×

Автор РИД: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет" (ФГБОУ ВО "ВГТУ")

Показаны записи 1-1 из 1.
18.05.2018
№218.016.51f8

Магнитоэлектрический композиционный материал для датчика магнитного поля

Использование: для получения МЭ композиционных материалов с внутренним постоянным магнитным полем. Сущность изобретения заключается в том, что магнитоэлектрический композиционный материал для датчика магнитного поля содержит магнитострикционную и пьезоэлектрическую из керамики цирконат-титаната...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002653134
Дата охранного документа: 07.05.2018
+ добавить свой РИД