Аннотация:
Способ изготовления кремниевых структур с p-n-переходом, включающий приведение в контакт кремниевой подложки n-типа с кремниевой пластиной, их совместный нагрев, формирование между ними слоя равновесного раствора - расплава Al-Si, выдержку и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью уменьшения удельного сопротивления эпитаксиального слоя кремния p-типа и сокращения длительности процесса, пластину выполняют из спеченного кремния с пористостью 10-40%, слой формируют введением раствора-расплава на торец подложки и пластины, выдержку осуществляют в течение 2-10 мин, а охлаждение ведут со скоростью 5-20 K/мин.