×
18.05.2018
218.016.51f8

Результат интеллектуальной деятельности: Магнитоэлектрический композиционный материал для датчика магнитного поля

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Использование: для получения МЭ композиционных материалов с внутренним постоянным магнитным полем. Сущность изобретения заключается в том, что магнитоэлектрический композиционный материал для датчика магнитного поля содержит магнитострикционную и пьезоэлектрическую из керамики цирконат-титаната свинца PbZrTiO компоненты, где магнитострикционная компонента содержит внутреннее постоянное магнитное поле смещения, магнитострикционный слой сформирован из распределенных в эпоксидном компаунде гранул терфенола TbDyFe, а внутреннее постоянное магнитное поле смещения создается разделением магнитострикционного слоя на две области с различной концентрацией гранул TbDyFeТехнический результат: обеспечение возможности получения МЭ композиционных материалов с внутренним постоянным магнитным полем, демонстрирующих оптимальные МЭ коэффициенты, упрощение условий использования материала в устройствах. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к магнитоэлектрическим (МЭ) материалам и может быть применено в устройствах, где магнитное поле используется для управления электрическими параметрами (прямой МЭ эффект), а внешнее электрическое поле используется для управления магнитными параметрами (обратный МЭ эффект), например, в датчиках магнитных полей, в сверхвысокочастотных резонаторах, в магнитоэлектрической памяти.

Известны смесевые, слоистые и тонкопленочные магнитоэлектрические композиционные материалы (М. Fiebig. Revival of the magnetoelectric effect, J. Phys. D: Appl. Phys., V. 38, R 123-R 152, 2005). Недостатком этих материалов являются незначительные МЭ коэффициенты в отсутствие внешнего постоянного магнитного поля смещения.

Из работы авторов настоящего изобретения (А.В. Калгин, С.А. Гриднев, Z.H. Gribe. Прямой магнитоэлектрический эффект в двухслойных композитных структурах Tb0.12Dy0.2Fe0.68 - PbZr0.53Ti0.47O3 при изгибных и продольных колебаниях, ФТТ, Т. 56, Вып. 11, С. 2111-2114, 2014) известен двухслойный МЭ композиционный материал, полученный нанесением магнитострикционного слоя из тщательно перемешанных ферромагнитных гранул терфенола Tb0,12Dy0,2Fe0,68(TDF) и эпоксидного компаунда на предварительно поляризованную пьезоэлектрическую пластину из керамики цирконата-титаната свинца PbZr0,53Ti0,47O3 (PZT). Недостаток этого материала заключается в том, что для обеспечения в нем оптимальной эффективности МЭ взаимодействия необходимо использовать подмагничивающее внешнее постоянное магнитное поле.

Известны МЭ композиционные материалы с внутренним магнитным полем смещения, которые не требуют внешнего постоянного магнитного поля смещения для получения пригодных для практики МЭ коэффициентов (Y. Zhou, D. Maurya, Y. Yan, G. Srinivasan, E. Quandt, S. Priya. Self-biased magne-toelectric composites: an overview and future perspectives, Energy harvesting and systems, V. 3, I. 1, 42 pp., 2015).

Из патента РФ 2363074 (МПК H01L 41/16, H01F 1/00, опубл. 27.07. 2008), принятого за прототип, известен материал для компонентов радиоэлектронных приборов, представляющий собой двухфазную композицию магнитострикционной и сегнетоэлектрической компонент, магнитострикционная компонента которого выполнена из материала с градиентом намагниченности насыщения, а сегнетоэлектрическая компонента - из материала с градиентом поляризации.

Однако здесь возникают трудности с регулированием и подбором оптимальных по величине внутренних магнитных полей. Кроме того, предлагаемый способ приготовления магнитострикционных компонент является трудоемким технологическим процессом.

Задачей изобретения является повышение МЭ коэффициентов без подачи внешнего смещающего магнитного поля H=.

Технический результат заключается в получении МЭ композиционных материалов с внутренним постоянным магнитным полем, демонстрирующих оптимальные МЭ коэффициенты, и в упрощении условий использования материала в устройствах.

Технический результат достигается использованием двухкомпонентного материала в виде склеенных между собой магнитострикционного слоя из терфенола Tb0,12Dy0,2Fe0,68 и пьезоэлектрической керамики цирконата-титаната свинца PbZr0,53Ti0,47O3. Магнитострикционная компонента представляет собой распределенные в эпоксидном компаунде гранулы терфенола. Внутреннее постоянное магнитное поле создается разделением магнитострикционного слоя на две области с различной концентрацией гранул Tb0,12Dy0,2Fe0,68. Оптимальная концентрация гранул терфенола в первой области магнитострикционного слоя составляет 0,8 масс. долей, а во второй - от 0,33 до 0,77 масс. долей.

Для решения задачи изобретения были получены МЭ композиционные материалы (a) Tb0,12Dy0,2Fe0,68 - (b) PbZr0,53Ti0,47O3 [(a) TDF - (b) PZT] в виде склеенных между собой магнитострикционного слоя с градиентным распределением в эпоксидном компаунде концентрации терфенола TDF и пьезокерамического слоя из PZT.

На фиг. 1 показаны схематические изображения образцов композитов (а) TDF - (b) PZT, где (а) гранулы TDF распределены случайным образом и (б) имеется градиент концентрации гранул TDF вдоль длины магнитострикционного слоя (изобретение).

На фиг. 2 приведена зависимость напряженности внутреннего постоянного магнитного поля H=int (Э) от концентрации частиц х во второй области магнитострикционного слоя.

На фиг. 3 представлена зависимость поперечного МЭ коэффициента α31 (мВ/см*Э) от напряженности внутреннего постоянного магнитного поля H=int (Э) при напряженности переменного магнитного поля Н~=5 Э и резонансной частоте для 1-й гармоники продольных колебаний по ширине изобретения 0,9 TDF - 0,7 PZT с разными величинами градиента концентрации гранул TDF вдоль длины магнитострикционных слоев.

Градиент концентрации магнитных гранул приводит к градиенту намагниченности, который создает внутреннее постоянное магнитное поле. С увеличением градиента концентрации магнитных гранул внутреннее магнитное поле растет.

Решение задачи позволяет получить следующий технический результат. Выбор оптимального градиента концентрации гранул TDF создает условие для достижения внутреннего постоянного магнитного поля, обеспечивающего оптимальный МЭ коэффициент и избавляющего от необходимости использования источников внешнего постоянного магнитного поля, усложняющих конструкции МЭ устройств.

Пример

На фиг. 1 показаны схематические изображения образцов композитов (a) TDF - (b) PZT, отличающихся распределением гранул среднего размера z=71 мкм в магнитострикционных слоях. Магнитные слои образцов композитов имеют размеры 6 (длина, ZTDF) * 6 (ширина, WTDF) * а (толщина, а) мм3, где а=0,3-1,5 мм, а пьезоэлектрические слои - 8 (длина, LPZT) * 6 (ширина, WPZT) * 0,7 (толщина, b) мм3. Стрелками показаны направления внутреннего магнитного поля H=int, поляризации Р и напряженность переменного магнитного поля H~.

Массовая доля гранул в магнитострикционных слоях аналога составляет 0,8, а поскольку гранулы в нем распределены статистически равномерно, то внутреннее магнитное поле смещения H=int отсутствует. Для получения отличного от нуля H=int в изобретении создают градиент распределения магнитных гранул по длине магнитострикционного слоя. С этой целью магнитострикционный слой разделяют по длине на две половины, в одной из которых массовая доля гранул 0,8, то есть такая же, как и в аналоге, а в другой составляет х, которую изменяют по величине от 0,33 до 0,77. Это позволяет получать разное по величине H=int, направленное перпендикулярно поляризации Р в пьезоэлектрическом слое.

Напряженность H=int для изобретения 0,9TDF - 0,7PZT изменяется от 18 до 1794 Э при изменении х от 0,33 до 0,77 (фиг. 2) и определяется из зависимости поперечного МЭ коэффициента по напряжению α31 от Н= для случая равномерного распределения частиц в магнитострикционном слое 0,9TDF - 0,7PZT. Для этого на зависимости α31=) находят значения α31 для композитов с градиентным распределением гранул TDF в магнитострикционных слоях вдоль длины образцов и сопоставляют их с соответствующими им значениями Н=.

Оптимальный поперечный МЭ коэффициент по напряжению 24,2 мВ/(см⋅Э) в изобретении наблюдается при внутреннем магнитном поле величиной 720 Э, которое достигается согласно фиг. 2 при оптимальной хопт, равной 0,66. При прочих равных условиях поле H=int=720 Э приводит к росту α31 до 24,2 мВ/(см⋅Э) в изобретении 0,9TDF - 0,7PZT по сравнению с α31=14 мВ/(см⋅Э) при равномерном распределении частиц в магнитострикционном слое 0,9TDF - 0,7PZT, где H=int=0 Э.

Магнитоэлектрический композиционный материал с градиентом намагниченности может найти применение в различных устройствах электронной техники и, в частности, в датчиках магнитного поля. Коэффициент чувствительности датчика на основе изобретения 0,9TDF - 0,7PZT с Н=int=720 Э при напряженности переменного магнитного поля 5 Э, резонансной частоте 1-й гармоники продольных колебаний по ширине изобретения 226,3 кГц и температуре 20°С составит 16,9 В/Тл, что в 3,4 раза больше аналогичного коэффициента самых чувствительных стандартных датчиков Холла.

Магнитоэлектрический композиционный материал (a) TDF - (b) PZT с градиентом намагниченности получают следующим образом.

Создают статистические смеси из тщательно перемешанных ферромагнитных гранул TDF среднего размера z и эпоксидного компаунда, которые в виде двух участков наносят на предварительно поляризованную пластину из PZT так, как показано на фиг. 1б. Указанные участки отличаются массовым содержанием гранул TDF для того, чтобы создать в материале внутреннее смещающее магнитное поле. Магнитострикционный слой склеивают с пьезоэлектрическим слоем, полимеризуют при комнатной температуре в течение 24 ч, а затем шлифовальным листом доводят до требуемых геометрических размеров. Градиент концентрации магнитных гранул и толщины слоев выбирают такими, чтобы обеспечить в материале наибольший МЭ эффект.


Магнитоэлектрический композиционный материал для датчика магнитного поля
Магнитоэлектрический композиционный материал для датчика магнитного поля
Магнитоэлектрический композиционный материал для датчика магнитного поля
Источник поступления информации: Портал edrid.ru

Показаны записи 41-50 из 86.
26.02.2019
№219.016.c826

Способ создания наноразмерных диэлектрических плёнок на поверхности inp с использованием оксида и фосфата марганца

Использование: для формирования наноразмерных диэлектрических пленок. Сущность изобретения заключается в том, что способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности InP включает предварительную обработку полированных пластин InP травителем HSO:HOHO=2:1:1 в течение 10-12 мин,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002680668
Дата охранного документа: 25.02.2019
02.03.2019
№219.016.d1f3

Способ определения солей фитиновой кислоты в семенах растений

Изобретение относится к аналитической химии, предназначено для определения органического соединения фитина в семенах растений. Способ определения солей фитиновой кислоты в семенах растений включает экстракцию фитина из сырья соляной кислотой, проведение дополнительной очистки солянокислой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002680833
Дата охранного документа: 28.02.2019
08.03.2019
№219.016.d419

Способ отбора материнских растений picea pungens engelm., продуцирующих семенное потомство с разным уровнем стабильности генетического материала и лучшими морфометрическими показателями

Изобретение относится к области биотехнологии. Изобретение представляет собой способ отбора материнских растений Picea pungens Engelm., продуцирующих семенное потомство с разным уровнем стабильности генетического материала, включает сбор и проращивание семян фенотипически здоровых материнских...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681105
Дата охранного документа: 04.03.2019
16.03.2019
№219.016.e1bc

Способ идентификации осмотолерантных дрожжей zygosaccharomyces rouxii на основе пцр в реальном времени

Изобретение относится к биотехнологии и может быть использовано в пищевой промышленности при идентификации осмотолерантных дрожжей Zygosaccharomyces rouxii. Способ включает предварительное обогащение дрожжей, осаждение их центрифугированием, выделение ДНК с проведением ПЦР в реальном времени,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002682041
Дата охранного документа: 14.03.2019
04.04.2019
№219.016.fb1c

Способ количественного определения производных 5-нитроимидазола (группы нидазолов)

Изобретение относится к фармацевтическому анализу, а именно к анализу материалов с помощью оптических средств, и может быть использовано при количественном определении производных 5-нитроимидазола (группы нидазолов) в субстанциях. Способ количественного определения производных 5-нитроимидазола...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002683783
Дата охранного документа: 02.04.2019
06.04.2019
№219.016.fdba

Способ количественного определения производных пиперидина (группы бутирофенонов)

Изобретение относится к фармацевтическому анализу и может быть использовано для количественного определения производных пиперидина (группы бутирофенонов), а именно галоперидола, галоперидола деканоата, трифлуперидола, диклонина, эбастина, флуанизина, толперизона, дроперидола, бенперидола и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002684101
Дата охранного документа: 04.04.2019
31.05.2019
№219.017.708c

Ингибиторы коррозии меди и медьсодержащих сплавов на основе 5-алкилсульфонил-3-амино-1,2,4-триазолов

Изобретение относится к технике защиты металлов от коррозии с помощью ингибиторов и может быть использовано для защиты различного оборудования, изготовленного из меди и ее сплавов. Ингибитор коррозии меди и ее сплавов содержит гетероциклическое органическое соединение класса азолов, при этом в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002689831
Дата охранного документа: 29.05.2019
01.06.2019
№219.017.7209

Ингибиторы коррозии меди и медьсодержащих сплавов на основе 5-алкилсульфинил-3-амино-1,2,4-триазолов

Изобретение относится к защите металлов от коррозии с помощью ингибиторов и может быть использовано для защиты различного оборудования, изготовленного из меди и ее сплавов. Ингибитор коррозии меди и ее сплавов содержит гетероциклическое органическое соединение класса азолов, при этом в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002690124
Дата охранного документа: 30.05.2019
13.06.2019
№219.017.817d

Способ количественного определения лекарственных средств группы вастатинов

Изобретение относится к фармацевтическому анализу, а именно к анализу материалов с помощью оптических средств. Способ количественного определения лекарственных средств группы вастатинов заключается в растворении анализируемой пробы при комнатной температуре и перемешивании до полного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002691066
Дата охранного документа: 10.06.2019
14.06.2019
№219.017.82c3

Способ использования соединений 6-гидрокси-2,2,4-триметил-1,2-дигидрохинолина, его производных и их гидрированных аналогов в качестве стимуляторов роста для видов рода rhododendron l.

Изобретение относится к сельскому хозяйству. Для стимуляции роста растений видов Rhododendron ledebourii и Rhododendron smirnovii используют одно из соединений, выбранных из группы: 6-гидрокси-2,2,4-триметил-1,2,3,4-тетрагидрохинолина в концентрации 0,05-0,1%;...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002691377
Дата охранного документа: 11.06.2019
Показаны записи 1-7 из 7.
20.03.2014
№216.012.abe1

Способ создания композитной сегнетоэлектрической наноструктуры

Изобретение относится к способам синтезирования новых материалов с заданными электрофизическими характеристиками и может быть применено для создания функциональных материалов с управляемыми характеристиками для нужд современной микро- и наноэлектроники. Технический результат изобретения -...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509716
Дата охранного документа: 20.03.2014
27.09.2014
№216.012.f965

Нанокомпозитный материал с сегнетоэлектрическими характеристиками

Изобретение относится к наноструктурированным материалам с сегнетоэлектрической активностью. Технический результат заключается в получении сегнетоэлектрического материала с высокими и регулируемыми диэлектрическими и пироэлектрическими характеристиками. Нанокомпозитный материал с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002529682
Дата охранного документа: 27.09.2014
27.09.2014
№216.012.f9f2

Способ повышения устойчивости сегнетоэлектрической пленки к многократным переключениям

Изобретение относится к области применения сегнетоэлектрических материалов в качестве носителей записи информации. Технический результат заключается в уменьшении связанного с многократными переключениями эффекта усталости сегнетоэлектрической пленки. Способ повышения устойчивости...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002529823
Дата охранного документа: 27.09.2014
13.01.2017
№217.015.79e9

Нанокомпозитный сегнетоэлектрический материал на базе нанокристаллической целлюлозы и триглицинсульфата

Изобретение относится к наноструктурированным материалам с выраженной сегнетоэлектрической активностью и может быть применено в устройствах микро- и наноэлектроники. Технический результат заключается в получении сегнетоэлектрического материала с высокими и регулируемыми диэлектрическими,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002599133
Дата охранного документа: 10.10.2016
13.09.2018
№218.016.8702

Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал на базе нанокристаллической целлюлозы и сегнетовой соли

Изобретение относится к наноструктурированным материалам с выраженной сегнетоэлектрической активностью с требуемыми характеристиками, используемым в качестве функциональных материалов в современной микро- и наноэлектронике. Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал включает в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666857
Дата охранного документа: 12.09.2018
16.05.2023
№223.018.60b8

Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал на базе пористого стекла и материалов группы дигидрофосфата калия

Изобретение относится к наноструктурированным материалам с выраженной сегнетоэлектрической активностью, используемым в качестве функциональных материалов в современной микро- и наноэлектронике. Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал содержит матрицу из пористого стекла и в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740563
Дата охранного документа: 15.01.2021
16.05.2023
№223.018.60b9

Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал на базе пористого стекла и материалов группы дигидрофосфата калия

Изобретение относится к наноструктурированным материалам с выраженной сегнетоэлектрической активностью, используемым в качестве функциональных материалов в современной микро- и наноэлектронике. Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал содержит матрицу из пористого стекла и в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740563
Дата охранного документа: 15.01.2021
+ добавить свой РИД