Аннотация:
Способ получения кремниевых структур, включающий механическую обработку подложки и источника в виде пластин из кремния, химическую обработку подложки, размещение пластин обработанными сторонами друг к другу, формирование слоя жидкой зоны между ними путем приведения навески растворителя в контакт с торцом пластин, нагрев, выдержку и последующую перекристаллизацию источника, под действием градиента температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и увеличения выхода годных структур, после механической обработки на поверхности пластин формируют слои пористого кремния плотностью 35-55% при толщине этого слоя, на подложке, равной глубине нарушенного слоя, и на источнике - равной заданной толщине слоя жидкой зоны, выбираемой из диапазона 10-100 мкм, химическую обработку подложки ведут до удаления слоя пористого кремния, нагрев при формировании слоя жидкой зоны ведут до 950-1100°C, а выдержку осуществляют в течение 10-15 мин.