опоре из глипталя, с использованием клейкой ленты, глипталь по окончании эксфолиации растворяют в ацетоне, где образуется взвесь кристаллических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519094
Дата охранного документа: 10.06.2014
20.03.2015
№216.013.3499

Люминесцентное литий-боратное стекло

Изобретение относится к области люминесцентных стекол для преобразования ультрафиолетового излучения в белый цвет. Техническим результатом изобретения является создание люминесцентного стекла с высокой прозрачностью в видимом диапазоне. Люминесцентное литий-боратное стекло на основе тетрабората...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002544940
Дата охранного документа: 20.03.2015
10.04.2015
№216.013.3f8e

Ампула для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации. Ампула содержит герметичный корпус 1 из кварцевого стекла и коаксиально размещенный в нем герметичный кварцевый тигель 4 с загрузкой селенида галлия 5 и графитовые...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002547758
Дата охранного документа: 10.04.2015
20.04.2015
№216.013.437b

Способ определения доброкачественных и злокачественных новообразований щитовидной железы человека

Изобретение относится к области молекулярной биологии и медицины и предназначено для определения доброкачественных и злокачественных новообразований щитовидной железы (ЩЖ) человека. Осуществляют взятие образца ткани опухоли ЩЖ и прилежащей неизмененной ткани железы в качестве контроля,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002548773
Дата охранного документа: 20.04.2015
20.11.2015
№216.013.92a0

Способ дифференциальной диагностики новообразований щитовидной железы человека

Изобретение касается способа дифференциальной диагностики новообразований щитовидной железы (ЩЖ) человека. Способ включает выделение из образца опухолевой ткани ЩЖ человека и образца прилежащей неизмененной ткани железы (в качестве контроля) суммарного пула РНК (в том числе содержащий и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002569154
Дата охранного документа: 20.11.2015
10.01.2016
№216.013.9ea0

Холодный катод

Изобретение относится к области получения углеродных наноструктур, а именно слоев углеродных нанотрубок на металлических подложках, применяемых в качестве холодных катодов (автоэлектронных источников эмиссии). Технический результат - создание простого в изготовлении холодного катода без...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002572245
Дата охранного документа: 10.01.2016
10.05.2016
№216.015.3dc7

Фотохромное люминесцентное стекло

Изобретение относится к области материалов для твердотельных индикаторов ультрафиолетового излучения. Фотохромное люминесцентное стекло содержит оксид европия EuO в концентрации 0,43-0,49% (мас.) и тетраборат лития LiBO (остальное). Стекло интенсивно люминесцирует при воздействии...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002583967
Дата охранного документа: 10.05.2016
+ добавить свой РИД