×
27.11.2019
219.017.e6e9

Результат интеллектуальной деятельности: Термоэмиссионный преобразователь для бортового источника электрической энергии

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области термоэмиссионного преобразования тепловой энергии в электрическую, а именно к термоэмиссионным преобразователям, и может быть использовано в составе бортовых источников электрической энергии для летательных аппаратов с прямоточными воздушно-реактивными двигателями. Технический результат изобретения - уменьшение осевых габаритов преобразователя, позволяющее разместить его между стенками камеры сгорания двигателя. Сущность изобретения состоит в том, что катодный стакан преобразователя размещен внутри сильфонного узла и снабжен наружным кольцевым выступом, окружающим его дно и экранирующим сильфонный узел от источника тепла. 1 ил.

Изобретение относится к области термоэмиссионного преобразования тепловой энергии в электрическую, а именно к термоэмиссионным преобразователям (ТЭП), которые могут использоваться в составе бортовых источников электрической энергии для летательных аппаратов (ЛА) с прямоточными воздушно-реактивными двигателями (ПВРД).

Известен термоэмиссионный преобразователь с коаксиальными цилиндрическими электродами (Фризингер Г., Истмен Г. 3-х квт ТЭП на природном топливе. - «Прямое преобразование тепловой энергии в электрическую и топливные элементы». Информ. Бюл. М, изд. ВИНИТИ, 1970, вып. 5, с. 148) для термоэмиссионных надстроек тепловых электростанций (ТЭС). В конструкции такого ТЭП тепло от камеры сгорания передается эмиттеру тепловой трубой.

Недостатками такого устройства применительно к бортовым источникам электроэнергии для ЛА с ПВРД являются:

- значительные осевые габариты электродов, не позволяющие разместить ТЭП в ПВРД;

- сложность конструкции и эксплуатации, связанная с необходимостью использования высокотемпературных (>1300°С) тепловых труб.

Наиболее близким к заявляемому изобретению по решаемой задаче является термоэмиссионный преобразователь с плоскими электродами для термоэмиссионной надстройки ТЭС (Авторское свидетельство СССР №771764, H01J 45/00, заявл. 12.12.1978). Катод этого ТЭП выполнен в виде стакана из жаростойкого сплава, дно которого обогревается снаружи излучением факела пламени в котлоагрегате ТЭС и имеет с внутренней стороны эмиссионное покрытие. Внутри стакана и коаксиально ему установлен металлокерамический узел (МКУ), внутри которого, в свою очередь, размещается массивный анод, одновременно выполняющий функцию теплоотвода и образующий межэлектродный зазор (МЭЗ) с эмиссионным покрытием катодного стакана. Размещение МКУ внутри катодного стакана, а также отказ от использования дистанционаторов и сильфонного узла, которые обычно используется в ТЭП для компенсации линейных тепловых расширений и надежного дистанционирования МЭЗ, способствует уменьшению суммарных осевых габаритов рассматриваемого ТЭП.

Однако, полученные габариты все же не позволяют разместить ТЭП в пространстве между горячей и холодной стенками камеры сгорания ПВРД, характерное расстояние между которыми не превышает 25 мм. Дальнейшее сокращение осевых габаритов ТЭП за счет уменьшения высоты катодного стакана делает неоптимальным значение теплового сопротивления его стенки. Оптимизировать же это сопротивление за счет уменьшения толщины стенки невозможно, так как эта толщина лимитируется требованиями прочности и вакуумной плотности. В результате возрастают утечки тепла по периферии катода, что ведет к неравномерности температуры катода и в конечном итоге, к снижению эффективности термоэмиссионного преобразования энергии.

Задачей изобретения является создание ТЭП, который возможно применить в качестве бортового источника электроэнергии летательного аппарата с ПВРД.

Технический результат заключается в реализации назначения -возможности применения в качестве бортового источника электроэнергии летательного аппарата с ПВРД. Соответственно дополнительно достигается уменьшение осевых габаритов ТЭП без снижения эффективности преобразования энергии и надежности дистанционирования межэлектродного зазора.

Поставленная задача решается за счет того, что ТЭП дополнительно содержит по меньшей мере один дистанционатор межэлектродного зазора, а также сильфонный узел, размещенный снаружи катодного стакана коаксиально последнему, причем катодный стакан снабжен наружным кольцевым выступом, окружающим дно стакана и имеющим ширину, достаточную для экранирования сильфонного узла от источника тепла.

Для целей настоящего описания под термином сильфонный узел должно пониматься следующее. Сильфонный узел это упругая однослойная или многослойная гофрированная оболочка из металлических, неметаллических и композиционных материалов, сохраняющая прочность и герметичность при многоцикловых деформациях сжатия, растяжения, изгиба и их комбинаций под воздействием внутреннего или внешнего давления, температуры и механических напряжений. В настоящем изобретении сильфонный узел также решает и задачу герметизации, а главное теплоизоляции.

Сущность заявленного технического решения поясняется фиг. 1, на которой схематически изображен ТЭП, размещенный между горячей стенкой 1 и холодной стенкой 2 камеры сгорания ПВРД. Катод ТЭП выполнен в виде катодного стакана 3, дно которого снаружи нагрето излучением с горячей стенки камеры сгорания, имеющей температуру ~1600-1700°С. Внутренняя сторона дна стакана является эмиссионной поверхностью. Вокруг дна имеется кольцевой выступ, затеняющий пространство вблизи стенки стакана от теплового излучения. Внутри катодного стакана 3 коаксиально ему расположены металлокерамический узел 4, осуществляющий взаимную электроизоляцию электродов ТЭП, а затем массивный анод 5, охлаждаемый холодной стенкой 2 камеры сгорания через слой электроизоляции 6. Катодный стакан 3, в свою очередь, вставлен внутрь сильфонного узла 7. Сильфонный узел обеспечивает герметизацию полости межэлектродного зазора и поддержание этого зазора с помощью дистанционатора 8 из электроизоляционного материала при компенсации тепловых расширений электродов. При этом узел размещен в вышеупомянутом затененном пространстве у стенки стакана. Катодный электрический вывод 9 и анодный электрический вывод 10 служат для токоподвода к соответствующим электродам ТЭП.

Решение поставленной задачи обеспечивается наличием дистанционаторов и сильфонного узла, а также выбранным расположением этого узла. При этом тепловое сопротивление на участке эмиссионная поверхность - катодный токовывод увеличивается почти вдвое, а нагрев кольцевого выступа вокруг дна катодного стакана, компенсирует утечки тепла в стенку этого стакана, что увеличивает и значение оптимального теплового сопротивление стенки. Сильфонный узел также играет роль двойного экрана, уменьшающего радиационный поток тепла со стенки катодного стакана в окружающее пространство почти втрое. Это позволяет уменьшать высоту катодного стакана без снижения эффективности преобразования энергии, за счет чего можно примерно вдвое уменьшить осевые габариты ТЭП.

Рассмотрим вариант осуществления настоящего изобретения.

Катодный стакан с наружным диаметром ~44 мм с кольцевым выступом шириной ~10 мм вокруг его дна выполнен из тугоплавкого металла, например молибдена, защищенного снаружи от высокотемпературной коррозии покрытием на основе силицида молибдена. Снаружи дно катодного стакана имеет дополнительное жаростойкое покрытие толщиной до 3 мм на основе углеродных материалов, показанное на чертеже позицией 11, а изнутри - эмиссионное покрытие в виде слоя монокристаллического вольфрама толщиной ~100 мкм. Анод выполнен в виде биметаллической конструкции, состоящей из ниобиевого электрода, и медного тепловода, защищенных от коррозионного воздействия внешней среды хромированием или никелированием. Дистанционатор МЭЗ, диаметром ~2-3 мм выполнен из керамики на основе окиси скандия или алюминия. МКУ содержит изолятор из окиси алюминия, например, монокристаллической, и манжеты из никелевых сплавов. Сильфонный узел имеет наружный диаметр ~64 мм, поэтому для его экранирования от горячей стенки камеры сгорания достаточно кольцевого выступа шириной ~10 мм вокруг дна катодного стакана. При этом общая высота конструкции не превысит 25 мм.

Устройство работает следующим образом.

ТЭП установлен в зазор между горячей и холодной стенками камеры сгорания ПВРД, например, ПВРД ракеты П-800 (https://ru.wikipedia.org/wiki/Оникс_(противокорабельная_ракета)), или ПВРД любого другого известного или проектируемого ЛА. За счет нагревания дна стакана катода возрастает энергия электронов в металле, в следствие чего появляются электроны, обладающие энергией выше работы выхода. При подаче на анод положительного напряжения, в цепи возникает электрический ток, который и используется для питания бортовых систем ЛА. Дистанционатор и сильфонный узел обеспечивают соответственно постоянство МЭЗ и снижение утечек тепла по стенкам стакана. При этом именно за счет предложенной оригинальной компоновки конструктивных элементов возможно решение поставленной задачи - обеспечении возможности использования ТЭП в зазоре между горячей и холодной стенками камеры сгорания ПВРД, где расстояния имеют порядок 20-30 мм.

Термоэмиссионный преобразователь, включающий выполненный в виде стакана катод, дно которого обращено к источнику тепла, и установленные внутри катодного стакана коаксиально друг другу металлокерамический узел и массивный анод, образующий межэлектродный зазор с дном стакана, отличающийся тем, что преобразователь дополнительно содержит по меньшей мере один дистанционатор межэлектродного зазора, а также сильфонный узел, размещенный снаружи катодного стакана коаксиально последнему, причем катодный стакан снабжен наружным кольцевым выступом, окружающим дно стакана и имеющим ширину, достаточную для экранирования сильфонного узла от источника тепла.
Термоэмиссионный преобразователь для бортового источника электрической энергии
Термоэмиссионный преобразователь для бортового источника электрической энергии
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 51-60 из 174.
29.12.2018
№218.016.ac71

Мощный импульсный свч фотодетектор

Изобретение относится к области разработки и изготовления мощных фоточувствительных полупроводниковых приборов на основе GaAs, в частности к импульсным полупроводниковым сверхвысокочастотным (СВЧ) фотодетекторам. Мощный импульсный СВЧ фотодетектор лазерного излучения на основе гетероструктуры...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676228
Дата охранного документа: 26.12.2018
29.12.2018
№218.016.ac8a

Способ изготовления полупроводниковых лазеров

Способ изготовления полупроводниковых лазеров содержит этапы, на которых расщепляют лазерную гетероструктуру на линейки полупроводниковых лазеров во внешней атмосфере, обеспечивая грани резонатора, напыляют на внутреннюю поверхность рабочей вакуумной камеры слой алюминия толщиной не менее 50...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676230
Дата охранного документа: 26.12.2018
29.12.2018
№218.016.acdd

Способ изготовления импульсного фотодетектора

Изобретение относится к области разработки и изготовления фоточувствительных полупроводниковых приборов на основе GaAs. Способ изготовления мощного импульсного фотодетектора, работающего в фотовольтаическом режиме (с нулевым напряжением смещения), на основе GaAs включает последовательное...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676221
Дата охранного документа: 26.12.2018
29.12.2018
№218.016.acf3

Способ изготовления свч фотодетектора

Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано для создания мощного СВЧ фотодетектора на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlGaAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм. Способ заключается в создании многослойной структуры из системы чередующихся слоев AlGaAs...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676185
Дата охранного документа: 26.12.2018
29.12.2018
№218.016.acfa

Свч фотоприемник лазерного излучения

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, применяемым в электронике. СВЧ фотоприемник лазерного излучения состоит из подложки 1, выполненной из n-GaAs, и последовательно осажденных: слоя тыльного потенциального барьера 2 n-AlGaAs, базового слоя, выполненного из n-GaAs 3, с толщиной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676188
Дата охранного документа: 26.12.2018
29.12.2018
№218.016.acff

Свч фотодетектор лазерного излучения

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для создания фотодетекторов (ФД) лазерного излучения (ЛИ). СВЧ фотодетектор лазерного излучения состоит из подложки 1, выполненной из n-GaAs, и последовательно осажденных: Брегговского отражателя 2, настроенного на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676187
Дата охранного документа: 26.12.2018
23.02.2019
№219.016.c6dd

Способ получения термостойких сополиэфиркетонов с улучшенными физико-механическими характеристиками

Настоящее изобретение относится к способу получения сополиэфиркетонов с высокой термостойкостью и повышенными физико-механическими характеристиками на основе 4,4'-дигидроксибензофенона, 4,4'-дифторбензофенона, карбоната калия в качестве щелочного агента, характеризующемуся тем, что в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002680524
Дата охранного документа: 22.02.2019
26.02.2019
№219.016.c81c

Способ изготовления чувствительного элемента электроакустического преобразователя на основе пьезоактивной пленки из поливинилиденфторида (пвдф) и устройство для склейки чувствительного элемента

Изобретение относится к области изготовления электроакустических преобразователей. Способ изготовления чувствительного элемента на основе пьезоактивной пленки ПВДФ с токопроводящим покрытием включает нанесение на поверхность двух пьезоактивных пленок липкого слоя эпоксидной клеевой композиции,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002680670
Дата охранного документа: 25.02.2019
28.02.2019
№219.016.c853

Ампульное устройство для реакторных исследований

Изобретение относится к ядерной технике, а именно к ампульным облучательным устройствам для реакторных исследований свойств тепловыделяющих элементов. Ампульное устройство для реакторных исследований включает внешнюю цилиндрическую оболочку с герметизирующими торцевыми крышками, внутри которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002680721
Дата охранного документа: 26.02.2019
03.03.2019
№219.016.d231

Способ изготовления мощного фотодетектора

Изобретение может быть использовано для создания СВЧ-фотодетекторов на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlGaAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм. Способ заключается в создании фоточувствительной области и контактной площадки для бондинга вне фоточувствительной области на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002680983
Дата охранного документа: 01.03.2019
Показаны записи 1-10 из 10.
10.05.2016
№216.015.3b63

Способ определения внутренних параметров и выходных характеристик цилиндрического термоэмиссионного преобразователя

Изобретение относится к области термоэмиссионного преобразования тепловой энергии в электрическую и может быть использовано при проектировании и испытаниях термоэмиссионных преобразователей (ТЭП) преимущественно для космических ядерных энергетических установок (ЯЭУ). Способ определения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002583891
Дата охранного документа: 10.05.2016
19.01.2018
№218.016.0965

Гибкий бетавольтаический элемент

Изобретение относится к средствам прямого преобразования энергии радиоактивного распада в электрическую и может быть использовано для питания микроэлектронной аппаратуры. Гибкий бета-вольтаический элемент содержит источник бета-излучения выполнен в виде содержащей радиоактивный изотоп фольги,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002631861
Дата охранного документа: 27.09.2017
10.05.2018
№218.016.3b3e

Способ испытания высокотемпературных тепловыделяющих элементов

Изобретение относится к способам испытаний высокотемпературных твэлов в исследовательском реакторе в составе ампульного облучательного устройства и может быть использовано при разработке и обосновании конструкции невентилируемых высокотемпературных твэлов, например, термоэмиссионного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002647486
Дата охранного документа: 16.03.2018
26.10.2018
№218.016.962b

Радиоизотопный элемент электрического питания с полупроводниковым преобразователем, совмещенным с источником излучения

Использование: для питания микроэлектронной аппаратуры. Сущность изобретения заключается в том, что радиоизотопный элемент электрического питания включает источник излучения, выполненный в виде содержащей радиоактивный изотоп фольги, и по крайней мере один полупроводниковый преобразователь, при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002670710
Дата охранного документа: 24.10.2018
09.10.2019
№219.017.d36f

Конструкционный материал на основе молибдена и/или вольфрама или их сплавов с защитным жаростойким покрытием и изделие, выполненное из него

Изобретение относится к области металлургии, а именно к материалам, предназначенным для работы в окислительной среде при высоких температурах, которые могут использоваться в качестве конструкционного материала для ответственных деталей, работающих при высокой температуре в приборостроении,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002702254
Дата охранного документа: 07.10.2019
18.10.2019
№219.017.d767

Термоэмиссионный преобразователь с пассивным охлаждением для бортового источника электроэнергии высокоскоростного летательного аппарата с прямоточным воздушно-реактивным двигателем

Изобретение относится к области термоэмиссионного преобразования тепловой энергии в электрическую, а именно к термоэмиссионным преобразователям (ТЭП), которые могут использоваться в составе бортовых источников электрической энергии для высокоскоростных летательных аппаратов (ВЛА) с прямоточными...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002703272
Дата охранного документа: 16.10.2019
26.10.2019
№219.017.dad7

Термоэмиссионный преобразователь для термоэмиссионной тепловой защиты кромки малого радиуса закругления крыла высокоскоростного летательного аппарата

Изобретение относится к области термоэмиссионного преобразования тепловой энергии в электрическую, а именно к использованию термоэмиссионных преобразователей (ТЭП) в составе систем тепловой защиты высокоскоростных летательных аппаратов (ВЛА). Согласно изобретению в термоэмиссионном...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002704106
Дата охранного документа: 24.10.2019
01.12.2019
№219.017.e954

Термоэмиссионный преобразователь, встраиваемый в конструкцию высокоскоростных летательных аппаратов

Изобретение относится к области термоэмиссионного преобразования тепловой энергии в электрическую, а именно к термоэмиссионным преобразователям (ТЭП), которые могут использоваться в составе систем тепловой защиты и бортовых источников электрической энергии гиперзвуковых летательных аппаратов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002707557
Дата охранного документа: 28.11.2019
05.03.2020
№220.018.08c0

Генератор паров рабочего тела для термоэмиссионных преобразователей

Изобретение относится к области термоэмиссионного преобразования тепловой энергии в электрическую, а именно к источникам паров рабочего тела для термоэмиссионных преобразователей (ТЭП), и может быть использовано в составе цезиевых систем термоэмиссионных ядерных энергетических установок,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002715733
Дата охранного документа: 03.03.2020
17.06.2023
№223.018.7dbf

Ампульное облучательное устройство для реакторных исследований

Изобретение относится к ампульному облучательному устройству, которое может использоваться для реакторных исследований свойств тепловыделяющих элементов, а именно - микросферического капсулированного ядерного топлива (микротвэлов) для высокотемпературных газоохлаждаемых реакторов. Устройство...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002781552
Дата охранного документа: 13.10.2022
+ добавить свой РИД