×
13.01.2017
217.015.823a

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ МАССИВОВ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК НА МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОДЛОЖКИ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано для изготовления автоэлектронных эмиттеров. Углеродные нанотрубки осаждают на металлические подложки в дуговом реакторе в рабочей атмосфере на основе инертного газа, содержащей водород 8-10 об.% и гелий - остальное. Металлические подложки закреплены на дисковом катоде на расстоянии 10d-12d от оси дугового разряда, где d - диаметр графитового стержня анода. Полученные углеродные нанотрубки не содержат примесей сажи и фуллеренов, имеют хороший контакт с подложкой. Упрощается аппаратурное оформление процесса. 1 ил.

Изобретение относится к области получения углеродных наноструктур, а именно массивов углеродных нанотрубок на металлических подложках.

Углеродные наноматериалы имеют широкий спектр применения. Одно из важных направлений их практического использования - это создание автоэлектронных эмиттеров на основе массивов углеродных нанотрубок на токопроводящих подложках.

Известен способ нанесения углеродных нанотрубок на металлические подложки [Wu Z. Transparent conductive carbon nanotube films. Science, 2004, v. 305, p. 1273-1276] - аналог. Нанотрубки наносят на металлические подложки из растворов путем вакуумной фильтрации через мембрану с последующим удалением поверхностно-активных веществ. Основным недостатком аналога является сложность, которая обусловлена необходимостью изготовления наноструктурированных мембран и приготовления жидких растворов углеродных нанотрубок. Кроме того, следует отметить плохую воспроизводимость процесса, а также загрязнение массива углеродных нанотрубок поверхностно-активными веществами.

Известен способ нанесения углеродных нанотрубок на металлические подложки [Kaempgen М. Sonochemical optimization of the conductivity of single wall carbon nanotube networks. Adv. Mater., 2008, v. 20, p. 616-620]. Нанотрубки наносят на металлические подложки ультразвуковым распылением жидких растворов. Создание раствора на основе смеси углеродных нанотрубок и поверхностно-активных веществ для получения высококачественных пленок требует значительных усилий, поэтому сложность процесса является основным недостатком аналога. Следует отметить, что загрязнение углеродных нанотрубок поверхностно-активными веществами и веществом растворителя также нужно отнести к недостаткам процесса-аналога.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ нанесения углеродных нанотрубок на металлическую подложку (Патент RU 2471706, кл. С01В 31/02, 10.01.2013 г.), позволяющий осаждать упорядоченные массивы УНТ на подложки из электротехнических нелегированных сталей в атмосфере инертного газа. Изготавливаемые на этом устройстве структуры «подложка - массив УНТ» являются токопроводящими.

Однако эти структуры не пригодны для изготовления автоэлектронных эмиттеров по причине плохого контакта металлическая подложка - углеродные нанотрубки и показывают плохие характеристики в части, касающейся срока службы и плотности тока. Заявленное устройство позволяет размещать подложки исключительно вблизи дуги, и для поиска оптимального расстояния для получения токопроводящих структур, пригодных для изготовления автоэлектронных эмиттеров, требуется специальное приспособление, позволяющее перемещать металлические подложки (изготовление катода с большим количеством отверстий для крепления подложек на разных расстояниях приводит к изменению потоков углеродсодержащего пара и отсутствию нанотрубок в слое сажи на металлических подложках).

Задачей предлагаемого способа является упрощение процесса нанесения массивов углеродных нанотрубок на металлические подложки без примеси сажи и фуллеренов, что обеспечивало бы хороший контакт углеродных нанотрубок с металлической подложкой и получение структуры, пригодной для изготовления автоэлектронных эмиттеров.

Эта задача решается в способе нанесения массивов углеродных нанотрубок на металлические подложки, включающем осаждение углеродных нанотрубок на металлические подложки в дуговом реакторе в рабочей атмосфере на основе инертного газа, при этом металлические подложки закреплены на дисковом катоде на расстоянии 10d-12d от оси дугового разряда, где d - диаметр графитового стержня анода, а рабочей атмосферой является смесь, содержащая водород 8-10 об.% и гелий - остальное.

Сепарация нанотрубок от примесей (углеродных наночастиц, сажи и фуллеренов) основана на разном парциальном давлении углеродных наноматериалов в плазме дугового разряда в атмосфере гелия и, как следствие, на наличии градиента концентрации этих примесей в объеме, окружающем дуговой разряд. В атмосфере гелия на расстоянии 10d-12d от оси дугового разряда, где d - диаметр графитового стержня анода, на металлические подложки преимущественно конденсируются сажа, фуллерены и углеродные нанотрубки. Дальнейшие опыты показали, что получение массивов углеродных нанотрубок на металлических подложках без примеси сажи и фуллеренов возможно при введении в атмосферу гелия 8-10% (об.) водорода.

Массивы углеродных нанотрубок на металлических подложках, полученные предложенным способом, являются токопроводящими и пригодны для изготовления автоэлектронных эмиттеров, что подтверждается вольт-амперными характеристиками Фиг. 1, снятыми при комнатной температуре. На Фиг. 1 кривая 1 получена при повышении напряжения, кривая 2 - при понижении напряжения от 1000 В.

Примеры.

1. Осаждение массивов углеродных нанотрубок на металлические подложки проводили в процессе горения дуги в атмосфере смеси, содержащей водород - 7% (об.) и гелий (остальное), металлические подложки закреплены на дисковом катоде на расстоянии 11d от оси дугового разряда (где d - диаметр графитового стержня анода). В результате измерения вольт-амперных характеристик полученных массивов углеродных нанотрубок на металлических подложках эмиссионный ток не наблюдался. Полученные структуры не пригодны для изготовления автоэлектронных эмиттеров.

2. Осаждение массивов углеродных нанотрубок на металлические подложки проводится в процессе горения дуги в атмосфере смеси, содержащей водород - 11% (об.) и гелий (остальное), металлические подложки закреплены на дисковом катоде на расстоянии 11d от оси дугового разряда (где d - диаметр графитового стержня анода). В результате измерения вольт-амперных характеристик полученных массивов углеродных нанотрубок на металлических подложках эмиссионный ток не наблюдался. Полученные структуры не пригодны для изготовления автоэлектронных эмиттеров.

3. Осаждение массивов углеродных нанотрубок на металлические подложки проводится в процессе горения дуги в атмосфере смеси, содержащей водород - 10% (об.) и гелий (остальное), металлические подложки закреплены на дисковом катоде на расстоянии 11d от оси дугового разряда (где d - диаметр графитового стержня анода). В результате измерения вольт-амперных характеристик полученных массивов углеродных нанотрубок на металлических подложках эмиссионный ток наблюдался. Полученные структуры пригодны для изготовления автоэлектронных эмиттеров.

4. Осаждение массивов углеродных нанотрубок на металлические подложки проводится в процессе горения дуги в атмосфере смеси, содержащей водород - 10% (об.) и гелий (остальное), металлические подложки закреплены на дисковом катоде на расстоянии 9,5d от оси дугового разряда (где d - диаметр графитового стержня анода). В результате измерения вольт-амперных характеристик полученных массивов углеродных нанотрубок на металлических подложках эмиссионный ток не наблюдался. Полученные структуры не пригодны для изготовления автоэлектронных эмиттеров.

5. Осаждение массивов углеродных нанотрубок на металлические подложки проводится в процессе горения дуги в атмосфере смеси, содержащей водород - 10% (об.) и гелий (остальное), металлические подложки закреплены на дисковом катоде на расстоянии 12,5d от оси дугового разряда (где d - диаметр графитового стержня анода). В результате измерения вольт-амперных характеристик полученных массивов углеродных нанотрубок на металлических подложках эмиссионный ток не наблюдался. Полученные структуры не пригодны для изготовления автоэлектронных эмиттеров.

6. Осаждение массивов углеродных нанотрубок на металлические подложки проводится в процессе горения дуги в атмосфере смеси, содержащей водород - 10% (об.) и гелий (остальное), металлические подложки закреплены на дисковом катоде на расстоянии 10d от оси дугового разряда (где d - диаметр графитового стержня анода). В результате измерения вольт-амперных характеристик полученных массивов углеродных нанотрубок на металлических подложках эмиссионный ток наблюдался. Полученные структуры пригодны для изготовления автоэлектронных эмиттеров.

Способ нанесения массивов углеродных нанотрубок на металлические подложки для автоэлектронных эмиттеров, включающий осаждение углеродных нанотрубок на металлические подложки в дуговом реакторе в рабочей атмосфере на основе инертного газа, отличающийся тем, что металлические подложки закреплены на дисковом катоде на расстоянии 10d-12d от оси дугового разряда, где d - диаметр графитового стержня анода, а рабочей атмосферой является смесь, содержащая водород - 8-10 об.% и гелий - остальное.
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ МАССИВОВ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК НА МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОДЛОЖКИ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 51-60 из 94.
09.06.2019
№219.017.7db1

Способ получения составной мишени для распыления из сплава вольфрам-титан-кремний

Изобретение относится к области металлургии, в частности к способам производства распыляемых мишеней. Заявлены способ производства составной мишени для получения пленок магнетронным распылением и мишень, полученная этим способом. Способ включает изготовление диска из слитка поликристаллического...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002454481
Дата охранного документа: 27.06.2012
09.06.2019
№219.017.7db3

Способ получения составной мишени для распыления из сплава вольфрам-титан-рений

Изобретение относится к области металлургии, в частности к способам производства распыляемых мишеней. Заявлены способ производства составной мишени для получения пленок магнетронным распылением и мишень, полученная этим способом. Способ включает изготовление диска из слитка поликристаллического...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002454482
Дата охранного документа: 27.06.2012
19.07.2019
№219.017.b631

Способ получения кристаллов cdas

Изобретение относится к области выращивания кристаллов диарсенида трикадмия. Кристаллы CdAs получают кристаллизацией капель расплава стехиометрического состава, свободно падающих в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5±0,5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002694768
Дата охранного документа: 16.07.2019
17.08.2019
№219.017.c102

Детектор субтерагерцового излучения на основе графена

Изобретение относится к области детекторов электромагнитного излучения в терагерцовом диапазоне частот с использованием нелинейного плазменного отклика двумерной электронной системы. Сущность изобретения: детектор на основе графена, содержащий нелинейный элемент на наноструктуре с двумерной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002697568
Дата охранного документа: 15.08.2019
02.10.2019
№219.017.cd28

Шнековый дозатор порошков тугоплавких металлов

Изобретение относится к устройствам для подачи порошков тугоплавких металлов и может быть использовано в различных отраслях промышленности, где требуется прецизионная подача порошков. Задачей настоящего изобретения является разработка шнекового дозатора порошков тугоплавких металлов для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701277
Дата охранного документа: 25.09.2019
03.10.2019
№219.017.d196

Способ изготовления образцов фуллерена с для спектроскопии

Изобретение относится к области исследования и анализа материалов и может быть использовано в инфракрасной спектроскопии. Образцы фуллерена C для съемки спектров пропускания инфракрасного излучения изготавливают механическим втиранием порошка C в полированную поверхность бромида калия. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701823
Дата охранного документа: 01.10.2019
03.10.2019
№219.017.d1c0

Искусственный эритроцинкит

Изобретение относится к искусственным ювелирным кристаллам. Предлагается искусственный эритроцинкит, имеющий в своем составе сульфид цинка, сульфид марганца и сульфид алюминия при следующем соотношении компонентов, мас.%: сульфид алюминия AlS - 0,001-0,01, сульфид марганца MnS - 0,2-0,5,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701822
Дата охранного документа: 01.10.2019
04.10.2019
№219.017.d219

Тигель для выращивания кристаллов халькогенидов металлов вертикальной зонной плавкой

Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов халькогенидов металлов: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, вертикальной зонной плавкой, осуществляемой путем перемещения тигля через неподвижно закрепленный нагреватель. Графитовый тигель состоит из корпуса и крышки 1, имеющей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701832
Дата охранного документа: 01.10.2019
04.10.2019
№219.017.d285

Способ получения кристаллов cosns

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов CoSnS, которые могут быть использованы в области экспериментальной физики как полуметаллический ферромагнетик, обладающий также свойствами полуметалла Вейля. Способ получения кристаллов CoSnS в вакуумированной ампуле из расплава...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701915
Дата охранного документа: 02.10.2019
26.10.2019
№219.017.db19

Способ пастилляции селенида цинка

Изобретение относится к технологии получения селенида цинка – широкозонного полупроводника, применяемого в технике в виде объемных поли- и монокристаллов, а также тонких пленок, получаемых термическим распылением кристаллической крошки, для которого наиболее подходящим является материал с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002704191
Дата охранного документа: 24.10.2019
Показаны записи 51-60 из 72.
04.10.2019
№219.017.d285

Способ получения кристаллов cosns

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов CoSnS, которые могут быть использованы в области экспериментальной физики как полуметаллический ферромагнетик, обладающий также свойствами полуметалла Вейля. Способ получения кристаллов CoSnS в вакуумированной ампуле из расплава...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701915
Дата охранного документа: 02.10.2019
26.10.2019
№219.017.db19

Способ пастилляции селенида цинка

Изобретение относится к технологии получения селенида цинка – широкозонного полупроводника, применяемого в технике в виде объемных поли- и монокристаллов, а также тонких пленок, получаемых термическим распылением кристаллической крошки, для которого наиболее подходящим является материал с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002704191
Дата охранного документа: 24.10.2019
19.12.2019
№219.017.ef3e

Устройство для измерения поверхностного натяжения расплавов сталагмометрическим методом

Устройство относится к измерительной технике для физических исследований свойств жидкостей. Устройство позволяет измерять поверхностное натяжение химически агрессивных расплавов тугоплавких веществ с высокими (больше 0,1 МПа) давлениями собственных паров над жидкой фазой, находящихся в инертной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002709422
Дата охранного документа: 17.12.2019
21.12.2019
№219.017.f00f

Способ электроэрозионной обработки поверхности молибдена

Изобретение относится к электроэрозионной обработке поверхности металлов и сплавов, используемой для повышения твердости, жаропрочности и коррозионной стойкости деталей машин. Предложен способ получения покрытия из карбида молибдена на детали из молибдена, включающий электроэрозионную обработку...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002709548
Дата охранного документа: 18.12.2019
06.02.2020
№220.017.ff42

Способ пространственной стабилизации дуги

Изобретение относится к области электрометаллургии и может быть использовано для прецизионной сварки, наплавки и изготовления деталей способом 3D-печати. Техническим результатом явяляется повышение эффективности способа пространственной стабилизации дуги. Способ пространственной стабилизации...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002713186
Дата охранного документа: 04.02.2020
13.03.2020
№220.018.0b07

Тигель для выращивания кристаллов на затравку

Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов на затравку методами Бриджмена, вертикальной зонной плавки, температурного градиента, а также их модификациями. Тигель состоит из корпуса 1 и хвостовика 2 с затравочной камерой 3, выполненной в виде сквозного отверстия в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002716447
Дата охранного документа: 11.03.2020
21.03.2020
№220.018.0e3a

Сверхпроводящая цепь с участком слабой связи

Использование: для сверхпроводящих логических элементов вычислительной техники. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводящая цепь с участком слабой связи включает два последовательно расположенных металлических сверхпроводящих контакта, нанесенных на поверхность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002717253
Дата охранного документа: 19.03.2020
25.03.2020
№220.018.0f34

Способ изготовления холодного катода

Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении электронных приборов, а также для инжекции зарядов в объём конденсированных сред при криогенных температурах. Слой углеродных нанотрубок наносят на металлическую подложку осаждением в дуговом разряде. После этого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002717526
Дата охранного документа: 23.03.2020
28.03.2020
№220.018.115d

Коллинеарный электрод

Изобретение относится к плазменной технике, применяемой в электрометаллургии, и может быть использовано для инициирования высокочастотной плазмы на промышленной частоте 2,45 ГГц для плавления металлических порошков и изготовления деталей сложной геометрической формы в атмосфере защитных газов....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002717841
Дата охранного документа: 26.03.2020
20.05.2020
№220.018.1dcf

Неорганический фотохромный материал с пространственно-селективным эффектом памяти

Изобретение относится к области неорганических материалов для твердотельных индикаторов ультрафиолетового излучения. Неорганический фотохромный материал с пространственным эффектом памяти содержит Сu - 0,012-0,015 мас.%, Gd - 0,0004-0,0006 мас.% и ZnS – остальное. Техническим результатом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002721095
Дата охранного документа: 15.05.2020
+ добавить свой РИД