×
10.08.2016
216.015.5698

Результат интеллектуальной деятельности: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СТЕКЛООБРАЗНЫЙ МАТЕРИАЛ

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0001526120
Дата охранного документа
10.08.2016
Аннотация: Полупроводниковый стеклообразный материал, включающий, ат.%: кремний 6,8-7,7; германий 6,8-7,7; теллур 49-51 и мышьяк, отличающийся тем, что, с целью повышения фоточувствительности, он содержит мышьяк в количестве 25,4-30,6 ат.% и дополнительно - индий в количестве 5-10 ат.%.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 13.
10.08.2016
№216.015.5682

Электрохимическая ячейка для легирования полупроводникового материала индием

Электрохимическая ячейка для легирования полупроводникового материала индием, включающая анод, выполненный из индийсодержащего материала, мембрану, выполненную из твердоэлектролитного материала на основе индия, и катод, выполненный из бинарного либо тройного полупроводникового материала,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001722149
Дата охранного документа: 10.08.2016
10.08.2016
№216.015.569b

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента с преимущественно ионной проводимостью, содержащий базисное соединение и легирующий компонент в области твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности анализа индийсодержащих систем, в качестве базисного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001535165
Дата охранного документа: 10.08.2016
10.08.2016
№216.015.569e

Способ получения халькогенидного стекла

Способ получения халькогенидного стекла путем двухступенчатого синтеза в вакууме сначала слабоокисляемых компонентов с получением матрицы стекла, а затем сплавления последней с легкоокисляемым компонентом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества стекла и техники безопасности, после...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001533243
Дата охранного документа: 10.08.2016
19.01.2017
№217.015.92bc

Ячейка для получения гетероструктур на основе многокомпонентного полупроводникового материала

Ячейка для получения гетероструктур на основе многокомпонентного полупроводникового материала, включающая источник вводимого компонента, твердый электролит, содержащий ионы вводимого компонента, подложку из многокомпонентного полупроводникового материала и графитовые токоподводы, отличающаяся...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001360262
Дата охранного документа: 27.07.2016
19.01.2017
№217.015.92d5

Электрохимическая ячейка для получения медьсодержащего материала заданного состава

Электрохимическая ячейка для получения медьсодержащего материала заданного состава, включающая электрод сравнения, второй электрод, в качестве которого использован исходный материал, и твердоэлектролитную ионселективную мембрану между ними, причем все материалы выполнены в форме таблеток и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001452313
Дата охранного документа: 27.07.2016
19.01.2017
№217.015.92d6

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента с преимущественно ионной проводимостью, содержащий базисное соединение CuCl и легирующий компонент в области твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью расширения области составов электролита с получением стабильных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001454074
Дата охранного документа: 27.07.2016
19.01.2017
№217.015.92dd

Электрохимическая ячейка для анализа серебросодержащих электролитов

Электрохимическая ячейка для анализа серебросодержащих электролитов, содержащая твердый электролит, размещенный между электродом сравнения и измерительным электродом, выполненными из серебросодержащих материалов, обладающих разной активностью ионов серебра, отличающаяся тем, что, с целью...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001440181
Дата охранного документа: 27.07.2016
19.01.2017
№217.015.92ef

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента, содержащий базисное соединение и легирующий компонент в области твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью улучшения электролитических свойств, в качестве легирующего компонента использован хлористый цинк ZnCl, а в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001393067
Дата охранного документа: 20.07.2016
19.01.2017
№217.015.92fd

Твердый электролит для химического источника тока

Твердый электролит для химического источника тока, включающий хлорид кадмия и хлорид лития, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы, он содержит компоненты в следующем соотношении, мол.%:
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001248491
Дата охранного документа: 20.07.2016
19.01.2017
№217.015.92ff

Способ получения полупроводникового материала

1. Способ получения полупроводникового материала, включающий пропускание импульсов постоянного тока через систему источник - твердый электролит - исходный полупроводниковый материал, в которой твердый электролит берут в виде ионопроводящей мембраны, а состав исходного материала изменяют в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001287653
Дата охранного документа: 20.07.2016
+ добавить свой РИД