Правообладатель РИД: Лебедев Виктор Петрович

Изобретение относится к средству прямого преобразования атомной энергии в электрическую. Используется явление локально-неравновесной эмиссии электронов, возникающее под действием α- или β-распада изотопов. Необходимый эффект преобразования ядерной энергии в электрическую достигается путем...

Изобретение относится к производству оксидно-полупроводниковых конденсаторов с объемно-пористым анодом из вентильных металлов. Согласно изобретению способ заключается в нанесении углеродного электропроводного покрытия на конденсаторный элемент между слоем твердого полупроводникового электролита...

Изобретение относится к производству ниобиевых оксидно-полупроводниковых конденсаторов, в частности повышенного рабочего напряжения. Согласно изобретению способ изготовления ниобиевого объемно-пористого анода заключается в прессовании анодных таблеток из подготовленного гидрированного...

Изобретение относится к производству изделий электронной техники, конкретно - к производству конденсаторов. В предлагаемом способе, заключающемся в отжиге танталовой арматуры, сборке стеклотаблетки и танталовой арматуры с образованием стеклотанталового изолятора, спекании и формировании...

Изобретение относится к металлургии, в частности к получению травленой конденсаторной алюминиевой фольги. Способ получения травленой катодной конденсаторной алюминиевой фольги, содержащей 0,001-0,1 мас.% скандий, толщиной 20-60 мкм, включает легирование алюминия высокой чистоты скандием,...

Изобретение относится к способу изготовления катодной обкладки, представляющей собой танталовую плоскую пластину или танталовый корпус конденсатора, с оксидированным рутениевым покрытием для танталового объемно-пористого конденсатора. Способ включает в себя подготовку поверхности катодной...

Изобретение относится к производству изделий электронной техники, конкретно - к производству оксидных конденсаторов с твердым электролитом на основе полимера. Предложены триалкоксисиланы общей формулы I, где R - Si(OAlk) или R=-CH=N-CHCHCHSi(OAlk), R=R=-OCHCHO-, в качестве кремнийсодержащих...

Изобретение может быть использовано в электронной промышленности, в технологии пропитки пористых материалов, в частности при производстве оксидно-полупроводниковых конденсаторов, в том числе чип-конденсаторов. Способ получения катодной обкладки из диоксида марганца заключается в нанесении...