×
28.08.2018
218.016.802b

Результат интеллектуальной деятельности: УСТРОЙСТВО ДЛЯ ХИМИЧЕСКОГО РАЗДЕЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН НА КРИСТАЛЛЫ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к устройствам для химического жидкостного разделения полупроводниковых пластин на кристаллы без использования механических устройств и электроэнергии. Устройство для химического разделения полупроводниковых пластин на кристаллы содержит рабочую емкость, перфорированные элементы и съемный набор масок, в котором расположение пазов совпадает с расположением областей разделения на кристаллы, перфорированные элементы - основание и крышка, крышка посажена на основание, а диаметр отверстия перфорации и расстояние от нижней плоскости крышки до верхней плоскости полупроводниковой пластины либо верхней плоскости съемных масок не превышает минимальный размер грани кристалла. Изобретение обеспечивает повышение выхода годных кристаллов, сокращает потребление энергии, повышает эргономичность устройства, осуществляет возможность формирования кристаллов различной формы. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к области разделения полупроводниковых пластин на кристаллы.

В процессе изготовления устройств в микроэлектронике используются полупроводниковые пластины, на которых посредством литографии, нанесения и травления слоев сформированы повторяющиеся области - кристаллы. Финальной операцией технологического маршрута является разделение окончательной структуры полупроводниковой пластины на кристаллы. Такая пластина имеет максимальную стоимость, так как все технологические операции, за исключением разделения на кристаллы, проведены. Поэтому крайне важно, получить максимальных выход годных кристаллов с каждой пластины. В случаях, когда кристалл представляет собой МЭМС структуру, то есть структуру, в которой часть материала (например, осажденная пленка) находится не на основании, вероятность деформации при разделении возрастает в несколько раз.

Известно изобретение, в котором описывается конструкция для резки пластины на кристаллы. Конструкция включает в себя скрайбирующий элемент в виде лезвия, который вращается и перемещается вдоль дорожек реза, а также емкость со специальным раствором, который омывает лезвие [1].

К недостаткам изобретения можно отнести вибрацию, возникающую в процессе резки. В результате механического контакта лезвия с поверхностью возникают критические механические напряжения. Для МЭМС структур, включающих в себя тонкие мембраны, использование данного устройства приводит к деформации. Кроме того, в процессе эксплуатации износ режущей части лезвия снижает производительность и точность скрайбирования.

Известно изобретение резки пластин на кристаллы, в котором объединены механизмы грубой и точной регулировки положения скрайбирующего устройства [2].

К недостаткам изобретения можно отнести механический контакт с последующей вибрацией в процессе резки, что снижает выход годных кристаллов МЭМС структур.

Известно изобретение для разделения пластин на кристаллы посредством использования скрайбирующего элемента [3].

Недостатком изобретения является механический контакт скрайбирующего элемента с областями дорожек реза пластины. В процессе эксплуатации износ режущей части лезвия снижает производительность и точность скрайбирования. Для МЭМС структур, включающих в себя тонкие мембраны, использование данного устройства приводит к деформации.

Известно устройство для резки пластины на кристаллы с применением адгезионной ленты и лазерного луча [4].

Недостаток аналога состоит в большой мощности излучения, которая требуется при сквозном разрезании пластины лазером. Это приводит к сильному нагреву локальной области пластины. В некоторых случаях это приведет к расплавлению металла. Следовательно, будет повреждена металлизация, что снизит качество передаваемого сигнала. Также металл может диффундировать в соседний слой, что приведет к изменению стехиометрического состояния материалов, а значит к деградации устройства.

Известен аналог, в котором описывается устройство для разделения пластин на кристаллы, включающее в себя разрывной стержень для давления на область, с предварительно сформированным рельефом [5].

К недостаткам изобретения можно отнести необходимость предварительной механической обработки подложки, которая вносит механические напряжения. Также сложно контролировать положение разрывного стержня в процессе работы. В зависимости от угла наклона стержня в процессе давления на разрыв и предварительного механического воздействия, могут возникнуть неконтролируемые механические деформации, например, трещины, которые могут распространиться за пределы области для разделения на кристаллы. Следовательно, ожидается низкий выход годных кристаллов.

Известно электроадгезионное устройство для закрепления изделий, преимущественно полупроводниковых пластин в установках для разделения их на кристаллы [6].

К недостаткам изобретения можно отнести использование электроэнергии для работы установки, в процессе возвратно-поступательных движений пластины под действием напряжения, подаваемого на пьезоэлементы. Также недостатком устройства является исходное надрезание пластины по разделительным полосам, что вносит механические напряжения.

Прототипом является устройство для химического разделения полупроводниковых пластин на кристаллы, содержащее рабочую емкость, выполненную в виде двух коаксиальных цилиндров, торцы которых соединены конусом с углом наклона стенок не более 60° относительно вертикальной оси, причем дно нижнего цилиндра выполнено в виде съемного стакана, емкость дополнительно снабжена штоком цилиндрической формы с заглушкой, смонтированным с возможностью возвратно-поступательного перемещения по оси цилиндров посредством циклически вращающегося вала и кулачкового механизма, и перфорированной кассетой, установленной в верхнем цилиндре с возможностью качания, при этом торец штока выполнен перфорированным, а его диаметр равен внутреннему диаметру съемного стакана [7].

К недостаткам устройства можно отнести сложность изготовления данной конструкции. Также неудобство в работе, т.к. после разделения пластины, часть кристаллов собираются в узкой зоне на границе контакта травителя и нейтральной жидкости, и затем проталкиваются штоком в нейтральную жидкость. Механический контакт со штоком может привести к деформации хрупких областей кристаллов, в случаях, когда кристалл представляет собой МЭМС структуру.

Кроме того, кристаллы смешиваются в нейтральной жидкости. Это может привести к контакту поверхностей кристаллов, в результате которого нейтральная жидкость не смоет травитель. Таким образом, будет удален дополнительный материал, то есть произойдет перетрав, в некоторых областях.

Также конструкция не обеспечивает сквозное движение (протекание) нейтральной жидкости из-за герметичной конструкции рабочей емкости. Это снижает скорость удаления материала в процессе травления и уменьшает однородность травления поверхности.

Нельзя не отметить, что структура будет разделяться на кристаллы в случае сформированного рельефа в пластине, то есть за счет некоторых перемычек. В противном случае пластина подтравится целиком.

Задачей настоящего изобретения является повышение выхода годных кристаллов, сокращение потребления энергии, повышение эргономичности устройства, обеспечение возможности формирования кристаллов различной формы.

Поставленная задача решается тем, что формируют устройство для химического разделения пластин на кристаллы, включающее в себя рабочую емкость, перфорированные элементы, содержит съемный набор масок, в котором расположение пазов совпадает с расположением областей разделения на кристаллы, перфорированные элементы - основание и крышка, крышка посажена на основание, а диаметр отверстия перфорации и расстояние от нижней плоскости крышки до верхней плоскости полупроводниковой пластины либо верхней плоскости съемных масок не превышает минимальный размер грани кристалла, и расстояние от нижней плоскости полупроводниковой пластины до верхней плоскости основания в случае отсутствия съемного набора масок не превышает минимальный размер грани кристалла.

По сравнению с прототипом предлагаемая конструкция для химического разделения пластин на кристаллы проще в изготовлении. Простота конструкции и эргономичность снижают вероятность ошибки оператора в процессе эксплуатации предлагаемого устройства.

В предлагаемом изобретении разделение полупроводниковой пластины на кристаллы происходит без механического контакта между режущим инструментом и разделяемой структурой благодаря замене режущего инструмента на жидкостной травитель. Это обеспечивает повышение выхода годных кристаллов.

Обеспечивается возможность работы как с целой пластиной, так и с отдельными ее частями за счет использования съемного набора масок. Каждая маска содержит набор пазов для работы как с пластинами, так и с частями пластин. Варьируя расстояние между пазами масок, формируют кристаллы произвольной формы. Маски образуют плотный контакт с образцом, закрывая локальную область, которая не подлежит травлению. В результате после проведения процесса травления кристаллы не смещаются.

Фиксация конструкции осуществляется посредством резьбовых соединений: болт-крышка-основание и ручка-крышка-основание. Транспортировка устройства осуществляется посредством двух ручек. Длина ручек выбирается в зависимости от глубины ванны.

Данное устройство позволяет работать без использования электроэнергии, что снижает стоимость финальной операции и разработку полупроводникового прибора в целом.

Предлагаемая конструкция обеспечивает сквозное протекание жидкости травителя и нейтральной среды, благодаря областям перфорации в крышке и в основании. За счет этого стабилизируется скорость травления в течение процесса удаления материала и повышается однородность травления. Это позволяет удалить травитель целиком и избежать удаления незапланированной части материала.

В процессе травления на дне глубокой ванны образуется приповерхностный слой с повышенной концентрацией нежелательной примеси. Использование ножек приподнимает основание над дном ванны, что обеспечивает защиту от попадания нежелательной примеси, повышает устойчивость конструкции, а также позволяет не нарушать циркуляцию раствора в ванне.

На фиг. 1 представлен макет на устройство для разделения полупроводниковых пластин на кристаллы, где 1 - перфорированная крышка, 2 - перфорированное основание, 3 - ножки, 4 - съемный набор масок, 5 - полупроводниковая пластина, 6 - рабочая емкость, 7 - болт, 8 - ручка, d - диаметр отверстия, m - расстояние между стенками основания, s - наибольшая сторона пластины. На фиг. 2 показан вид сбоку съемного набора масок 4 для фиксации полупроводниковой пластины 5 в неподвижном состоянии в течение процесса химического разделения, где n - толщина съемных масок, b - расстояние между пазами масок (совпадает с размером кристалла), а - длина пазов в маске (совпадает с областью разделения на кристаллы). На фиг. 3 иллюстрируется общий вид устройства без съемного набора масок 4 в процессе сборки. На фиг. 4 представлен кристалл (часть пластины) толщиной Z, длиной короткой стороны X и шириной Y (Y>X>Z). На фиг. 5 показано изображение полупроводниковой пластины и изготовленной предлагаемой конструкции для разделения ее на кристаллы.

Устройство для химического разделения пластин на кристаллы используется следующим образом. Изготавливают конструкцию из материала, который не взаимодействует с травителем. Одним из вариантов материалов изделия может быть фторопласт. Пластину 5 располагают на перфорированном основании 2 с ножками 3, фиксируя с помощью съемного набора масок 4. Перфорированная крышка 1 фиксирует пластину 5. Крышка соединяется с основанием посредством резьбовых соединений болтов 7 и ручек 8. Устройство опускается в ванну с травителем. Травитель поступает в рабочую емкость 6. Жидкость взаимодействует с образцом через полости в перфорированном основании 2 и в перфорированной крышке 1. После разделения пластины на кристаллы, устройство поднимается из ванны с травителем. Затем устройство помещается в ванну с нейтральной жидкостью для удаления остатков травителя. После этого устройство поднимается из ванны с нейтральной жидкостью. Следующим шагом выполняют сушку. Пластину раскручивают на центрифуге в атмосфере инертного газа, например, азота. Финальным шагом откручивают болты 7 и ручки 8, открывают перфорированную крышку 1 и достают пластину 5 (или кристаллы в случае разделения пластины на части) с помощью пинцета.

Конкретный пример исполнения. Размеры кристалла X×Y×Z 4 мм×8 мм×0.6 мкм. Диаметр отверстия d 4 мм. Толщина съемных масок n 2 мм. Расстояние между пазами масок b 6 мм, длина пазов в наборе масок а 0.5 мм. Расстояние между стенками основания m 160 мм. Диаметр пластины s 150 мм. Толщина перфорированной крышки составляет 10 мм. В результате жидкостного травления целая пластина станет набором кристаллов квадратной формы со стороной 6 мм.

Таким образом, в результате использования предлагаемой конструкции повышается выход годных кристаллов, сокращается потребление энергии, повышается эргономичность устройства, осуществляется возможность формирования кристаллов различной формы.

Источники информации

1. Патент США №6105567.

2. Патент Тайваня №200700336.

3. Патент Китая №106206858.

4. Патент Японии №2012-119468.

5. Патент Китая №106024612.

6. Патент РФ №2047934.

7. Патент РФ №2022406 - прототип.


УСТРОЙСТВО ДЛЯ ХИМИЧЕСКОГО РАЗДЕЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН НА КРИСТАЛЛЫ
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ХИМИЧЕСКОГО РАЗДЕЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН НА КРИСТАЛЛЫ
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ХИМИЧЕСКОГО РАЗДЕЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН НА КРИСТАЛЛЫ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 11-20 of 64 items.
04.04.2018
№218.016.3665

Способ получения кремния с изотопическим составом si, si

Изобретение относится к технологии трансмутационного легирования полупроводниковых материалов, в частности к получению кремния с определенным изотопическим составом, который может быть использован для создания квантовых битов информации на ядерных спинах атомов фосфора, полученных трансмутацией...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646411
Дата охранного документа: 05.03.2018
10.05.2018
№218.016.412c

Инфракрасный сенсор с переключаемым чувствительным элементом

Инфракрасный сенсор с переключаемым чувствительным элементом относится к устройствам для бесконтактного измерения температуры в различных системах управления и контроля. Инфракрасный сенсор с переключаемым чувствительным элементом содержит теплоприемную мембрану, прикрепленную к подложке с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002649040
Дата охранного документа: 29.03.2018
10.05.2018
№218.016.4a9b

Способ локального травления двуокиси кремния

Изобретение относится к микроэлектронике, способам контроля и анализа структуры интегральных схем, к процессам жидкостного травления. Сущность изобретения: выравнивание локальной неравномерности толщины слоя двуокиси кремния на поверхности кристалла ИС, образовавшейся в процессе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002651639
Дата охранного документа: 23.04.2018
29.05.2018
№218.016.5539

Способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек

Суть настоящего изобретения состоит в процессе формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек. Способ основан на применении перспективной «аддитивной технологии», то есть топологические элементы функционального слоя создаются на локальных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002654313
Дата охранного документа: 17.05.2018
29.05.2018
№218.016.557f

Способ получения фоторезистивного слоя на различных подложках

Изобретение относится к области литографии и касается способа получения фоторезистивного слоя. Фоторезистивный слой получают аэрозольным распылением из раствора фоторезистивного материала. Одновременно с аэрозольным потоком, при расходе не более 0,3 мл/мин, над подложкой формируют поток газа, с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002654329
Дата охранного документа: 17.05.2018
29.05.2018
№218.016.562c

Устройство для защиты от несанкционированного акустического контроля

Изобретение относится к устройствам защиты от несанкционированного прослушивания разговоров в помещениях. Техническим результатом является повышение эффективности защиты речевой информации от утечки по техническим каналам и несанкционированного акустического контроля. Упомянутый технический...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002654545
Дата охранного документа: 21.05.2018
16.06.2018
№218.016.6250

Автоматизированная контрольно-проверочная аппаратура интегрированной информационно-управляющей системы беспилотного летательного аппарата

Автоматизированная контрольно-проверочная аппаратура (АКПА) интегрированной информационно-управляющей системы беспилотного летательного аппарата содержит ПЭВМ, универсальный решающий модуль и модуль ввода-вывода. Универсальный решающий модуль содержит решающее устройство на основе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002657728
Дата охранного документа: 14.06.2018
16.06.2018
№218.016.632f

Биосовместимый наноматериал для лазерного восстановления целостности рассеченных биологических тканей

Изобретение относится к области лазерной медицины и, конкретно, к восстановительной хирургии. Описан биосовместимый наноматериал для лазерного восстановления целостности рассеченных биологических тканей, содержащий водную дисперсионную основу белка альбумина, углеродные нанотрубки и медицинский...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002657611
Дата охранного документа: 14.06.2018
25.06.2018
№218.016.66c1

Автономный портативный термоэлектрический источник питания

Изобретение относится к термоэлектрическим источникам питания. Сущность изобретения: автономный портативный термоэлектрический источник питания включает термоэлектрическое устройство, преобразующее тепло в электричество, источник тепла, находящийся в тепловом контакте с нагреваемой стороной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002658494
Дата охранного документа: 21.06.2018
03.07.2018
№218.016.6a1e

Следящий синусно-косинусный преобразователь угла в код

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к синусно-косинусным преобразователям угла в код. Техническим результатом является повышение разрядности преобразователя при меньшем объеме ПЗУ без потери быстродействия преобразования. Следящий синусно-косинусный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002659468
Дата охранного документа: 02.07.2018
Showing 11-20 of 22 items.
26.08.2017
№217.015.dd03

Способ измерения механических напряжений в мэмс-структурах

Использование: для измерения механических напряжений в МЭМС структурах. Сущность изобретения заключается в том, что способ измерения механических напряжений в МЭМС структурах включает формирование между пленкой-покрытием и основой промежуточного слоя, при этом промежуточный слой может иметь...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002624611
Дата охранного документа: 04.07.2017
19.01.2018
№218.016.009e

Суперконденсатор на основе кмоп-технологии

Изобретение относится к твердотельному суперконденсатору и может быть использовано в устройствах хранения энергии разнообразных интегральных микросхем. Суперконденсатор содержит два электрода, размещенный между ними диэлектрический слой, конформно расположенный на нижнем электроде, при этом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629364
Дата охранного документа: 29.08.2017
20.01.2018
№218.016.1641

Преобразователь магнитного поля с повышенной чувствительностью на анизотропных тонкопленочных магниторезисторах (варианты)

Использование: для регистрации постоянных и переменных магнитных полей. Сущность изобретения заключается в том, что преобразователь магнитного поля состоит из четырех магниторезисторов, выполненных на подложке с окисленным слоем в виде тонкопленочных магнитных полосок с шунтирующими полосками...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002635330
Дата охранного документа: 10.11.2017
10.05.2018
№218.016.4773

Способ изготовления чувствительных элементов газовых датчиков

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники, и может быть использовано в технологии изготовления интегральных чувствительных элементов газовых датчиков с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002650793
Дата охранного документа: 17.04.2018
29.05.2018
№218.016.5539

Способ формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек

Суть настоящего изобретения состоит в процессе формирования трехмерных структур топологических элементов функциональных слоев на поверхности подложек. Способ основан на применении перспективной «аддитивной технологии», то есть топологические элементы функционального слоя создаются на локальных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002654313
Дата охранного документа: 17.05.2018
07.09.2018
№218.016.849b

Способ изменения радиуса кривизны поверхности пластины для минимизации механических напряжений

Задачей настоящего изобретения является расширение способов изменения кривизны поверхности за счет расширения способов получения используемых пленок, типов используемых пленок, возможности варьирования толщины пленок. Суть настоящего изобретения состоит в том, что изменяют кривизну поверхности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666173
Дата охранного документа: 06.09.2018
21.10.2018
№218.016.94c5

Способ измерения механических напряжений в мэмс структурах

Изобретение относится к электронной технике, в частности к микроэлектронике, и может быть использовано при изготовлении кристаллов интегральных схем (ИС) и дискретных полупроводниковых приборов. Суть настоящего изобретения состоит в измерении механических напряжений в МЭМС структурах,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002670240
Дата охранного документа: 19.10.2018
14.02.2019
№219.016.ba16

Способ и устройство для определения локального механического напряжения в пленке на подложке

Изобретение относится к способам измерения механических свойств материалов, в том числе механических напряжений, с использованием оптических приборов для анализа напряжений. В ходе реализации способа определяют локальное механическое напряжение в пленке на подложке и двухосный модуль упругости...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002679760
Дата охранного документа: 12.02.2019
13.06.2019
№219.017.80f3

Способ формирования глубокопрофилированных кремниевых структур

Суть настоящего изобретения состоит в формировании глубокопрофилированных кремниевых структур последовательными операциями изотропного и анизотропного травления, причем операцию фотолитографии выполняют на кремниевой структуре, используя фоторезист с гидроизоляционными свойствами. Изобретение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002691162
Дата охранного документа: 11.06.2019
15.08.2019
№219.017.bfe9

Рентгеновский источник и способ генерации рентгеновского излучения

Изобретение относится к рентгеновской технике. Технический результат - повышение интенсивности рентгеновского излучения, увеличение продолжительности срока эксплуатации прибора, расширение перечня излучаемых длин волн, обеспечение возможности выбора количества длин волн и формы рентгеновского...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002697258
Дата охранного документа: 13.08.2019
+ добавить свой РИД