×
07.09.2018
218.016.849b

СПОСОБ ИЗМЕНЕНИЯ РАДИУСА КРИВИЗНЫ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИНЫ ДЛЯ МИНИМИЗАЦИИ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Задачей настоящего изобретения является расширение способов изменения кривизны поверхности за счет расширения способов получения используемых пленок, типов используемых пленок, возможности варьирования толщины пленок. Суть настоящего изобретения состоит в том, что изменяют кривизну поверхности пластины посредством осаждения слоя пленки на пластину, причем используют различные газовые смеси, осаждение проводят с последующим травлением слоя пленки, рассчитывают величину механических напряжений по пластине в локальных областях по формуле Стони, сравнивают значение механических напряжений с контрольным значением механических напряжений σ для успешного выполнения последующей технологической операции, при |σ|<|σ| проводят операцию, при |σ|>|σ| осаждают или травят пленку повторно. 3 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к способам обработки полупроводниковых приборов.

Проведение технологических операций изменяет поверхность пластин (например, полупроводниковых подложек), изгибая или выравнивая ее. Следовательно, изменяется площадь контактирования между пластинами, что изменяет вероятность их успешного сращивания при операции бондинга. В процессе проведения контактной литографии варьируется площадь соприкосновения между маской и поверхностью пластины, а значит, изменяется вероятность успешного формирования элементов с минимальными топологическими размерами. Поэтому, необходимо измерять радиус кривизны поверхности пластины после каждого этапа обработки. Это позволит своевременно проводить дополнительные технологические операции для изменения изгиба поверхности пластин в нужную сторону. Тем самым, увеличится вероятность успешного проведения операции сращивания пластин и контактной литографии.

Аналогом изобретения является способ изменения радиуса кривизны поверхности с помощью осаждения пленки нитрида кремния на лицевую сторону с различными технологическими параметрами [1].

Недостатком данного подхода является невозможность значительного изменения радиуса кривизны поверхности из-за малой толщины пленки. Также ограниченность способа, так как осаждение проводят только на лицевую сторону. В некоторых случаях осаждение на лицевую сторону затруднительно с технологической точки зрения. Поэтому необходимо уметь подготавливать поверхность для адгезии пленки и проводить процесс осаждения, как с лицевой, так и с обратной стороны.

Прототипом является способ изменения радиуса кривизны поверхности пластины с помощью осаждения напряженного слоя пленки плазмохимического оксида кремния толщиной 20 мкм на лицевую или обратную сторону [2].

К недостаткам изобретения можно отнести определенный тип (стехиометрический состав) пленки и способ ее получения, который требуется для изменения кривизны поверхности. Как известно, в плазмохимическом оксиде кремния присутствуют напряжения сжатия, величину которых можно варьировать посредством изменения операционных параметров процесса: соотношение расхода газов, общий расход газов, давление в камере, мощность разряда в плазме, температура подложки. Однако, значение напряжений в плазмохимическом оксиде кремния будет отрицательным (сжимающим).

Кроме того, можно сформировать пленку толщиной более или менее 20 мкм, что позволит изменить степень влияния осажденного слоя на кривизну поверхности.

Также известно, что пластина изгибается под действием напряжений. Кривизна является параметром пластины. Поэтому важно рассчитывать величину механических напряжений для оценки величины деформации пластины.

Задачей настоящего изобретения является расширение подходов изменения кривизны поверхности за счет использования различных газовых смесей и возможности варьирования толщины пленок, повышение точности прогнозирования успешного проведения последующей технологической операции.

Суть настоящего изобретения состоит в том, что изменяют кривизну поверхности пластины посредством осаждения слоя пленки на пластину, причем используют различные газовые смеси, осаждение проводят с последующим травлением слоя пленки, рассчитывают величину механических напряжений по пластине в локальных областях по формуле Стони:

где σ - механические напряжения в пленке, E/(1-μ) - двухосный модуль упругости пластины, hs - толщина пластины, - толщина пленки, R - радиус кривизны поверхности, пленки могут быть разной толщины, сравнивают значение механических напряжений с контрольным значением механических напряжений σk для выполнения последующей технологической операции, при |σ|<|σk| проводят операцию, при |σ|>|σk| осаждают или травят пленку повторно.

Проводить осаждение пленок на пластину можно различными способами: термическое окисление, осаждение из парогазовой смеси при атмосферном или пониженном давлении, плазмохимическое осаждение, атомно-слоевое осаждение и так далее.

В зависимости от используемых реагентов можно проводить осаждение на пластину различных типов (стехиометрических составов) пленок: оксид кремния, нитрид кремния, оксид алюминия, оксид титана и так далее.

Например, используя пленки нитрида кремния, полученные с использованием стандартных технологических параметров, можно получить напряжения растяжения.

Толщина пленки может варьироваться от единиц ангстрем до десятков микрометров. Критерием максимальной толщины слоя пленки является возникновение дефектов в результате механических напряжений: отслаивание, гофрирование и растрескивание пленки. Поэтому важно не только определять кривизну поверхности, но и рассчитывать величину напряжений.

Пластина изгибается под действием механических напряжений. Связь между механическими напряжениями и кривизной пластины описывается формулой Стони. В формулу входят значение толщины пластины, толщины пленки, двухосный модуль упругости подложки, радиус кривизны поверхности. В процессе осаждения пленок, возникает неравномерность по толщине выращенного слоя. Причем, с увеличением толщины пленки возрастает величина неравномерности. Кроме того, важно измерять толщину подложки в каждой локальной области. Это связано с тем, что в процессе подготовки технологической партии полируют и утоняют пластины, следовательно, изменяется толщина пластины. Таким образом, сделав более точный расчет механических напряжений, можно повысить точность массива данных при составлении карты пластины.

Далее, сравнив полученные значения с контрольной величиной, можно спрогнозировать выход годных кристаллов, а также принять решение о выполнении следующей технологической операции маршрута или проведении операции для изменения кривизны. В отличие от прототипа сравнивают значение механических напряжений, а не только кривизны поверхности. Тем самым повышается точность прогнозирования успешного проведения последующей технологической операции.

На фиг. 1 показана пластина 1 с исходной структурой на пластине 2. На фиг. 2 показана пластина 1, исходная структура на пластине 2 и сформированная пленка 3 с обеих сторон пластины. На фиг. 3 показана пластина 1, исходная структура на пластине 2 и сформированная пленка с напряжениями сжатия 4 на лицевой стороне пластины.

Пример конкретного применения способа изменения радиуса кривизны поверхности пластин. Используется кремниевая пластина толщиной 460 мкм. Проводят измерение радиуса кривизны поверхности (Ro=200 м). После этого, осаждается на лицевую сторону слой плазмохимического оксида кремния толщиной 0.4 мкм с напряжениями сжатия (фиг. 1). Проводят измерение радиуса кривизны поверхности(R1=-20 м). Отрицательное значение радиуса кривизны свидетельствует о напряжениях сжатия в пленке и напряжениях растяжения в подложке. Затем осаждают слой термического нитрида кремния толщиной 0.3 мкм с напряжениями растяжения (фиг. 2). Проводят измерение радиуса кривизны поверхности (R2=-25 м). После этого удаляют слой термического нитрида кремния с обратной стороны (фиг. 3). Проводят измерение радиуса кривизны поверхности (R3=180 м). Таким образом, на лицевой стороне пластины остается слой пленки со сжимающими напряжениями и слой пленки с растягивающими напряжениями. Значение радиуса кривизны структуры R3 сопоставимо с исходным значением радиуса кривизны R0. Затем, рассчитывают по формуле Стони напряжение σ:

Итак, σ=50 (МПа). Контрольное значение σk для успешного проведения последующей технологической операции контактной литографии составляет 500 (МПа). Так как |σ|<|σk|, то последующую операцию (контактную литографию) можно проводить.

Таким образом, предлагаемый способ позволит расширить методы по изменению кривизны поверхности за счет расширения способов получения используемых пленок, типов используемых пленок, возможности варьирования толщины пленок.

Источники информации.

1. Besland et al., Interpretation of stress variation in SiNx films, J. Vac. Sci. Technol. A, Vol. 22, No. 5, Sep/Oct 2004, DOI: 10.1116/1.1776179.

2. Патент Китая №105448666 - прототип.


СПОСОБ ИЗМЕНЕНИЯ РАДИУСА КРИВИЗНЫ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИНЫ ДЛЯ МИНИМИЗАЦИИ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ
СПОСОБ ИЗМЕНЕНИЯ РАДИУСА КРИВИЗНЫ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИНЫ ДЛЯ МИНИМИЗАЦИИ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-10 of 64 items.
20.10.2015
№216.013.8505

Способ и устройство детоксикации организма

Группа изобретений относится к медицинской технике, нефрологии, урологии, токсикологии и реаниматологии, системам заместительной терапии (ЗТ) и детоксикации и может быть использована в лечении больных с почечной недостаточностью, для замещения утраченной функции выведения метаболитов и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002565656
Дата охранного документа: 20.10.2015
20.01.2016
№216.013.9ff2

Способ изготовления электронных узлов на гибком носителе без процессов пайки и сварки

Изобретение относится к технологии производства многокристальных модулей, микросборок и модулей на основе печатных плат с внутренним монтажом компонентов. Технический результат - создание способа производства максимально компактных, надежных, быстродействующих и более экономичных в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002572588
Дата охранного документа: 20.01.2016
10.02.2016
№216.014.c2f7

Фотокатодный узел

Изобретение относится к фотокатодным узлам вакуумных высокочувствительных, термо- и радиационно-стойких приемников излучений и приемников изображений для спектрального диапазона 0,19-0,45 мкм. Технический результат - расширение спектральной области чувствительности к электромагнитному...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002574214
Дата охранного документа: 10.02.2016
10.06.2016
№216.015.498f

Источник рентгеновского излучения

Изобретение относится к области рентгеновской техники. Источник рентгеновского излучения содержит автокатод, рабочей областью которого является кромка круглого отверстия в проводящем слое, а антикатод (анод) выполнен симметричным относительно оси отверстия автокатода в виде фигуры вращения и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586621
Дата охранного документа: 10.06.2016
26.08.2017
№217.015.dd03

Способ измерения механических напряжений в мэмс-структурах

Использование: для измерения механических напряжений в МЭМС структурах. Сущность изобретения заключается в том, что способ измерения механических напряжений в МЭМС структурах включает формирование между пленкой-покрытием и основой промежуточного слоя, при этом промежуточный слой может иметь...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002624611
Дата охранного документа: 04.07.2017
29.12.2017
№217.015.f120

Электронная система компенсационного акселерометра

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к устройствам для построения электронной системы преобразователя линейных ускорений. Электронная система компенсационного акселерометра содержит дифференциальный емкостный преобразователь, двухфазный генератор переменного тока,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002638919
Дата охранного документа: 18.12.2017
19.01.2018
№218.016.009e

Суперконденсатор на основе кмоп-технологии

Изобретение относится к твердотельному суперконденсатору и может быть использовано в устройствах хранения энергии разнообразных интегральных микросхем. Суперконденсатор содержит два электрода, размещенный между ними диэлектрический слой, конформно расположенный на нижнем электроде, при этом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629364
Дата охранного документа: 29.08.2017
19.01.2018
№218.016.0b19

Устройство для защиты от несанкционированного прослушивания разговоров в помещении

Изобретение относится к области телефонной связи. Техническим результатом является повышение эффективности защиты речевой информации от утечки по техническим каналам. Упомянутый технический результат достигается тем, что в устройстве для защиты от несанкционированного прослушивания разговоров в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002632188
Дата охранного документа: 04.10.2017
20.01.2018
№218.016.180e

Способ извлечения галлия из порошковых галлийсодержащих отходов

Изобретение относится к области металлургии редких металлов, а более конкретно к способам извлечения галлия из твердых порошкообразных галлийсодержащих материалов. Порошкообразные галлийсодержащие отходы подвергают варке в каустической щелочи при температуре 350-400°С, затем растворяют в вводе,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002635585
Дата охранного документа: 14.11.2017
20.01.2018
№218.016.1972

Биоприпой для лазерной сварки биологических тканей

Изобретение относится к медицине и касается биоприпоя для лазерной сварки биологических тканей. Биоприпой содержит водную дисперсионную основу белка альбумина. При этом в его состав введены однослойные углеродные нанотрубки и медицинский краситель индоцианин зеленый при следующем соотношении...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002636222
Дата охранного документа: 21.11.2017
Showing 1-10 of 22 items.
20.03.2014
№216.012.acf8

Мембранный термоанемометр

Изобретение относится к микроэлектромеханическим системам для измерения потоков жидкостей и газов и измерения давления. Техническим результатом является уменьшение паразитной теплопередачи и повышение чувствительности термоанемометра. Мембранный термоанемометр содержит нагреватель и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509995
Дата охранного документа: 20.03.2014
20.07.2014
№216.012.de8e

Анемометрический датчик

Изобретение относится к области микросенсоров, а именно к микроэлектромеханическим системам (МЭМС) для измерения потоков жидкостей и газов - МЭМС-термоанемометрам. Анемометрический датчик содержит чувствительный элемент, выполненный в виде двух и более открытых контролируемому потоку упругих...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522760
Дата охранного документа: 20.07.2014
10.11.2014
№216.013.0506

Переключатель и коммутатор

Изобретение касается переключателя или коммутатора, содержащего хотя бы один такой переключатель, который содержит бистабильный элемент в МЭМС-исполнении, средства переключения и коммутационный узел. В качестве коммутационного узла использован МДП-транзистор, подвижным затвором которого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002532684
Дата охранного документа: 10.11.2014
20.12.2014
№216.013.107f

Вибродатчик

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой вибродатчик в микроэлектромеханическом исполнении и может использоваться для регистрации вибрации, в том числе с субмикронной амплитудой, и измерения параметров вибрации. Датчик включает упругий элемент с магниторезистивными...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535646
Дата охранного документа: 20.12.2014
20.12.2014
№216.013.1083

Анемометр

Предложенное изобретение относится к микромеханическим системам для измерения потоков жидкостей и газов и определения направления данных потоков. Заявленный анемометр, предназначенный для измерения указанных величин, содержит цилиндр, датчики, расположенные на его поверхности, и блок съема и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535650
Дата охранного документа: 20.12.2014
10.04.2015
№216.013.3f8d

Датчик давления

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для использования в приборах измерения давления жидкостей и газов. Техническим результатом изобретения является упрощение конструкции и технологии изготовления датчика давления. Датчик давления содержит измерительный блок, упругую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002547757
Дата охранного документа: 10.04.2015
10.12.2015
№216.013.95bb

Измеритель потока

Изобретение относится к области приборостроения, а именно к устройствам для измерения потоков жидкостей и газов с использованием микроэлектромеханических датчиков. Измеритель потока содержит тело обтекания, датчик потока и средства управления и съема информации. Тело обтекания выполнено с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002569951
Дата охранного документа: 10.12.2015
20.01.2016
№216.013.a256

Магниторезистивная ячейка памяти и способ ее использования

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в упрощении технологии изготовления магниторезистивной ячейки памяти. Магниторезистивная ячейка памяти содержит перемагничиваемый и неперемагничиваемый слои, разделенные барьерным слоем, а также средства записи и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002573200
Дата охранного документа: 20.01.2016
10.06.2016
№216.015.498f

Источник рентгеновского излучения

Изобретение относится к области рентгеновской техники. Источник рентгеновского излучения содержит автокатод, рабочей областью которого является кромка круглого отверстия в проводящем слое, а антикатод (анод) выполнен симметричным относительно оси отверстия автокатода в виде фигуры вращения и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586621
Дата охранного документа: 10.06.2016
25.08.2017
№217.015.c246

Рентгеновский источник

Изобретение относится к рентгеновскому источнику. В заявленном устройстве массивный анод содержит множество сквозных каналов, фокусирующих рентгеновское излучения заданным образом за счет сочетания их направленностей, а также за счет того, что стенки каналов могут содержать материал мишени не...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617840
Дата охранного документа: 28.04.2017
+ добавить свой РИД