19.01.2017
217.015.92ef

ТВЕРДЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТ ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0001393067
Дата охранного документа
20.07.2016
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента, содержащий базисное соединение и легирующий компонент в области твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью улучшения электролитических свойств, в качестве легирующего компонента использован хлористый цинк ZnCl, а в качестве базисного соединения - однохлористая медь CuCl в следующих количественных соотношениях, мол.%:
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 20.
20.06.2016
№216.015.48bf

Сплав для твердого электролита

Сплав для твердого электролита с преимущественной проводимостью по сульфид-иону, содержащий сульфиды щелочно-земельного и редкоземельного металлов, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения электролита в области более высоких температур, он содержит сульфид кальция и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0000674518
Дата охранного документа: 20.06.2016
10.08.2016
№216.015.567b

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента с преимущественно ионной проводимостью, содержащий базисное соединение - хлорид индия и легирующий компонент в области твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и увеличения ионной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001626862
Дата охранного документа: 10.08.2016
10.08.2016
№216.015.567c

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента с преимущественно ионной проводимостью, содержащий базисное соединение - хлорид индия и легирующий компонент в области твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и увеличения ионной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001626864
Дата охранного документа: 10.08.2016
10.08.2016
№216.015.5682

Электрохимическая ячейка для легирования полупроводникового материала индием

Электрохимическая ячейка для легирования полупроводникового материала индием, включающая анод, выполненный из индийсодержащего материала, мембрану, выполненную из твердоэлектролитного материала на основе индия, и катод, выполненный из бинарного либо тройного полупроводникового материала,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001722149
Дата охранного документа: 10.08.2016
10.08.2016
№216.015.5685

Электрохимическая ячейка для анализа серусодержащих газовых сред

Электрохимическая ячейка для анализа серусодержащих газовых сред, содержащая сульфидпроводящий твердый электролит, электрод сравнения и измерительный электрод, отличающаяся тем, что, с целью расширения диапазона измеряемых парциальных давлений серусодержащих газов, а также увеличения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001568715
Дата охранного документа: 10.08.2016
10.08.2016
№216.015.5686

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента преимущественно с ионной проводимостью, содержащий базисное соединение - хлорид индия и легирующий компонент в области твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью упрощения условий эксплуатации и увеличения ионной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001593404
Дата охранного документа: 10.08.2016
10.08.2016
№216.015.568e

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента преимущественно с ионной проводимостью, содержащий базисное соединение - хлорид индия и легирующий компонент в области твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью упрощения условий эксплуатации и увеличения ионной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001579220
Дата охранного документа: 10.08.2016
10.08.2016
№216.015.5698

Полупроводниковый стеклообразный материал

Полупроводниковый стеклообразный материал, включающий, ат.%: кремний 6,8-7,7; германий 6,8-7,7; теллур 49-51 и мышьяк, отличающийся тем, что, с целью повышения фоточувствительности, он содержит мышьяк в количестве 25,4-30,6 ат.% и дополнительно - индий в количестве 5-10 ат.%.
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001526120
Дата охранного документа: 10.08.2016
10.08.2016
№216.015.569b

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента с преимущественно ионной проводимостью, содержащий базисное соединение и легирующий компонент в области твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности анализа индийсодержащих систем, в качестве базисного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001535165
Дата охранного документа: 10.08.2016
10.08.2016
№216.015.569e

Способ получения халькогенидного стекла

Способ получения халькогенидного стекла путем двухступенчатого синтеза в вакууме сначала слабоокисляемых компонентов с получением матрицы стекла, а затем сплавления последней с легкоокисляемым компонентом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества стекла и техники безопасности, после...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001533243
Дата охранного документа: 10.08.2016

Похожие РИД в системе