×
10.02.2014
216.012.9ff8

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения - в способе изготовления полупроводникового диода для формирования пассивирующего покрытия последовательно наносят пять слоев, включающие слой термического диоксида кремния толщиной 0,54 мкм и несколько слоев, наносимые методом химического парофазного осаждения, а именно: диоксид кремния, фосфорно-силикатное стекло, снова диоксид кремния и полуизолирующий аморфный кремний α=Si:O толщиной 0,5 мкм, при этом слой полуизолирующего аморфного кремния наносят при атмосферном давлении и температуре 650°C, в качестве носителя используют азот, а соотношение газовой смеси HO и SiH составляет NO/SiH=0,2. Технический результат изобретения - повышение напряжения пробоя приборов, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. 1 табл.
Основные результаты: Способ изготовления полупроводникового диода, в котором для формирования пассивирующего покрытия последовательно наносят пять слоев, включающие слой термического диоксида кремния толщиной 0,54 мкм и несколько слоев, наносимых методом химического парофазного осаждения, а именно диоксид кремния, фосфорно-силикатное стекло 0,4 мкм, снова диоксид кремния 0,16 мкм и полуизолирующий аморфный кремний α=Si:O - 0,5 мкм, при этом последний слой полуизолирующего аморфного кремния наносят при атмосферном давлении и температуре 650°C, при этом в качестве носителя используют азот, а соотношение газовой смеси HO и SiH составляет NO/SiH=0,2.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с повышенным напряжением пробоя.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Заявка 1278062 Япония МКИ H01L 27/04] с повышенным пробивным напряжением путем формирования прибора методами фотолитографии и химического осаждения из газовой фазы и ионного легирования нижней обкладки из поликремния р+-типа через тонкий слой диоксида кремния. При этом благодаря различной скорости травления областей с разным содержанием фосфора удается сгладить резкие ступенчатые элементы профили структуры прибора. В таких приборах из-за наличия дефектов в диоксиде кремния ухудшаются электрические параметры приборов.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Заявка 236539 Япония, МКИ H01L 21/336] с повышенным напряжением пробоя путем формирования электродов затвора на тонком оксидном подзатворном слое из двух слоев: 1-й слой представляет собой n+-поликристаллический кремний легированный имплантацией ионов фосфора, 2-й слой с малым удельным сопротивлением изготовляется из переходного металла или соответствующего силицида.

Недостатками этого способа являются:

- пониженное значение напряжения пробоя;

- низкая технологичность;

- повышенные значения тока утечки.

Задача решаемая изобретением: повышение пробивного напряжения приборов, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается путем снижения величины поверхностного электрического поля формированием насыщенного кислородом полуизолирующего аморфного кремния (α=Si:O) при атмосферном давлении и температуре 650°C с использованием в качестве носителя азот, при соотношении газовой смеси N2O/SiH4=0,2.

Технология способа состоит в следующем: на исходной пластине n-типа кремния формируют анодную р-область путем диффузии бора дозой 2·1018 см-3. Затем создают ограничительную область n+ и катод диффузией фосфора. Также с помощью диффузии формируют внутреннюю область p+, после чего удаляют термический окисел, образовавшийся в процессе диффузии, а затем наносят пять слоев пассивирующего покрытия включающие слой термического диоксида кремния толщиной 0,54 мкм и несколько слоев наносимые методом химического парофазного осаждения, а именно: диоксид кремния, фосфорно-силикатное стекло (0,4 мкм), снова диоксид кремния 0,16 мкм и полуизолирующий аморфный кремний α=Si:O - 0,5 мкм. Последний слой наносился при атмосферном давлении и 650°C, при этом в качестве носителя использовался азот. Соотношения газовой смеси N2O и SiH4 соответствовал N2O/SiH4=0,2. Содержание кислорода составляло при этом 13 атомных %. Завершалось изготовление диодов напылением алюминиевых электродов анода и созданием катодного электрода.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.

Таблица
Параметры п\п приборов изготовленных по стандартной технологии Параметры п\п приборов изготовленных по предлагаемой технологии
Напряжение пробоя, Uпроб, В Ток утечки Iут; 108, А Напряжение пробоя, Uпроб, В Ток утечки Iут; 108, А
26 27 49 1,7
29 20 52 1,2
25 28 48 1,8
31 17 54 0,5
28 22 51 1,2
27 25 50 1,5
32 15 55 0,2
26 28 52 1,8
29 21 54 1,1
31 18 55 0,4
30 19 53 0,5

Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых приборов, на партии пластин сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 20,5%.

Технический результат: повышение напряжения пробоя, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.

Предлагаемый способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования полуизолирующего аморфного кремния насыщенного кислородом толщиной 0,5 мкм при атмосферном давлении и температуре 650°C с использованием в качестве носителя азот, при соотношении газовой смеси N2O/SiH4=0,2 позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.

Способ изготовления полупроводникового диода, в котором для формирования пассивирующего покрытия последовательно наносят пять слоев, включающие слой термического диоксида кремния толщиной 0,54 мкм и несколько слоев, наносимых методом химического парофазного осаждения, а именно диоксид кремния, фосфорно-силикатное стекло 0,4 мкм, снова диоксид кремния 0,16 мкм и полуизолирующий аморфный кремний α=Si:O - 0,5 мкм, при этом последний слой полуизолирующего аморфного кремния наносят при атмосферном давлении и температуре 650°C, при этом в качестве носителя используют азот, а соотношение газовой смеси HO и SiH составляет NO/SiH=0,2.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 43.
27.02.2013
№216.012.2ca1

Электронно-оптический преобразователь

Изобретение относится к электронной технике, в частности к электронно-оптическим преобразователям инфракрасного излучения с высокой разрешающей способностью. Технический результат: повышение разрешающей способности, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002476952
Дата охранного документа: 27.02.2013
27.02.2013
№216.012.2ca4

Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение плотности дефектов в полупроводниковых структурах, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. Сущность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002476955
Дата охранного документа: 27.02.2013
27.10.2013
№216.012.7b4f

Способ изготовления полупроводникового прибора

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор формируют путем двойной имплантации в область канала сфокусированными пучками ионов бора дозой 6×10-6×10 см с энергией 20 кэВ и ионов мышьяка с энергией 100 кэВ дозой (1-2)×10 см...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497229
Дата охранного документа: 27.10.2013
10.05.2014
№216.012.c1b1

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора на подложку из монокристаллического кремния с термически выращенным слоем окиси кремния...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515334
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.05.2014
№216.012.c1b2

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления полупроводниковой структуры в предварительно аморфизированную поверхность кремниевой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515335
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.07.2014
№216.012.dc54

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным сопротивлением затвора. В способе изготовления полупроводникового прибора электрод затвора формируют путем последовательного нанесения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522182
Дата охранного документа: 10.07.2014
20.07.2014
№216.012.df38

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора в качестве подложки используют сильнолегированные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522930
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.09.2014
№216.012.f515

Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов. Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора включает формирование внутри p-кармана возле его края сильнолегированной p - области имплантацией ионов бора с энергией 100-120 кэВ, концентрацией 1,6·10 см с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528574
Дата охранного документа: 20.09.2014
27.01.2015
№216.013.2095

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. Задача решается путем обработки структур кремний на сапфире с эпитаксиальным слоем кремния ионами водорода в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539789
Дата охранного документа: 27.01.2015
27.01.2015
№216.013.20a1

Способ изготовления тонкого слоя диоксида кремния

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкого подзатворного слоя диоксида кремния с высокой диэлектрической прочностью. Изобретение обеспечивает повышение диэлектрической прочности диоксида кремния,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539801
Дата охранного документа: 27.01.2015
Показаны записи 1-10 из 36.
27.08.2013
№216.012.6450

Огнестойкий нанокомпозит и способ его получения

Изобретение относится к негорючим слабодымящим полимерным нанокомпозитам на основе полибутилентерефталата. Нанокомпозит включает полибутилентерефталат и органоглину при следующем соотношении компонентов, мас.%: полибутилентерефталат - 93-97, органоглина - 3-7. Причем органоглина получена из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002491317
Дата охранного документа: 27.08.2013
20.09.2013
№216.012.6b87

Ненасыщенные блок-сополиэфиркетоны

Настоящее изобретение относится к блок-сополиэфиркетонам, которые могут быть использованы в качестве конструкционных и пленочных материалов. Указанные блок-сополиэфиркетоны представляют собой соединения формулы: где R обозначает , , или , n=1-20, а z=5-100. Полученные соединения обладают...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002493178
Дата охранного документа: 20.09.2013
27.09.2013
№216.012.6f33

Способ получения полиэфиркетонов

Изобретение относится к способам получения полиэфиркетонов высокотемпературной поликонденсацией. Способ заключается в том, что на первой стадии проводят реакцию между диоксисоединением и 4,4'-дихлорбензофеноном в присутствии карбоната калия в N,N-диметилацетамиде в токе азота в течение 3 часов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002494118
Дата охранного документа: 27.09.2013
27.10.2013
№216.012.79a4

Ароматические блок-сополиэфирсульфоны

Настоящее изобретение относится к ароматическим блок-сополиэфирсульфонам, применяемым в качестве огнестойких конструкционных и пленочных материалов. Указанные блок-сополиэфирсульфоны представляют собой соединения формулы: где n=1-20, m=1-40, z=1-100. Полученные блок-сополиэфирсульфоны...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002496802
Дата охранного документа: 27.10.2013
27.10.2013
№216.012.7b4f

Способ изготовления полупроводникового прибора

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор формируют путем двойной имплантации в область канала сфокусированными пучками ионов бора дозой 6×10-6×10 см с энергией 20 кэВ и ионов мышьяка с энергией 100 кэВ дозой (1-2)×10 см...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497229
Дата охранного документа: 27.10.2013
10.11.2013
№216.012.7da6

Огнестойкие блок-сополиэфиркетоны

Настоящее изобретение относится к огнестойким блок-сополиэфиркетонам. Описаны огнестойкие блок-сополиэфиркетоны формулы: где ; ; n=1-20; z=2-100. Технический результат - получение блок-сополиэфиркетонов с повышенными значениями огне- и химстойкости, термическими и механическими...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497839
Дата охранного документа: 10.11.2013
10.11.2013
№216.012.7da8

Ненасыщенные блок-сополиэфирсульфоны

Настоящее изобретение относится к высокомолекулярным соединениям, в частности к ароматическим полиэфирам блочного строения. Описаны ненасыщенные блок-сополиэфирсульфоны формулы: где ; ; n=1-20; z=2-l00. Технический результат - блок-сополиэфир с повышенными термическими и механическими...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497841
Дата охранного документа: 10.11.2013
10.11.2013
№216.012.7da9

Блок-сополиэфиры

Настоящее изобретение относится к блок-сополиэфирам, которые могут найти применение в качестве тепло- и термостойких высокопрочных пленочных материалов. Описаны блок-сополиэфиры формулы n=1-20; m=2-50; z=2-30. Технический результат - получение блок-сополиэфиров, обладающих высокой тепло- и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497842
Дата охранного документа: 10.11.2013
10.11.2013
№216.012.7e30

Способ получения однофазных пленок нитрида титана

Изобретение относится к области технологии осаждения субмикронных пленок нитрида титана на металлические, полупроводниковые, диэлектрические и может быть использована в микроэлектронной промышленности, авиационно-космической отрасли, атомного машиностроения, инструментального производства, в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497977
Дата охранного документа: 10.11.2013
20.01.2014
№216.012.97cb

Огнестойкие блок-сополиэфирсульфоны

Изобретение относится к огнестойким блок-сополиэфирсульфонам, которые можно использовать в качестве конструкционных и пленочных материалов с повышенными эксплуатационными характеристиками. Блок-сополиэфирсульфоны имеют следующую общую формулу: n=1-20; z=2-100. Изобретение позволяет создать...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504558
Дата охранного документа: 20.01.2014
+ добавить свой РИД