×
29.12.2018
218.016.acfa

СВЧ ФОТОПРИЕМНИК ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к полупроводниковым приборам, применяемым в электронике. СВЧ фотоприемник лазерного излучения состоит из подложки 1, выполненной из n-GaAs, и последовательно осажденных: слоя тыльного потенциального барьера 2 n-AlGaAs, базового слоя, выполненного из n-GaAs 3, с толщиной 50-100 нм, непроводящего слоя i-GaAs 4 толщиной 1 мкм и эмиттерного слоя p-GaAs 5 толщиной 900-1000 нм с увеличением уровня легирования мелкой акцепторной примесью от границы с непроводящим слоем до противоположной границы, при этом сумма толщин базового, непроводящего и эмиттерного слоев составляет от 1,95 до 2,1 мкм. Изобретение обеспечивает возможность создания СВЧ фотоприемника лазерного излучения с высоким быстродействием и поглощением не менее 80% фотонов с длиной волны в диапазоне 800-860 нм. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, применяемым в электронике. На его основе возможно создание фотоприемников (ФП) лазерного излучения (ЛИ).

В настоящее время все большее распространение получают волоконно-оптические линии связи (ВОЛС), основанные на лазерных диодах и быстродействующих ФП, которые обеспечивают гальваническую развязку между источником сигнала и приемником. При этом достигнут значительный прогресс в создании ФП, обеспечивающих прием сигнала в СВЧ системах, работающих на частотах, достигающих десятков гигагерц, и в ряде случаев достигающих терагерцового диапазона. В качестве оптоволокна в системах ВОЛС используется кварцевое волокно с окнами прозрачности: 0,85 мкм (первое окно), 1,3 мкм (второе окно) и 1,55 мкм (третье окно).

Как показывают теоретические данные, эффективность преобразования монохроматического (в частности лазерного) излучения в диапазоне длин волн 0,8-0,86 мкм для фотопреобразователей на основе GaAs может достигать 85-87% при мощности падающего излучения 100 Вт/см2. Таким образом, задача улучшения характеристик ФП лазерного излучения, таких как, квантовый выход и быстродействие являются весьма актуальной для современной электроники и фотоники.

Известен фотоприемник лазерного излучения на основе GaAs (см. Tiqiang Shan, Xinglin Qi, Design and optimization of GaAs photovoltaic converter for laser power beaming, 2015, м. 71, p. 144-150), включающий подложку из n-GaAs, слой тыльного потенциального барьера из n-AlGaAs, базовый слой из n-GaAs толщиной 3,5 мкм, эмиттерный слой из p-GaAs толщиной 0,5 мкм, слой широкозонного окна из p-GaInP, контактный подслой из p+-GaAs.

Недостатком известного фотоприемника является малое быстродействие из-за высокой барьерной емкости, а также большой постоянной времени разделения носителей заряда.

Известен фотоприемник лазерного излучения на основе GaAs (см. E. Oliva, F. Dimroth and A.W. Bett. Converters for High Power Densities of Laser Illumination. - Prog. Photovolt: Res. Appl., 2008, 16: 289-295), содержащий подложку из n-GaAs, слой тыльного потенциального барьера из n+-GaInP, базовый слой из n-GaAs, эмиттерный слой из p-GaAs, слой широкозонного окна из p+-GaInP и контактный подслой из p++-Al0,5GaInAs.

К недостатку известного фотоприемника относится усложненная технология его изготовления (использование большого количества разных газов для выращивания слоев разного элементного состава, а, следовательно, повышенные требования к очистке реактора от нежелательных примесей). Кроме того, отсутствие нелегированной области вызывает повышение барьерной емкости.

Наиболее близким к настоящему техническому решению по совокупности существенных признаков является фотоприемник лазерного излучения (см. патент RU 2547004, МПК H01L 31/18, опубликован 10.04.2015), принятый за прототип и включающий подложку из n-GaAs, базовый слой из n-GaAs толщиной 3-5 мкм, эмиттерный слой из p-GaAs толщиной 1,5-2,0 мкм, слой из p-AlGaAs толщиной 3-30 мкм.

Недостатками известного фотоприемника лазерного излучения является неполное собирание фотогенерированных носителей из базового слоя, а также низкое быстродействие.

Задачей настоящего решения является создание такого СВЧ фотоприемника лазерного излучения, который обеспечивал, высокое быстродействие и поглощал бы не менее 80% фотонов с длиной волны в диапазоне 800-860 нм при близком к полному собиранию фотогенерированных носителей.

Поставленная задача достигается тем, что СВЧ фотоприемник лазерного излучения включает полупроводниковую подложку, выполненную из n-GaAs, и последовательно осажденные: слой тыльного потенциального барьера, выполненный из n-Al0.2Ga0.8As, базовый слой, выполненный из n-GaAs, непроводящий слой i-GaAs и эмиттерный слой p-GaAs с увеличением уровня легирования мелкой акцепторной примесью от границы с непроводящим слоем до противоположной границы, при этом сумма толщин базового, непроводящего и эмиттерного слоев составляет от 1,95 до 2,1 мкм.

В СВЧ фотоприемнике лазерного излучения толщина базового слоя может находиться в диапазоне от 50 до 100 нм, толщина непроводящего слоя может составлять 1 мкм, а толщина эмиттерного слоя может находиться в диапазоне от 900 до 1000 нм.

В СВЧ фотоприемнике лазерного излучения уровень легирования эмиттерного слоя p-GaAs мелкой акцепторной примесью у границы с непроводящим слоем i-GaAs может составлять от 1⋅1016 до 1⋅1017 см-3 и увеличивается по экспоненциальному закону до величины от 1⋅1018 до 2⋅1018 см-3 у противоположной границы эмиттерного слоя.

Настоящее техническое решение поясняется чертежами, где:

на фиг. 1 представлено схематичное изображение поперечного сечения настоящего СВЧ фотоприемника лазерного излучения;

на фиг. 2 приведены доли непоглощенных фотонов лазерного излучения в ФП ЛИ на основе GaAs в зависимости от суммарной толщины базового непроводящего и эмиттерного слоев для длин волн в диапазоне 800-860 нм: кривая 6 - длина волны излучения 810 нм; кривая 7 - длина волны излучения 830 нм; кривая 8 - длина волны излучения 850 нм;

на фиг. 3 представлены вклады различных фотоактивных слоев в постоянную времени разделения фотогенерированных носителей в ФП ЛИ на основе GaAs в вентильном режиме при напряжении 1 В: кривая 9 - время диффузии неравновесных дырок из слоя n-GaAs; кривая 10 - время диффузии неравновесных электронов из слоя p-GaAs при отсутствии градиента легирования; кривая 11 - время диффузии неравновесных электронов из слоя p-GaAs при градиенте легирования мелкой акцепторной примесью от 1⋅1017 см-3 у границы с непроводящим слоем до 2⋅1018 см-3 у противоположной границы с изменением концентрации примеси по экспоненциальному закону; кривая 12 - время диффузии неравновесных электронов из слоя p-GaAs при градиенте легирования мелкой акцепторной примесью от 1⋅1016 см-3 у границы с непроводящим слоем до 2⋅1018 см-3 у противоположной границы с изменением концентрации примеси по экспоненциальному закону; кривая 13 - время разделения электрон-дырочных пар в i-GaAs; кривая 14 - время дрейфа неравновесных электронов через слой i-GaAs;

на фиг. 4 показаны вклады различных фотоактивных слоев в удельную диффузионную емкость структуры ФД на основе GaAs в вентильном режиме при напряжении 1 В (кривые 15-19), а также барьерная емкость такого ФП ЛИ, в зависимости от толщины нелегированного слоя (кривая 20): кривая 15 - вклад слоя i-GaAs; кривая 16 - вклад слоя p-GaAs при отсутствии градиента легирования; кривая 17 - вклад слоя p-GaAs при градиенте легирования мелкой акцепторной примесью от 1⋅1016 см-3 у границы с непроводящим слоем до 2⋅1018 см-3 у противоположной границы с изменением концентрации примеси по экспоненциальному закону; кривая 18 - вклад слоя p-GaAs при градиенте легирования мелкой акцепторной примесью от 1⋅1016 см-3 у границы с непроводящим слоем до 2⋅1018 см-3 у противоположной границы с изменением концентрации примеси по экспоненциальному закону; кривая 19 - вклад слоя и-GaAs.

Настоящий СВЧ фотоприемник лазерного излучения показан на фиг. 1. Он включает полупроводниковую подложку 1, выполненную, например, из n-GaAs, и последовательно осажденные: слой тыльного потенциального барьера 2, выполненный, например, из n-Al0.2Ga0.8As, базовый слой 3, выполненный, например, из n-GaAs, с толщиной, например, 50-100 нм, непроводящий слой i-GaAs 4, толщиной, например, 1 мкм и эмиттерный слой p-GaAs 5 толщиной, например, 900-1000 нм с увеличением уровня легирования мелкой акцепторной примесью от границы с непроводящим слоем до противоположной границы, при этом сумма толщин базового, непроводящего и эмиттерного слоев составляет от 1,95 до 2,1 мкм.

С увеличением частоты все большее влияние на работу СВЧ приборов оказывают паразитные емкости, образуемые конструктивными элементами самих устройств. При этом модуль реактивного сопротивления емкостей уменьшается: шунтирующие емкости закорачивают соответствующие участки схемы. Поэтому на высоких частотах и особенно в СВЧ-диапазоне паразитные емкости, в первую очередь емкости p-n переходов в полупроводниковых приборах, должны быть сведены к минимуму.

Общая емкость p-n перехода измеряется между выводами кристалла при заданных постоянном напряжении (смещении) и частоте гармонического напряжения, прикладываемых к переходу. Она складывается из барьерной и диффузионной емкостей.

При прямом напряжении на переходе и работе ФП в «вентильном» режиме общая емкость определяется в основном диффузионной емкостью, а при обратном напряжении и работе ФП в режиме «ключа». - барьерной.

Барьерная (или зарядная) емкость обусловлена нескомпенсированным зарядом ионизированных атомов примеси, сосредоточенными по обе стороны от границы перехода. Эти объемные заряды неподвижны и не участвуют в процессе протекания тока. Они и создают электрическое поле перехода. При увеличении обратного напряжения область пространственного заряда и сам заряд увеличиваются, причем это увеличение происходит непропорционально тем меньше, чем больше расстояние между атомами донорной и акцепторной примесей.

Использование непроводящего i-слоя большей толщины позволяет расширить обедненную область между сильнолегированными эмиттерным и базовым слоями ФП, что позволяет уменьшить барьерную емкость структуры, которую можно оценить по формуле:

где ε - диэлектрическая проницаемость i-слоя; ε0 - электрическая постоянная; S - площадь ФП, d - ширина запрещенной зоны p-n перехода.

Увеличение толщины непроводящего i-слоя приводит к возрастанию d, что понижает барьерную емкость.

При положительных смещениях существенной оказывается диффузионная емкость. Диффузионная емкость связана с нескомпенсированным зарядом в фотоактивных слоях: и обратно пропорциональна толщине i-слоя p-эмиттере, n-базе и нелегированном i-слое. Диффузионная емкость обусловлена изменением величины объемного заряда, вызванного изменением прямого напряжения и вследствие инжекции неосновных носителей в рассматриваемый слой. В результате, например, в n-базе возникает объемный заряд дырок, который практически мгновенно компенсируется зарядом собственных подошедших к дыркам электронов. Диффузионную емкость часто выражают как линейную функцию тока, учитывая экспоненциальный характер вольтамперной характеристики.

Для обеспечения высокого быстродействия ФП необходим компромисс в выборе толщины непроводящей области. При малой ее толщине поле в области ОПЗ будет достаточно для быстрого разделения носителей, однако, барьерная емкость структуры окажется большей, чем для толстого i-слоя.

Быстродействие p-i-n структур определяется постоянной времени, связанной со скоростью разделения электрон-дырочных пар в области пространственного заряда (ОПЗ), постоянной времени, определяемой скоростью диффузии неравновесных носителей заряда из эмиттера по направлению к ОПЗ, и постоянной времени, определяемой скоростью диффузии неравновесных носителей заряда из базы по направлению к ОПЗ и постоянной времени перезаряда емкостей, определяемой сопротивлением нагрузки ФП RH и емкостью p-i-n структуры.

Скорость разделения электрон-дырочных пар в ОПЗ зависит от подвижности носителей заряда градиента поля в ОПЗ, определяемого контактной разницей потенциалов, напряжением на ФП и толщиной i-слоя d. Скорости диффузии в эмиттере и базе определяются толщинами этих слоев и коэффициентами диффузии неосновных носителей заряда.

Суммарная толщина базового, эмиттерного и непроводящего слоев определяет коэффициент поглощения лазерного излучения в ФП. Для получения требуемого коэффициента поглощения необходимо обеспечение суммарной толщины базового, эмиттерного и непроводящего слоев порядка 2 мкм (фиг. 2, кривые 6-8). Толщины должны быть распределены таким образом, чтобы обеспечить близкое к полному собирание фотогенерированных носителей и, одновременно, приемлемые параметры быстродействия.

Результаты расчетов показывают, что для ФП, в целом, при выбранных толщинах и профилях легирования слоев обеспечивается время разделения фотогенерированных носителей на уровне 15-20 пс (фиг. 3).

Толщина слоя n-GaAs выбиралась равной 50-100 нм для минимизации вклада базы в постоянную времени ФП (фиг. 3, кривая 9). Выбранная толщина позволила удержать постоянную на уровне менее 10 пс, при больших толщинах время собирания фотогенерированных носителей в p-i-n переход существенно возрастает. В то же самое время, такой толщины достаточно для создания необходимой контактной разности потенциалов на p-i-n переходе и сильного равномерного электрического поля в слое i-GaAs. Для обеспечения требуемых временных параметров диффузию неравновесных дырок в направлении подложки ограничивает слой тыльного потенциального барьера, выполненный из n-Al0.2Ga0.8As.

При отсутствии тянущего поля время собирания неравновесных электронов из эмиттера (фиг. 3, кривая 10) превышает время разделения носителей в ОПЗ, начиная с толщины эмиттера в 400 нм. При толщине эмиттера в 900-1000 нм время разделения носителей составит 50 пс. Это существенно больше времени разделения электрон-дырочных пар в ОПЗ, составляющего 12 пс для толщины слоя i-GaAs в 1000 нм (фиг. 3, кривая 13). Внедрение тянущего поля при толщине эмиттера 900-1000 нм позволит сохранить постоянную времени в пределах от 15 до 20 пс в зависимости от величины градиента легирования (фиг. 3, кривые 11 и 12). Также тянущее поле обеспечивает близкое к полному собирание фотогенерированных носителей заряда. Экспоненциальный закон изменения концентрации мелкой акцепторной примеси позволяет получить постоянную напряженность тянущего поля по всей толщине эмиттера.

Время дрейфа электронов через слой i-GaAs при этом пренебрежимо мало, порядка 1 пс для толщины 1000 нм (фиг. 3, кривая 14). Время дрейфа дырок через слой i-GaAs несколько больше ввиду их меньшей подвижности, однако, ввиду малой толщины слоя n-GaAs (50-100 нм), из которого они инжектируются, а также расположения слоя с тыльной стороны, суммарный вклад этих носителей заряда в фототок в предложенной структуре не превышает 1%, что позволяет пренебрегать ими.

Выбранные толщины эмиттерного, базового и непроводяшего слоев ФП помимо приемлемой постоянной времени разделения фотогенерированных носителей также отвечают условию баланса между барьерной и диффузионной емкостями в рабочих режимах (фиг. 4).

Основной вклад в диффузионную емкость обеспечивает слой i-GaAs (фиг. 4, кривая 15). Вклады эмиттерного и базового слоев, если нет градиента легирования, на несколько порядков меньше (фиг. 4, кривые 16 и 19). При рассмотрении временных параметров ФП необходимо учитывать, что наличие градиента легирования и области с более низким легированием приводит к росту вклада эмиттера в диффузионную емкость структуры. Однако, область, за счет которой будет расти диффузионная емкость, ограничена градиентом тянущего поля на участке ~kT. По этой причине, хотя внедрение поля будет сопровождаться увеличением вклада эмиттера в диффузионную емкость (фиг. 4, кривые 17 и 18), этот вклад будет незначителен и останется, как минимум, на 2 порядка ниже, чем вклад слоя i-GaAs (фиг. 4, кривая 15). Для выбранной толщины слоя i-GaAs диффузионная и барьерная емкость (фиг. 4, кривая 20) приблизительно равны.


СВЧ ФОТОПРИЕМНИК ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
СВЧ ФОТОПРИЕМНИК ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
СВЧ ФОТОПРИЕМНИК ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
СВЧ ФОТОПРИЕМНИК ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
СВЧ ФОТОПРИЕМНИК ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 174.
13.01.2017
№217.015.88dc

Одномодовый плазмонный волновод

Изобретение относится к плазмонной интегральной оптике и может быть использовано при конструировании компонентов плазмонных устройств различного назначения. Одномодовый плазмонный волновод, выполненный в виде заполненного диэлектриком протяженного V-образного канала в пленке металла на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002602737
Дата охранного документа: 20.11.2016
25.08.2017
№217.015.b204

Квантовый генератор случайных чисел

Изобретение относится к квантовым генераторам случайных чисел и может быть использовано в криптографии. Техническим результатом является повышение качества, степени надежности и скорости генерации. Устройство содержит источник фотонов, однофотонный детектор, измеритель времени, задающий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002613027
Дата охранного документа: 14.03.2017
25.08.2017
№217.015.b401

Генератор плазмонных импульсов терагерцовой частоты

Изобретение относится к технике генерации импульсов терагерцовой частоты. Генератор плазмонных импульсов терагерцовой частоты включает спазер в режиме пассивной модуляции добротности на основе активной среды, помещенной в резонансную структуру, образованную в тонкой пленке металла, размещенной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002613808
Дата охранного документа: 21.03.2017
25.08.2017
№217.015.c0b4

Устройство для изготовления интегральной оптической волноводной структуры

Изобретение относится к области изготовления трехмерных интегральных оптических волноводных структур. Устройство для изготовления интегральной оптической волноводной структуры в оптически прозрачном образце с показателем преломления n, включающее в себя трехмерную систему перемещения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617455
Дата охранного документа: 25.04.2017
25.08.2017
№217.015.d079

Устройство для сейсмической разведки

Изобретение относится к области геофизики и может быть использовано для проведения подводной многомерной сейсмической разведки на акваториях, покрытых льдом. Устройство для сейсмической разведки снабжено буксируемой капсулой. Капсула состоит из правого и левого бортов, в которых на специальных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621272
Дата охранного документа: 01.06.2017
25.08.2017
№217.015.d304

Способ подводной сейсмической разведки

Изобретение относится к области геофизики и может быть использовано для поиска и уточнения строения месторождений углеводородов и других полезных ископаемых на акваториях, покрытых льдом круглогодично или большую часть года, и повышения эффективности процесса их освоения. При реализации...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621638
Дата охранного документа: 06.06.2017
25.08.2017
№217.015.d32a

Сеть квантового распределения ключей

Изобретение относится к области сетевой волоконно-оптической квантовой криптографии - к защищенным информационным сетям с квантовым распределением криптографических ключей. Технический результат - создание сети с возможностью реконфигурации, а также обладающей большей выживаемостью при потере...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621605
Дата охранного документа: 06.06.2017
26.08.2017
№217.015.de15

Подводный буровой модуль для бурения нефтяных и газовых скважин

Изобретение относится к горной промышленности, в частности к буровым модулям, предназначенным для бурения нефтяных и газовых скважин на шельфах морей. Подводный буровой модуль, имеющий открытую рамную конструкцию, включает буровую вышку с вертикальными направляющими для бурильной машины,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002624841
Дата охранного документа: 07.07.2017
26.08.2017
№217.015.e62e

Система детектирования одиночных фотонов

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается системы детектирования одиночных фотонов. Система включает в себя приемный модуль с приемной зоной, блок ориентации, оптический модуль и световод, который имеет оболочку с первым и вторым окончаниями и сердцевину с первым и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002627025
Дата охранного документа: 02.08.2017
29.12.2017
№217.015.f0bd

Композиция для получения полупроницаемой пористой мембраны

Изобретение относится к составу формовочного раствора для получения нетканого материала методом электроформования и может использоваться для получения водоупорной, воздухо-, паропроницаемой мембраны, а также регулирования комплекса эксплуатационных свойств мембранного материала. Композиция...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002638981
Дата охранного документа: 19.12.2017
Показаны записи 1-10 из 68.
20.02.2013
№216.012.2880

Конструкция фотоэлектрического модуля

Изобретение относится к области солнечной энергетики. Конструкция фотоэлектрического модуля (1) содержит боковые стенки (2), фронтальную панель (3) с линзами Френеля (4), светопрозрачную тыльную панель (5), солнечные элементы (6) с фотоприемными площадками (15), совмещенными с фокальным пятном...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002475888
Дата охранного документа: 20.02.2013
27.02.2013
№216.012.2ca5

Солнечная концентраторная фотоэлектрическая установка

Солнечная концентраторная фотоэлектрическая установка содержит концентраторные фотоэлектрические модули (2), размещенные на механической системе, азимутальный и зенитальный приводы, расположенные в электромеханическом шкафу, и систему ориентации концентраторных фотоэлектрических модулей (2) на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002476956
Дата охранного документа: 27.02.2013
27.02.2013
№216.012.2ca6

Солнечная фотоэнергоустановка

Изобретение относится к солнечной фотоэнергетике и может найти применение как в мощных солнечных электростанциях, так и в качестве фотоэлектрической энергоустановки индивидуального пользования. Солнечная фотоэнергоустановка включает прямоугольные концентраторные фотоэлектрические модули (1),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002476957
Дата охранного документа: 27.02.2013
27.05.2013
№216.012.4592

Способ предэпитаксиальной обработки поверхности германиевой подложки

Изобретение относится к области полупроводниковой опто- и микроэлектроники. Способ предэпитаксиальной обработки поверхности подложки из германия включает удаление с поверхности подложки оксидного слоя, очистку поверхности германия от неорганических загрязнений и пассивацию поверхности подложки....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002483387
Дата охранного документа: 27.05.2013
20.06.2013
№216.012.4e4d

Способ изготовления фотовольтаического преобразователя

Способ изготовления фотовольтаического преобразователя включает нанесение на периферийную область подложки из n-GaSb диэлектрической маски, формирование на открытых участках фронтальной поверхности подложки высоколегированного слоя р-типа проводимости диффузией цинка из газовой фазы, удаление...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485627
Дата охранного документа: 20.06.2013
20.06.2013
№216.012.4e4e

Способ изготовления чипов наногетероструктуры и травитель

Изобретение относится к созданию высокоэффективных солнечных элементов на основе полупроводниковых многослойных наногетероструктур для прямого преобразования энергии солнечного излучения в электрическую энергию с использованием солнечных батарей. Способ изготовления чипов наногетероструктуры,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485628
Дата охранного документа: 20.06.2013
10.09.2013
№216.012.691c

Способ изготовления чипов многослойных фотоэлементов

Способ изготовления чипов многослойных фотоэлементов включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, последовательное создание на поверхности фоточувствительной многослойной структуры пассивирующего слоя и контактного слоя. Способ также...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002492555
Дата охранного документа: 10.09.2013
20.09.2013
№216.012.6d4f

Способ изготовления чипов каскадных фотоэлементов

Способ изготовления чипов каскадных фотоэлементов относится к солнечной энергетике. Способ включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, последовательное выращивание на поверхности фоточувствительной многослойной структуры...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002493634
Дата охранного документа: 20.09.2013
20.10.2013
№216.012.7739

Фотоэлектрический концентраторный субмодуль

Изобретение относится к области солнечной энергетики. Фотоэлектрический концентраторный субмодуль содержит фронтальный стеклянный лист (1), на тыльной стороне которого расположен первичный оптический концентратор в виде линзы (2) квадратной формы с длиной стороны квадрата, равной W, и фокусным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002496181
Дата охранного документа: 20.10.2013
10.04.2014
№216.012.b047

Способ приготовления питательной среды для выращивания дрожжей

Изобретение относится к биотехнологии и может быть использовано при получении питательных сред для выращивания дрожжей. Способ предусматривает измельчение соломы и отрубей. Измельченные солому и отруби смешивают в заданном соотношении. Полученную смесь гидролизуют сернистой кислотой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002510842
Дата охранного документа: 10.04.2014
+ добавить свой РИД