×
14.03.2019
219.016.dfbb

Результат интеллектуальной деятельности: Способ прочного соединения изделий из графита

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002681628
Дата охранного документа
11.03.2019
Аннотация: Изобретение относится к области химической технологии и может быть использовано для изготовления блоков из графитовых деталей, способных использоваться при высоких температурах. Сначала на торцевые поверхности подлежащих соединению графитовых деталей наносят слои поливинилацетата, в полученный шов в качестве присадки механически втирают молотый кремний. Затем склеивают детали через прокладку из тонкого углеродного войлока. После высыхания клея полученную заготовку помещают в герметичную печь и проводят сварку состыкованных таким образом деталей посредством нагрева до температуры, превышающей точку плавления кремния, в среде вакуума или инертного газа. Получают малогазопроницаемый и стойкий к повышенным температурам блок из двух и более графитовых деталей с упрощением технологии его изготовления. 1 пр.

Изобретение относится к области химической технологии и может быть использовано для герметичного соединения изделий из графита различной формы с обеспечением малой газопроницаемости и высокой стойкости к повышенным температурам. Соединение графитовых деталей между собой требуется при создании из них блоков или при изготовлении изделий из графитов с различными физико-механическими свойствами.

Одним из самых распространенных способов соединения графитовых деталей является склеивание замазками и клеями. Этот способ требует тщательной подгонки соприкасающихся поверхностей. Однако, с помощью клеев не удалось создать ни механически прочных, ни газонепроницаемых соединений, способных работать при температурах свыше 700°С.

Известен способ (А.с. СССР №199116, МПК С01В, C09J, опубл. 09.07.1966 г., бюлл. №14) сварки графита с графитом, включающий погружение исходных изделий в ванну с жидкими углеводородами (на примере трансформаторного масла) и дальнейший нагрев места соединения током до 1250°С в течение 1,5 мин. [1]. Недостатком известного способа являются возможность воспламенения масла при существенно более низкой температуре (состав среды, в которой производится нагрев, в описании изобретения не указан). Кроме того, время выдержки при нагреве по способу [1] представляется неоправданно малым, поскольку проникновение атомов углерода из слоя углеводорода в графит лимитируется скоростью их диффузии в твердой фазе, которая не может быть столь быстрой, как в процессах реакционного спекания.

Известен способ (Патент RU 2617105, МПК B01D 39/00, опубл. 20.04.2017) изготовления изделия с фильтром для агрессивных жидкостей и газов, включающий пропитку углеграфитовой ткани расплавленным кремнием, отличающийся тем, что перед пропиткой слой (слои) углеграфитовой ткани приклеивают слоем поливинилацетата к торцевой поверхности втулки или кольца из силицированного графита, измельченный кремний засыпают на поверхность слоя (слоев) ткани, а затем проводят нагрев в среде вакуума при температуре, превышающей точку плавления кремния [2]. Недостатком способа является то, что он не предусматривает соединение между собой двух или более графитовых деталей.

Наиболее близким к заявляемому и принятым за прототип является способ соединения графитовых деталей (А.с. СССР №191706, МПК Н05В, опубл. 25.01.1967 г., бюлл. №4), включающий сварку состыкованных деталей с использованием вводимой в шов присадки [3].

Общим с заявляемым изобретением признаком является плавление вводимой в шов присадки. К недостаткам способа [3] относятся необходимость перемещения сварочного электрода относительно внешней поверхности соединяемых деталей, предварительное выполнение сварочных катетов, а также неизбежность локального перегрева графита в узкой области, что может привести к механическому разрушению конструкции.

Техническим результатом заявляемого способа является получение изделия из двух или более графитовых деталей, соединенных в малогазопроницаемый и стойкий к повышенным температурам блок с одновременным упрощением технологии его изготовления.

Для достижения указанного технического результата в предлагаемом способе, включающем сварку состыкованных деталей с использованием присадки, вводимой в шов, перед сваркой (реакционным спеканием) на торцевые поверхности подлежащих соединению деталей наносят слои поливинилацетата в которые механически втирают молотый кремний, затем склеивают детали через прокладку из тонкого углеродного войлока, после высыхания клея полученную заготовку помещают в герметичную печь и проводят нагрев до температуры, превышающей точку плавления кремния, в среде вакуума или инертного газа. Нанесение слоев поливинилацетата [-СН2-СН(ОСОСН3)-]n, являющегося источником углерода после нагрева в бескислородной среде, проводится механически при комнатной температуре. Данный клей является общедоступным и дешевым продуктом. Затем в слои клея также механически втирается молотый кремний. Эти операции проводятся на воздухе при комнатной температуре, что упрощает технологию. Для склеивания деталей используются прокладки из тонкого и не пропитанного пироуглеродом углеродного войлока, предварительно вырезанные по поверхности меньшей из подлежащих соединению деталей. Прокладки могут быть пропитанными водным раствором поливинилацетата для лучшего склеивания. После взаимного прижатия всех деталей проводится выдержка для высыхания клея. Затем заготовка блока помещается в герметичную печь и проводится нагрев внешним нагревателем до температуры, превышающей точку плавления кремния. При этом протекает полное силицирование прокладки и частичное - поверхности графита вблизи стыка по реакции Si+С=SiC. Для предотвращения окисления нагрев проводится в вакууме или среде инертного газа. После охлаждения полученный блок извлекается из печи. Важным преимуществом предложенного способа по сравнению с прототипом является приблизительно одинаковая температура всех частей блока, что снижает вероятность его разрушения от термонапряжений. Газопроницаемость полученного блока соответствует газпроницаемости соединенных в нем графитовых деталей. Максимальная температура использования в инертной среде - 1350°С, а на воздухе определяется предельной температурой эксплуатации входящего в состав блока графита.

Пример

Проводили соединение двух труб из графита МПГ-6 длиной 200 мм, внутренним диаметром 42 мм и внешним - 51 мм, что было вызвано ограничениями на продольный размер заготовок промышленно выпускаемого высокоплотного графита. На подлежащие соединению торцевые поверхности каждой из труб механически нанесли толстые слои чистого поливинилацетата, в которые немедленно втерли порошок кремния, прошедший через сито с ячейкой 400 мкм. Предварительно вырезанное кольцо из мягкого углеродного войлока толщиной 1 мм, внутренним диаметром 42 мм и внешним - 51 мм, погрузили в 10% водный раствор поливинилацетата, извлекли его из раствора и зажали между покрытыми кремнием торцами труб с помощью струбцины. После 2-х часовой выдержки полученную заготовку блока поместили в полость графитового нагревателя установки «Силикар-Ф» и в вакууме провели нагрев до температуры 1450°С. После естественного охлаждения извлекли блок из двух соединенных труб и освободили его от струбцины. Дальнейшие испытания показали, что полученный блок не разрушается при нагреве в инертной среде до температуры несколько выше 1350°С.

Способ прочного соединения графитовых деталей, включающий сварку состыкованных деталей с использованием вводимой в шов присадки, отличающийся тем, что перед сваркой на торцевые поверхности подлежащих соединению деталей наносят слои поливинилацетата, в которые в качестве присадки механически втирают молотый кремний, затем склеивают детали через прокладку из тонкого углеродного войлока, после высыхания клея полученную заготовку помещают в герметичную печь и проводят нагрев до температуры, превышающей точку плавления кремния, в среде вакуума или инертного газа.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 71-80 из 91.
09.06.2020
№220.018.25bc

Структура с резистивным переключением

Изобретение предназначено для применения в электронике для нейроморфных вычислений и хранения информации. Структура с резистивным переключением включает два металлических алюминиевых контакта, нанесенных на поверхность тонкой пленки аморфной сурьмы. Изобретение обеспечивает получение структуры...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002723073
Дата охранного документа: 08.06.2020
03.07.2020
№220.018.2dda

Способ получения timnal

Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению объемных слитков спин-поляризованного бесщелевого полупроводника TiMnAl, который может быть использован в спинтронике. Способ получения TiMnAl из элементарных титана, марганца и алюминия включает помещение навесок марганца и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725229
Дата охранного документа: 30.06.2020
06.07.2020
№220.018.2fb7

Трансформатор импульсов электроэнергии однополярного тока

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электрометаллургии для гальванической развязки в источниках питания высокочастотной дуги, используемой для плавления металлических порошков, электроэрозионной обработки поверхности и изготовления деталей сложной формы....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725610
Дата охранного документа: 03.07.2020
09.07.2020
№220.018.3097

Устройство для выращивания смешанных кристаллов сульфата кобальта-никеля-калия для оптических фильтров ультрафиолетового диапазона

Изобретение относится к области роста кристаллов, в частности, к выращиванию смешанных монокристаллов K(Со,Ni)(SO)x6HO (KCNSH) из водных растворов и может быть использовано в оптическом приборостроении для изготовления солнечно-слепых фильтров. Устройство для выращивания смешанных кристаллов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725924
Дата охранного документа: 07.07.2020
20.04.2023
№223.018.4c95

Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом включает смешивание порошков селенида цинка и легирующей добавки и последующее выращивание кристалла из расплава под давлением аргона, при этом хром вводится в исходную загрузку в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751059
Дата охранного документа: 07.07.2021
20.04.2023
№223.018.4c96

Высокотемпературный слоисто-волокнистый композит, армированный оксидными волокнами, и способ его получения

Изобретение относится к высокотемпературным конструкционным композитным материалам с металлической матрицей и способам их получения. Высокотемпературный слоисто-волокнистый композит, с матрицей на основе Nb, твердого раствора Nb(Al), а также интерметаллидов NbAl и NbAl содержит слои Мо,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751062
Дата охранного документа: 07.07.2021
20.04.2023
№223.018.4cda

Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом включает смешивание порошков сульфида цинка и порошка моносульфида легирующего металла с последующим выращиванием кристалла из расплава вертикальной зонной плавкой. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002755023
Дата охранного документа: 09.09.2021
20.04.2023
№223.018.4d09

Устройство для измерения малых токов инжектированных зарядов в конденсированных средах

Устройство для измерения малых токов инжектированных зарядов в конденсированных средах предназначено для измерения малых токов ~ 10 А и регистрации их изменения во времени, а также записи результатов измерения на электронный носитель. Устройство содержит преобразователь ток-напряжение,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002754201
Дата охранного документа: 30.08.2021
20.04.2023
№223.018.4d26

Устройство для получения наночастиц из газов и паров жидкостей при сверхнизких температурах

Изобретение относится к области нанотехнологии, а именно предлагаемое устройство позволяет получать частицы малых размеров (наночастицы) из материалов, которые существуют при комнатных температурах в виде газов или паров. Устройство для получения наночастиц из материалов, существующих при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002756051
Дата охранного документа: 24.09.2021
21.04.2023
№223.018.4fc4

Способ синтеза шпинели ganbse

Изобретение может быть использовано при создании мемристивных структур на основе шпинелей семейства «изоляторов Мотта». Способ синтеза шпинели GaNbSe из элементарных веществ включает твердофазную химическую реакцию в вакуумированной и герметично запаянной кварцевой ампуле. Твердофазную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002745973
Дата охранного документа: 05.04.2021
Показаны записи 11-17 из 17.
09.08.2018
№218.016.78ff

Материал шпонки для высокотемпературных применений

Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано в устройствах, при работе которых возможно выделение большого количества тепла, приводящего к тепловому расширению шпонки и заклиниванию устройства. Композиционный материал шпонки представляет собой матрицу из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002663146
Дата охранного документа: 01.08.2018
20.03.2019
№219.016.e7b4

Способ пиролитического выращивания нанокристаллических слоев графита

Изобретение относится к области получения монокристаллических слоистых пленок графита на полупроводниковых подложках, представляющих интерес для использования в производстве приборов оптоэлектроники. Сущность способа состоит в том, что проводят термическое разложение метана на полированной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002429315
Дата охранного документа: 20.09.2011
17.02.2020
№220.018.0385

Способ получения нанокристаллического муассанита

Изобретение относится к области выращивания слоев нанокристаллического гексагонального карбида кремния (муассанита) и может быть использовано в электронной промышленности. Способ включает перемещение ленты углеродной фольги в горизонтальной плоскости с подачей к ее поверхности расплавленного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002714344
Дата охранного документа: 14.02.2020
29.05.2020
№220.018.217a

Способ выращивания слоев алмаза на подложке монокристаллического кремния

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения слоев алмаза большой площади на подложках из монокристаллического кремния. Способ выращивания слоев алмаза, включающий нагрев в вакуумной среде в диапазоне температур от 910°С до 1150°С порошка...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002722136
Дата охранного документа: 26.05.2020
20.04.2023
№223.018.4a6f

Способ выращивания легированных бором полупроводниковых пленок алмаза

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения легированных бором пленок алмаза на подложках из кремния. Технический результат заключается в создании способа выращивания пленок алмаза акцепторного типа проводимости со значением удельного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002780375
Дата охранного документа: 22.09.2022
20.04.2023
№223.018.4a7d

Способ получения водорода

Изобретение может быть использовано для получения газообразного чистого водорода в установках, связанных с системами транспортировки газа. Способ получения водорода из природного газа включает нагрев лент из углеродной фольги в герметичной водоохлаждаемой камере прямым пропусканием...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002786070
Дата охранного документа: 16.12.2022
20.04.2023
№223.018.4b41

Способ непрерывного выращивания полупроводниковых пленок алмаза

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения пленок алмаза большой площади на подложках из кремния. Способ непрерывного выращивания полупроводниковых пленок алмаза включает нагрев порошка алмаза 5 в графитовом контейнере в среде вакуума с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002773320
Дата охранного документа: 01.06.2022
+ добавить свой РИД