×

Правообладатель РИД: Саркаров Таджидин Экберович

Показаны записи 1-5 из 5.
21.04.2023
№223.018.4f40

Способ защиты кристаллов на основе стекла

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и интегральных схем, в частности к способам защиты слоем стекла, с целью защиты поверхности кристаллов р-n-переходов от различных внешних воздействий. Сущность способа заключается в том, что на чистую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002792924
Дата охранного документа: 28.03.2023
10.10.2019
№219.017.d466

Способ защиты структур на основе алюмосиликатного стекла

Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторных приборов, в частности к способам защиты поверхности полупроводниковой структуры от различных внешних воздействий. Сущность способа защиты структур на основе алюмосиликатного стекла заключается в том, что на чистую поверхность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002702412
Дата охранного документа: 08.10.2019
10.10.2019
№219.017.d444

Способ защиты кремниевых структур на основе свинцово-силикатного стекла

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам защиты поверхности кремниевой структуры от различных воздействий. Сущность способа защиты кремниевых структур на основе свинцово-силикатного стекла заключается в том, что на чистую поверхность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002702411
Дата охранного документа: 08.10.2019
13.02.2018
№218.016.2404

Способ формирования эллиптической диаграммы направленности для активной фазированной антенной решетки

Изобретение относится к системам радиолокации. Способ формирования эллиптической диаграммы направленности для активной фазированной антенной решетки, содержащей линии задержки, причем линии задержки в антенне настраиваются таким образом, что прием и передача осуществляются электромагнитным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002642515
Дата охранного документа: 25.01.2018
27.07.2014
№216.012.e3f5

Способ защиты поверхности кристаллов p-n переходов

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты кристаллов p-n-переходов. Техническим результатом изобретения является достижение стабильности и уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524147
Дата охранного документа: 27.07.2014
+ добавить свой РИД