×

Автор РИД: Мустафаев Абдулла Гасанович

Показаны записи 1-10 из 31.
04.04.2018
№218.016.3080

Способ изготовления фотопреобразователя

Изобретение относится к технологии изготовления фотопреобразователя с повышенным коэффициентом полезного действия (КПД). Предложен способ изготовления фотопреобразователя путем формирования в pin-структуре i-слоя на основе арсенида индия InGaAs между слоями GaAs и AlGaAs на подложках GaAs, при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002644992
Дата охранного документа: 15.02.2018
04.04.2018
№218.016.2f7c

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью. В способе изготовления полупроводниковой структуры выращивание эпитаксиального слоя кремния проводят в процессе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002644627
Дата охранного документа: 13.02.2018
19.01.2018
№218.016.0115

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводникового прибора, в частности к технологии изготовления биполярного транзистора с высоким напряжением пробоя. В способе изготовления полупроводникового прибора после формирования области эмиттера на подложке кремния разложением...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629657
Дата охранного документа: 30.08.2017
19.01.2018
№218.016.00d3

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относиться к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с гетероструктурой с пониженной дефектностью. В способе изготовления полупроводникового прибора гетеропереход база-коллектор формируют выращиванием n-слоя Si...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629659
Дата охранного документа: 30.08.2017
19.01.2018
№218.016.00d1

Способ получения нитрида кремния

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии получения нитрида кремния. В способе получения нитрида кремния нитрид кремния формируют каталитическим парофазным химическим осаждением смеси гидразина (NH) и силана (SiH) при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629656
Дата охранного документа: 30.08.2017
19.01.2018
№218.016.00ae

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относиться к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковой структуры кремний на диэлектрике с низкой плотностью дефектов. В способе изготовления полупроводниковой структуры кремниевую пластину p-типа проводимости...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629655
Дата охранного документа: 30.08.2017
25.08.2017
№217.015.d101

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными значениями токов утечек. В способе изготовления полупроводникового прибора, включающем формирование областей стока и истока, после...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621372
Дата охранного документа: 02.06.2017
25.08.2017
№217.015.d0d5

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью. Способ изготовления полупроводникового прибора включает процессы фотолитографии и осаждения полупроводникового слоя на основе германия толщиной 0,2-0,3 мкм, при давлении (1,3-2,7)⋅10 Па, со...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621370
Дата охранного документа: 02.06.2017
25.08.2017
№217.015.a1a9

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затворного оксида полевого транзистора. В способе изготовления полупроводникового прибора подзатворный оксид формируют из изопроксида алюминия при температуре 400°С,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002606780
Дата охранного документа: 10.01.2017
25.08.2017
№217.015.9f77

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с повышенной стабильностью параметров. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы создания активных областей прибора...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002606246
Дата охранного документа: 10.01.2017
+ добавить свой РИД