×
13.02.2018
218.016.2404

Способ формирования эллиптической диаграммы направленности для активной фазированной антенной решетки

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к системам радиолокации. Способ формирования эллиптической диаграммы направленности для активной фазированной антенной решетки, содержащей линии задержки, причем линии задержки в антенне настраиваются таким образом, что прием и передача осуществляются электромагнитным излучением, сходящимся в фокусе эллипсоида. Технический результат заключается в возможности формирования эллиптической диаграммы направленности с возможностью изменения параметров АФАР для определения азимута, угла места и дистанции до цели. 2 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к системам радиолокации.

Известно устройство формирования диаграммы направленности активной фазированной антенной решетки (АФАР), у которого все приемопередающие модули расположены в одной плоскости [1]. Однако излучение от такой АФАР соответствует диаграмме направленности параболической антенны, т.е. излучение идет параллельными лучами. Это требует применения мощных генераторов для обеспечения качественной радиолокации, особенно в условиях боевых действий при постановке активных и пассивных помех и использования в технологии Стелс.

Цель изобретения - повышение эффективности АФАР за счет применения эллиптической диаграммы направленности, позволяющей при незначительных мощностях передатчика получать не только устойчивый сигнал от цели, но и оценивать дистанцию до объекта.

Техническим результатом является формирование эллиптической диаграммы направленности с возможностью изменения параметров АФАР для определения азимута, угла места и дистанции до цели.

Технический результат достигается за счет замены параболической диаграммы направленности (фиг. 1) на эллиптическую диаграмму направленности (фиг. 2).

Функционирование эллиптической АФАР предварительно не отличается от параболической диаграммы направленности, но на близких дистанциях линии задержки в АФАР настраиваются таким образом, что прием и передача осуществляются электромагнитным излучением, сходящимся в фокусе эллипсоида (фиг. 2), в отличие от параболической диаграммы направленности, которая формирует параллельное электромагнитное излучение. Межфокусное расстояние будет изменяться от минимального до максимального в заданном диапазоне. В металлической эллиптической антенне такой режим был невозможен, и только с появлением АФАР появилась возможность реализовать эллиптическую диаграмму направленности с переменным фокусным расстоянием.

Эллиптическая диаграмма позволяет синфазно передать или принять полезный сигнал при гораздо меньших мощностях. Это в свою очередь уменьшает энергетические затраты в АФАР, позволяет обойтись без громоздкого охлаждения, а также повышает эксплуатационные характеристики антенны за счет измерения дальности не только по задержке отраженного сигнала, но и по фокусному расстоянию в эллипсе.

По мере увеличения фокусного расстояния уровень сигнала, отраженного от цели, будет маленьким, но при достижении фокусом любой точки на поверхности цели уровень сигнала возрастет на несколько порядков, причем даже технология Стелс для цели будет бесполезна, т.к. сигнал отражается не от плоской поверхности цели, а от любой точки на этой плоскости, причем концентрация излучения при эллиптической диаграмме направленности на несколько порядков больше, чем у параболической.

Эллиптическая антенна позволяет эффективно бороться как с активными радиопомехами противника, так и при наведении своего оружия на цель. Также и при передаче собственных информационных потоков такой канал передачи имеет более высокую защиту.

Кроме того, АФАР с эллиптической диаграммой направленности способна реализовать режим активных помех для создания режима приема радиосигнала противника и переизлучения его в том же направлении с регулируемой амплитудой, но с противоположной фазой. В этом случае в результате интерференции радиоволн локатор противника получит нулевой сигнал, и самолет будет полностью невидим в диапазоне радиоволн. Критерием подбора фазы и амплитуды будет являться нулевой сигнал от локатора противника, то есть фаза и амплитуда будут варьироваться до тех пор, пока интерференция передаваемого и принимаемого сигнала локатором противника не уничтожит полностью сигнал на цели, а так как сигнал на цели нулевой, то это будет соответствовать невидимости для противника. Причем АФАР позволяет реализовать такой режим одновременно по нескольким направлениям для подавления сигналов от наземных и воздушных противников.

Эллиптическая диаграмма направленности может быть реализована на обычной АФАР без переделки аппаратной части, а только за счет добавления программного обеспечения по управлению фазовращателями. При продаже локатора или при боевых потерях программное обеспечение легко может быть уничтожено.

Эффективность эллиптической АФАР может быть увеличена для совместного задействования в нескольких бортовых радиолокационных системах эскадрильи (спутников, беспилотников, наземных локаторов) за счет увеличения базы между излучателями. В этом случае возрастет дальность и точность пеленгации за счет интегральной обработки поступающей информации.

Литература

1. Патент РФ №2495449. Устройство формирования диаграммы направленности активной фазированной антенной решетки. / Задорожный В.В., Баранов И.В., Оводов О.В., Ларин А.Ю.

Способ формирования эллиптической диаграммы направленности для активной фазированной антенной решетки, содержащей линии задержки, отличающийся тем, что линии задержки в антенне настраиваются таким образом, что прием и передача осуществляются электромагнитным излучением, сходящимся в фокусе эллипсоида.
Способ формирования эллиптической диаграммы направленности для активной фазированной антенной решетки
Способ формирования эллиптической диаграммы направленности для активной фазированной антенной решетки
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 31-40 из 136.
27.11.2014
№216.013.0ba6

Способ защиты поверхности кристаллов p-n переходов на основе алюминия

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и кремниевых транзисторов, в частности к способам защиты поверхности кристаллов. Изобретение обеспечивает получение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса. Защита поверхности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534390
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bc9

Способ защиты p-n переходов на основе окиси титана

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и кремниевых транзисторов, в частности к способам защиты поверхности кристаллов. Изобретение обеспечивает сокращение длительности процесса. В способе защиты поверхности р-n переходов процесс ведут в печи вакуумным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534425
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bca

Термоэлектрическая батарея

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям термоэлектрических батарей (ТЭБ). Технический результат: повышение эффективности отвода (подвода) теплоты с горячих (холодных) контактов ТЭБ. Сущность: поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534426
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd1

Термоэлектрическая батарея

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям термоэлектрических батарей (ТЭБ). Технический результат: повышение эффективности теплоотдачи коммутационных пластин ТЭБ. Сущность: ветви термоэлементов установлены наклонно в одной из координатных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534433
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd2

Способ выявления дефектов на полупроводниковой пластине

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к процессам обработки поверхности подложек для выявления дефектов линий скольжения. Изобретение позволяет получить однородную и ненарушенную поверхность подложек, снизить температуру и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534434
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd4

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534436
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd6

Способ защиты поверхности p-n переходов на основе ванадия

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности p-n переходов. Изобретение обеспечивает получение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты поверхности p-n...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534438
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd7

Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Изобретение обеспечивает повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и стабильности процесса присоединения. В способе присоединения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534439
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd8

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534440
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd9

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534441
Дата охранного документа: 27.11.2014
Показаны записи 31-40 из 150.
10.09.2015
№216.013.78c7

Термоэлектрическое устройство для теплового воздействия на руку человека

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое устройство для теплового воздействия на руку человека содержит температурный раздражитель. Термоэлектрические модули температурного раздражителя встроены в гибкое эластичное основание с отверстиями для их установки и подключены к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562508
Дата охранного документа: 10.09.2015
10.09.2015
№216.013.78c8

Термоэлектрическое устройство для косметологических процедур на лицо человека

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое устройство для косметологических процедур на лицо человека содержит теплоконтактную пластину, систему теплоотвода и термоэлементы, подключенные к управляемому источнику постоянного тока. Теплоконтактная пластина выполнена в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562509
Дата охранного документа: 10.09.2015
10.09.2015
№216.013.78c9

Термоэлектрическое устройство для теплового воздействия на руку человека

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое устройство для теплового воздействия на руку человека содержит температурный раздражитель. Термоэлектрические модули температурного раздражителя встроены в гибкое эластичное основание с отверстиями для их установки и подключены к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562510
Дата охранного документа: 10.09.2015
10.09.2015
№216.013.78cb

Термоэлектрическое устройство для теплового воздействия на руку человека

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое устройство для теплового воздействия на руку человека содержит температурный раздражитель. Термоэлектрические модули температурного раздражителя встроены в гибкое эластичное основание с отверстиями для их установки и подключены к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562512
Дата охранного документа: 10.09.2015
10.09.2015
№216.013.78cc

Термоэлектрическое устройство для теплового воздействия на руку человека

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое устройство для теплового воздействия на руку человека содержит температурный раздражитель. Термоэлектрические модули температурного раздражителя встроены в гибкое эластичное основание с отверстиями для их установки и подключены к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562513
Дата охранного документа: 10.09.2015
10.09.2015
№216.013.79af

Способ обработки обратной стороны кремниевых подложек на основе полировальной подушки

Использование: для изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что способ обработки обратной стороны кремниевых подложек на основе полировальной подушки включает обработку поверхности кремниевых подложек, поверхность подложки подвергается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562740
Дата охранного документа: 10.09.2015
10.09.2015
№216.013.79b1

Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов на основе применения полупроводниковых лазеров

Использование: для охлаждения и теплоотвода, например охлаждения компонентов компьютерной техники. Сущность изобретения заключается в том, что способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов на основе применения полупроводниковых лазеров заключается в применении термомодуля,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562742
Дата охранного документа: 10.09.2015
10.09.2015
№216.013.79b3

Светотиристор

Изобретение относится к активным электронным компонентам. Согласно изобретению в отличие от обычного светотранзистора с одним излучающим p-n-переходом в светотиристоре в открытом состоянии два перехода являются излучающими, а один переход поглощает тепловую энергию. При этом происходит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562744
Дата охранного документа: 10.09.2015
10.09.2015
№216.013.79b5

Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов в виде электромагнитной энергии на основе туннельных диодов

Изобретение относится к способам охлаждения и теплоотвода от тепловыделяющих электронных компонентов. В способе отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов использовано термоэлектрическое устройство, состоящее из термомодуля, примыкающего холодными спаями к электронному компоненту,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562746
Дата охранного документа: 10.09.2015
20.10.2015
№216.013.83f1

Метод обработки поверхности эпитаксиальных кремниевых пластин для формирования активных областей

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к обработке поверхности эпитаксиальных кремниевых пластин от различных видов загрязнений для формирования активных областей. Изобретение обеспечивает полное удаление органических и механических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002565380
Дата охранного документа: 20.10.2015
+ добавить свой РИД