×
20.06.2013
216.012.4cb4

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ВОЛЬФРАМАТА НАТРИЯ-ВИСМУТА

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области выращивания из расплава нелегированных кристаллов вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO), являющегося перспективным материалом для Черепковских детекторов. Выращивание кристаллов осуществляют методом Чохральского в воздушной атмосфере со скоростью вытягивания 4-5 мм/час и скоростью вращения кристалла 15-19 мин. Способ позволяет получать кристаллы, прозрачные в видимом диапазоне начиная с длины волны 352 нм. 3 ил., 4 пр.
Основные результаты: Способ получения кристаллов вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO) методом Чохральского в воздушной атмосфере из платинового тигля со скоростью вытягивания 4-5 мм/ч, отличающийся тем, что скорость вращения кристалла составляет 15-19 мин.

Изобретение относится к области выращивания кристаллов из расплава. Вольфрамат натрия висмута NaBi(WO4)2 - перспективный материал для Черенковских детекторов.

Известен способ получения кристаллов NaBi(WO4)2 методом Чохральского [E.G.Devitsin, V.A.Kozlov, V.A.Nefedov, A.R.Terkulov, B.I.Zadneprovski. Colorless NaBi(WO4)2: In Cherenkov Crystals for Electromagnetic Calorimetry. Научно-информационный журнал «ЭЛЛФИ», 2003, выпуск 5, №28, с.1-14] - прототип, в котором кристаллы выращивают в воздушной среде, из платиновых тиглей, со скоростью вытягивания 4-5 мм/час при скорости вращения 30-32 мин-1. По этому способу получены нелегированные кристаллы NaBi(WO4)2, а также кристаллы, легированные индием.

Основной недостаток способа-прототипа состоит в том, что нелегированные кристаллы NaBi(WO4)2 практически непрозрачны в диапазоне длин волн 352-380 нм, что снижает эффективность их применения в Черенковских детекторах. При выращивании кристаллов по способу-прототипу, для обеспечения прозрачности в указанном диапазоне, NaBi(WO4)2 необходимо легировать индием, что усложняет процесс.

На Фиг.1 представлены опубликованные авторами способа-прототипа [E.G.Devitsin, V.A.Kozlov, V.A.Nefedov, A.R.Terkulov, B.I.Zadneprovski. Colorless NaBi(WO4)2: In Cherenkov Crystals for Electromagnetic Calorimetry. Научно-информационный журнал «ЭЛЛФИ», 2003, выпуск 5, №28, с.1-14] спектры светопропускания нелегированного NaBi(WO4)2, а также кристалла, легированного индием. Из спектров на Фиг.1 видно, что нелегированный кристалл NaBi(WO4)2 прозрачен в видимом диапазоне начиная с длины волны 380 нм, а легированный индием - начиная с длины волны 352 нм.

Задачей данного изобретения является упрощение процесса получения кристаллов NaBi(WO4)2, прозрачных в диапазоне длин волн 352-380 нм.

Эта задача решается в предлагаемом способе в воздушной атмосфере из платинового тигля со скоростью вытягивания 4-5 мм/час за счет выращивания нелегированных кристаллов NaBi(WO4)2 со скоростью вращения 15-19 мин-1.

На фиг.2 показаны кристалл NaBi(WO4)2, выращенный по предлагаемому способу (слева), и заготовка твердотельного элемента Черепковского детектора из такого кристалла (справа).

На фиг.3 представлен спектр светопропускания кристалла NaBi(WO4)2, выращенного по предлагаемому способу. Видно, что материал прозрачен в видимом диапазоне начиная с волнового числа 28400 см-1, что соответствует длине волны 352 нм.

Таким образом, получен нелегированный NaBi(WO4)2, прозрачный в диапазоне длин волн 352-380 нм.

Достигнутый результат может быть объяснен следующим образом. При выращивании NaBi(WO4)2 с высокими скоростями вытягивания и вращения, в кристаллах, как правильно отмечено авторами способа-прототипа, образуются точечные дефекты, а именно вакансии вольфрама и атомы висмута, занимающие места атомов натрия в решетке (см. [E.G.Devitsin, V.A.Kozlov, V.A.Nefedov, A.R.Terkulov, B.I.Zadneprovski. Colorless NaBi(WO4)2: In Cherenkov Crystals for Electromagnetic Calorimetry. Научно-информационный журнал «ЭЛЛФИ», 2003, выпуск 5, №28, с.4]). Эти дефекты обуславливают появление глубоких энергетических уровней в запрещенной зоне NaBi(WO4)2, вызывающих интенсивное поглощение света в диапазоне длин волн 350-420 нм и, как следствие, непрозрачность кристаллов в диапазоне длин волн 352-380 нм. В способе-прототипе прозрачность кристаллов в диапазоне длин волн 352-380 нм достигается за счет компенсации глубоких уровней при введении примеси индия. В предлагаемом способе, за счет снижения скорости вращения кристалла, существенно снижается концентрация точечных дефектов в NaBi(WO4)2, что позволяет получать нелегированные кристаллы, прозрачные в диапазоне длин волн 352-380 нм. Исключение легирования упрощает технологический процесс.

Предлагаемый интервал скорости вращения выбран экспериментально. При скорости выше 19 мин-1 значительно возрастает концентрация точечных дефектов в кристаллах, и, как следствие, NaBi(WO4)2 интенсивно поглощает свет с длинами волн 352-380 нм. При скоростях вращения ниже 15 мин-1 выращивание качественного NaBi(WO4)2 неосуществимо, так как в этом случае механизм роста сменяется на дендритный и в кристаллах образуется множество структурных макродефектов, что делает невозможным применение NaBi(WO4)2 в Черенковских детекторах.

Пример 1

Кристалл вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO4)2 выращивается методом Чохральского в воздушной атмосфере из платинового тигля со скоростью вытягивания 4 мм/час и скоростью вращения кристалла 14 мин-1. Получить качественный NaBi(WO4)2 не удается из-за дендритного механизма роста кристалла.

Пример 2

Кристалл вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO4)2 выращивается методом Чохральского в воздушной атмосфере из платинового тигля со скоростью вытягивания 5 мм/час и скоростью вращения кристалла 15 мин-1. Получен кристалл NaBi(WO4)2, прозрачный в диапазоне длин волн 352-380 нм.

Пример 3

Кристалл вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO4)2 выращивается методом Чохральского в воздушной атмосфере из платинового тигля со скоростью вытягивания 4 мм/час и скоростью вращения кристалла 19 мин-1. Получен кристалл NaBi(WO4)2, прозрачный в диапазоне длин волн 352-380 нм.

Пример 4

Кристалл вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO4)2 выращивается методом Чохральского в воздушной атмосфере из платинового тигля со скоростью вытягивания 5 мм/час и скоростью вращения кристалла 20 мин-1. Получен кристалл NaBi(WO4)2, практически полностью поглощающий свет в диапазоне длин волн 352-380 нм, т.е. непрозрачный в данном диапазоне.

Способ получения кристаллов вольфрамата натрия-висмута NaBi(WO) методом Чохральского в воздушной атмосфере из платинового тигля со скоростью вытягивания 4-5 мм/ч, отличающийся тем, что скорость вращения кристалла составляет 15-19 мин.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ВОЛЬФРАМАТА НАТРИЯ-ВИСМУТА
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ВОЛЬФРАМАТА НАТРИЯ-ВИСМУТА
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ВОЛЬФРАМАТА НАТРИЯ-ВИСМУТА
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ВОЛЬФРАМАТА НАТРИЯ-ВИСМУТА
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 41-50 из 94.
09.08.2018
№218.016.78ff

Материал шпонки для высокотемпературных применений

Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано в устройствах, при работе которых возможно выделение большого количества тепла, приводящего к тепловому расширению шпонки и заклиниванию устройства. Композиционный материал шпонки представляет собой матрицу из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002663146
Дата охранного документа: 01.08.2018
14.03.2019
№219.016.dfbb

Способ прочного соединения изделий из графита

Изобретение относится к области химической технологии и может быть использовано для изготовления блоков из графитовых деталей, способных использоваться при высоких температурах. Сначала на торцевые поверхности подлежащих соединению графитовых деталей наносят слои поливинилацетата, в полученный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681628
Дата охранного документа: 11.03.2019
21.03.2019
№219.016.eb97

Электрод для дуговой плавки металлов

Изобретение относится к электроду для дуговой плавки металлов и может быть использовано для плавления металлических порошков, прецизионной сварки тонколистовых металлов и изготовления деталей сложной геометрической формы в среде защитных газов. Электрод для дуговой плавки металлов содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002682553
Дата охранного документа: 19.03.2019
04.04.2019
№219.016.fc6b

Способ обнаружения шумящих в море объектов

Изобретение относится к области гидроакустики и может быть использовано в системах шумопеленгования. Достигаемым техническим результатом изобретения является повышение достоверности обнаружения и длительного поддержания контакта с шумящей движущейся в море целью. Способ включает прием шумовых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002339050
Дата охранного документа: 20.11.2008
19.04.2019
№219.017.344b

Способ автоматической классификации

Изобретение относится к области гидроакустики и может быть использовано для построения систем классификации объектов, обнаруженных гидролокаторами ближнего действия. Техническим результатом изобретения является обеспечение автоматической классификации объекта. Для этого осуществляют излучение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002461020
Дата охранного документа: 10.09.2012
18.05.2019
№219.017.57cb

Ключевое устройство (варианты)

Изобретение относится к области усилительной и генераторной техники и может быть использовано в гидротехнических и гидроакустических передающих трактах. Техническим результатом от использования обоих вариантов изобретения является обеспечение номинальной амплитуды импульсных сигналов управления...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002372710
Дата охранного документа: 10.11.2009
24.05.2019
№219.017.5fd8

Способ получения информации о шумящих в море объектах

Изобретение относится к области гидроакустики и может быть использовано в системах шумопеленгования. Способ содержит следующие операции. Принимают шумовые сигналы в горизонтальной и вертикальной плоскостях, осуществляют частотно-временную обработку в каждом пространственном канале наблюдения,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002353946
Дата охранного документа: 27.04.2009
29.05.2019
№219.017.6829

Способ производства литой мишени для магнетронного распыления из сплава на основе молибдена

Изобретение относится к области металлургии цветных металлов и может быть использовано при производстве распыляемых металлических мишеней для нанесения тонкопленочной металлизации различного назначения в микроэлектронике и других высоких технологиях. Заявлены способ производства литой мишени...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002454484
Дата охранного документа: 27.06.2012
29.05.2019
№219.017.682a

Способ производства литой мишени из сплава на основе тантала для магнетронного распыления

Изобретение относится к области металлургического производства распыляемых металлических мишеней для микроэлектроники, а также к изготовлению интегральных схем и тонкопленочных конденсаторов на основе тантала и его сплавов. Заявлены способ производства литой мишени для магнетронного распыления...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002454483
Дата охранного документа: 27.06.2012
04.06.2019
№219.017.7349

Способ внутриволноводной терагерцовой интерферометрии и сапфировая ячейка для его реализации

Группа изобретений относится к интерферометрии. При осуществлении способа излучение вводят в двухмодовый волновод, часть которого занимает анализируемое вещество, и выводят через фигурную диафрагму, где на расстоянии, превышающем на порядок среднюю длину волны используемого излучения (>10λ),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002690319
Дата охранного документа: 31.05.2019
Показаны записи 41-50 из 71.
09.08.2018
№218.016.78ff

Материал шпонки для высокотемпературных применений

Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано в устройствах, при работе которых возможно выделение большого количества тепла, приводящего к тепловому расширению шпонки и заклиниванию устройства. Композиционный материал шпонки представляет собой матрицу из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002663146
Дата охранного документа: 01.08.2018
20.02.2019
№219.016.c16c

Способ получения нанопорошка селенотеллурида цинка

Способ получения нанопорошка селенотеллурида цинка состава ZnSeTe относится к области получения сцинтилляционных материалов и может быть использован в нанотехнологиях, связанных с применением нанопорошков. Технический результат - получение нанопорошка селенотеллурида цинка состава ZnSeTe...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002415805
Дата охранного документа: 10.04.2011
21.03.2019
№219.016.eb97

Электрод для дуговой плавки металлов

Изобретение относится к электроду для дуговой плавки металлов и может быть использовано для плавления металлических порошков, прецизионной сварки тонколистовых металлов и изготовления деталей сложной геометрической формы в среде защитных газов. Электрод для дуговой плавки металлов содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002682553
Дата охранного документа: 19.03.2019
28.06.2019
№219.017.9968

Устройство компенсации активных помех

Изобретение относится к радиолокации, может быть использовано в аппаратуре обнаружения целей на фоне комбинированных помех - активных излучений и пассивных отражений. Технический результат - повышение эффективности подавления активных помех, действующих по главному лепестку диаграммы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002692690
Дата охранного документа: 26.06.2019
19.07.2019
№219.017.b631

Способ получения кристаллов cdas

Изобретение относится к области выращивания кристаллов диарсенида трикадмия. Кристаллы CdAs получают кристаллизацией капель расплава стехиометрического состава, свободно падающих в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5±0,5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002694768
Дата охранного документа: 16.07.2019
02.10.2019
№219.017.cd28

Шнековый дозатор порошков тугоплавких металлов

Изобретение относится к устройствам для подачи порошков тугоплавких металлов и может быть использовано в различных отраслях промышленности, где требуется прецизионная подача порошков. Задачей настоящего изобретения является разработка шнекового дозатора порошков тугоплавких металлов для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701277
Дата охранного документа: 25.09.2019
03.10.2019
№219.017.d196

Способ изготовления образцов фуллерена с для спектроскопии

Изобретение относится к области исследования и анализа материалов и может быть использовано в инфракрасной спектроскопии. Образцы фуллерена C для съемки спектров пропускания инфракрасного излучения изготавливают механическим втиранием порошка C в полированную поверхность бромида калия. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701823
Дата охранного документа: 01.10.2019
03.10.2019
№219.017.d1c0

Искусственный эритроцинкит

Изобретение относится к искусственным ювелирным кристаллам. Предлагается искусственный эритроцинкит, имеющий в своем составе сульфид цинка, сульфид марганца и сульфид алюминия при следующем соотношении компонентов, мас.%: сульфид алюминия AlS - 0,001-0,01, сульфид марганца MnS - 0,2-0,5,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701822
Дата охранного документа: 01.10.2019
04.10.2019
№219.017.d219

Тигель для выращивания кристаллов халькогенидов металлов вертикальной зонной плавкой

Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов халькогенидов металлов: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, вертикальной зонной плавкой, осуществляемой путем перемещения тигля через неподвижно закрепленный нагреватель. Графитовый тигель состоит из корпуса и крышки 1, имеющей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701832
Дата охранного документа: 01.10.2019
04.10.2019
№219.017.d285

Способ получения кристаллов cosns

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов CoSnS, которые могут быть использованы в области экспериментальной физики как полуметаллический ферромагнетик, обладающий также свойствами полуметалла Вейля. Способ получения кристаллов CoSnS в вакуумированной ампуле из расплава...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701915
Дата охранного документа: 02.10.2019
+ добавить свой РИД