×
13.02.2018
218.016.2855

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0001591539
Дата охранного документа
10.04.2016
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Способ получения эпитаксиальных слоев кремния, включающий создание композиции из двух кремниевых пластин с заданным зазором между ними, капиллярное втягивание в зазор расплава, содержащего алюминий, формирование зоны раствора-расплава и последующее ее перемещение в поле температурного градиента через одну из пластин до выхода на ее поверхность, отличающийся тем, что, с целью повышения качества слоев при увеличении их линейных размеров, в расплав дополнительно вводят 0,03-5,00 мас.% металла III B или IV B группы Периодической системы элементов, расплав которого имеет коэффициент поверхностного натяжения 0,44-0,73 Н/м.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-5 из 5.
13.02.2018
№218.016.2797

Способ получения кремниевых структур

Способ получения кремниевых структур, включающий механическую обработку подложки и источника в виде пластин из кремния, химическую обработку подложки, размещение пластин обработанными сторонами друг к другу, формирование слоя жидкой зоны между ними путем приведения навески растворителя в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001358485
Дата охранного документа: 10.04.2016
13.02.2018
№218.016.27a2

Способ получения кремниевых эпитаксиальных слоев р-типа проводимости

Способ получения кремниевых эпитаксиальных слоев р-типа проводимости, включающий создание узкого зазора между подложкой и пластиной-источником на основе поликристаллического кремния, нагрев системы до температуры эпитаксии, введение в зазор насыщенного при температуре эпитаксии раствора кремния...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001625263
Дата охранного документа: 10.04.2016
13.02.2018
№218.016.27d9

Способ изготовления кремниевых структур

Способ изготовления кремниевых структур с p-n-переходом, включающий приведение в контакт кремниевой подложки n-типа с кремниевой пластиной, их совместный нагрев, формирование между ними слоя равновесного раствора - расплава Al-Si, выдержку и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью уменьшения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001414017
Дата охранного документа: 10.04.2016
13.02.2018
№218.016.2837

Способ получения гетероструктур на основе кремния

Способ получения гетероструктур на основе кремния, включающий формирование кремниевой композиции из подложки и источника, установленных с зазором, их нагрев, введение в зазор расплава алюминия с образованием слоя раствора-расплава и зонную перекристаллизацию источника через этот слой под...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001524555
Дата охранного документа: 10.04.2016
13.02.2018
№218.016.283f

Способ получения кремниевой структуры

Способ получения кремниевой структуры, включающий формирование на рабочей поверхности пластины-источника заданного рельефа, сборку композиции подложка-источник, нагрев композиции до температуры 750-1050°C, заполнение зазора между источником и подложкой раствором-расплавом в течение 5-10 мин...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001559784
Дата охранного документа: 10.04.2016
+ добавить свой РИД