СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ p-n ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ АЛЮМИНИЯ

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и кремниевых транзисторов, в частности к способам защиты поверхности кристаллов.

Известны способы защиты поверхности полупроводниковых кристаллов, сущность которых состоит в том, что поверхность р-п-переходов защищают различными пленками на основе окислов металлов: циркония, титана, бериллия и др.[1].

Основными недостатками этих способов является неравномерность, высокая температура и длительность процесса.

Целью изобретения является достижение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса.

Поставленная цель достигается использованием защитной пленки на основе пленки окиси алюминия.

Сущность способа заключается в том, что защита поверхности полупроводниковых кристаллов осуществляется на основе пленки окиси алюминия вакуумным катодным распылением. Создание защитной пленки проводится в печи при температуре 1050°С, а температура кристалла 850°С. Окись алюминия в виде порошка, а в качестве несущего агента используется галоген НВr.

Поставленная цель достигается тем, что через рабочую камеру пропускают инертный газ и устанавливают перепад температур между источником окиси алюминия и полупроводниковым кристаллом. Причем с увеличением температур между источником окиси алюминия и полупроводниковым кристаллом скорость реакции повышается. Расстояние между источником окиси алюминия и кристаллом 15 см.

Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина пленки окиси алюминия δ=0,9±0,1 мкм.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:

ПРИМЕР 1: Процесс защиты поверхности полупроводниковых кристаллов окиси алюминия осуществляется вакуумным катодным распылением. Создание защитной пленки проводится в печи при температуре рабочей зоны - 900°С, температура полупроводникового кристалла 850°С. Затем источник окись алюминия в виде порошка загружают в кварцевую трубу, несущим агентом служит галоген НВr. Через кварцевую трубу пропускают инертный газ и устанавливают перепад температур между источником окиси алюминия и полупроводниковым кристаллом, при этом расстояние равно 5 см. По окончании процесса кварцевую лодочку с порошком окиси алюминия медленно выдвигают из печи.

Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина защитной пленки окиси алюминия δ=0,6±0,1 мкм.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения защитной пленки - 950°С.

Температура полупроводникового кристалла 850°С. Расстояние между источником окиси алюминия и кристалла 10 см.

Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.

Толщина защитной пленки δ=0,7±0,1 мкм.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения защитной пленки - 1000°С.

Температура полупроводникового кристалла 850°С. Расстояние между источником окиси алюминия и кристаллом 10 см.

Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.

Толщина защитной пленки δ=0,8±0,1 мкм.

ПРИМЕР 4. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения защитной пленки - 1050°С.

Температура полупроводникового кристалла 850°С. Расстояние между источником окиси алюминия и кристаллом 15 см.

Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.

Толщина защитной пленки δ=0,9±0,1 мкм.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет получить пленку для защиты поверхности р-п-переходов алюминия в виде порошка окиси алюминия, при температуре 1050°С и при этом достигается равномерность поверхности.

ЛИТЕРАТУРА

1. А.И. Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. -М.: «Высшая школа». 1980. 327 с.