×
17.06.2023
223.018.8105

Результат интеллектуальной деятельности: СОЛНЕЧНЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Солнечный фотоэлектрический модуль включает, по меньшей мере, два субмодуля (1), каждый субмодуль (1) содержит зеркальный параболический концентратор (5) солнечного излучения и солнечный элемент (6), расположенный в фокусе зеркального параболического концентратора (5). Зеркальный параболический концентратор (5) выполнен сечением параболоида (б) вращения четырьмя взаимно перпендикулярными плоскостями (I, II, III, IV), параллельными оси параболоида вращения, две из которых (I, II) проходят через ось параболоида вращения, а две других (III, IV) через точку (Т) на параболоиде (6) вращения, равноудаленную от двух первых плоскостей (I, II). Высота зеркального параболического концентратора (5) равна его фокусному расстоянию. Вершина (8) зеркального параболического концентратора (5) закреплена на общем основании (2) модуля, верхний угол (9) зеркального параболического концентратора (5) закреплен на высоте, равной высоте фокуса зеркального параболического концентратора (5) над общим основанием (2), а верхний угол (11) зеркального параболического концентратора (5) закреплен на высоте, равной половине высоты фокуса зеркального параболического концентратора (5) над общим основанием (2). Солнечный фотоэлектрический модуль обеспечивает снижение оптических потерь при концентрировании солнечного излучения, а также увеличение эффективности использования площади модуля за счет уплотненного расположения субмодулей. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к фотоэлектрическим концентраторным модулям, и может быть применено в концентраторных солнечных энергоустановках, используемых в качестве систем энергоснабжения в различных климатических зонах.

Известен солнечный фотоэлектрический модуль (см. патент JP 5165064 МПК H01L 31/042, опубликован 21.03.2013), включающий концентрирующую линзу в виде линзы Френеля, собирающую солнечное излучение на фотоэлектрическом элементе, установленном на основании, снабженным теплоотводящим радиатором, закрепленным на панели, в отверстии которой расположено основание с фотоэлектрическим элементом.

Недостатком известного солнечного фотоэлектрического модуля являются большие оптические потери из-за низкой оптической эффективности линз Френеля (менее 90%), что приводит к увеличению оптических потерь.

Известен солнечный фотоэлектрический модуль (см. заявка US 20090242028, МПК H01L 31/02, опубликована 01.10.2009), включающий опорную конструкцию, линейное зеркало с параболическим профилем и линейное приемное устройство, установленные на опорной конструкции. Линейное зеркало включает пару полузеркал, разделенных осевой плоскостью линейного зеркала. Опорная конструкция содержит опоры для соответствующих полузеркал, каждое полузеркало сформировано из листа упруго гибкого материала, каждая из опор имеет монтажную поверхность, обеспечивающую поддержание параболического профиля соответствующего полузеркала.

Недостатком известного солнечного фотоэлектрического модуля является использование линейного параболического концентратора, обладающего меньшей степенью концентрирования солнечного излучения.

Известен солнечный фотоэлектрический модуль (см. патент RU 2617041, МПК H02S 10/00, H02S 40/22, H01L 31/042, В82В 1/00, опубликован 19.04.2017), включающий стационарный концентратор, содержащий отражатели в качестве концентрирующих элементов, фотоприемник излучения, расположенный в фокальной области концентратора, при этом концентратор содержит две симметричные ветви параболоцилиндрического отражателя, разделенные плоским прямоугольным отражателем, а фотоприемник излучения является полупрозрачным для падающего на него солнечного света, обладает двусторонней фоточувствительностью и выполнен плоским и прямоугольным, при этом его площадь равна или превышает площадь плоского прямоугольного отражателя. Полупрозрачный фотоприемник излучения с двусторонней фоточувствительностью представляет собой фотопреобразователь на основе аморфного кремния либо на основе мезоскопических слоев сенсибилизированного нанокристаллического оксида металла, выбранного из группы: диоксид титана, оксид цинка, оксид никеля, оксид железа или их смеси.

Недостатком известного солнечного фотоэлектрического модуля является отсутствие оптимизации конструкции модуля при расположении фотоприемника на тыльной стороне соседнего концентратора, обеспечивающего отвод тепла, что ведет к снижению эффективности использования площади модуля.

Известен солнечный фотоэлектрический модуль (см. патент US 8513518, МПК H01L 31/00, опубликован 20.08.2013), включающий один или несколько субмодулей, установленных на системе слежения за Солнцем, состоящих из концентратора или отражателя солнечного излучения, выполненного, например, в виде отражателя Кассегрена, каскадного солнечного элемента и теплоотвода для охлаждения солнечного элемента.

Недостатком известного солнечного фотоэлектрического модуля является отсутствие оптимизации расположения субмодулей, приводящее к снижению эффективности использования площади модуля, а также сложность изготовления, сборки и юстировки отражателей Кассегрена, что увеличивает стоимость модуля.

Известен солнечный фотоэлектрический модуль (см. заявка KR 20080079254 МПК H02S 30/20, опубликована 29.08.2008), включающий один или несколько субмодулей на общем основании, каждый субмодуль содержит зеркальный концентратор солнечного излучения, отражающий элемент и фотоэлектрическую панель, расположенную в фокусе отражающего элемента. Для увеличения коэффициента отражения отражающий элемент покрывают пленкой алюминия или оксидом металла.

Недостатком данного солнечного фотоэлектрического модуля является использование комбинированной системы концентрирования и отражения солнечного излучения на фотоэлектрическую панель, что приводит к увеличению оптических потерь, включающих потери на отражения от зеркального концентратора и от отражающего элемента.

Наиболее близким к заявляемому техническому решению по совокупности существенных признаков является солнечный фотоэлектрический модуль (см. патент US 8215298, МПК F24J 2/02, опубликован 10.07.2012), принятый за прототип. Солнечный фотоэлектрический модуль включает по меньшей мере два субмодуля, установленных на общем основании с боковыми стенками, каждый субмодуль содержит зеркальный концентратор солнечного излучения и солнечный элемент, расположенный в фокусе концентратора на тыльной стороне соседнего субмодуля, концентратор субмодуля выполнен в виде половины параболоида вращения.

Использование концентратора в виде половины параболоида вращения ведет к смещению фокуса концентратора вниз и, соответственно, к снижению равномерности углового распределения и к увеличению коэффициента отражения солнечного излучения, что приводит к возрастанию оптических потерь.

Задачей заявляемого технического решения является снижение оптических потерь при концентрировании солнечного излучения, а также увеличение эффективности использования площади модуля за счет уплотненного расположения субмодулей.

Поставленная задача достигается тем, что солнечный фотоэлектрический модуль включает по меньшей мере два субмодуля на общем основании с боковыми стенками, перпендикулярными основанию, каждый субмодуль содержит зеркальный параболический концентратор солнечного излучения и солнечный элемент, расположенный в фокусе зеркального параболического концентратора, а оси зеркальных параболических концентраторов эквидистантно расположены относительно друг друга. Новым является выполнение зеркального параболического концентратора каждого субмодуля сечением параболоида вращения четырьмя взаимно перпендикулярными плоскостями, параллельными оси параболоида вращения, две из которых проходят через ось параболоида вращения, а две других через точку на параболоиде вращения, равноудаленную от первых двух плоскостей, установление высоты зеркального параболического концентратора равного его фокусному расстоянию, закрепление вершины зеркального параболического концентратора на общем основании модуля, закрепление одного верхнего угла зеркального параболического концентратора на высоте, равной высоте фокуса зеркального параболического концентратора над общим основанием, и закрепление второго верхнего угла зеркального параболического концентратора на высоте, равной половине высоты фокуса зеркального параболического концентратора над общим основанием.

Зеркальные параболические концентраторы могут быть выполнены трехслойными, с внутренним слоем, выполненным из вспененного полистирола, тыльным внешним слоем, выполненным из меди или латуни, и фронтальным внешним слоем, выполненным из алюминия.

Солнечный фотоэлектрический модуль может включать по меньшей мере четыре субмодуля на общем основании с боковыми стенками.

Выполнение зеркального параболического концентратора каждого субмодуля сечением параболоида вращения четырьмя взаимно перпендикулярными плоскостями, параллельными оси параболоида вращения, две из которых проходят через ось параболоида вращения, а две других через точку на параболоиде вращения, равноудаленную от первых двух плоскостей, обеспечивает уплотненную компоновку зеркальных концентраторов, высокую степень концентрирования и увеличение равномерности распределения солнечного излучения по поверхности солнечного элемента. Использование концентратора такой формы ведет к смещению фокуса концентратора вверх, при этом углы падения солнечного излучения на солнечный элемент близки к 90 градусам, что приводит к увеличению равномерности углового распределения, уменьшению коэффициента отражения солнечного излучения и, соответственно, к снижению оптических потерь.

Выполнение высоты зеркального параболического концентратора равной его фокусному расстоянию, прикрепление вершины зеркального параболического концентратора к общему основанию модуля, закрепление одного верхнего угла зеркального параболического концентратора на высоте, равной высоте фокуса зеркального параболического концентратора над общим основанием, и закрепление второго верхнего угла зеркального параболического концентратора на высоте, равной половине высоты фокуса зеркального параболического концентратора над общим основанием обеспечивает эффективное использование всей площади модуля полностью заполняя площадь модуля.

Заполнение пространства между зеркальной частью параболического концентратора и его тыльной поверхностью сотовым полистиролом позволяет облегчить конструкцию модуля. Выполнение тыльного внешнего слоя из меди или латуни обеспечивает увеличение жесткости конструкции концентратора и отвод тепла от солнечного элемента. Выполнение фронтального внешнего слоя из алюминия обеспечивает увеличение эффективности собирания солнечного излучения на поверхности солнечного элемента до (96-98)%.

Настоящее техническое решение поясняется чертежами, где:

на фиг. 1 схематически приведен вид сверху на солнечный фотоэлектрический модуль с четырьмя субмодулями;

на фиг. 2 показано сечение солнечного фотоэлектрического модуля по плоскости А-А;

на фиг. 3 приведено сечение солнечного фотоэлектрического модуля по плоскости В-В;

на фиг. 4 показан в аксонометрии вид зеркальных параболических концентраторов, установленных на общем основании (вертикальные стенки для наглядности сняты);

на фиг. 5 приведена фотография макета зеркальных параболических концентраторов, установленных на общем основании;

на фиг. 6 показан вид сверху на зеркальный параболический концентратор, вырезаемый из параболоида вращения.

Настоящий солнечный фотоэлектрический модуль (см. фиг. 1-фиг. 4), включает четыре субмодуля 1 на общем основании 2 с четырьмя боковыми стенками 3, 4 перпендикулярными общему основанию 2. Каждый субмодуль 1 содержит зеркальный параболический концентратор 5 солнечного излучения и солнечный элемент 6, расположенный в фокусе зеркального параболического концентратора 5. Зеркальный параболический концентратор 5 каждого субмодуля 1 выполнен (см. фиг. 6) сечением параболоида 7 вращения (ось О которого перпендикулярна основанию 2) четырьмя взаимно перпендикулярными плоскостями I, II, III и IV, параллельными оси О параболоида 7 вращения, две из которых (I, II) проходят через ось О параболоида 6 вращения, а две других (III, IV) через точку Т на параболоиде 7 вращения, равноудаленную от двух первых плоскостей I, II. Высота параболоида 7 вращения равна его фокусному расстоянию. Вершина 8 каждого зеркального параболического концентратора 5 закреплена на общем основании 2 модуля, верхний угол 9 зеркального параболического концентратора 5 закреплен, например, опорами 10, на высоте, равной высоте фокуса зеркального параболического концентратора 5 над общим основанием 2 (см. фиг. 5), при этом верхние углы 9 зеркальных параболических концентраторов 5, расположенных в крайнем левом ряду, могут быть закреплены на вертикальной стенке 4 (см. фиг. 2). Верхний угол 11 зеркального параболического концентратора 5 закреплен на высоте, равной половине высоты фокуса зеркального параболического концентратора 5 над общим основанием 2, при этом верхние углы 11 зеркальных параболических концентраторов 5, расположенных в крайнем правом ряду, могут быть закреплены на вертикальной стенке 3 (см. фиг. 3). Верхние углы 9 крайних слева зеркальных параболических концентраторов 5 могут быть закреплены на вертикальной стенке 3. В результате, если смотреть сверху на солнечный фотоэлектрический модуль (см. фиг. 1), то видно, что зеркальные параболические концентраторы 5 закрывают всю поверхность общего основания 2. Плоскости всех солнечных элементов 6 установлены под углами 45° к общему основанию 2 и к стенкам 3, 4 модуля, так что солнечное излучение падает от зеркальных параболических концентраторов 5 на солнечные элементы 6 под углами, близкими к 90 градусов. Зеркальные параболические концентраторы 5 могут быть выполнены трехслойными, с тыльным внешним слоем из меди или латуни для увеличения жесткости конструкции модуля и эффективного отвод тепла от солнечного элемента, расположенного на тыльной стороне концентратора, с фронтальным внешним слоем из алюминия для увеличения эффективности собирания солнечного излучения на поверхности солнечного элемента до (96-98)%, с внутренним слоем между зеркальной частью параболического концентратора и его тыльной поверхностью из сотового полистирола для облегчения конструкции концентратора.

Изготовленный опытный образец солнечного фотоэлектрического модуля имел сниженные оптические потери концентрирования солнечного излучения и обеспечил увеличение эффективности использования площади модуля за счет возможности уплотненного расположения субмодулей.

Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 31-40 из 114.
27.02.2016
№216.014.cf0a

Способ формирования многослойного омического контакта к прибору на основе арсенида галлия

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов. Способ формирования многослойного омического контакта включает предварительное формирование фотолитографией маски из фоторезиста на поверхности арсенида галлия электронной проводимости, очистку свободной от маски поверхности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002575977
Дата охранного документа: 27.02.2016
10.04.2016
№216.015.2ccb

Система позиционирования и слежения за солнцем концентраторной фотоэнергоустановки

Система позиционирования и слежения за Солнцем концентраторнойфотоэнергоустановки, содержащая платформу с концентраторными каскадными модулями, подсистему азимутального вращения, подсистему зенитального вращения, силовой блок, блок управления положением платформы с блоком памяти, содержащий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002579169
Дата охранного документа: 10.04.2016
10.06.2016
№216.015.4875

Инжекционный лазер

Использование: для полупроводниковых инжекционных лазеров. Сущность изобретения заключается в том, что инжекционный лазер на основе полупроводниковой гетероструктуры раздельного ограничения, включающей многомодовый волновод, первый и второй широкозонные ограничительные слои, являющиеся...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002587097
Дата охранного документа: 10.06.2016
20.08.2016
№216.015.4aec

Интегрально-оптический элемент

Интегрально-оптический элемент, включающий подложку из кристалла ниобата лития, встроенный в подложку оптический волновод, образованный термической диффузией титана из титановой полоски шириной 3-7 мкм и толщиной 60-80 нм, нанесенной на поверхность подложки. Глубина оптического волновода равна...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594987
Дата охранного документа: 20.08.2016
12.01.2017
№217.015.5b6b

Способ определения тока в канале электрического пробоя диэлектрика

Изобретение относится к области физики электрического пробоя и может быть использовано для определения амплитуды и длительности импульса тока электрического пробоя в диэлектриках. Технический результат: повышение точности определения тока в канале электрического пробоя диэлектриков. Сущность:...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002589509
Дата охранного документа: 10.07.2016
12.01.2017
№217.015.648e

Способ изготовления многопереходного солнечного элемента

Изобретение относится к солнечной энергетике и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ изготовления многопереходного солнечного элемента согласно изобретению включает последовательное формирование субэлемента из Ge с p-n...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002589464
Дата охранного документа: 10.07.2016
13.01.2017
№217.015.6721

Устройство для определения положения объекта

Использование: для определения положения объекта с помощью источника модулированного оптического сигнала. Сущность изобретения заключается в том, что устройство содержит источник модулированного оптического сигнала, фотодетектор, оптически связанный с ним через устройство формирования сигнала,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002591302
Дата охранного документа: 20.07.2016
13.01.2017
№217.015.6cbe

Суперконденсатор

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может найти применение в приборостроении, энергетике, электронике, в приборах мобильной связи в качестве слаботочного источника питания. Предложенный суперконденсатор включает отрицательный электрод (4) и положительный электрод (5),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002597224
Дата охранного документа: 10.09.2016
13.01.2017
№217.015.7a01

Четырехпереходный солнечный элемент

Четырехпереходный солнечный элемент включает последовательно выращенные на подложке (1) из p-Ge четыре субэлемента (2, 3, 4, 5), согласованные по постоянной решетки с подложкой (1) из p-Ge и соединенные между собой туннельными р-n-переходами (6, 7, 8), и контактный слой (9), при этом первый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002599064
Дата охранного документа: 10.10.2016
13.01.2017
№217.015.7ab0

Способ получения светопоглощающей кремниевой структуры

Изобретение относится к области солнечных фотоэлектрических преобразователей на основе монокристаллического кремния. Способ получения светопоглощающей кремниевой структуры включает нанесение на поверхность образца из монокристаллического кремния слоя ванадия толщиной от 50 нм до 80 нм,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002600076
Дата охранного документа: 20.10.2016
Показаны записи 31-40 из 63.
20.12.2018
№218.016.a963

Способ изготовления фотодетекторов мощного оптоволоконного свч модуля

Изобретение может быть использовано для создания мощных СВЧ фотодетекторов на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlGaAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм. Способ изготовления фотодетекторов мощного оптоволоконного СВЧ модуля включает создание на полупроводниковой подложке...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002675408
Дата охранного документа: 19.12.2018
20.12.2018
№218.016.a9dd

Фотодетекторный свч модуль

Изобретение относится к области радиотехники, а именно к радиофотонике, и может быть использовано при конструировании систем возбуждения антенн и активных фазированных антенных решеток (АФАР) для связи, радиолокации, радионавигации и радиоэлектронной борьбы. Фотодетекторный СВЧ модуль включает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002675409
Дата охранного документа: 19.12.2018
29.12.2018
№218.016.ac71

Мощный импульсный свч фотодетектор

Изобретение относится к области разработки и изготовления мощных фоточувствительных полупроводниковых приборов на основе GaAs, в частности к импульсным полупроводниковым сверхвысокочастотным (СВЧ) фотодетекторам. Мощный импульсный СВЧ фотодетектор лазерного излучения на основе гетероструктуры...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676228
Дата охранного документа: 26.12.2018
29.12.2018
№218.016.acdd

Способ изготовления импульсного фотодетектора

Изобретение относится к области разработки и изготовления фоточувствительных полупроводниковых приборов на основе GaAs. Способ изготовления мощного импульсного фотодетектора, работающего в фотовольтаическом режиме (с нулевым напряжением смещения), на основе GaAs включает последовательное...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676221
Дата охранного документа: 26.12.2018
29.12.2018
№218.016.acf3

Способ изготовления свч фотодетектора

Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано для создания мощного СВЧ фотодетектора на основе эпитаксиальных структур GaAs/AlGaAs, чувствительных к излучению на длине волны 810-860 нм. Способ заключается в создании многослойной структуры из системы чередующихся слоев AlGaAs...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676185
Дата охранного документа: 26.12.2018
29.12.2018
№218.016.acfa

Свч фотоприемник лазерного излучения

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, применяемым в электронике. СВЧ фотоприемник лазерного излучения состоит из подложки 1, выполненной из n-GaAs, и последовательно осажденных: слоя тыльного потенциального барьера 2 n-AlGaAs, базового слоя, выполненного из n-GaAs 3, с толщиной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676188
Дата охранного документа: 26.12.2018
29.12.2018
№218.016.acff

Свч фотодетектор лазерного излучения

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для создания фотодетекторов (ФД) лазерного излучения (ЛИ). СВЧ фотодетектор лазерного излучения состоит из подложки 1, выполненной из n-GaAs, и последовательно осажденных: Брегговского отражателя 2, настроенного на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676187
Дата охранного документа: 26.12.2018
01.03.2019
№219.016.cedd

Способ полирования полупроводниковых материалов

Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов, а именно к химико-механическим способам полирования полупроводников. Изобретение обеспечивает высокое качество полированной поверхности. Сущность изобретения: в способе химико-механического полирования полупроводниковых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002457574
Дата охранного документа: 27.07.2012
01.03.2019
№219.016.d0be

Способ изготовления полупроводниковой структуры с p-n переходами

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым многопереходным структурам, используемым, в частности, в фотоэлектрических преобразователях. Способ изготовления полупроводниковой структуры включает последовательное формирование на полупроводниковой подложке методом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002461093
Дата охранного документа: 10.09.2012
01.03.2019
№219.016.d0c1

Способ определения неоднородностей в полупроводниковом материале

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для контроля качества проводящих слоев и поверхностей полупроводниковых пленок, применяемых при изготовлении изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: в способе определения неоднородностей в полупроводниковом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002461091
Дата охранного документа: 10.09.2012
+ добавить свой РИД