×
18.05.2018
218.016.51f8

Результат интеллектуальной деятельности: Магнитоэлектрический композиционный материал для датчика магнитного поля

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Использование: для получения МЭ композиционных материалов с внутренним постоянным магнитным полем. Сущность изобретения заключается в том, что магнитоэлектрический композиционный материал для датчика магнитного поля содержит магнитострикционную и пьезоэлектрическую из керамики цирконат-титаната свинца PbZrTiO компоненты, где магнитострикционная компонента содержит внутреннее постоянное магнитное поле смещения, магнитострикционный слой сформирован из распределенных в эпоксидном компаунде гранул терфенола TbDyFe, а внутреннее постоянное магнитное поле смещения создается разделением магнитострикционного слоя на две области с различной концентрацией гранул TbDyFeТехнический результат: обеспечение возможности получения МЭ композиционных материалов с внутренним постоянным магнитным полем, демонстрирующих оптимальные МЭ коэффициенты, упрощение условий использования материала в устройствах. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к магнитоэлектрическим (МЭ) материалам и может быть применено в устройствах, где магнитное поле используется для управления электрическими параметрами (прямой МЭ эффект), а внешнее электрическое поле используется для управления магнитными параметрами (обратный МЭ эффект), например, в датчиках магнитных полей, в сверхвысокочастотных резонаторах, в магнитоэлектрической памяти.

Известны смесевые, слоистые и тонкопленочные магнитоэлектрические композиционные материалы (М. Fiebig. Revival of the magnetoelectric effect, J. Phys. D: Appl. Phys., V. 38, R 123-R 152, 2005). Недостатком этих материалов являются незначительные МЭ коэффициенты в отсутствие внешнего постоянного магнитного поля смещения.

Из работы авторов настоящего изобретения (А.В. Калгин, С.А. Гриднев, Z.H. Gribe. Прямой магнитоэлектрический эффект в двухслойных композитных структурах Tb0.12Dy0.2Fe0.68 - PbZr0.53Ti0.47O3 при изгибных и продольных колебаниях, ФТТ, Т. 56, Вып. 11, С. 2111-2114, 2014) известен двухслойный МЭ композиционный материал, полученный нанесением магнитострикционного слоя из тщательно перемешанных ферромагнитных гранул терфенола Tb0,12Dy0,2Fe0,68(TDF) и эпоксидного компаунда на предварительно поляризованную пьезоэлектрическую пластину из керамики цирконата-титаната свинца PbZr0,53Ti0,47O3 (PZT). Недостаток этого материала заключается в том, что для обеспечения в нем оптимальной эффективности МЭ взаимодействия необходимо использовать подмагничивающее внешнее постоянное магнитное поле.

Известны МЭ композиционные материалы с внутренним магнитным полем смещения, которые не требуют внешнего постоянного магнитного поля смещения для получения пригодных для практики МЭ коэффициентов (Y. Zhou, D. Maurya, Y. Yan, G. Srinivasan, E. Quandt, S. Priya. Self-biased magne-toelectric composites: an overview and future perspectives, Energy harvesting and systems, V. 3, I. 1, 42 pp., 2015).

Из патента РФ 2363074 (МПК H01L 41/16, H01F 1/00, опубл. 27.07. 2008), принятого за прототип, известен материал для компонентов радиоэлектронных приборов, представляющий собой двухфазную композицию магнитострикционной и сегнетоэлектрической компонент, магнитострикционная компонента которого выполнена из материала с градиентом намагниченности насыщения, а сегнетоэлектрическая компонента - из материала с градиентом поляризации.

Однако здесь возникают трудности с регулированием и подбором оптимальных по величине внутренних магнитных полей. Кроме того, предлагаемый способ приготовления магнитострикционных компонент является трудоемким технологическим процессом.

Задачей изобретения является повышение МЭ коэффициентов без подачи внешнего смещающего магнитного поля H=.

Технический результат заключается в получении МЭ композиционных материалов с внутренним постоянным магнитным полем, демонстрирующих оптимальные МЭ коэффициенты, и в упрощении условий использования материала в устройствах.

Технический результат достигается использованием двухкомпонентного материала в виде склеенных между собой магнитострикционного слоя из терфенола Tb0,12Dy0,2Fe0,68 и пьезоэлектрической керамики цирконата-титаната свинца PbZr0,53Ti0,47O3. Магнитострикционная компонента представляет собой распределенные в эпоксидном компаунде гранулы терфенола. Внутреннее постоянное магнитное поле создается разделением магнитострикционного слоя на две области с различной концентрацией гранул Tb0,12Dy0,2Fe0,68. Оптимальная концентрация гранул терфенола в первой области магнитострикционного слоя составляет 0,8 масс. долей, а во второй - от 0,33 до 0,77 масс. долей.

Для решения задачи изобретения были получены МЭ композиционные материалы (a) Tb0,12Dy0,2Fe0,68 - (b) PbZr0,53Ti0,47O3 [(a) TDF - (b) PZT] в виде склеенных между собой магнитострикционного слоя с градиентным распределением в эпоксидном компаунде концентрации терфенола TDF и пьезокерамического слоя из PZT.

На фиг. 1 показаны схематические изображения образцов композитов (а) TDF - (b) PZT, где (а) гранулы TDF распределены случайным образом и (б) имеется градиент концентрации гранул TDF вдоль длины магнитострикционного слоя (изобретение).

На фиг. 2 приведена зависимость напряженности внутреннего постоянного магнитного поля H=int (Э) от концентрации частиц х во второй области магнитострикционного слоя.

На фиг. 3 представлена зависимость поперечного МЭ коэффициента α31 (мВ/см*Э) от напряженности внутреннего постоянного магнитного поля H=int (Э) при напряженности переменного магнитного поля Н~=5 Э и резонансной частоте для 1-й гармоники продольных колебаний по ширине изобретения 0,9 TDF - 0,7 PZT с разными величинами градиента концентрации гранул TDF вдоль длины магнитострикционных слоев.

Градиент концентрации магнитных гранул приводит к градиенту намагниченности, который создает внутреннее постоянное магнитное поле. С увеличением градиента концентрации магнитных гранул внутреннее магнитное поле растет.

Решение задачи позволяет получить следующий технический результат. Выбор оптимального градиента концентрации гранул TDF создает условие для достижения внутреннего постоянного магнитного поля, обеспечивающего оптимальный МЭ коэффициент и избавляющего от необходимости использования источников внешнего постоянного магнитного поля, усложняющих конструкции МЭ устройств.

Пример

На фиг. 1 показаны схематические изображения образцов композитов (a) TDF - (b) PZT, отличающихся распределением гранул среднего размера z=71 мкм в магнитострикционных слоях. Магнитные слои образцов композитов имеют размеры 6 (длина, ZTDF) * 6 (ширина, WTDF) * а (толщина, а) мм3, где а=0,3-1,5 мм, а пьезоэлектрические слои - 8 (длина, LPZT) * 6 (ширина, WPZT) * 0,7 (толщина, b) мм3. Стрелками показаны направления внутреннего магнитного поля H=int, поляризации Р и напряженность переменного магнитного поля H~.

Массовая доля гранул в магнитострикционных слоях аналога составляет 0,8, а поскольку гранулы в нем распределены статистически равномерно, то внутреннее магнитное поле смещения H=int отсутствует. Для получения отличного от нуля H=int в изобретении создают градиент распределения магнитных гранул по длине магнитострикционного слоя. С этой целью магнитострикционный слой разделяют по длине на две половины, в одной из которых массовая доля гранул 0,8, то есть такая же, как и в аналоге, а в другой составляет х, которую изменяют по величине от 0,33 до 0,77. Это позволяет получать разное по величине H=int, направленное перпендикулярно поляризации Р в пьезоэлектрическом слое.

Напряженность H=int для изобретения 0,9TDF - 0,7PZT изменяется от 18 до 1794 Э при изменении х от 0,33 до 0,77 (фиг. 2) и определяется из зависимости поперечного МЭ коэффициента по напряжению α31 от Н= для случая равномерного распределения частиц в магнитострикционном слое 0,9TDF - 0,7PZT. Для этого на зависимости α31=) находят значения α31 для композитов с градиентным распределением гранул TDF в магнитострикционных слоях вдоль длины образцов и сопоставляют их с соответствующими им значениями Н=.

Оптимальный поперечный МЭ коэффициент по напряжению 24,2 мВ/(см⋅Э) в изобретении наблюдается при внутреннем магнитном поле величиной 720 Э, которое достигается согласно фиг. 2 при оптимальной хопт, равной 0,66. При прочих равных условиях поле H=int=720 Э приводит к росту α31 до 24,2 мВ/(см⋅Э) в изобретении 0,9TDF - 0,7PZT по сравнению с α31=14 мВ/(см⋅Э) при равномерном распределении частиц в магнитострикционном слое 0,9TDF - 0,7PZT, где H=int=0 Э.

Магнитоэлектрический композиционный материал с градиентом намагниченности может найти применение в различных устройствах электронной техники и, в частности, в датчиках магнитного поля. Коэффициент чувствительности датчика на основе изобретения 0,9TDF - 0,7PZT с Н=int=720 Э при напряженности переменного магнитного поля 5 Э, резонансной частоте 1-й гармоники продольных колебаний по ширине изобретения 226,3 кГц и температуре 20°С составит 16,9 В/Тл, что в 3,4 раза больше аналогичного коэффициента самых чувствительных стандартных датчиков Холла.

Магнитоэлектрический композиционный материал (a) TDF - (b) PZT с градиентом намагниченности получают следующим образом.

Создают статистические смеси из тщательно перемешанных ферромагнитных гранул TDF среднего размера z и эпоксидного компаунда, которые в виде двух участков наносят на предварительно поляризованную пластину из PZT так, как показано на фиг. 1б. Указанные участки отличаются массовым содержанием гранул TDF для того, чтобы создать в материале внутреннее смещающее магнитное поле. Магнитострикционный слой склеивают с пьезоэлектрическим слоем, полимеризуют при комнатной температуре в течение 24 ч, а затем шлифовальным листом доводят до требуемых геометрических размеров. Градиент концентрации магнитных гранул и толщины слоев выбирают такими, чтобы обеспечить в материале наибольший МЭ эффект.


Магнитоэлектрический композиционный материал для датчика магнитного поля
Магнитоэлектрический композиционный материал для датчика магнитного поля
Магнитоэлектрический композиционный материал для датчика магнитного поля
Источник поступления информации: Портал edrid.ru

Показаны записи 51-60 из 86.
19.06.2019
№219.017.83d5

Способ получения препарата бромелайна в геле на основе пищевого хитозана и сукцината хитозана

Изобретение относится к биотехнологии. Способ получения препарата бромелайна в геле на основе пищевого хитозана или сукцината хитозана включает иммобилизацию бромелайна в буферном растворе на матрицу хитозана в соотношении 20 мл раствора фермента в концентрации 5 мг/мл на 1 г носителя;...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002691611
Дата охранного документа: 14.06.2019
22.12.2019
№219.017.f10d

Способ определения концентрации электрически активной донорной примеси в поверхностных слоях кремния неразрушающим методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии

Изобретение относится к области нанотехнологий, наноэлектроники и микроэлектроники. Способ определения концентрации электрически активной донорной примеси в поверхностных слоях кремния, включающий процедуру регистрации характеристических рентгеновских эмиссионных Si L2.3 спектров...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002709687
Дата охранного документа: 19.12.2019
24.01.2020
№220.017.f912

Способ получения гетерогенного препарата бромелайна, ковалентно связанного с матрицей хитозана

Изобретение относится к биотехнологии, а именно к способу получения гетерогенного препарата бромелайна путем ковалентного связывания с матрицей хитозана. Способ включает иммобилизацию бромелайна на матрицу среднемолекулярного хитозана 200 кДа или высокомолекулярного хитозана 350 кДа. К 900 мг...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002711786
Дата охранного документа: 22.01.2020
24.01.2020
№220.017.f931

Способ получения препарата полибромелайна с применением глутарового альдегида

Изобретение относится к области биотехнологии. Способ получения препарата полибромелайна включает сополимеризацию с применением глутарового альдегида в качестве сшивающего агента, который осуществляют растворением бромелайна в трис-глициновом буферном растворе с рН 9,0 из расчета 1 мг...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002711790
Дата охранного документа: 22.01.2020
27.01.2020
№220.017.fa1c

Способ подготовки свежего хлорофиллсодержащего лекарственного растительного сырья для определения подлинности микроскопическим исследованием

Изобретение относится к способу подготовки свежего хлорофиллсодержащего лекарственного растительного сырья к микроскопироскопическому исследованию, включающему экстракцию хлорофилла этанолом с концентрацией 96%, причем обесцвечивание лекарственного растительного сырья проводят в герметично...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002712095
Дата охранного документа: 24.01.2020
27.01.2020
№220.017.fa5d

Способ получения очищенного инулина из растительного сырья

Изобретение относится к фармации и медицинской промышленности и может быть использовано для получения очищенного инулина из корней девясила высокого. Для этого проводят троекратное экстрагирование очищенной водой. Далее проводят отделение растительного материала путем фильтрации. Далее...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002712094
Дата охранного документа: 24.01.2020
27.01.2020
№220.017.fa99

Способ определения антиокислительной активности лекарственного растительного сырья и фитопрепаратов методом дифференциальной спектрофотометрии

Изобретение относится к аналитической химии, химико-фармацевтической промышленности, и может быть использовано для контроля качества синтетических лекарственных препаратов, растительного сырья и фитопрепаратов. Способ определения антиокислительной активности лекарственного растительного сырья и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002712069
Дата охранного документа: 24.01.2020
27.01.2020
№220.017.faf0

Способ определения величины адсорбции винпоцетина липосомами

Изобретение относится к области исследования и анализа фармацевтических препаратов, а именно к способу определения величины адсорбции винпоцетина липосомами, который включает количественное определение винпоцетина методом спектрофотометрии и заключается в том, что проводится диализ при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002711908
Дата охранного документа: 24.01.2020
01.02.2020
№220.017.fbf8

Способ получения препарата папаина в геле на основе пищевого хитозана и сукцината хитозана

Изобретение относится к биотехнологии. Способ получения гетерогенного папаина в геле включает иммобилизацию папаина на матрицу пищевого хитозана с молекулярной массой менее 100 кДа или сукцината хитозана в соотношении 20 мл раствора фермента в концентрации 1 мг/мл на 1 г носителя, в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002712690
Дата охранного документа: 30.01.2020
01.02.2020
№220.017.fca8

Способ идентификации патогенных бактерий в пищевых субстратах с использованием высокопроизводительного секвенирования

Изобретение относится к области биотехнологии. Предложен способ идентификации патогенных бактерий в пищевых субстратах с использованием высокопроизводительного секвенирования, включающий отбор биологического материала и выделение ДНК с проведением мультиплексной ПЦР, отличающийся тем, что для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002712527
Дата охранного документа: 29.01.2020
Показаны записи 1-7 из 7.
20.03.2014
№216.012.abe1

Способ создания композитной сегнетоэлектрической наноструктуры

Изобретение относится к способам синтезирования новых материалов с заданными электрофизическими характеристиками и может быть применено для создания функциональных материалов с управляемыми характеристиками для нужд современной микро- и наноэлектроники. Технический результат изобретения -...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509716
Дата охранного документа: 20.03.2014
27.09.2014
№216.012.f965

Нанокомпозитный материал с сегнетоэлектрическими характеристиками

Изобретение относится к наноструктурированным материалам с сегнетоэлектрической активностью. Технический результат заключается в получении сегнетоэлектрического материала с высокими и регулируемыми диэлектрическими и пироэлектрическими характеристиками. Нанокомпозитный материал с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002529682
Дата охранного документа: 27.09.2014
27.09.2014
№216.012.f9f2

Способ повышения устойчивости сегнетоэлектрической пленки к многократным переключениям

Изобретение относится к области применения сегнетоэлектрических материалов в качестве носителей записи информации. Технический результат заключается в уменьшении связанного с многократными переключениями эффекта усталости сегнетоэлектрической пленки. Способ повышения устойчивости...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002529823
Дата охранного документа: 27.09.2014
13.01.2017
№217.015.79e9

Нанокомпозитный сегнетоэлектрический материал на базе нанокристаллической целлюлозы и триглицинсульфата

Изобретение относится к наноструктурированным материалам с выраженной сегнетоэлектрической активностью и может быть применено в устройствах микро- и наноэлектроники. Технический результат заключается в получении сегнетоэлектрического материала с высокими и регулируемыми диэлектрическими,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002599133
Дата охранного документа: 10.10.2016
13.09.2018
№218.016.8702

Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал на базе нанокристаллической целлюлозы и сегнетовой соли

Изобретение относится к наноструктурированным материалам с выраженной сегнетоэлектрической активностью с требуемыми характеристиками, используемым в качестве функциональных материалов в современной микро- и наноэлектронике. Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал включает в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666857
Дата охранного документа: 12.09.2018
16.05.2023
№223.018.60b8

Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал на базе пористого стекла и материалов группы дигидрофосфата калия

Изобретение относится к наноструктурированным материалам с выраженной сегнетоэлектрической активностью, используемым в качестве функциональных материалов в современной микро- и наноэлектронике. Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал содержит матрицу из пористого стекла и в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740563
Дата охранного документа: 15.01.2021
16.05.2023
№223.018.60b9

Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал на базе пористого стекла и материалов группы дигидрофосфата калия

Изобретение относится к наноструктурированным материалам с выраженной сегнетоэлектрической активностью, используемым в качестве функциональных материалов в современной микро- и наноэлектронике. Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал содержит матрицу из пористого стекла и в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740563
Дата охранного документа: 15.01.2021
+ добавить свой РИД