Аннотация:
Ячейка для получения гетероструктур на основе многокомпонентного полупроводникового материала, включающая источник вводимого компонента, твердый электролит, содержащий ионы вводимого компонента, подложку из многокомпонентного полупроводникового материала и графитовые токоподводы, отличающаяся тем, что, с целью сокращения продолжительности процесса получения трехслойных гетероструктур, ячейка выполнена сдвоенной и ее компоненты расположены по схеме:
C, Me/Me, ТЭ/МеХ, С-С, МеХ/ТЭ, Me/Me, С,
где С - графитовые токоподводы;
Ме - источник вводимого компонента;
Me - компонент, вводимый или выводимый из подложки;
ТЭ - твердый электролит;
МеХ - многокомпонентный полупроводниковый материал подложки.