Автор РИД: Рыков В.В.

Способ определения ширины запрещенной зоны полупроводников, основанный на облучении образца монохроматическим электромагнитным излучением и регистрации спектральной зависимости реакции образца на облучение, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения ширины запрещенной зоны...

Полупроводниковый стеклообразный материал, включающий, ат.%: кремний 6,8-7,7; германий 6,8-7,7; теллур 49-51 и мышьяк, отличающийся тем, что, с целью повышения фоточувствительности, он содержит мышьяк в количестве 25,4-30,6 ат.% и дополнительно - индий в количестве 5-10 ат.%.