ДИСПЛЕЙНАЯ ПОДЛОЖКА И ДИСПЛЕЙНОЕ УСТРОЙСТВО
Вид РИД
Изобретение
Область техники, к которой относится изобретение
Варианты настоящего изобретения относятся к дисплейной подложке и к дисплейному устройству.
Уровень техники
В технике дисплеев, органический светодиод (Organic Light-Emitting Diode (OLED)) имеет такие характеристики, как собственная светимость, высокий контраст, низкое энергопотребление, широкий угол обзора, высокая скорость отклика, применимость на гибких панелях, широкий диапазон рабочих температур и простота изготовления и обладает широкими перспективами развития. Полупроводниковая технология, как ядро для создания дисплейного устройства, также быстро прогрессирует. Органический светодиод (Organic Light-Emitting Diode (OLED)), как светоизлучающий прибор современного типа, благодаря таким своим характеристикам, как собственная светимость, высокая скорость отклика, широкий угол обзора и технологичность на гибкой подложке все более широко применяется в технике высококачественных дисплеев.
Раскрытие сущности изобретения
По меньшей мере один из вариантов настоящего изобретения предлагает дисплейную подложку, содержащую базовую подложку и первую электропроводную структуру на этой базовой подложке. Эта первая электропроводная структура имеет первую поверхность и вторую поверхность, обращенную прочь от базовой подложки, и эти первая поверхность и вторая поверхность выполнены из одинакового материала; первая поверхность образует первый внутренний угол с несущей верхней поверхностью базовой подложки, вторая поверхность образует второй внутренний угол с указанной несущей верхней поверхностью базовой подложки, и первый внутренний угол отличается от второго внутреннего угла; на первой поверхности создана первая поверхностная микроструктура, а на второй поверхности создана вторая поверхностная микроструктура; первая электропроводная структура далее имеет третью поверхность и четвертую поверхность, обращенную к базовой подложке, третья поверхность противоположна первой поверхности, и четвертая поверхность противоположна второй поверхности; первая поверхностная микроструктура имеет первое поперечное сечение, перпендикулярное базовой подложке, это первое поперечное сечение имеет первую ортогональную проекцию на третью поверхность, и длина этой первой ортогональной проекции меньше длины поверхностной микроструктуры в первом поперечном сечении; и вторая поверхностная микроструктура имеет второе поперечное сечение, перпендикулярное базовой подложке, это второе поперечное сечение имеет вторую ортогональную проекцию на четвертую поверхность, и длина этой второй ортогональной проекции меньше длины второй поверхностной микроструктуры во втором поперечном сечении.
В некоторых примерах, расстояние между двумя концами первого поперечного сечения и расстояние между двумя концами второго поперечного сечения соответственно больше 0,1 мкм и меньше 1 мкм.
В некоторых примерах, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, первая поверхностная микроструктура по меньшей мере частично накладывается на третью поверхность, и вторая поверхностная микроструктур по меньшей мере частично накладывается на четвертую поверхность.
В некоторых примерах, по меньшей мере одна из поверхностей – третья поверхность и/или четвертая поверхность, является плоской.
В некоторых примерах, площадь указанной ортогональной проекции первой поверхностной микроструктуры на третью поверхность меньше площади поверхности первой поверхностной микроструктуры; и площадь указанной ортогональной проекции второй поверхностной микроструктуры на четвертую поверхность меньше площади поверхности второй поверхностной микроструктуры.
В некоторых примерах, минимальная толщина первой электропроводной структуры у первой поверхностной микроструктуры меньше средней толщины средней толщины первой электропроводной структуры и больше 3/5 этой средней толщины средней толщины первой электропроводной структуры.
В некоторых примерах, первая поверхностная микроструктура имеет первую оконечную точку, первую промежуточную точку и вторую оконечную точку в первом поперечном сечении; и вторая поверхностная микроструктура имеет третью оконечную точку, вторую промежуточную точку и четвертую оконечную точку во втором поперечном сечении; расстояние между первой промежуточной точкой и третьей поверхностью не равно ни расстоянию между первой оконечной точкой и третьей поверхностью, ни расстоянию между второй оконечной точкой и третьей поверхностью; расстояние между второй промежуточной точкой и четвертой поверхностью не равно ни расстоянию между третьей оконечной точкой и четвертой поверхностью, ни расстоянию между четвертой оконечной точкой и четвертой поверхностью.
В некоторых примерах, первый внутренний угол больше 0 градусов; а второй внутренний угол равен 0 градусов.
В некоторых примерах, первая поверхностная микроструктура имеет первую оконечную точку и вторую оконечную точку в первом поперечном сечении; и вторая поверхностная микроструктура имеет третью оконечную точку и четвертую оконечную точку во втором поперечном сечении; расстояние от средней точки отрезка прямой, содержащего первую оконечную точку и вторую оконечную точку, до несущей верхней поверхности базовой подложки отличается от расстояния от средней точки отрезка прямой, содержащего третью оконечную точку и четвертую оконечную точку, до несущей верхней поверхности базовой подложки.
В некоторых примерах, расстояние между первой оконечной точкой и второй оконечной точкой больше расстояния между третьей оконечной точкой и четвертой оконечной точкой.
В некоторых примерах, дисплейная подложка далее содержит первый изоляционный слой на стороне первой электропроводной структуры, ближайшей к базовой подложке; этот первый изоляционный слой содержит первый участок в непосредственном контакте с третьей поверхностью первой электропроводной структуры и второй участок в непосредственном контакте с четвертой поверхностью первой электропроводной структуры; и минимальная толщина первого участка меньше минимальной толщины второго участка.
В некоторых примерах, дисплейная подложка далее содержит вторую электропроводную структуру на стороне первого изоляционного слоя, ближайшей к базовой подложке; первый участок первого изоляционного слоя покрывает по меньшей мере часть второй электропроводной структуры.
В некоторых примерах, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, первая поверхностная микроструктура и вторая электропроводная структура не накладываются друг на друга.
В некоторых примерах, первая электропроводная структура электрически соединена со второй электропроводной структурой через первое сквозное отверстие, проходящее сквозь первый изоляционный слой; в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, первая поверхностная микроструктура по меньшей мере частично накладывается на первое сквозное отверстие.
В некоторых примерах, первый изоляционный слой содержит первый субслой и второй субслой, расположенные один на другом, и второй субслой при этом находится дальше от базовой подложки, чем первый субслой; и первый субслой имеет первую боковую поверхность, доступную через первое сквозное отверстие, второй субслой имеет вторую боковую поверхность, доступную через первое сквозное отверстие, и по меньшей мере одна из этих поверхностей – первая боковая поверхность и/или вторая боковая поверхность находится в непосредственном контакте с третьей поверхностью первой электропроводной структуры.
В некоторых примерах, внутренний угол между первой боковой поверхностью и базовой подложкой больше внутреннего угла между второй боковой поверхностью и базовой подложкой.
В некоторых примерах, компактность второго субслоя выше компактности первого субслоя.
В некоторых примерах, содержание кислорода на первой поверхности выше содержания кислорода на третьей поверхности.
В некоторых примерах, первая поверхностная микроструктура имеет первую оконечную точку и вторую оконечную точку в первом поперечном сечении; и расстояния от точки первого поперечного сечения, ближайшей к третьей поверхности, до первой оконечной точки и второй оконечной точки не равны.
В некоторых примерах, первая поверхностная микроструктура содержит первую вогнутую структуру, и вторая поверхностная микроструктура содержит вторую вогнутую структуру.
В некоторых примерах, дисплейная подложка далее содержит несколько субпикселей на базовой подложке; эти несколько субпикселей расположены в нескольких пиксельных столбцах и нескольких пиксельных строках в первом направлении и во втором направлении, первое направление пересекается со вторым направлением; каждый из нескольких субпикселей содержит первый транзистор, второй транзистор, третий транзистор и накопительный конденсатор на базовой подложке; первый электрод второго транзистора электрически соединен с первым электродом накопительного конденсатора и электродом затвора первого транзистора, второй электрод второго транзистора конфигурирован для приема сигнала данных, электрод затвора второго транзистора конфигурирован для приема первого сигнала управления, и второй транзистор конфигурирован для записи сигнала данных на электрод затвора первого транзистора и на накопительный конденсатор в ответ на первый сигнал управления; первый электрод первого транзистора электрически соединен со вторым электродом накопительного конденсатора и конфигурирован для электрического соединения с первым электродом светоизлучающего элемента, второй электрод первого транзистора конфигурирован для приема первого напряжения питания, и первый транзистор конфигурирован для управления током, используемым для возбуждения светоизлучающего элемента, под управлением напряжения на электроде затвора первого транзистора; и первый электрод третьего транзистора электрически соединен с первым электродом первого транзистора и вторым электродом накопительного конденсатора, и второй электрод третьего транзистора конфигурирован для соединения с регистрирующей схемой.
В некоторых примерах, составляющие межцентрового расстояния между ортогональной проекцией первой поверхностной микроструктуры на базовую подложку и ортогональной проекцией второй поверхностной микроструктуры на базовую подложку в первом направлении и во втором направлении являются соответственно меньше средних размеров каждого из нескольких субпикселей в первом направлении и во втором направлении.
В некоторых примерах, субпиксели каждого из указанных нескольких столбцов пикселей излучают свет одинакового цвета.
В некоторых примерах, первая поверхностная микроструктура содержит первую вогнутую структуру, и вторая поверхностная микроструктура содержит вторую вогнутую структуру; эти первая вогнутая структура и вторая вогнутая структура расположены вдоль направления протяженности первой электропроводной структуры и обращены к субпикселям одинакового цвета.
В некоторых примерах, где дисплейная подложка дополнительно содержит удлинительный участок, выступающий от электрода затвора первого транзистора, этот удлинительный участок протяжен от электрода затвора первого транзистора во втором направлении, и этот удлинительный участок по меньшей мере частично накладывается на первый электрод второго транзистора и электрически соединен с первым электродом второго транзистора в направлении, перпендикулярном к базовой подложке.
В некоторых примерах, активный слой второго транзистора содержит первую электродную контактную область, вторую электродную контактную область и область канала между первой электродной контактной областью и второй электродной контактной областью; и первый электрод второго транзистора соответственно электрически соединен с первой электродной контактной областью, указанным удлинительным участком и первым электродом конденсатора через второе сквозное отверстие.
В некоторых примерах, второе сквозное отверстие проходит вдоль первого направления и открывает по меньшей мере часть поверхности удлинительного участка и две боковые поверхности, противоположные одна другой в первом направлении, этого удлинительного участка.
В некоторых примерах, удлинительный участок разделяет второе сквозное отверстие на первую канавку и вторую канавку; первый электрод второго транзистора заполняет первую канавку и вторую канавку и покрывает указанные две боковые поверхности удлинительного участка; первый электрод второго транзистора содержит первый участок, второй участок и третий участок; и второй участок покрывает поверхность удлинительного участка, первый участок покрывает первую канавку, а третий участок покрывает вторую канавку; эти первый участок и второй участок также покрывают, соответственно, указанные две боковые поверхности удлинительного участка.
В некоторых примерах, первая электропроводная структура является первым электродом второго транзистора; и первая поверхностная микроструктура и вторая поверхностная микроструктура обе располагаются в третьем участке первого электрода второго транзистора.
В некоторых примерах, размер первой поверхностной микроструктуры в первом направлении меньше одной десятой максимального размера третьего участка вдоль первого направления.
В некоторых примерах, размер первой поверхностной микроструктуры в первом направлении меньше одной десятой максимального размера ортогональной проекции второго сквозного отверстия на базовую подложку в первом направлении.
В некоторых примерах, каждый из указанной совокупности нескольких субпикселей далее содержит светоизлучающий элемент, этот светоизлучающий элемент содержит первый электрод, светоизлучающий слой и второй электрод, расположенные один на другом в этой последовательности, так что первый электрод лежит ближе к базовой подложке, чем второй электрод; и первый электрод светоизлучающего элемента электрически соединен с первым электродом первого транзистора субпикселя, к которому принадлежит этот светоизлучающий элемент, через третье сквозное отверстие.
В некоторых примерах, первый электрод светоизлучающего элемента содержит первый электродный участок, второй электродный участок и третий электродный участок, соединенные последовательно в первом направлении; указанный первый электродный участок конфигурирован для электрического соединения с первым электродом соответствующего первого транзистора и накладывается на первый электрод соответствующего первого транзистора в направлении, перпендикулярном к базовой подложке; третий электродный участок светоизлучающего элемента по меньшей мере частично накладываются на открытую область светоизлучающего элемента в направлении, перпендикулярном к базовой подложке.
В некоторых примерах, сумма максимального размера первого электродного участка в первом направлении и максимального размера первого электродного участка во втором направлении меньше суммы максимального размера третьего электродного участка в первом направлении и максимального размера третьего электродного участка во втором направлении; и сумма максимального размера второго электродного участка в первом направлении и максимального размера второго электродного участка во втором направлении меньше суммы максимального размера третьего электродного участка в первом направлении и максимального размера третьего электродного участка во втором направлении.
В некоторых примерах, дисплейная подложка содержит несколько первых поверхностных микроструктур и несколько вторых поверхностных микроструктур; некоторые из совокупности этих нескольких первых поверхностных микроструктур и нескольких вторых поверхностных микроструктур накладываются на первый электродный участок в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, а другие из этой совокупности нескольких первых поверхностных микроструктур и нескольких вторых поверхностных микроструктур накладываются на третий электродный участок в направлении, перпендикулярном к базовой подложке; и плотность распределения первых поверхностных микроструктур и вторых поверхностных микроструктур, накладывающихся на первый электродный участок, больше плотности распределения первых поверхностных микроструктур и вторых поверхностных микроструктур, накладывающихся на третий электродный участок.
В некоторых примерах, средний размер второго электродного участка первого электрода светоизлучающего элемента во втором направлении меньше среднего размера первого электродного участка во втором направлении и также меньше среднего размера третьего электродного участка во втором направлении.
В некоторых примерах, совокупность нескольких пиксельных строк содержит первую пиксельную строку, и эта первая пиксельная строка разделена на несколько пиксельных единиц; каждая из этих нескольких пиксельных единиц содержит первый субпиксель, второй субпиксель и третий субпиксель, расположенные последовательно во втором направлении; эти первый субпиксель, второй субпиксель и третий субпиксель конфигурированы, соответственно, для излучения света трех основных цветов; дисплейная подложка далее содержит первую линию развертки, протяженную во втором направлении; эта первая линия развертки электрически соединена с электродами затворов вторых транзисторов в первом субпикселе, во втором субпикселе и третьем субпикселе для подачи первого сигнала управления.
В некоторых примерах, первая линия развертки накладывается на второй электродный участок первого электрода светоизлучающего элемента первого субпикселя в направлении, перпендикулярном к базовой подложке.
В некоторых примерах, дисплейная подложка далее содержит слой цветного светофильтра, где этот слой цветного светофильтра располагается на обращенной к базовой подложке стороне первого электрода светоизлучающего элемента; этот слой цветного светофильтра содержит несколько участков цветных светофильтров, которые соответствуют первому субпикселю, второму субпикселю и третьему субпикселю, соответственно; в результате свет, излучаемый соответственно первым субпикселем, вторым субпикселем и третьим субпикселем, проходит сквозь соответствующие участки цветного светофильтра для образования излучения дисплея.
В некоторых примерах, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, участок цветного светофильтра, соответствующий первому субпикселю, участок цветного светофильтра, соответствующий второму субпикселю и вторая поверхностная микроструктура - все накладываются одно на другое в направлении, перпендикулярном к базовой подложке.
В некоторых примерах, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, каждый из участков цветного светофильтра накладывается на третий электродный участок первого электрода светоизлучающего элемента соответствующего субпикселя и не накладывается на первый электродный участок первого электрода светоизлучающего элемента соответствующего субпикселя.
В некоторых примерах, первая линия развертки располагается на обращенной к базовой подложке стороне слоя цветного светофильтра; в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, второй электродный участок первого электрода светоизлучающего элемента первого субпикселя, накладывающийся на первую линию развертки, также накладывается на участок цветного светофильтра, соответствующий первому субпикселю.
В некоторых примерах, первая линия развертки содержит первые участки и вторые участки, соединенные поочередно; и такой второй участок имеет кольцевую структуру.
В некоторых примерах, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, первый электрод светоизлучающего элемента первого субпикселя накладывается на первый участок первой линии развертки, и не накладывается на второй участок первой линии развертки.
В некоторых примерах, дисплейная подложка далее содержит несколько первых сигнальных линий, протяженных в первом направлении, где в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, эти несколько первых сигнальных линий накладываются на вторые участки первой линии развертки для определения нескольких первых полых областей вдоль второго направления.
В некоторых примерах, геометрические центры первых полых областей, соответствующих каждой пиксельной единице, не находятся на одной прямой линии.
В некоторых примерах, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, участок цветного светофильтра, соответствующий первому субпикселю, накладывается по меньшей мере на одну из нескольких первых полых областей; и участок цветного светофильтра, соответствующий второму субпикселю, не накладывается ни на одну из нескольких первых полых областей.
В некоторых примерах, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, участок цветного светофильтра, соответствующий первому субпикселю, накладывается на одну из нескольких первых полых областей в первой области наложения; участок цветного светофильтра, соответствующий второму субпикселю, накладывается на другую из нескольких первых полых областей во второй области наложения; и площадь первой области наложения отличается от площади второй области наложения.
В некоторых примерах, абсолютная величина разности между площадью первой области наложения и площадью второй области наложения больше, чем (n*λ)2, где λ обозначает большую величину из длин волн света, излучаемого первым субпикселем и вторым субпикселем.
В некоторых примерах, дисплейная подложка содержит несколько первых поверхностных микроструктур и несколько вторых поверхностных микроструктур; и некоторые из указанных нескольких первых поверхностных микроструктур и указанных нескольких вторых поверхностных микроструктур накладываются на первые участки первой линии развертки в направлении, перпендикулярном к базовой подложке; и другие из указанных нескольких первых поверхностных микроструктур и указанных нескольких вторых поверхностных микроструктур накладываются на вторые участки первой линии развертки в направлении, перпендикулярном к базовой подложке; в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, плотность распределения первых поверхностных микроструктур и вторых поверхностных микроструктур, накладывающихся на вторые участки первой линии развертки больше плотности распределения первых поверхностных микроструктур и вторых поверхностных микроструктур, накладывающихся на первые участки первой линии развертки.
В некоторых примерах, площадь первой области наложения больше площади ортогональной проекции каждой из нескольких первых поверхностных микроструктур или вторых поверхностных микроструктур на базовую подложку; площадь второй области наложения больше площади ортогональной проекции каждой из нескольких первых поверхностных микроструктур или вторых поверхностных микроструктур на базовую подложку.
В некоторых примерах, пиксельная единица далее содержит четвертый субпиксель, где этот четвертый субпиксель конфигурирован для излучения белого света; ни на одну из первых полых областей, обращенных к четвертому субпикселю, из совокупности нескольких первых полых областей не накладывается слой цветного светофильтра в направлении, перпендикулярном к базовой подложке.
В некоторых примерах, совокупность нескольких сигнальных линий содержит несколько линий данных, где эти несколько линий данных соединены во взаимно однозначном соответствии с несколькими пиксельными столбцами; для первой пиксельной строки совокупность нескольких линий данных разбита на несколько групп линий данных во взаимно однозначном соответствии с несколькими пиксельными единицами; каждая из нескольких групп линий данных содержит первую линию данных, вторую линию данных и третью линию данных, соответственно соединенных с первым субпикселем, вторым субпикселем и третьим субпикселем; для каждой из нескольких пиксельных единиц, соединенные с этой пиксельной единицей первая линия данных, вторая линия данных и третья линия данных расположены все между первым субпикселем и третьим субпикселем.
В некоторых примерах, дисплейная подложка далее содержит несколько линий питания, протяженных в первом направлении; эти несколько линий питания конфигурированы для подачи первого напряжения указанным нескольким субпикселям; и между каждой из нескольких линий питания и какой-либо одной из линий данных проходит по меньшей мере один пиксельный столбец.
В некоторых примерах, дисплейная подложка содержит несколько первых поверхностных микроструктур и несколько вторых поверхностных микроструктур; некоторые из совокупности нескольких первых поверхностных микроструктур и нескольких вторых поверхностных микроструктур распределены по нескольким линиям данных, другие из этой совокупности нескольких первых поверхностных микроструктур и нескольких вторых поверхностных микроструктур распределены по нескольким линиям питания; плотность распределения нескольких первых поверхностных микроструктур и нескольких вторых поверхностных микроструктур по линиям данных больше плотности распределения нескольких первых поверхностных микроструктур и нескольких вторых поверхностных микроструктур по нескольким линиям питания.
В некоторых примерах, второй субпиксель расположен непосредственно рядом с третьим субпикселем, и этот третий субпиксель имеет первую сторону и вторую сторону, противоположную первой стороне во втором направлении; и вторая линия данных и третья линия данных расположены на первой стороне от третьего субпикселя и находятся между вторым субпикселем и третьем субпикселем.
В некоторых примерах, второй электродный участок первого электрода светоизлучающего элемента третьего субпикселя является вогнутым относительно первого электродного участка и третьего электродного участка этого первого электрода светоизлучающего элемента третьего субпикселя в направлении прочь от второй стороны третьего субпикселя.
В некоторых примерах, в направлении, перпендикулярном к подложке, вторая линия данных и третья линия данных, соответственно, по меньшей мере частично накладываются на слой цветного светофильтра.
В некоторых примерах, пиксельная единица далее содержит четвертый субпиксель, и этот четвертый субпиксель конфигурирован для излучения белого света; каждая из групп линий данных далее содержит четвертую линию данных, соединенную с четвертым субпикселем; и в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, четвертая линия данных не накладывается на слой цветного светофильтра.
В некоторых примерах, совокупность нескольких пиксельных строк далее содержит вторую пиксельную строку, и эта вторая пиксельная строка непосредственно соседствует с первой пиксельной строкой в первом направлении; вторая пиксельная строка содержит пятый субпиксель, шестой субпиксель и седьмой субпиксель, расположенные последовательно один за другим во втором направлении; пятый субпиксель и первый субпиксель расположены в одном и том же пиксельном столбце; шестой субпиксель и второй субпиксель расположены в одном и том же пиксельном столбце; и седьмой субпиксель и третий субпиксель расположены в одном и том же пиксельном столбце.
В некоторых примерах, участок цветного светофильтра, соответствующий первому субпикселю, имеет боковой край, обращенный к пятому субпикселю, и этот боковой край параллелен второму направлению.
В некоторых примерах, дисплейная подложка далее содержит вторую линию развертки, протяженную во втором направлении; и эта вторая линия развертки электрически соединена с электродами затворов третьих транзисторов в пятом субпикселе, шестом субпикселе и седьмом субпикселе для подачи второго сигнала управления.
В некоторых примерах, вторая линия развертки содержит первые участки и вторые участки, соединенные поочередно; и такой второй участок имеет кольцевую структуру.
В некоторых примерах, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, несколько первых сигнальных линий накладываются на вторые участки второй линии развертки для определения нескольких вторых полых областей, последовательно расположенных одна за другой во втором направлении.
В некоторых примерах, первая электропроводная структура представляет собой одну из нескольких первых сигнальных линий, первая поверхностная микроструктура и вторая поверхностная микроструктура расположены на этой первой сигнальной линии, и первая поверхностная микроструктура по меньшей мере частично накладывается на вторую полую область, соответствующую указанной первой сигнальной линии в направлении, перпендикулярном к базовой подложке.
В некоторых примерах, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, участок цветного светофильтра, соответствующий первому субпикселю, накладывается на одну вторую полую область из совокупности нескольких вторых полых областей с третьей площадью области наложения; участок цветного светофильтра, соответствующий второму субпикселю, накладывается на другую вторую полую область из совокупности нескольких вторых полых областей с четвертой площадью области наложения; третий субпиксель накладывается на еще одну другую вторую полую область из совокупности нескольких вторых полых областей с пятой площадью области наложения; и эти третья площадь области наложения, четвертая площадь области наложения и пятая площадь области наложения все отличаются одна от другой.
В некоторых примерах, второй электрод третьего транзистора электрически соединен с регистрирующей секцией, протяженной во втором направлении, через четвертое сквозное отверстие; и эта регистрирующая секция электрически соединена с регистрирующей линией, протяженной в первом направлении, так что второй электрод третьего транзистора соединен с регистрирующей схемой через регистрирующую секцию и регистрирующую линию.
В некоторых примерах, первая электропроводная структура представляет собой второй электрод третьего транзистора, первая поверхностная микроструктура и вторая поверхностная микроструктура расположены на втором электроде третьего транзистора, и первая поверхностная микроструктура по меньшей мере частично накладывается на четвертое сквозное отверстие в направлении, перпендикулярном к базовой подложке.
В некоторых примерах, активный слой третьего транзистора содержит первую электродную контактную область, вторую электродную контактную область и область канала между этими первой электродной контактной областью и второй электродной контактной областью; и первый электрод третьего транзистора электрически соединен с первой электродной контактной областью третьего транзистора через пятое сквозное отверстие.
В некоторых примерах, первая электропроводная структура представляет собой первый электрод третьего транзистора, первая поверхностная микроструктура и вторая поверхностная микроструктура расположены на первом электроде третьего транзистора, и первая поверхностная микроструктура по меньшей мере частично накладывается на пятое сквозное отверстие в направлении, перпендикулярном к базовой подложке.
По меньшей мере один из вариантов настоящего изобретения далее предлагает дисплейную подложку, содержащую базовую подложку и первую электропроводную структуру на базовой подложке. Эта первая электропроводная структура имеет первую поверхность и вторую поверхность, обращенную прочь от базовой подложки; эти первая поверхность и вторая поверхность выполнены из одного и того же материала; первая поверхность выполнена с первой поверхностной микроструктурой, и вторая поверхность выполнена со второй поверхностной микроструктурой; эта первая поверхностная микроструктура имеет первое поперечное сечение, перпендикулярное базовой подложке, и эта вторая поверхностная микроструктура имеет второе поперечное сечение, перпендикулярное базовой подложке; первая поверхностная микроструктура имеет первую оконечную точку и вторую оконечную точку в первом поперечном сечении; и вторая поверхностная микроструктур имеет третью оконечную точка и четвертую оконечную точку во втором поперечном сечении; и расстояние от средней точки соединительной линии между первой оконечной точкой и второй оконечной точкой до несущей верхней поверхности базовой подложки отличается от расстояния от средней точки соединительной линии между третьей оконечной точкой и четвертой оконечной точкой до несущей верхней поверхности базовой подложки.
В некоторых примерах, минимальная толщина первой электропроводной структуры у первой поверхностной микроструктуры меньше средней толщины первой электропроводной структуры и больше 3/5 этой средней толщины первой электропроводной структуры.
В некоторых примерах, первая электропроводная структура далее содержит третью поверхность и четвертую поверхность, обращенную к базовой подложке; в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, первая поверхностная микроструктура по меньшей мере частично накладывается на третью поверхность и вторая поверхностная микроструктура по меньшей мере частично накладывается на четвертую поверхность.
В некоторых примерах, по меньшей мере одна из поверхностей – третья поверхность и/или четвертая поверхность, является плоской поверхностью.
В некоторых примерах, площадь ортогональной проекции первой поверхностной микроструктуры на третью поверхность меньше площади поверхности первой поверхностной микроструктуры; и площадь ортогональной проекции второй поверхностной микроструктуры на четвертую поверхность меньше площади поверхности второй поверхностной микроструктуры.
В некоторых примерах, первая поверхностная микроструктура далее имеет первую промежуточную точку между первой оконечной точкой и второй оконечной точкой в первом поперечном сечении; и вторая поверхностная микроструктура далее имеет вторую промежуточную точку между третьей оконечной точкой и четвертой оконечной точкой во втором поперечном сечении; расстояние между первой промежуточной точкой и третьей поверхностью не равно ни расстоянию между первой оконечной точкой и третьей поверхностью, ни расстоянию между второй оконечной точкой и третьей поверхностью; расстояние между второй промежуточной точкой и четвертой поверхностью не равно ни расстоянию между третьей оконечной точкой и четвертой поверхностью, ни расстоянию между четвертой оконечной точкой и четвертой поверхностью.
В некоторых примерах, первая поверхность образует первый внутренний угол с несущей верхней поверхностью базовой подложки, вторая поверхность образует второй внутренний угол с несущей верхней поверхностью базовой подложки, и первый внутренний угол отличается от второго внутреннего угла.
В некоторых примерах, первый внутренний угол больше 0 градусов; и второй внутренний угол равен 0 градусов.
В некоторых примерах, дисплейная подложка далее содержит первый изоляционный слой на стороне первой электропроводной структуры, обращенной к базовой подложке; этот первый изоляционный слой содержит первый участок в непосредственном контакте с третьей поверхностью первой электропроводной структуры и второй участок в непосредственном контакте с четвертой поверхностью первой электропроводной структуры; и минимальная толщина первого участка меньше минимальной толщины второго участка.
В некоторых примерах, дисплейная подложка далее содержит вторую электропроводную структуру на стороне первого изоляционного слоя, обращенной к базовой подложке; первый участок первого изоляционного слоя покрывает по меньшей мере часть второй электропроводной структуры.
В некоторых примерах, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, первая поверхностная микроструктура и вторая электропроводная структура не накладываются одна на другую.
В некоторых примерах, первая электропроводная структура электрически соединена со второй электропроводной структурой через первое сквозное отверстие, проходящее сквозь первый изоляционный слой; и в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, первая поверхностная микроструктура по меньшей мере частично накладывается на первое сквозное отверстие.
В некоторых примерах, первый изоляционный слой содержит первый субслой и второй субслой, расположенные один на другом, причем второй субслой находится дальше от базовой подложки, чем первый субслой; и первый субслой имеет первую боковую поверхность, доступную через первое сквозное отверстие, второй субслой имеет вторую боковую поверхность, доступную через первое сквозное отверстие, и по меньшей мере одна из этих поверхностей – первая боковая поверхность и/или вторая боковая поверхность, находится в непосредственном контакте с третьей поверхностью первой электропроводной структуры.
В некоторых примерах, внутренний угол между первой боковой поверхностью и базовой подложкой больше внутреннего угла между второй боковой поверхностью и базовой подложкой.
В некоторых примерах, компактность второго субслоя выше компактности первого субслоя.
В некоторых примерах, содержание кислорода на первой поверхности выше содержания кислорода на третьей поверхности.
По меньшей мере один из вариантов настоящего изобретения далее предлагает дисплейное устройство, содержащее дисплейную подложку, выполненную посредством какого-либо одного из приведенных выше вариантов.
Краткое описание чертежей
Для четкой и ясной иллюстрации технических решений вариантов настоящего изобретения в последующем будут кратко описаны чертежи этих вариантов; очевидно, что описываемые чертежи относятся только к некоторым вариантам настоящего изобретения и. таким образом, не исчерпывают и не ограничивают настоящее изобретение.
Фиг. 1A представляет первую упрощенную схему I дисплейной подложки, предлагаемой в соответствии по меньшей мере с одним вариантом настоящего изобретения;
фиг. 1B представляет упрощенную схему II дисплейной подложки, предлагаемой в соответствии по меньшей мере с одним из вариантов настоящего изобретения;
фиг. 2A представляет упрощенную схему III дисплейной подложки, предлагаемой в соответствии по меньшей мере с одним из вариантов настоящего изобретения;
фиг. 2B представляет электрическую схему I пикселя в дисплейной подложке, предлагаемой в соответствии по меньшей мере с одним из вариантов настоящего изобретения;
фиг. 2C представляет электрическую схему II пикселя в дисплейной подложке, предлагаемой в соответствии по меньшей мере с одним из вариантов настоящего изобретения;
фиг. 2D – фиг. 2F представляют временные диаграммы сигналов согласно способу управления схемами пикселей, предлагаемому одним из вариантов настоящего изобретения;
фиг. 3A представляет упрощенную схему IV дисплейной подложки, предлагаемой в соответствии по меньшей мере с одним из вариантов настоящего изобретения;
фиг. 3B представляет вид в разрезе по линии I-I’ схемы, показанной на фиг. 3A;
фиг. 3C – фиг. 3E представляют упрощенные схемы дисплейных подложек, предлагаемых другими вариантами настоящего изобретения;
фиг. 4A представляет упрощенный вид в плане первого электропроводного слоя в дисплейной подложке, предлагаемой в соответствии по меньшей мере с одним из вариантов настоящего изобретения;
фиг. 4B представляет упрощенный вид в плане полупроводникового слоя в дисплейной подложке, предлагаемой в соответствии по меньшей мере с одним из вариантов настоящего изобретения;
фиг. 4C представляет упрощенный вид в плане второго электропроводного слоя в дисплейной подложке, предлагаемой в соответствии по меньшей мере с одним из вариантов настоящего изобретения;
фиг. 4D представляет упрощенный вид в плане третьего электропроводного слоя в дисплейной подложке, предлагаемой в соответствии по меньшей мере с одним из вариантов настоящего изобретения;
фиг. 5A представляет упрощенную схему I панели дисплея, предлагаемой в соответствии по меньшей мере с одним из вариантов настоящего изобретения;
фиг. 5B представляет упрощенную схему II панели дисплея, предлагаемой в соответствии по меньшей мере с одним из вариантов настоящего изобретения; и
фиг. 6 представляет упрощенную схему дисплейного устройства, предлагаемого в соответствии по меньшей мере с одним из вариантов настоящего изобретения.
Осуществление изобретения
Для того чтобы сделать цели, технические подробности и преимущества вариантов настоящего изобретения видимыми, технические решения этих вариантов будут описаны четко и полностью понятным образом в соединении с чертежами, относящимися к вариантам настоящего изобретения. Понятно, что описываемые здесь варианты составляют всего лишь часть, но не все варианты настоящего изобретения. На основе описываемых здесь вариантов специалисты в рассматриваемой области смогут, без каких-либо творческих усилий получить другие варианты, которые должны оставаться в пределах объема настоящего изобретения.
Если специально не определено иное, все технические и научные термины, используемые здесь, имеют такие же значения, как их обычно понимают рядовые специалисты в области, которой принадлежит настоящее изобретение. Применение терминов «первый», «второй» и т.д. не имеет целью обозначить какую-либо последовательность, величину или степень важности, а предназначено только для различения различных компонентов. Термины «содержать», «содержащий», «включать (в себя)», «включающий» и т.п. предназначены для спецификации, что элементы или объекты, указанные перед таким термином, охватывают элементы или объекты и их эквиваленты, перечисленные после такого термина, но не препятствуют добавлению других элементов или объектов к этому перечислению. Фразы «соединить», «соединенный» и т.п. не имеют целью определить физическое соединение или механическое соединение, а могут также охватывать электрическое соединение, прямое или непрямое. Предлоги «на», «под» и подобные им используются только для обозначения относительного расположения в пространстве, и когда позиция описываемого объекта изменяется, относительное расположение в пространстве также может измениться соответствующим образом.
По мере развития панелей дисплеев в направлении уменьшения толщины и снижения веса, особенно в приложениях с дисплеями большого размера, панель дисплея подвержена образованию дефектов из-за механических напряжений, вызванных внешними воздействиями; например, в процессе изготовления или использования, в сигнальных линиях на панели дисплея под воздействием внешних нагрузок и напряжений легко образуются трещины, вызывающие неисправности панели.
По меньшей мере один из вариантов настоящего изобретения предлагает дисплейную подложку, содержащую базовую подложку и первую электропроводную структуру на этой базовой подложке. Первая электропроводная структура содержит первую поверхность и вторую поверхность, обращенную прочь от базовой подложки, причем эти первая поверхность и вторая поверхность выполнены из одного и того же материала; первая поверхность образует первый внутренний угол с несущей верхней поверхностью базовой подложки, вторая поверхность образует второй внутренний угол с несущей верхней поверхностью базовой подложки; на первой поверхности создана первая поверхностная микроструктура, и на второй поверхности создана вторая поверхностная микроструктура; первая электропроводная структура далее имеет третью поверхность и четвертую поверхность, обращенную к базовой подложке, третья поверхность противоположна первой поверхности, и четвертая поверхность противоположна второй поверхности; первая поверхностная микроструктура имеет первое поперечное сечение, перпендикулярное базовой подложке, это первое поперечное сечение имеет первую ортогональную проекцию на третью поверхность, и длина этой первой ортогональной проекции меньше длины первого поперечного сечения; и вторая поверхностная микроструктура имеет второе поперечное сечение, перпендикулярное базовой подложке, это второе поперечное сечение имеет вторую ортогональную проекцию на четвертую поверхность, и длина этой второй ортогональной проекции меньше длины второго поперечного сечения. В дисплейной подложке, изготовленной согласно одному из вариантов настоящего изобретения, первая поверхностная микроструктура и вторая поверхностная микроструктура выполнены, соответственно, на первой поверхности и на второй поверхности первой электропроводной структуры, так что первая электропроводная структура может иметь механические напряжения, снимаемые под разными углами или в разных направлениях, чтобы избежать концентраций механических напряжений, ведущих к выходу панели из строя.
Благодаря созданию первой поверхностной микроструктуры на первой поверхности и второй поверхностной микроструктуры на второй поверхности первой электропроводной структуры, дисплейная подложка, изготовленная в соответствии с вариантами настоящего изобретения, может позволить первой электропроводной структуре снимать механические напряжения с разных углов или разных направлений, предотвращая тем самым выход дисплейной подложки из строя вследствие концентрации механических напряжений.
Первая поверхностная микроструктура и вторая поверхностная микроструктура в соответствии с вариантами настоящего изобретения могут быть реализованы в виде различных специфических структур, что никак не ограничено в настоящем изобретении. Например, эти поверхностная микроструктура и вторая поверхностная микроструктура представляют собой канавки, выступы или сквозные отверстия, и эти структуры могут эффективно увеличить площадь поверхности электропроводной структуры, помогая тем самым снять механические напряжения.
На фиг. 1A показана упрощенная схема дисплейной подложки 10, предлагаемой по меньшей мере одним из вариантов настоящего изобретения. Как показано на фиг. 1A, дисплейная подложка 10 содержит первую электропроводную структуру 110, расположенную на базовой подложке 101, эта первая электропроводная структура 110 имеет первую поверхность 111 и вторую поверхность 112, обращенную прочь от базовой подложки 101, первая поверхность 111 и несущая верхняя поверхность базовой подложки 101 образуют первый внутренний угол α, и вторая поверхность 112 несущая верхняя поверхность базовой подложки 101 образуют второй внутренний угол, причем первый внутренний угол отличается от второго внутреннего угла. Например, первый внутренний угол α больше 0, иными словами, первая поверхность 111 является наклонной поверхностью; например, второй внутренний угол равен 0, иными словами, вторая поверхность 112 параллельна несущей верхней поверхности базовой подложки. На первой поверхности 111 выполнена первая поверхностная микроструктура 11; и на второй поверхности 112 выполнена вторая поверхностная микроструктура 12.
Например, максимальный размер ортогональной проекции первой поверхностной микроструктуры 11 на первую поверхность 111 больше максимального размера ортогональной проекции второй поверхностной микроструктуры 12 на вторую поверхность 112. Например, максимальный размер первой поверхностной микроструктуры 11 в направлении, перпендикулярном к первой поверхности 111, больше максимального размера второй поверхностной микроструктуры 12 в направлении, перпендикулярном ко второй поверхности 112. Поскольку первая поверхность 111 в большей степени наклонена относительно базовой подложки, чем вторая поверхность 112, и обладает более высокой концентрацией механических напряжений, установление большего размера первой поверхностной микроструктура 11 помогает снимать механические напряжения более равномерно.
Например, максимальный размер ортогональной проекции первой поверхностной микроструктуры 11 на первую поверхность 111 составляет от 0.15 мкм до 0.35 мкм, например, от 0.22 мкм до 0.28 мкм; в направлении, перпендикулярном к первой поверхности 111, максимальный размер первой поверхностной микроструктуры 11 составляет от 0.03 мкм до 0.1 мкм, например, от 0.05 мкм до 0.08 мкм. Например, ширина линии первой электропроводной структуры составляет от 5 мкм до 30 мкм. Например, максимальный размер первой поверхностной микроструктуры 11 в направлении, перпендикулярном к первой поверхности 111, составляет от 5% до 20% средней толщины первой электропроводной структуры.
Например, максимальный размер ортогональной проекции второй поверхностной микроструктуры 12 на вторую поверхность 112 составляет от 0.1 мкм до 0.2 мкм, например, от 0.12 мкм до 0.15 мкм; в направлении, перпендикулярном ко второй поверхности 112, максимальный размер второй поверхностной микроструктуры 12 составляет от 0.02 мкм до 0.08 мкм, например, от 0.03 мкм до 0.07 мкм. Ширина линии первой электропроводной структуры составляет от 5 мкм до 30 мкм. Например, максимальный размер второй поверхностной микроструктуры 12 в направлении, перпендикулярном ко второй поверхности 112, составляет от 5% до 20% средней толщины первой электропроводной структуры.
Такая конфигурация может позволить поверхностным микроструктурам эффективно снимать механические напряжения, предотвращая, в то же время, образование дефектов первой электропроводной структуры из-за расположения и конфигурации поверхностных микроструктур. Как показано на фиг. 1A, первая электропроводная структура 110 далее имеет третью поверхность 113 и четвертую поверхность 114, обращенную к базовой подложке 101; третья поверхность 113 противоположна первой поверхности 111; и четвертая поверхность 114 противоположна второй поверхности 112.
Первая поверхностная микроструктура 11 имеет первое поперечное сечение 11a, перпендикулярное базовой подложке, и вторая поверхностная микроструктура имеет второе поперечное сечение 12a, перпендикулярное базовой подложке. Например, как показано на фиг. 1A, первое поперечное сечение 11a и второе поперечное сечение 12a оба лежат в плоскости чертежа. Первое поперечное сечение 11a имеет первую ортогональную проекцию (C1C2) на третью поверхность 113, и длина этой первой ортогональной проекции меньше длины первой поверхностной микроструктуры 11 в первом поперечном сечении 11a, иными словами, длины кривой A1A2. Вторая поверхностная микроструктура 12 имеет второе поперечное сечение 12a в первой проекционной плоскости; это второе поперечное сечение 12a имеет вторую ортогональную проекцию (D1D2) на четвертую проекцию 114; и длина этой второй ортогональной проекции меньше длины второй поверхностной микроструктуры 12 во втором поперечном сечении 12a, иными словами, длины кривой B1B2.
Кривая A1A2 или B1B2 может эффективно увеличить площадь поверхности первой поверхностной микроструктуры 11 или второй поверхностной микроструктуры 12, повышая тем самым способность этих первой поверхностной микроструктуры 11 и второй поверхностной микроструктуры 12 снимать механические напряжения. Например, кривая A1A2 и/или кривая B1B2 содержат дуги, так что устранение механических напряжений происходит более равномерно.
И первое поперечное сечение 11a, и второе поперечное сечение 12a проецируются в линейную структуру (одномерную структуру); и эта линейная структура связана с формами третьей поверхности и четвертой поверхности. Если третья поверхность и четвертая поверхность являются плоскими поверхностями, первая ортогональная проекция и вторая ортогональная проекция представляют собой прямые линии, как показано на фиг. 1A; если третья поверхность и четвертая поверхность являются криволинейными поверхностями, первая ортогональная проекция и вторая ортогональная проекция представляют собой соответственно кривые линии.
Например, следует отметить, что если проекционная плоскость представляет собой криволинейную поверхность, ортогональная проекция некоторой структуры на эту проекционную область представляет собой проекцию структуры на эту проекционную плоскость в направлении нормали к каждой точке этой проекционной плоскости.
Например, по меньшей мере одна из поверхностей – третья поверхность 113 и/или четвертая поверхность 114 является плоской поверхностью. Как показано на фиг. 1A, эти третья поверхность 113 и четвертая поверхность 114 обе являются плоскими поверхностями. В направлении, перпендикулярном к базовой подложке 101, первая поверхностная микроструктура 11 по меньшей мере частично накладывается на третью поверхность 113, и вторая поверхностная микроструктура 12 по меньшей мере частично накладывается на четвертую поверхность 114.
Следует отметить, что плоскостность третьей поверхности 113 и четвертой поверхности 114 оценивается относительно характерного масштаба первой поверхностной микроструктуры 11 или второй поверхностной микроструктуры 12; и масштаб для оценки плоскостности третьей поверхности 113 и четвертой поверхности 114 должен быть такого же порядка, как характерный масштаб первой поверхностной микроструктуры 11 или второй поверхностной микроструктуры 12. Например, оценочный масштаб в направлении, параллельном третьей поверхности 113 или четвертой поверхности 114, должен быть порядка 0.1 мкм, а оценочный масштаб в направлении, перпендикулярном к третьей поверхности 113 или четвертой поверхности 114, должен быть порядка 0,01 мкм. Например, если третья поверхность 113/четвертая поверхность 114 имеет вогнутую или выпуклую структуру с размером, достигающим величины порядка 0.1 мкм, в параллельном направлении и размером, достигающим величины порядка 0.01 мкм, в вертикальном направлении, считается, что третья поверхность 113/ четвертая поверхность 114 являются неплоскими поверхностями.
Например, площадь ортогональной проекции первой поверхностной микроструктуры 11 на третью поверхность 113 меньше площади поверхности этой первой поверхностной микроструктуры; и площадь ортогональной проекции второй поверхностной микроструктуры 12 на четвертую поверхность 114 меньше площади поверхности этой второй поверхностной микроструктуры. Такая конфигурация увеличивает площадь поверхности электропроводной структуры, что помогает снятию механических напряжений.
Например, в направлении протяженности первой электропроводной структуры, первая поверхностная микроструктура имеет первую оконечную точку, первую промежуточную точку и вторую оконечную точку; и вторая поверхностная микроструктура имеет третью оконечную точку, вторую промежуточную точку и четвертую конечную точку; расстояние между первой промежуточной точкой и третьей поверхностью не равно ни расстоянию между первой оконечной точкой и третьей поверхностью, ни расстоянию между второй оконечной точкой и этой третьей поверхностью; расстояние между второй промежуточной точкой и четвертой поверхностью не равно ни расстоянию между третьей оконечной точкой и четвертой поверхностью, ни расстоянию между четвертой оконечной точкой и четвертой поверхностью.
Например, как показано на фиг. 1A, первая поверхностная микроструктура 11 и вторая поверхностная микроструктура 12, соответственно, содержат первую вогнутую структуру и вторую вогнутую структуру; и первая вогнутая структура является вогнутой относительно опорной плоскости, в которой расположена первая поверхность 111; вторая вогнутая структура является вогнутой относительно опорной плоскости, в которой расположена вторая поверхность 112. Такая вогнутая структура увеличивает площадь поверхности первой электропроводной структуры 110, что помогает снять механические напряжения и уменьшает риск раскалывания, когда первая электропроводная структура 110 подвергается механическим напряжениям.
Как показано на фиг. 1A, первая вогнутая структура и вторая вогнутая структура, соответственно, обращены в разных направлениях. Например, ориентация первой вогнутой структуры может быть определена как направление, перпендикулярное к первой поверхности 111; и ориентация второй вогнутой структуры может быть определена как направление, перпендикулярное ко второй поверхности 112. Это помогает рассеять механические напряжения в первой электропроводной структуре 110 и еще более уменьшить риск появления дефектов. Например, максимальная глубина вогнутой структуры составляет от одной десятой до двух пятых толщины первой электропроводной структуры в месте расположения вогнутой структуры.
Например, минимальная толщина первой электропроводной структуры в области первой поверхностной микроструктуры меньше средней толщины этой первой электропроводной структуры и больше 3/5 этой средней толщины первой электропроводной структуры.
Например, как показано на фиг. 1A, первая поверхностная микроструктура 11 имеет первую оконечную точку A1 и вторую оконечную точку A2 в первом поперечном сечении 11a; и вторая поверхностная микроструктура 12 имеет третью оконечную точку B1 и четвертую оконечную точку B2 во втором поперечном сечении 12a. Расстояние от средней точки (не показана) отрезка прямой между первой оконечной точкой A1 и второй оконечной точкой A2 до несущей верхней поверхности базовой подложки 101 отличается от расстояния от средней точки (не показана) отрезка прямой между третьей оконечной точкой B1 и четвертой оконечной точкой B2 до несущей верхней поверхности базовой подложки 101. Такая конфигурация позволяет первой поверхностной микроструктуре 11 и второй поверхностной микроструктуре 12 иметь разные высоты относительно базовой подложки, что помогает еще больше рассеять механические напряжения в первой электропроводной структуре 110 и уменьшить риск появления дефектов.
Например, расстояние L1 между первой оконечной точкой A1 и второй оконечной точкой A2 больше расстояния L2 между третьей оконечной точкой B1 и четвертой оконечной точкой B2. Например, максимальный размер первой вогнутой структуры в направлении, перпендикулярном к первой поверхности 111, больше максимального размера второй вогнутой структуры в направлении, перпендикулярном ко второй поверхности 112.
Например, расстояние L1 первой оконечной точкой A1 и второй оконечной точкой A2 и расстояние L2 между третьей оконечной точкой B1 и четвертой оконечной точкой B2 соответственно больше 0.1 мкм и меньше 1 мкм.
Например, расстояние L1 между первой оконечной точкой A1 и второй оконечной точкой A2 больше чем расстояние L2 между третьей оконечной точкой B1 и четвертой оконечной точкой B2; иными словами, длина первой поверхностной микроструктуры на наклонной поверхности больше.
Например, расстояние L1 между первой оконечной точкой A1 и второй оконечной точкой A2 составляет от 0,15 мкм до 0,35 мкм, например, от 0,22 мкм до 0,28 мкм; например, максимальный размер первой вогнутой структуры в направлении, перпендикулярном к первой поверхности 111, составляет от 0,03 мкм до 0,1 мкм, например, от 0,05 мкм до 0,08 мкм. Такие диапазоны размеров не только обеспечивают, что электропроводная структура не разрушится, но также могут полностью снять механические напряжения.
Например, расстояние L2 между третьей оконечной точкой B1 и четвертой оконечной точкой B2 составляет от 0,1 мкм до 0,2 мкм, например, от 0,12 мкм до 0,15 мкм; например, максимальный размер второй вогнутой структуры в направлении, перпендикулярном ко второй поверхности 112, составляет от 0,02 мкм до 0,08 мкм, например, от 0,03 мкм до 0,07 мкм.
Поскольку первая поверхность 111 сильнее наклонена относительно базовой подложки, чем вторая поверхность 112, и механические напряжения сконцентрированы сильнее, установление большего размера первой вогнутой структуры помогает снимать механические напряжения более равномерно. Кроме того, установление приведенных выше диапазонов размеров для первой вогнутой структуры и второй вогнутой структуры не только обеспечивает отсутствие разрушения электропроводной структуры, но также помогает снять механические напряжения.
По меньшей мере в одном из вариантов, как показано на фиг. 1A, первая поверхностная микроструктура 11 имеет первую оконечную точку A1 и вторую оконечную точку A2 в первом поперечном сечении 11a; и вторая поверхностная микроструктура 12 имеет третью оконечную точку B1 и четвертую оконечную точку B2 во втором поперечном сечении 12a; расстояние от средней точки соединительной линии между первой оконечной точкой A1 и второй оконечной точкой A2 до несущей верхней поверхности базовой подложки 101 отличается от расстояния от средней точки соединительной линии между третьей оконечной точкой B1 и четвертой оконечной точкой B2 до несущей верхней поверхности базовой подложки 101.
Такая конфигурация позволяет первой поверхностной микроструктуре 11 и второй поверхностной микроструктуре 12 иметь разные высоты относительно базовой подложки, что помогает дальше рассеивать механические напряжения в первой электропроводной структуре 110 и уменьшает риск дефектов. Например, шероховатость первой поверхности 111 выше шероховатости третьей поверхности 113; и шероховатость второй поверхности 112 выше шероховатости четвертой поверхности 114. Такая конфигурация может улучшить прямую адгезию между первой электропроводной структурой 110 и расположенным на ней изоляционным слоем и может предотвратить отрыв изоляционного слоя. Например, поверхность на стороне первой электропроводной структуры 110, обращенной прочь от базовой подложки, может быть слегка оксидирована в процессе изготовления для увеличения шероховатости поверхности, повышая тем самым шероховатость первой поверхности и второй поверхности. Например, содержание кислорода на первой поверхности 111 выше, чем на третьей поверхности 113; и содержание кислорода на второй поверхности 112 выше, чем на четвертой поверхности 114.
Например, как показано на фиг. 1A, дисплейная подложка 10 далее содержит первый изоляционный слой 103, расположенный на стороне первой электропроводной структуры 110, обращенной к базовой подложке 101; первый изоляционный слой 103 содержит первый участок 103a и второй участок 103b, соответственно, в непосредственном контакте с третьей поверхностью 113 и с четвертой поверхностью 114 первой электропроводной структуры 110; минимальная толщина d1 первого участка 103a меньше минимальной толщины d2 второго участка 103b. Следует отметить, что как показано на фиг. 1A, толщиной здесь называется размер первого изоляционного слоя 103 в направлении, перпендикулярном к поверхности пленочного слоя. Поскольку третья поверхность 113 является наклонной поверхностью, такая конфигурация уменьшает толщину первого участка 103 первого изоляционного слоя 103, что помогает уменьшить затруднения подъема первого участка 103a первого изоляционного слоя 103, уменьшая тем самым риск разрушения первой электропроводной структуры 110.
Например, точка первой поверхностной микроструктуры, ближайшая к третьей поверхности не является ни первой оконечной точкой, ни второй оконечной точкой, и отделена неравными расстояниями от первой оконечной точки и от второй оконечной точки.
Например, как показано на фиг. 1A, первая вогнутая структура содержит гладкую криволинейную поверхность, на которой внутренний угол между касательной к этой криволинейной поверхности и базовой подложкой 101 изменяется непрерывно; в направлении прочь от базовой подложки 101 скорость изменения внутреннего угла между касательной к криволинейной поверхности и базовой подложкой 101 плавно увеличивается, иными словами, первая вогнутая структура является асимметричной, и угол наклона в области выше (на стороне, обращенной прочь от базовой подложки) меньше угла наклона в области ниже (на стороне, обращенной ближе к базовой подложке).
Поскольку обращенная кверху вогнутая поверхность легче отражает падающий сверху свет, такая конфигурация позволяет первой электропроводной структуре лучше отражать свет, испускаемый светоизлучающим элементом, расположенным на стороне первой электропроводной структуры, обращенной прочь от базовой подложки, повышая тем самым эффективность использования света. Это будет описано подробно позднее в связи с конкретной структурой дисплейной подложки.
Например, как показано на фиг. 1A, вторая вогнутая структура содержит гладкую криволинейную поверхность; криволинейная поверхность имеет, например, симметричную структуру, иными словами, внутренний угол между касательной к криволинейной поверхности и базовой подложкой 101 изменяется непрерывно, так что скорость изменения угла остается неизменной. Такая конфигурация помогает снимать механические напряжения равномерно в плоскости.
Как показано на фиг. 1A, дисплейная подложка 10 далее содержит вторую электропроводную структуру 120, расположенную на стороне первого изоляционного слоя 103, обращенной к базовой подложке, например, первый изоляционный слой 103 разделяет первую электропроводную структуру 110 и вторую электропроводную структуру 120. Например, первый изоляционный слой 103 создан на второй электропроводной структуре 120, и первая поверхность 113 первого изоляционного слоя 103 образована в виде наклонной поверхности из-за существования второй электропроводной структуры 120.
Например, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке 101, первая поверхностная микроструктура 11 не накладывается на вторую электропроводную структуру 120. Поскольку механические напряжения в первой поверхностной микроструктуре 11, особенно в самой глубокой части этой первой поверхностной микроструктуры 11, оказываются относительно сконцентрированными, первая поверхностная микроструктура 11 выполнена так, чтобы не накладываться на вторую электропроводную структуру 120, что уменьшает риск короткого замыкания между первой электропроводной структурой 110 и второй электропроводной структурой 120, которое могло бы возникнуть из-за раскалывания первой поверхностной микроструктуры 11.
Например, как показано на фиг. 1A, дисплейная подложка 10 далее содержит буферный слой 102, расположенный на стороне второй электропроводной структуры 120, обращенной к базовой подложке, например, буферный слой 102 находится в непосредственном контакте с базовой подложкой 101. Буферный слой 102 помогает улучшить плоскостность базовой подложки 101 и усилить адгезию второй электропроводной структуры 120 к базовой подложке 101. Когда базовая подложка 101 представляет собой гибкую подложку из органического материала, буферный слой 102 может также эффективно изолировать внешний кислород или влагу для защиты схемной структуры на подложке.
На фиг. 1B представлена упрощенная схема дисплейной подложки, предлагаемый другим вариантом настоящего изобретения, и на этой схеме показана только первая поверхностная микроструктура 11. Как показано на фиг. 1B, первая электропроводная структура 110 электрически соединена со второй электропроводной структурой 120 через сквозное отверстие 130 в изоляционном слое 103; и это сквозное отверстие 130 по меньшей мере частично накладывается на первую поверхностную микроструктуру 11 в направлении, перпендикулярном к базовой подложке 101.
Поскольку в сквозном отверстии имеет место относительная концентрация механических напряжений, расположение поверхностной микроструктуры 11 в соответствии со сквозным отверстием 130 может помочь уменьшить механические напряжения в этом сквозном отверстии и снизить риск отрыва.
Как показано на фиг. 1B, первый изоляционный слой 103 содержит первый субслой 131 и второй субслой 132, расположенные один на другом; где второй субслой 132 расположен дальше от базовой подложки 101, чем первый субслой 131. Сквозное отверстие 130 проходит сквозь первый субслой 131 и второй субслой 132. Первый субслой 131 содержит первую боковую поверхность 131a, доступную через сквозное отверстие 130; второй субслой 132 содержит вторую боковую поверхность 132a, доступную через сквозное отверстие 130; и по меньшей мере одна из этих первой боковой поверхности 131a и второй боковой поверхности 132a находится в непосредственном контакте с третьей поверхностью 133 первой электропроводной структуры 130. Как показано на фиг. 1B, первая боковая поверхность 131a находится в непосредственном контакте с третьей поверхностью 133 первой электропроводной структуры 130.
Как показано на фиг. 1B, внутренний угол (угол наклона) между первой боковой поверхностью 131a и базовой подложкой 101 равен β1; внутренний угол между второй боковой поверхностью 132a и базовой подложкой 101 равен β2; и β1 меньше β2.
Такая конфигурация, с одной стороны, может сгладить градиент наклона первого изоляционного слоя 103 в сквозном отверстии 130, предотвращая тем самым ситуацию, когда сквозное отверстие станет слишком крутым, создавая риск обрыва, а с другой стороны, можно предотвратить ситуацию, когда сквозное отверстие станет слишком плавным, создавая ситуацию, когда сквозное отверстие будет занимать слишком много места.
Например, в процессе изготовления, первый субслой 131 может быть создан посредством осаждения при высокой температуре; и второй субслой 132 может быть создан посредством осаждения при низкой температуре, так что компактность второго субслоя 132 выше компактности первого субслоя 131; и затем этот первый изоляционный слой подвергают сухому травлению, так что угол наклона первого субслоя 131 меньше угла наклона второго субслоя 132.
На фиг. 2A представлена блок-схема дисплейной подложки, предлагаемой по меньшей мере одним вариантом настоящего изобретения. Как показано на фиг. 2A, дисплейная подложка 10 содержит несколько субпикселей 100, расположенных в виде матрицы, например, каждый субпиксель 100 содержит светоизлучающий элемент и пиксельную схему, возбуждающую светоизлучающий элемент для излучения света. Например, дисплейная подложка представляет собой подложку дисплея на органических светодиодах (Organic Light-Emitting Diode (OLED)), а светоизлучающий элемент представляет собой светодиод OLED. Дисплейная подложка может далее содержать несколько линий развертки и несколько линий данных, конфигурированных для подачи нескольких сигналов развертки (сигналов управления) и сигналов данных нескольким субпикселям с целью возбуждения указанных субпикселей. Дисплейная подложка можно далее содержать, по мере необходимости, линию питания, регистрирующую линию и т.п.
Пиксельная схема содержит драйверную подсхему, конфигурированную для возбуждения светоизлучающего элемента для излучения света, и регистрирующую подсхему, конфигурированную для определения электрических характеристик субпикселя, чтобы реализовать внешнюю компенсацию. Конкретная структура пиксельной схемы в вариантах настоящего изобретения не ограничивается.
Фиг. 2B показывает упрощенную конфигурацию пиксельной схемы типа 3T1C, используемой в дисплейной подложке. По мере необходимости пиксельная схема может далее содержать схему компенсации, схему сброса и т.п., что в вариантах настоящего изобретения не ограничивается.
Обращаясь к фиг. 2A и фиг. 2B вместе, пиксельная схема содержит первый транзистор T1, второй транзистор T2, третий транзистор T3 и накопительный конденсатор Cst. Первый электрод второго транзистора T2 электрически соединен с первым электродом накопительного конденсатора Cst и электродом затвора первого транзистора T1, второй электрод второго транзистора T2 конфигурирован для приема сигнала GT данных, второй транзистор T2 конфигурирован для записи сигнала DT данных на электроде затвора первого транзистора T1 и в накопительном конденсаторе Cst в ответ на первый сигнал G1 управления; первый электрод первого транзистора T1 электрически соединен со вторым электродом накопительного конденсатора Cst, и конфигурирован для электрического соединения с первым электродом светоизлучающего элемента, второй электрод первого транзистора T1 конфигурирован для приема первого напряжения V1 питания (например, высокого напряжения VDD питания), и первый транзистор T1 конфигурирован для регулирования тока, используемого для возбуждения светоизлучающего элемента, под управлением напряжения на электроде затвора первого транзистора T1; первый электрод третьего транзистора T3 электрически соединен с первым электродом первого транзистора T1 и со вторым электродом накопительного конденсатора Cst, второй электрод третьего транзистора T3 конфигурирован для соединения с регистрирующей линией 230 с целью соединения с внешней регистрирующей схемой 21, третий транзистор T3 конфигурирован для определения электрических характеристик субпикселя, которому принадлежит этот транзистор, в ответ на второй сигнал G2 управления, с целью осуществления внешней компенсации; и совокупность этих электрических характеристик содержит, например, пороговое напряжение и/или подвижность носителей заряда в первом транзисторе T1, или пороговое напряжение, ток возбуждения и т.п. светоизлучающего элемента. Внешняя регистрирующая схема 21 является, например, обычной схемой, содержащей цифро-аналоговый преобразователь (ЦАП (Digital-to-Analog Converter (DAC))) и аналого-цифровой преобразователь (АЦП (Analog-to-Digital Converter (ADC))), и т.п., и никакие подробности не будут повторены в описании варианта настоящего изобретения.
Транзисторы, принятые в вариантах настоящего изобретения, могут все быть тонкопленочными транзисторами или полевыми транзисторами или другими переключающими приборами с такими же характеристиками; и варианты настоящего изобретения все описаны здесь с использованием тонкопленочных транзисторов в качестве примера. Электрод истока и электрод стока транзистора, принятого здесь, могут быть симметричными по структуре, так что электрод истока и электрод стока такого транзистора могут быть структурно неразличимыми. В вариантах настоящего изобретения, для различения двух электродов транзистора, отличных от электрода затвора, один электрод будет прямо называться первым электродом, а другой элемент будет называться вторым электродом. В дополнение к этому, транзистор может быть классифицирован как транзистор N-типа или транзистор P-типа в соответствии с характеристиками транзистора. Когда транзистор является транзистором P-типа, напряжение отпирания (On) является напряжением низкого уровня (например, 0 В, -5 В, -10 В или другое подходящее напряжение), и напряжение запирания (OFF) является напряжением высокого уровня (например, 5 В, 10 В или другое подходящее напряжение)); когда транзистор является транзистором N-типа, отпирающее напряжение (ON) является напряжением высокого уровня (например, 5 В, 10 В или другое подходящее напряжение), и запирающее напряжение (OFF) является напряжение низкого уровня (например, 0 В, -5 В, -10 В или другое подходящее напряжение). Следует отметить, что приведенное ниже описание построено с использованием транзистора N-типа в качестве транзистора, показанного на фиг. 2B, что в вариантах настоящего изобретения не ограничивается.
Принцип работы пиксельной схемы, показанной на фиг. 2B, будет описан ниже в соединении с временными диаграммами сигналов, показанными на фиг. 2D – фиг. 2F, где фиг. 2D показывает временные диаграммы пиксельной схемы во время работы дисплея, и фиг. 2E и фиг. 2F показывают временные диаграммы сигналов в пиксельной схеме в процессе регистрации.
Например, как показано на фиг. 2D, процедура представления каждого кадра изображения содержит стадию 1 записи данных и сброса и стадию 2 излучения света. На фиг. 2D показаны временные диаграммы соответствующих сигналов на каждой стадии. Процедура работы такой пиксельной схемы типа 3T1C содержит: на стадии 1 записи данных и сброса, первый сигнал G1 управления и второй сигнал G2 управления оба являются отпирающими (ON) сигналами, второй транзистор T2 и третий транзистор T3 отпираются, сигнал DT данных проходит на электрод затвора первого транзистора T1 через второй транзистор T2, первый ключ K1 замыкается и аналого-цифровой преобразователь записывает сигнал сброса на первый электрод (например, на анод диода OLED) светоизлучающего элемента через регистрирующую линию 230 и третий транзистор T3, первый транзистор T1 отпирается и генерирует ток возбуждения для заряда первого электрода светоизлучающего элемента до рабочего напряжения; на стадии 2 излучения света, первый сигнал G1 управления и второй сигнал G2 управления являются запирающими (OFF) сигналами, вследствие стартового эффекта накопительного конденсатора Cst, напряжение между обоими электродами накопительного конденсатора Cst остается неизменным, первый транзистор T1 работает в состоянии насыщения, когда ток остается неизменным, и возбуждает светоизлучающий элемент для излучения света.
Например, фиг. 2E показывает временную диаграмму сигнала в пиксельной схеме при регистрации порогового напряжения. Процедура работы пиксельной схемы типа 3T1C содержит: первый сигнал G1 управления и второй сигнал G2 управления оба являются отпирающими (ON) сигналами, второй транзистор T2 и третий транзистор T3 отпираются, и сигнал DT данных передают электроду затвора первого транзистора T1 через второй транзистор T2; первый ключ K1 замыкается, аналого-цифровой преобразователь записывает сигнал сброса на первый электрод (узел S) светоизлучающего элемента через регистрирующую линию 230 и третий транзистор T3, первый транзистор T1 отпирается и заряжает узел S до тех пор, пока не произойдет запирание первого транзистора, и цифро-аналоговый преобразователь выполнит отсчет напряжения в регистрирующей линии 230 для получения порогового напряжения первого транзистора T1. Эта процедура может быть выполнена при выключении дисплейного устройства, например.
Например, фиг. 2F показывает временную диаграмму сигнала в пиксельной схеме при определении подвижности носителей заряда. Процедура работы пиксельной схемы типа 3T1C содержит: на первой стадии, первый сигнал G1 управления и второй сигнал G2 управления оба являются отпирающими (ON) сигналами, второй транзистор T2 и третий транзистор T3 отпираются, сигнал DT данных проходит на электрод затвора первого транзистора T1 через второй транзистор T2; первый ключ K1 замыкается, и аналого-цифровой преобразователь записывает сигнал сброса на первом электроде (узел S) светоизлучающего элемента через регистрирующую линию 230 и третий транзистор T3; на второй стадии, первый сигнал G1 управления является запирающим (OFF) сигналом, второй сигнал G1 управления является отпирающим (ON) сигналом, второй транзистор T2 запирается, третий транзистор T3 отпирается, первый ключ K1 и второй ключ K2 размыкаются, чтобы оставить регистрирующую линию 230 под плавающим потенциалом; вследствие стартового эффекта накопительного конденсатора Cst, напряжение между обоими электродами накопительного конденсатора Cst остается неизменным, первый транзистор T1 работает в состоянии насыщения, когда ток остается неизменным, и возбуждает светоизлучающий элемент для излучения света, затем цифро-аналоговый преобразователь выполняет отсчет напряжения в регистрирующей линии 230, и, используя сочетание величины и продолжительности светоизлучающего тока, может вычислить подвижность носителей заряда в первом транзисторе T1. Например, эта процедура может быть выполнена на стадии гашения между дисплейными стадиями.
Посредством описанной выше регистрации могут быть получены электрические характеристики первого транзистора T1, и может быть реализован соответствующий алгоритм компенсации.
Например, как показано на фиг. 2A, дисплейная подложка 10 может далее содержать схему 23 драйвера данных и схему 24 драйвера развертки. Схема 23 драйвера данных конфигурирована для передачи сигнала данных, например, описанного выше сигнала DT данных, как это требуется (например, ввод сигнала изображения в дисплейное устройство); пиксельная схема для каждого субпикселя конфигурирована также для приема сигнала данных и передачи этого сигнала данных на электрод затвора первого транзистора. Схема 24 драйвера развертки конфигурирована для передачи различных сигналов развертки, например, описанных выше первого сигнала G1 управления и второго сигнала G2 управления, и выполнена, например, в виде кристалла интегральной схемы (Integrated Circuit (IC)) или вентильной матрицы (Gate On Array (GOA)), созданной непосредственно на дисплейной подложке.
Например, дисплейная подложка 10 далее содержит схему 22 управления. Например, эта схема 22 управления конфигурирована для управления схемой 23 драйвера данных для подачи сигнала данных и управления схемой драйвера затворов для подачи сигнала развертки. Примером схемы 22 управления является схема управления синхронизацией (Timing Control (T-con)). Схема 22 управления может быть построена разными способами, например, она может содержать процессор 121 и запоминающее устройство 127; запоминающее устройство 127 содержит выполняемый код, а процессор 121 выполняет этот код для реализации описанного выше способа регистрации.
Например, процессор 121 может представлять собой центральный процессор (central processing unit (CPU)) или процессорное устройство другого типа, способное обрабатывать данные и/или способное выполнять команды, и может содержать, например, микропроцессор, программируемый логический контроллер (programmable logic controller (PLC)) и т.п.
Например, запоминающее устройство 127 может содержать один или несколько компьютерных программных продуктов, и эти компьютерные программные продукты могут содержать различные формы читаемых компьютером носителей для хранения информации, например, энергозависимое запоминающее устройство и/или энергонезависимое запоминающее устройство. Энергозависимое запоминающее устройство может содержать, например, запоминающее устройство с произвольной выборкой (ЗУПВ (Random Access Memory (RAM))) и/или кэш-память или другое подобное устройство. Энергонезависимое запоминающее устройство может содержать, например, постоянное запоминающее устройство (ПЗУ (Read Only Memory (ROM))), жесткий диск, флэш-память или другое подобное устройство. На таком читаемом компьютером носителе для хранения информации могут быть сохранены команды одной или нескольких компьютерных программ, а процессор 121 может осуществлять желаемые функции в соответствии с этими программными командами. На таком читаемом компьютером носителе для хранения информации могут быть также сохранены различные прикладные программы и разнообразные данные, например, параметры электрических характеристик, полученные описанным выше способом регистрации.
На фиг. 3A представлена упрощенная схема субпикселя на дисплейной подложке 10, предлагаемой по меньшей мере в одном из вариантов настоящего изобретения; как показано на фиг. 3A, дисплейная подложка 10 содержит базовую подложку 101, на которой расположено множество субпикселей 100. Это множество субпикселей 100 распределено вдоль первого направления D1 и второго направления D2 в пиксельной матрице; эта пиксельная матрица содержит несколько пиксельных столбцов и несколько пиксельных строк; направлением столбцов в этой пиксельной матрице является первое направление D1, а направлением строк – второе направление; первое направление D1 и второе направление D2 пересекаются одно с другим, например, ортогональны одно другому.
Например, субпиксели в каждой пиксельной строке разбиты на несколько пиксельных единиц, и каждая пиксельная единица конфигурирована для излучения полноцветного света. На фиг. 3A показан пример пиксельной единицы, и реализация настоящего изобретения не ограничивается приведенной на этом чертеже топологией; фиг. 3B показывает вид в разрезе по линии поперечного сечения I-I’, показанной на фиг. 3A. Как показано на фиг. 3A, пиксельная единица содержит первый субпиксель P1, второй субпиксель P2 и третий субпиксель P3, расположенные последовательно один за другим во второго направления D2; эти первый субпиксель P1, второй субпиксель P2 и третий субпиксель P3 конфигурированы, соответственно, для излучения света трех основных цветов (RGB); например, первый субпиксель P1 является субпикселем красного цвета, второй субпиксель P2 является субпикселем синего цвета и третий субпиксель P3 является субпикселем зеленого цвета.
Например, пиксельная единица может далее содержать четвертый субпиксель P4; и этот четвертый субпиксель P4 конфигурирован для излучения белого света. Например, четвертый субпиксель P4 расположен между первым субпикселем P1 и вторым субпикселем P2; однако конкретное положение четвертого субпикселя P4 в этом варианте настоящего изобретения ничем ограничено не будет.
Как показано на фиг. 3A и фиг. 3B в сочетании, дисплейная подложка 10 содержит первый электропроводный слой 501, первый изоляционный слой 201, полупроводниковый слой 104, второй изоляционный слой 202, второй электропроводный слой 502, третий изоляционный слой 203 и третий электропроводный слой 503, расположенные последовательно на базовой подложке 101.
Конкретная структура субпикселей в дисплейной подложке 10, показанной на фиг. 3A, будет описана ниже. Для удобства описания в материале ниже символы T1g, T1s, T1d и T1a используются для обозначения, соответственно, электрода затвора, первого электрода, второго электрода и активного слоя первого транзистора T1; символы T2g, T2s, T2d и T2a используются для обозначения, соответственно, электрода затвора, первого электрода, второго электрода и активного слоя второго транзистора T2; символы T3g, T3s, T3d и T3a используются для обозначения, соответственно, электрода затвора, первого электрода, второго электрода и активного слоя третьего транзистора T3; символы Ca, Cb и Cc используются для обозначения, соответственно, первого конденсаторного электрода, второго конденсаторного электрода и третьего конденсаторного электрода накопительного конденсатора Cst.
Следует отметить, что в настоящем изобретении, так называемое «расположение в одном слое» обозначает, что две (или больше двух) структуры нанесены в одном и том же процессе нанесения, их рисунок формируют в одном и том же процессе создания рисунка, а материалы этих структур могут быть одинаковыми или разными. В настоящем изобретении термин «интегральная структура» обозначает структуру, образованную из двух (или больше двух) структур, соединенных одна с другой, нанесенных в одном и том же процессе нанесения, их рисунок формируют в одном и том же процессе создания рисунка, а материалы этих структур могут быть одинаковыми или разными.
Например, как показано на фиг. 3A и фиг. 3B в сочетании, первый электропроводный слой 501 содержит экранирующий слой 170; ортогональная проекция экранирующего слоя 170 на базовую подложку 101 покрывает ортогональную проекцию активного слоя T1a первого транзистора T1 на базовую подложку 101. Первый транзистор T1 служит драйверным транзистором пиксельной схемы, так что стабильность его электрических характеристик очень важна для характеристик излучения света светоизлучающим элементом. Экранирующий слой 170 представляет собой непрозрачный слой, который может предотвратить проникновение в активный слой первого транзистора T1 от обратной стороны базовой подложки 101 света, который может вызвать дрейф порогового напряжения первого транзистора T1, и тем самым избежать влияния света соответствующим светоизлучающим элементом, соединенным с этим транзистором, на характеристики излучения.
Например, этот экранирующий слой 170 выполнен из непрозрачного электропроводного материала, например, металла или металлического сплава. Такая конфигурация может ослабить явление образования противоканала в базовой подложке из-за захваченных зарядов.
Например, полупроводниковый слой 104 содержит активный слой T1a первого транзистора T1, активный слой T2a второго транзистора T2 и активный слой T3a третьего транзистора T3.
Например, полупроводниковый слой 104 далее содержит первый конденсаторный электрод Ca накопительного конденсатора Cst, этот первый конденсаторный электрод Ca создают посредством преобразования части полупроводникового слоя 104 в электропроводное состояние; иными словами, первый конденсаторный электрод Ca находится в том же самом слое, как и активный слой T1a первого транзистора T1, активный слой T2a второго транзистора и активный слой T3a третьего транзистора.
Например, второй электропроводный слой 502 содержит электрод T1g затвора первого транзистора T1, электрод T2g затвора второго транзистора T2 и электрод T3g затвора третьего транзистора T3.
Например, на дисплейной подложке 10 выполняют преобразование полупроводникового слоя 104 в электропроводное состояние (например, путем легирования) самосовмещенным способом, используя второй электропроводный слой 502 в качестве маски, так что часть полупроводникового слоя 104, не закрытая вторым электропроводным слоем 502, становится электропроводной, в результате чего образуется первый конденсаторный электрод Ca, и участки активных слоев соответствующих транзисторов, расположенные по обе стороны области канала, также становятся электропроводными для образования первой электродной контактной области и второй электродной контактной области, соответственно; эти первая электродная контактная область и вторая электродная контактная область, соответственно, конфигурированы для электрического соединения с первым электродом и вторым электродом транзистора.
Например, третий электропроводный слой 503 содержит первый электрод T1s и второй электрод T1d первого транзистора T1, первый электрод T2s и второй электрод T2d второго транзистора T2, и первый электрод T3s и второй электрод T3d третьего транзистора T3.
Например, третий электропроводный слой 503 далее содержит второй конденсаторный электрод Cb накопительного конденсатора Cst. Например, как показано на фиг. 3B, второй конденсаторный электрод Cb и второй электрод T1d первого транзистора T1 расположены в одном и том же слое и соединены один с другим в виде интегральной структуры. Как показано на фиг. 3B, первый конденсаторный электрод Ca и второй конденсаторный электрод Cb накладываются один на другой в направлении, перпендикулярном к базовой подложке 101, для образования накопительного конденсатора Cst.
На фиг. 2C показана пиксельная схема в дисплейной подложке в соответствии с другим вариантом настоящего изобретения. Например, накопительный конденсатор Cst далее содержит третий конденсаторный электрод Cc; этот третий конденсаторный электрод расположен с противоположной относительно второго конденсаторного электрода Cb стороны от первого конденсаторного электрода Ca и электрически соединен со вторым конденсаторным электродом Cb через сквозное отверстие No. 7, показанное на фиг. 3A, для образования структуры параллельных конденсаторов, увеличивающей емкость накопительного конденсатора Cst. Например, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке 101, все электроды – третий конденсаторный электрод Cc, второй конденсаторный электрод Cb и первый конденсаторный электрод Ca накладываются один на другой.
Например, как показано на фиг. 3B, третий конденсаторный электрод Cc расположен на первом электропроводном слое 501. Например, экранирующий слой 170 и второй конденсаторный электрод Cb накопительного конденсатора Cst выполнены в одном и том же слое и изготовлены из одного и того же материала. Например, экранирующий слой 170 и второй конденсаторный электрод Cb накопительного конденсатора Cst составляют один и тот же электродный блок. В этом случае экранирующий слой 170 соединен с первым электродом T3s третьего транзистора T3, чтобы предотвратить изменение электрического потенциала экранирующего слоя во время работы дисплея из-за нахождения под плавающим потенциалом, каковое изменение может повлиять на пороговое напряжение транзистора.
Например, как показано на фиг. 3A в сочетании с фиг. 3B, в каждом субпикселе первый транзистор T1 и второй транзистор T2 расположены вдоль второго направления D2 и параллельно этому второму направлению D2. Например, в первом направлении D1, первый транзистор T1 и второй транзистор T2 расположены на одной и той же стороне от второго конденсаторного электрода Cb, и третий транзистор T3 расположен с противоположной относительно указанной выше стороны от этого второго конденсаторного электрода Cb.
Например, дисплейная подложка 10 далее содержит удлинительный участок 180, выступающий от электрода T1g затвора первого транзистора T1. Этот удлинительный участок 180 проходит от электрода T1g затвора первого транзистора T1 во втором направлении D2 и по меньшей мере частично накладывается на первый электрод T2s второго транзистор T2 в направлении, перпендикулярном к базовой подложке 101, и электрически соединяется с этим первым электродом T2s второго транзистора T2.
Как показано на фиг. 3B, первый электрод T2s второго транзистора T2 электрически соединен с первой электродной контактной областью Ta1 второго транзистора T2, удлинительным участком 180 (т.е. электродом T1g затвора первого транзистора T1) и первым конденсаторным электродом Ca через сквозное отверстие 800 (пример второго сквозного отверстия в настоящем изобретении). Первый электрод T2s второго транзистора T2 электрически соединен с указанными тремя элементами через одно сквозное отверстие, что, по сравнению с электрическим соединением с указанными тремя элементами через несколько сквозных отверстий, соответственно, может уменьшить занимаемое пространство и увеличить плотность размещения электрических соединений, повышая тем самым плотность упаковки пикселей. Как показано на фиг. 3B, сквозное отверстие 800 выполнено в третьем изоляционном слое 203; а удлинительный участок 180 и часть второго изоляционного слоя 202, находящаяся под этим удлинительным участком 180, расположены в сквозном отверстии 800 для разделения этого сквозного отверстия 800 на две канавки, а именно, первую канавку V1 и вторую канавку V2; вторая канавка V2 расположена ближе к третьему транзистору T3, чем первая канавка V1. Первый электрод T2s второго транзистора T2 находится в сквозном отверстии 800, покрывает первую канавку V1 и вторую канавку V2, и имеет поверхность, параллельную или наклоненную относительно базовой подложки.
Как показано на фиг. 3A в сочетании с фиг. 3B, первый электрод T2s второго транзистора T2 проходит в первом направлении D1, пересекает сверху удлинительный участок 180 (пересекается с удлинительным участком 180) и электрически соединяется с первым конденсаторным электродом Ca через сквозное отверстие 800 (т.е. сквозное отверстие No. 2 на фиг. 3A). Например, удлинительный участок 180 имеет первую боковую поверхность и вторую боковую поверхность, противоположную первой боковой поверхности в указанном первом направлении; например, сквозное отверстие 800 проходит в первом направлении D1 и открывает поверхность удлинительного участка 180 и по меньшей мере участки указанных первой боковой поверхности и второй боковой поверхности. Первый электрод T2s второго транзистора T2 содержит первый участок S1, второй участок S2 и третий участок S3; и эти первый участок S1, второй участок S2 и третий участок S3 соединены последовательно в первом направлении D1. Второй участок S2 накладывается на удлинительный участок 180; первый участок S1 и третий участок S3 расположены, соответственно, по обе стороны от второго участка S2 в первом направлении D1; третий участок S3 находится на стороне второго участка S2, которая обращена к третьему транзистору T3; первый участок S1 заполняет первую канавку V1; и третий участок S3 заполняет вторую канавку V2. Например, через сквозное отверстие 800, первый участок S1 электрически соединяется с первой электродной контактной областью T2a1 в активном слое T2a второго транзистора T2; и второй участок S2 электрически соединяется с удлинительным участком 180 посредством прямого контакта, что помогает увеличить площадь контакта и уменьшить электрическое сопротивление; и третий участок S3 электрически соединяется с первым конденсаторным электродом Ca.
Например, первый электрод T2s второго транзистора T2 протяжен в первом направлении, покрывая указанные две боковые поверхности удлинительного участка 180 через сквозное отверстие 800, например, первый участок S1 покрывает первую боковую поверхность, и третий участок S3 покрывает вторую боковую поверхность. При таком подходе, первый электрод T2s второго транзистора T2 и удлинительный участок 180 имеют контактную область большего размера, уменьшая тем самым контактное сопротивление между первым электродом T2s второго транзистора T2 и удлинительным участком 180.
Например, как показано на фиг. 3B, дисплейная подложка 10 может далее содержать соединительный участок 720; этот соединительный участок 720 накладывается на удлинительный участок 180 в направлении, перпендикулярном к базовой подложке 101, и располагается в том же самом слое как и первый конденсаторный электрод Ca; и соединительный участок 720 соединяет первый конденсаторный электрод Ca и первую электродную контактную область T2a1 второго транзистора T2 в одну интегральную структуру. Соединительный участок 720 представляет собой участок, не переведенный в электропроводное состояние и экранированный удлинительным участком 180. Когда второй транзистор T2 отпирается для передачи сигнала данных от второго электрода T2d второго транзистора T2 первому электрода T2s этого второго транзистора T2 и электроду T1g затвора первого транзистора T1, соединительный участок 720 отпирается под воздействием сигнала данных в удлинительном участке 180 и первом электроде T2s второго транзистора T2 над удлинительным участком 180, так что первый электрод T2s второго транзистора T2 может быть электрически соединен с первым конденсаторным электродом Ca. В результате, между первым электродом T2s второго транзистора T2 и первым конденсаторным электродом Ca образуется двухканальная структура, помогающая уменьшить электрическое сопротивление канала.
В дополнение к этому, как показано на фиг. 3B, соединительный участок 720 соединяет первый конденсаторный электрод Ca и первую электродную контактную область T2a1 второго транзистора T2 в одну интегральную структуру, включая тем самым также первую электродную контактную область T2a1 второго транзистора T2, в область покрытия первого конденсаторного электрода Ca. При таком подходе, первый конденсаторный электрод Ca может иметь большую площадь и область наложения большей площади с третьим конденсаторным электродом Cc, увеличивая тем самым величину емкости накопительного конденсатора Cst.
Например, как показано на фиг. 3B, третий конденсаторный электрод Cc может по меньшей мере частично накладываться на первую электродную контактную область T2a1 второго транзистора T2 в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, чтобы иметь увеличенную площадь области наложения с первым конденсаторным электродом с целью увеличения емкости накопительного конденсатора Cst. Например, третий конденсаторный электрод Cc и область T2a0 канала второго транзистора T2 не накладываются одно на другое в направлении, перпендикулярном к базовой подложке 101. Это сделано для предотвращения нежелательного воздействия электрического потенциала на третьем конденсаторном электроде Cc на работу второго транзистора T2, например, для предотвращения воздействия электрического потенциала на третьем конденсаторном электроде Cc на область T2a0 канала второго транзистора T2, которое (воздействие) ведет к той проблеме, что второй транзистор T2 не может запираться нормально, так что ток утечки оказывается относительно большим и т.п.
Например, как показано на фиг. 3A, дисплейная подложка 10 может далее содержать первую линию 150 развертки и вторую линию 160 развертки, соответственно соединенные с каждой пиксельной строкой. Например, эти первая линия 150 развертки и вторая линия 160 развертки расположены во втором электропроводном слое 502 и проходят во втором направлении D2.
Например, первая линия 150 развертки интегрирована с электродами T2g затворов вторых транзисторов T2 в соответствующей строке субпикселей в виде интегральной структуры; и вторая линия 160 развертки соответственно интегрирована с электродами T3g затворов третьих транзисторов T3 в соответствующей строке субпикселей в виде интегральной структуры.
Например, как показано на фиг. 3A, применительно к каждой строке субпикселей, в первом направлении D1, первая линия 150 развертки и вторая линия 160 развертки, связанные с этой строкой, расположены, соответственно, по обе стороны от первых транзисторов T1 в этой строке субпикселей.
Например, каждая из первых линий 150 развертки содержит первые участки 151 и вторые участки 152, соединенные поочередно; второй участок 152 представляет собой кольцевую структуру; и размер второго участка 152 в первом направлении D1 больше размера первого участка 151. Аналогично, каждая из вторых линий 160 развертки содержит первые участки 161 и вторые участки 162, соединенные поочередно; второй участок 162 представляет собой кольцевую структуру; и размер второго участка 162 в первом направлении D1 больше размера первого участка 161.
Например, дисплейная подложка содержит несколько первых поверхностных микроструктур и несколько вторых поверхностных микроструктур; и некоторые из совокупности нескольких первых поверхностных микроструктур и совокупности нескольких вторых поверхностных микроструктур накладываются на указанный первый участок первой линии развертки в направлении, перпендикулярном к базовой подложке; а другие из совокупности нескольких первых поверхностных микроструктур и совокупности нескольких вторых поверхностных микроструктур накладываются на указанный второй участок первой линии развертки в направлении, перпендикулярном к базовой подложке; в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, плотность распределения первых поверхностных микроструктур и вторых поверхностных микроструктур, накладывающихся на второй участок первой линии развертки, больше плотности распределения первых поверхностных микроструктур и вторых поверхностных микроструктур, накладывающихся на первый участок первой линии развертки.
Поскольку механические напряжения во втором участке, имеющем кольцевую структуру, сконцентрированы в большей степени, чем механические напряжения в первом участке, имеющем структуру полоски, описанная выше конфигурация может улучшить эффект ослабления и снятия механических напряжений.
Например, площадь первой области наложения больше площади ортогональной проекции каждой из совокупности нескольких первых поверхностных микроструктур или вторых поверхностных микроструктур на базовую подложку; площадь второй области наложения больше площади ортогональной проекции каждой из совокупности нескольких первых поверхностных микроструктур или вторых поверхностных микроструктур на базовую подложку.
Если площадь структуры, ослабляющей механические напряжения, оказывается слишком большой, вероятно происходит перекомпенсация этих напряжений, что ведет к образованию дефектов панели; если площадь поверхностной микроструктуры меньше площади наложения, механические напряжения в этой области могут быть полностью сняты для обеспечения стабильности панели в этой области.
Следует отметить, что плотность распределения поверхностных микроструктур в настоящем изобретении обозначает число поверхностных микроструктур, распределенных на единицу площади подложки.
Например, дисплейная подложка 10 далее содержит несколько сигнальных линий, протяженных в первом направлении D1. Например, сигнальные линии могут представлять собой линии данных, линии питания, линии вспомогательных электродов и т.п. Как показано на фиг. 3A, каждый из вторых участков 152 пересекается по меньшей мере с одной линией данных в направлении, перпендикулярном к базовой подложке 101, определяя тем самым несколько первых полых областей H1, расположенных вдоль второго направления D2; каждый из вторых участков 162 пересекается по меньшей мере с одной линией данных в направлении, перпендикулярном к базовой подложке 101, определяя тем самым несколько вторых полых областей H2, расположенных вдоль второго направления D2.
Сделав участок линии развертки, пересекающий сигнальную линию, в виде кольцевой структуры, т.е. двухканальной структуры, можно эффективно повысить выход годных устройств. Например, место, где сигнальные линии пересекают одна другую, с более высокой вероятностью подвержено образованию короткого замыкания из-за электростатического пробоя, обусловленного паразитной емкостью; в процессе регистрации, если в одном из каналов кольцевой структуры будет обнаружено короткое замыкание, этот канал может быть отрезан (например, лазерным лучом), и структура схемы может по-прежнему работать нормально по другому каналу.
Например, как показано на фиг. 3A, совокупность нескольких сигнальных линий содержит несколько линий DL данных; и эти несколько линий DL данных соединены во взаимно однозначном соответствии с каждым столбцом субпикселей в матрице субпикселей для передачи сигналов данных этим субпикселям. Для любой пиксельной строки совокупность нескольких линий данных разбита на несколько групп линий данных во взаимно однозначном соответствии с несколькими пиксельными единицами в этой пиксельной строке, как показано на фиг. 3A, каждая группа линий данных содержит первую линию DL1 данных, соединенную с первым субпикселем P1, вторую линию DL2 данных, соединенную со вторым субпикселем P2, третью линию DL3 данных, соединенную с третьим субпикселем P3, и четвертую линию DL4 данных, соединенную с четвертым субпикселем P4. Для каждой пиксельной единицы, линии с DL1 по DL4 данных в соответствующем соединении с этой пиксельной единицей все расположены между первым субпикселем P1 и третьим субпикселем P3. Такая конфигурация может создать пространство для прокладки регистрирующих линий и линий питания.
Например, как показано на фиг. 3A, дисплейная подложка 10 далее содержит несколько регистрирующих линий 230, протяженных в первом направлении D1; регистрирующей подсхемой (например, с третьим транзистором T3) в субпикселе 100, и для соединения этой регистрирующей подсхемы с внешней регистрирующей схемой. Например, по меньшей мере один столбец субпикселей расположен между каждой регистрирующей линией 230 и какой-либо одной из нескольких линий DL данных; иными словами, регистрирующая линия 230 не проходит рядом ни с одной из линий DL данных. Например, как показано на фиг. 3A, для каждой пиксельной единицы первая линия DL1 данных и четвертая линия DL4 данных расположены между первым субпикселем P1 и четвертым субпикселем P4; вторая линия DL2 данных и третья линия DL3 расположены между вторым субпикселем P2 и третьим субпикселем P3; и регистрирующая линия 230 расположена между четвертым субпикселем P4 и вторым субпикселем P2.
Такая конфигурация предотвращает прохождение линии данных непосредственно рядом с регистрирующей линией, что могло бы создать резистивно-емкостную нагрузку, которая ведет к задержке сигнала в линии данных, и тем самым такая конфигурация избегает неравномерности представления на дисплее, обусловленной такой задержкой. Кроме того, поскольку сигнал, передаваемый в линии DL данных, обычно является высокочастотным сигналом, прокладка регистрирующей линии 230 и линии DL данных так, чтобы они не проходили одна непосредственно рядом с другой может предотвратить прием регистрирующей линией 230 высокочастотных перекрестных помех в процессе выполнения отсчетов для внешней компенсации, что может отрицательно повлиять на точность выполнения отсчетов.
Например, как показано на фиг. 3A, четыре субпикселя в пиксельной единице совместно используют одну регистрирующую линию 230; так что эта регистрирующая линия 230 соответственно электрически соединена со вторыми электродами T3d третьих транзисторов T3 в четырех субпикселях через регистрирующую секцию 231, протяженную во втором направлении D2. Регистрирующая линия 230 электрически соединена с регистрирующей секцией 231 через сквозное отверстие; и регистрирующая секция 231 электрически соединена со вторым электродом T3d третьего транзистора T3 через сквозное отверстие No. 10. Первый электрод T3s третьего транзистора T3 электрически соединен с первой электродной контактной областью T3a1 третьего транзистора T3 через сквозное отверстие No. 6; и второй электрод T3d третьего транзистора T3 электрически соединен со второй электродной контактной областью T3a2 этого третьего транзистора T3 через сквозное отверстие No. 5.
Например, третий транзистор T3 и второй конденсаторный электрод Cb расположены в одном и том же слое и соединены в виде интегральной структуры.
Например, как показано на фиг. 3A, дисплейная подложка 10 далее содержит несколько линий 240 питания, протяженных в первом направлении D1; эти несколько линий 240 питания конфигурированы для подачи первого напряжения питания множеству субпикселей; и это напряжение питания представляет собой, например, высокое напряжение питания VDD. Линия 240 питания расположена, например, в третьем электропроводном слое 503. Как показано на фиг. 3A, между каждой из линий 240 питания и какой-либо одной из линий данных располагается по меньшей мере один пиксельный столбец; иными словами, линия 240 питания не располагается рядом ни с одной из линий DL данных. Такая конфигурация предотвращает прохождение линии данных непосредственно рядом с линией питания, что могло бы создать резистивно-емкостную нагрузку, которая ведет к задержке сигнала в линии данных, и тем самым подобная конфигурация избегает таких дефектов, как сдвиг цветов и неравномерность представления на дисплее, обусловленная такой задержкой.
Например, никакая линия 240 питания не накладывается на регистрирующую секцию 231 в направлении, перпендикулярном к базовой подложке 101, иными словами, линия 240 питания располагается через соответствующий интервал от соседних регистрирующих секций 231. Такая конфигурация уменьшает наложение на сигнальные линии и тем самым эффективно снижает паразитную емкость между сигнальными линиями и задержку сигнала, вызываемую такой емкостью.
Например, как показано на фиг. 3B, линия 240 питания электрически соединена со вторым электродом T1d первого транзистора T1 непосредственно соседнего субпикселя (например, первого субпикселя P1) через сквозное отверстие No. 3, например, линия питания и второй электрод T1d первого транзистора T1 находятся в одной интегральной структуре. Например, линия 240 питания электрически соединена со вторым электродом T1d первого транзистора T1 субпикселя, который не расположен непосредственно рядом с этой линией 240 питания, через соединительный электрод 241. Например, этот соединительный электрод 241 электрически соединен со вторым электродом T1d первого транзистора T1 второго субпикселя или четвертого субпикселя через сквозное отверстие No. 11.
Например, дисплейная подложка содержит несколько первых поверхностных микроструктур 11 и несколько вторых поверхностных микроструктур 12; некоторые из совокупности этих нескольких первых поверхностных микроструктур и нескольких вторых поверхностных микроструктур распределены по нескольким линиям DL данных, другие из этой совокупности нескольких первых поверхностных микроструктур и нескольких вторых поверхностных микроструктур распределены по нескольким линиям питания; плотность распределения совокупности нескольких первых поверхностных микроструктур и нескольких вторых поверхностных микроструктур по нескольким линиям данных больше плотности распределения этой совокупности нескольких первых поверхностных микроструктур и нескольких вторых поверхностных микроструктур по нескольким линиям питания.
Поскольку линии данных, на которые поступает динамическое напряжение, более чувствительны к механическим напряжениям, установление более высокой плотности распределения поверхностных микроструктур на линиях данных помогает повысить стабильность панели.
Например, соединительный электрод 241 и регистрирующая секция 231 расположен в первом электропроводном слое 501.
Например, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, соединительный электрод 241 и регистрирующая линия 230 не накладываются одно на другое. Как показано на фиг. 3B, соединительный электрод 241 разъединен в позиции, соответствующей регистрирующей линии 230, чтобы не накладываться на эту регистрирующую линию 230, такое разъединение может уменьшить паразитную емкость.
Например, первые поверхностные микроструктуры и вторые поверхностные микроструктуры согласно настоящему изобретению могут быть выполнены в любой сигнальной линии или в любой электропроводной структуре на описанной выше дисплейной подложке, созданной в соответствии с настоящим изобретением, например, могут находиться, в какой-то степени, в сквозном отверстии, соответствующем сигнальной линии или электропроводной структуре, чтобы способствовать снятию механических напряжений с этой сигнальной линии или электропроводной структуры в рассматриваемом сквозном отверстии, уменьшая тем самым риск разъединения.
Например, расстояние между первой поверхностной микроструктурой и второй поверхностной микроструктурой меньше 1/10 размера одного субпикселя. Такая конфигурация может эффективно снимать механические напряжения в пределах размера пикселя.
Например, компоненты межцентрового расстояния между ортогональной проекцией первой поверхностной микроструктуры на базовую подложку и ортогональной проекцией второй поверхностной микроструктуры на эту базовую подложку в первом направлении и во втором направлении, соответственно, меньше средних размеров каждого из совокупности нескольких субпикселей в первом направлении и во втором направлении.
Например, размер субпикселя ограничен сигнальными линиями, расположенными непосредственно рядом с этим субпикселем и, соответственно, по обе стороны от него. Например, как показано на фиг. 3B, средний размер (длина) каждого субпикселя в первом направлении равен средней величине разделительного расстояния между первой линией 150 развертки и второй линией 160 развертки, соответствующими этому субпикселю; и средний размер (ширина) каждого субпикселя во втором направлении равен средней величине разделительного расстояния между линией DL данных и регистрирующей линией 230/линией 240 питания, соответствующей этому субпикселю.
Например, длина и ширина субпикселя составляют, соответственно, от 100 мкм до 500 мкм, и межцентровое расстояние между ортогональной проекцией первой поверхностной микроструктуры 11 и ортогональной проекцией второй поверхностной микроструктуры 12 на базовую подложку составляет от 5 мкм до 20 мкм.
Например, первая поверхностная микроструктура 11 и вторая поверхностная микроструктура 12 расположены вдоль первого направления D1, например, расположены на сигнальных линиях (например, линиях данных, линиях питания, регистрирующих линиях и т.п.), протяженных в первом направлении D1. Например, как показано на фиг. 3A, первая поверхностная микроструктура 11 и вторая поверхностная микроструктура 12 расположены на одной и той же линии 240 питания; первая поверхностная микроструктура 11 содержит первую вогнутую структуру; вторая поверхностная микроструктура 12 содержит вторую вогнутую структуру; эти первая вогнутая структура и вторая вогнутая структура обращены к субпикселям одинакового цвета, например, внутренние углы между ортогональными проекциями нормалей к первой вогнутой структуре и второй вогнутой структуре на базовую подложку и первым направлением D1 оба являются острыми внутренними углами, иными словами, первая вогнутая структура и вторая вогнутая структура указывают на один и тот же столбец субпикселей.
Например, субпиксели каждого пиксельного столбца (т.е. субпиксели, расположенные в одном и том же столбце) излучают свет одинакового цвета. Когда свет, излучаемый светоизлучающим элементом, наклонно входит в вогнутую структуру, эта вогнутая структур может излучить свет назад к светоизлучающему элементу (например, к катоду светоизлучающего элемента); и описанная выше конфигурация может позволить вогнутой структуре отражать свет назад к субпикселям того же самого цвета, как и первоначально падающий свет, и тем самым избежать световых перекрестных «помех» между субпикселями, расположенными в разных направлениях.
В дальнейшем, дисплейная подложка, выполненная в соответствии с настоящим изобретением, будет в качестве примера описана, принимая первый электрод T2s второго транзистора T2 в качестве первой электропроводной структуры согласно настоящему изобретению; однако рассматриваемый вариант настоящего изобретения этим не ограничивается.
Например, первая поверхностная микроструктура 11 расположена на поверхности первого электрода T2s второго транзистора T2, наклоненной относительно базовой подложки, например, расположенной по меньшей мере на одном из участков – первом участке, втором участке и/или третьем участке, первого электрода T2s второго транзистора T2; вторая поверхностная микроструктура 12 расположена на поверхности первого электрода T2s второго транзистора T2, параллельной базовой подложке, например, расположенной по меньшей мере на одном из участков – первом участке, втором участке и/или третьем участке, первого электрода T2s второго транзистора T2.
Например, как показано на фиг. 3A – фиг. 3B, первая поверхностная микроструктура 11 расположена на третьем участке S3 первого электрода T2s второго транзистора T2; этот третий участок S3 имеет две наклонные поверхности (пример первой поверхности первой электропроводной структуры согласно настоящему изобретению) относительно базовой подложки, поскольку этот участок нанесен в сквозное отверстие 800 (или во вторую канавку V2); и первая поверхностная микроструктура 11 расположена по меньшей мере на одной из указанных двух наклонных поверхностей. Например, как показано на фиг. 3B, первая поверхностная микроструктура 11 расположена на наклонной поверхности, обращенной к третьему транзистору T3.
Например, в некоторых других примерах, поверхностная микроструктура 11 может быть расположена на первом участке S1 второго электрода T2 второго транзистора T2; этот первый участок S1 имеет наклонную поверхность (пример первой поверхности первой электропроводной структуры согласно настоящему изобретению) относительно базовой подложки, поскольку этот участок нанесен в сквозное отверстие 800; и первая поверхностная микроструктура 11 расположена на этой наклонной поверхности.
Например, как показано на фиг. 3B, вторая поверхностная микроструктура расположена на участке поверхности, параллельном поверхности базовой подложки, который (участок) образован в виде третьего участка S3, нанесенного во второй канавке. Поскольку электропроводная структура подвержена более сильным механическим напряжениям в канавке, создание поверхностной микроструктуры в части третьего участка S3, нанесенного в канавку, может способствовать ослаблению механических напряжений.
В других примерах, вторая поверхностная микроструктура 12 выполнена, соответственно, на поверхностях первого участка S1, второго участка S2 и третьего участка S3 второго электрода T2 второго транзистора T2, параллельных поверхности базовой подложки (несколько примеров второй поверхности первой электропроводной структуры согласно настоящему изобретению). Например, первый участок S1 второго электрода T2 второго транзистора T2 содержит часть, расположенную в сквозном отверстии 800 и в непосредственном контакте с полупроводниковым слоем 104, и вторая поверхностная микроструктура 12 может быть создана на верхней поверхности этой части для уменьшения механических напряжений.
Следует отметить, что для лучшей иллюстрации, вогнутые структуры первой поверхностной микроструктуры 11 и второй поверхностной микроструктуры 12 показаны на фиг. 3B пустыми; однако в фактической структуре подложки такая вогнутая структура может быть по меньшей мере частично заполнена материалом окружающего изоляционного слоя, например, может быть полностью заполнена материалом четвертого изоляционного слоя 204.
Вследствие относительно большого размера сквозного отверстия 800, расположение первой поверхностной микроструктуры 11 и второй поверхностной микроструктуры 12 на втором электроде T2s второго транзистора T2 может эффективно ослабить механические напряжения на этом втором электроде T2s второго транзистора T2, тем самым уменьшая риск образования дефектов.
Например, размер первой поверхностной микроструктуры в первом направлении меньше одной десятой части максимального размера третьего участка S3 в первом направлении.
Например, размер первой поверхностной микроструктуры 11 или второй поверхностной микроструктуры 12 в первом направлении D1 (т.е. размер вдоль линии I-I’ поперечного сечения, на фиг. 3B) меньше одной десятой части максимального размера ортогональной проекции сквозного отверстия 800 на базовую подложку 101 в первом направлении D1, например, от 2% до 5%.
Например, как показано на фиг. 3A и фиг. 3B, каждый субпиксель далее содержит светоизлучающий элемент 125, например, этот светоизлучающий элемент представляет собой органический светодиод и содержит первый электрод 123, светоизлучающий слой 124 и второй электрод 122, выполненные последовательно один на другом. Например, светоизлучающий элемент 125 имеет структуру, излучающую вверх; первый электрод является отражательным; и второй электрод 122 является прозрачным или полупрозрачным. Например, первый электрод выполнен из материала с высокой работой выхода, чтобы служить анодом, например, он может иметь многослойную структуру ITO/Ag/ITO (здесь ITO – оксид индия и олова); и второй электрод 122 выполнен из материала с низкой работой выхода, чтобы служить катодом, например, полупрозрачный металл или металлический сплав, например, сплав Ag/Mg.
Например, дисплейная подложка 10 далее содержит четвертый изоляционный слой 204 и пятый изоляционный слой 205, расположенные между третьим электропроводным слоем 503 и первым электродом 123 светоизлучающего элемента. Например, четвертый изоляционный слой 204 представляет собой пассивационный слой, например, неорганический изоляционный слой, выполненный из, например, оксидов кремния, таких как оксид кремния, нитрида кремния, и оксинитрида кремния, нитридов кремния и оксидов азота с кремнием; пятый изоляционный слой 205 изготовлен из органического изоляционного материала, например, такой органический изоляционный материал, как полиимид (polyimide (PI)), акрилат, эпоксидная смола и полиметиметакрилат (polymethyl methacrylate (PMMA)). Например, пятый изоляционный слой 205 представляет собой планаризационный слой.
Например, дисплейная подложка 10 далее содержит ограничивающий пиксель слой 206, расположенный на первом электроде 123 светоизлучающего элемента 125; и этот ограничивающий пиксель слой 206 выполнен из органического изоляционного материала, например, такого органического изоляционного материала, как полиимид (PI), акрилат, эпоксидная смола и полиметиламетакрилат (PMMA). Первый электрод 123 светоизлучающего элемента 125 электрически соединен с первым электродом T1s первого транзистора T1 и вторым конденсаторным электродом Cb через сквозное отверстие 700 (т.е. сквозное отверстие No. 8 на фиг. 3A); и это сквозное отверстие 700, например, проходит сквозь четвертый изоляционный слой 204 и пятый изоляционный слой 205.
Например, как показано на фиг. 3A – фиг. 3B, первый электрод 123 светоизлучающего элемента содержит первый электродный участок 123a, второй электродный участок 123b и третий электродный участок 123c. соединенные последовательно в первом направлении D1; первый электродный участок 123a конфигурирован для электрического соединения с первым электродом T1s соответствующего первого транзистора T1 и накладывается на этот первый электрод T1s соответствующего первого транзистора T1 в направлении, перпендикулярном к базовой подложке 101. Третий электродный участок 123c конфигурирован для непосредственного контакта со светоизлучающим слоем 124 и накладывается на область открытого окна (не показана) светоизлучающего элемента в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, иными словами, третий электродный участок 123c соответствует эффективной светоизлучающей области светоизлучающего элемента; этот третий электродный участок 123c не накладывается на сквозное отверстие 700 в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, что предотвращает отрицательное влияние интерфейса в сквозном отверстии 700 на эффективность свечения светоизлучающего материала. Второй электродный участок 123b соединяет первый электродный участок 123a и третий электродный участок 123c. Например, открытая область светоизлучающего элемента представляет собой открытую область в ограничивающем пиксель слое 206, соответствующую светоизлучающему элементу, и эта открытая область открывает первый электрод 123 светоизлучающего элемента и охватывает по меньшей мере часть светоизлучающего слоя в светоизлучающем элементе.
Как показано на фиг. 3A, средний размер второго электродного участка 123b первого электрода 123 светоизлучающего элемента во втором направлении D2 меньше среднего размера первого электродного участка 123a во втором направлении D2 и также меньше среднего размера третьего электродного участка 123c во втором направлении D2.
Например, сумма максимального размера первого электродного участка в первом направлении и максимального размера во втором направлении меньше суммы максимального размера третьего электродного участка в первом направлении и максимального размера во втором направлении; и сумма максимального размера второго электродного участка в первом направлении и максимального размера во втором направлении меньше суммы максимального размера третьего электродного участка в первом направлении и максимального размера во втором направлении.
Например, дисплейная подложка содержит несколько первых поверхностных микроструктур 11 и несколько вторых поверхностных микроструктур 12; некоторые из совокупности этих нескольких первых поверхностных микроструктур и нескольких вторых поверхностных микроструктур накладываются на первый электродный участок в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, а другие из этой совокупности нескольких первых поверхностных микроструктур и нескольких вторых поверхностных микроструктур накладываются на третий электродный участок в направлении, перпендикулярном к базовой подложке; и плотность распределения первых поверхностных микроструктур и вторых поверхностных микроструктур, накладывающихся на первый электродный участок, больше плотности распределения первых поверхностных микроструктур и вторых поверхностных микроструктур, накладывающихся на третий электродный участок.
Поскольку первый электродный участок расположен близко к драйверной области пикселя, например, он по меньшей мере частично накладывается на первый транзистор T1 в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, и механические напряжения в драйверной области пикселя сконцентрированы в большей степени, рассмотренная выше конфигурация может эффективно ослабить механические напряжения в драйверной области и улучшить характеристики дисплейной подложки.
Как показано на фиг. 3A, в первом направлении D1, первая линия 150 развертки расположена между первым электродным участком 123a и третьим электродным участком 123c; второй электродный участок 123b накладывается на первую линию 150 развертки в направлении, перпендикулярном к базовой подложке; и уменьшение размера второго электродного участка 123b во втором направлении D2 помогает уменьшению площади области наложения между вторым электродным участком 123b и первой линией 150 развертки, тем самым уменьшая паразитную емкость.
Например, второй электродный участок 123b накладывается на первый участок 151 первой линии 150 развертки в направлении, перпендикулярном к базовой подложке 101, и не накладывается на второй участок 152 первой линии 150 развертки в направлении, перпендикулярном к базовой подложке 101.
Поскольку второй участок 152 первой линии 150 развертки накладывается на сигнальную линию (например, линию питания, регистрирующую линию, линию данных и т.п.) в первом направлении D1, второй участок 152 склонен к образованию дефектов, таких как короткое замыкание, и должен быть отремонтирован в ходе процедуры восстановления. Расположение первого электрода светоизлучающего элемента таким образом, чтобы он не накладывался на второй участок 152 первой линии 150 развертки, может уменьшить затруднения при восстановлении второго участка 152.
Как показано на фиг. 3A, первый субпиксель P1 имеет первую сторону и вторую сторону, противоположные одна другой во втором направлении D2; на первой стороне располагается линия 240 питания; на второй стороне находится линия DL данных (первая DL1 линия данных и четвертая линия DL4 данных); второй электродный участок 123b является вогнутым к первой стороне относительно первого электродного участка 123a и третьего электродного участка 123c, иными словами, вогнутым в направлении прочь от второй стороны; иными словами, второй электродный участок 123b ближе к линии питания, чем к линии данных.
Поскольку в линии 240 питания передают постоянное по величине напряжение, а в линии DL данных передают высокочастотный сигнал, расположение второго электродного участка 123b ближе к линии питания может предотвратить нежелательное влияние высокочастотного сигнала в линии DL данных на электрический потенциал первого электрода светоизлучающего элемента, что в свою очередь могло бы повлиять на полутоновую шкалу дисплея.
Аналогичные конфигурации применены также ко второму субпикселю, третьему субпикселю и четвертому субпикселю. Например, как показано на фиг. 3A, второй субпиксель P2 располагается непосредственно рядом с третьим субпикселем P3; третий субпиксель P3 имеет первую сторону и вторую сторону, противоположные одна другой во втором направлении; вторая линия DL2 данных и третья линия DL3 данных располагаются на первой стороне от третьего субпикселя P3 и при этом между вторым субпикселем P2 и третьим субпикселем P3; и регистрирующая линия 230 располагается на второй стороне от третьего субпикселя P3. Второй электродный участок первого электрода светоизлучающего элемента третьего субпикселя является вогнутым относительно первого электродного участка и третьего электродного участка этого электрода в направлении прочь от второй стороны третьего субпикселя, иными словами, второй электродный участок ближе к регистрирующей линии 230, чем к линии данных.
Поскольку в регистрирующей линии 230 передают низкочастотный регистрирующий сигнал, и в линии DL данных передают высокочастотный сигнал, расположение второго электродного участка ближе к регистрирующей линии может предотвратить нежелательное воздействие высокочастотного сигнала в линии DL данных на электрический потенциал первого электрода светоизлучающего элемента, каковое воздействие может оказать нежелательное влияние на полутоновую шкалу дисплея.
Например, светоизлучающий элемент OLED в каждом субпикселе конфигурирован для излучения белого света; дисплейная подложка 10 далее содержит слой цветного светофильтра; и белый свет передают сквозь слой цветного светофильтра для реализации полноцветного дисплея. Например, светоизлучающий слой 124 может быть создан на всей поверхности с использованием открытой маски в сочетании с процедурой испарения, чтобы избежать процедуры создания рисунка светоизлучающего слой с применением прецизионной металлической маски (Fine Metal Mask (FMM)) и тем самым предотвратить ограничение разрешения дисплейной подложки из-за ограниченной точности маски FMM.
Например, светоизлучающий элемент на дисплейной подложке 10, созданный в соответствии с некоторыми вариантами настоящего изобретения, может принять структуру с излучением снизу. Например, как показано на фиг. 3A – фиг. 3B, слой цветного светофильтра расположен на той стороне первого электрода светоизлучающего элемента, которая ближе к базовой подложке 101, например, расположен между четвертым изоляционным слоем 204 и пятым изоляционным слоем 205. Слой цветного светофильтра содержит несколько участков 190 цветного светофильтра, соответствующих нескольким субпикселям за исключением белых субпикселей, иными словами, первому субпикселю P1, второму субпикселю P2 и третьему субпикселю P3, с каждым из которых связан соответствующий участок 190 цветного светофильтра; свет, излучаемый светоизлучающими элементами первого субпикселя P1, второго субпикселя P2 и третьего субпикселя P3, проходит через соответствующие участки 190 цветного светофильтра для образования свечения дисплея. Свету от белых субпикселей нет необходимости проходить сквозь слой цветного светофильтра, так что для четвертого субпикселя P4 нет соответствующего участка цветного светофильтра.
Например, соседние участки цветного светофильтра частично накладываются один на другой в направлении, перпендикулярном к базовой подложке; и создана первая поверхностная микроструктура или вторая поверхностная микроструктура, соответствующая области наложения. Поскольку наложение участков цветного светофильтра вызывает неравномерность механических напряжений, поверхностные микроструктуры могут эффективно ослаблять механические напряжения в этой области.
Например, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, участок цветного светофильтра, соответствующий первому субпикселю, участок цветного светофильтра, соответствующий второму субпикселю, и вторая поверхностная микроструктура накладываются одно на другое в направлении, перпендикулярном к базовой подложке.
Как показано на фиг. 3A – фиг. 3B в сочетании, каждый участок 190 цветного светофильтра накладывается на первый электродный участок 123a первого электрода светоизлучающего элемента соответствующего субпикселя и не накладывается на третий электродный участок 123c первого электрода светоизлучающего элемента; это происходит потому, что слой цветного светофильтра необходимо создать только в соответствии со светоизлучающим слоем светоизлучающего элемента. Как показано на фиг. 3B, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, третий электродный участок 123c первого электрода светоизлучающего элемента, светоизлучающий слой 124 и участок 190 цветного светофильтра накладываются одно на другое.
Например, как показано на фиг. 3A – фиг. 3B, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке 101, часть второго электродного участка 123b первого электрода светоизлучающего элемента первого субпикселя P1, которая накладывается на первую линию 150 развертки, также накладывается на участок 190 цветного светофильтра, соответствующий первому субпикселю P1. Поскольку в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, участок 190 цветного светофильтра расположен между первой линией 150 развертки и первым электродом 123 светоизлучающего элемента, и поскольку пятый изоляционный слой 205 на участке 190 цветного светофильтра является планаризационным слоем, создание участка 190 цветного светофильтра не влияет на высоту пятого изоляционного слоя 205 на участке цветного светофильтра относительно базовой подложки, иными словами, это не изменяет расстояния между первым электродом светоизлучающего элемента и первой линией 150 развертки; однако диэлектрическая проницаемость участка 190 цветного светофильтра ниже диэлектрической проницаемости пятого изоляционного слоя 205; поэтому создание участка 190 цветного светофильтра между вторым электродным участком 123b и первой линией 150 развертки для наложения второго электродного участка 123b и первой линии 150 развертки поморгает дальнейшему уменьшению паразитной емкости между первым электродом светоизлучающего элемента и первой линии развертки.
Автор изобретения обнаружил, что когда несколько первых полых областей H1 или вторых полых областей H2 регулярно расположены вдоль второго направления D2 для генерации некоторого регулярного континуума, возникает явление периодической дифракции, в результате чего полые области и позиции металлических проводников в неполых областях обладают очевидными различиями в отражении окружающего света, что ведет к неоднородности дисплея.
С другой стороны, как показано на фиг. 3A, в пиксельной единице, геометрические центры нескольких первых полых областей H1 располагаются не на одной прямой, что помогает уменьшить регулярность совокупности первых полых областей, расположенных в одном общем направлении, и ослабить неоднородность дисплея, вызываемую периодической дифракцией.
С другой стороны, дисплейная подложка, предлагаемая вариантом настоящего изобретения, использует слой цветного светофильтра для избирательного экранирования нескольких полых областей, расположенных в одной и той же строке и соответствующих одной пиксельной единице, разрушая тем самым регулярность полых областей в пиксельной единице и ослабляя дифракционные эффекты для улучшения однородности дисплея.
Как показано на фиг. 3A, в первом направлении D1, участок цветного светофильтра, соответствующий одной пиксельной строке, (первой пиксельной строке) расположен между первой линией 150 развертки, соответствующей рассматриваемой пиксельной строке, и второй линией 160 развертки, соответствующей следующей пиксельной строке (второй пиксельной строке), непосредственно соседней с первой строкой.
Например, вторая пиксельная строка содержит пятый субпиксель P5, шестой субпиксель P6 и седьмой субпиксель P7, расположенные последовательно вдоль второго направления D2; пятый субпиксель P5 и первый субпиксель P1 расположены в одном и том же столбце; шестой субпиксель P6 и второй субпиксель P2 расположены в одном и том же столбце; и седьмой субпиксель P7 и третий субпикседь P3, расположены в одном и том же столбце. Например, субпиксели, расположенные в одном и том же столбце, излучают свет одного и того же цвета.
Например, как показано на фиг. 3B, первый электрод светоизлучающего элемента каждого субпикселя также протяжен в первом направлении D1 для наложения на второй конденсаторный электрод Cb субпикселя в следующей пиксельной строке, соседней с рассматриваемой строкой, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке. В нормальном состоянии, между первым электродом светоизлучающего элемента и вторым конденсаторным электродом Cb субпикселя в следующей строке располагаются четвертый изоляционный слой 204 и пятый изоляционный слой 205; когда пиксельная схема рассматриваемого субпикселя дефектна, может быть создано ремонтное отверстие между первым электродом светоизлучающего элемента и вторым конденсаторным электродом Cb субпикселя в следующей строке, например, используют лазер, чтобы удалить четвертый изоляционный слой 204 и позволить материалу первого электрода светоизлучающего элемента заполнить это ремонтное отверстие для электрического соединения со вторым конденсаторным электродом Cb субпикселя в следующей строке; однако этот второй конденсаторный электрод Cb электрически соединен с первым электродом светоизлучающего элемента субпикселя, которому принадлежит этот конденсаторный электрод, так что первый электрод светоизлучающего элемента дефектного субпикселя образует электрическое соединение с первым электродом светоизлучающего элемента субпикселя из следующей строки, так что дефектный субпиксель оказывается отремонтирован. Фиг. 3A показывает позицию ремонтного отверстия со сквозным отверстием No. 9.
Например, каждый из участков 190 цветного светофильтра, соответствующих первой пиксельной строке, имеет боковой край, обращенный ко второй пиксельной строке, например, этот боковой край является прямолинейным и параллельным второму направлению D2.
Например, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, участок 190 цветного светофильтра, соответствующий первому субпикселю P1, накладывается по меньшей мере на одну из нескольких первых полых областей H; и участок 190 цветного светофильтра, соответствующий второму субпикселю P2, не накладываются ни на одну из нескольких первых полых областей H1.
Например, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, участок цветного светофильтра, соответствующий первому субпикселю P1, накладывается на одну из нескольких первых полых областей H1 и имеет первую площадь области наложения; участок цветного светофильтра, соответствующий второму субпикселю P2, накладывается на другую из нескольких первых полых областей H1 и имеет вторую площадь области наложения; и первая площадь области наложения отличается от второй площади области наложения.
Например, абсолютная величина разности между первой площадью области наложения и второй площадью области наложения больше (n*λ)2 (т.е. квадрат целого числа длин волн), где, λ обозначает большую величину из длин волн света, излучаемого первым субпикселем P1 и вторым субпикселем P2. Чем больше абсолютная величина разности между первой площадью области наложения и второй площадью области наложения, тем меньше влияние дифракции света на эффект дисплея.
Как показано на фиг. 3A, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, участок 190 цветного светофильтра, соответствующий первому субпикселю P1, накладывается на одну из нескольких первых полых областей H1; а участок цветного светофильтра, соответствующий второму субпикселю P2, и участок 190 цветного светофильтра, соответствующий третьему субпикселю P3, не накладываются ни на одну из нескольких первых полых областей H1.
Как показано на фиг. 3A, второй участок 162 второй линии 160 развертки, соответствующей второй пиксельной строке, накладывается на линию питания 240, линию DL данных и регистрирующую линию 230 в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, для определения нескольких вторых полых областей H2, расположенных в последовательности во втором направлении D2.
Как показано на фиг. 3A, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, участок цветного светофильтра, соответствующий первому субпикселю P1, накладывается на одну вторую полую область из совокупности нескольких вторых полых областей H2 с третьей площадью A3 области наложения; участок цветного светофильтра, соответствующий второму субпикселю P2, накладывается на другую вторую полую область из совокупности нескольких вторых полых областей H2 с четвертой площадью A4 области наложения; третий субпиксель P3 накладывается на еще одну другую вторую полую область из совокупности нескольких вторых полых областей H2 с пятой площадью A5 области наложения; и при этом третья площадь A3 области наложения, четвертая площадь A4 области наложения и пятая площадь A5 области наложения все отличаются одна от другой. Например, как показано на фиг. 3B, A3>A4>A5.
Как показано на фиг. 3A, ни одна из первых полых областей H1’, близких к четвертому субпикселю P4 из совокупности нескольких первых полых областей H1 не накладывается на слой цветного светофильтра в направлении, перпендикулярном к базовой подложке; и ни одна из вторых полых областей H2’, близких к четвертому субпикселю P4 из совокупности нескольких вторых полых областей H2, не накладывается на слой цветного светофильтра в направлении, перпендикулярном к базовой подложке.
Как показано на фиг. 3A, первая полая область H1”, расположенная непосредственно рядом с первой полой областью H1’, во втором направлении D2 не накладывается на слой цветного светофильтра в направлении, перпендикулярном к базовой подложке; и вторая полая область H2”, расположенная непосредственно рядом со второй полой областью H2’ во втором направлении D2, не накладывается на слой цветного светофильтра в направлении, перпендикулярном к базовой подложке.
Поскольку четвертый субпиксель P4 излучает белый свет, и дифракция белого света отличается меньшей однородностью дисплея, полая область, обращенная к четвертому субпикселю P4, может не быть экранирована.
Например, как показано на фиг. 3B, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, первая линия DL1 данных, вторая линия DL2 данных и третья линия DL3 данных все накладываются на слой цветного светофильтра. Такая конфигурация может предотвратить отражение света от линии данных, что могло бы вызвать неравномерность дисплея.
Например, четвертая линия DL4 данных не накладывается на слой цветного светофильтра.
Как показано на фиг. 3B, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке, регистрирующая линия 230 накладывается на слой цветного светофильтра, и площадь этой области наложения меньше площади области наложения между какой-либо одной из линий данных из группы, содержащей первую линию DL1 данных, вторую линию DL2 данных и третью линию DL3, и слоем цветного светофильтра.
Поскольку четвертая линия DL4 данных и регистрирующая линия 230 являются ближайшими к четвертому субпикселю P4 по сравнению с группой – первая линия DL1 данных, вторая линия DL2 данных и третья линия DL3 данных, четвертый субпиксель P4 излучает белый свет, и дифракция белого света меньше влияет на однородность дисплея, четвертая линия DL4 данных и регистрирующая линия 230 оказывают меньшее влияние на отражение света, излучаемого первым субпикселем P4; и четвертая линия данные и регистрирующая линия могут не быть экранированы.
В другом примере, как показано на фиг. 3C, первая поверхностная микроструктура 11 и вторая поверхностная микроструктура 12 расположены на одной и той же линии 240 питания, иными словами, эта линия 240 питания служит первой электропроводной структурой; и первая поверхностная микроструктура 11 по меньшей мере частично накладывается на вторую полую область H2, соответствующую линии питания 240, в направлении, перпендикулярном к базовой подложке.
Поскольку линия 240 питания имеет уклон во второй полой области H2 и механические напряжения относительно велики, расположение первой поверхностной микроструктуры 12 в позиции линии 240 питания, соответствующей второй полой области H2, помогает ослабить механические напряжения и повысить выход годных.
В других примерах, как показано на фиг. 3D, первая поверхностная микроструктура 11 и вторая поверхностная микроструктура 12 расположены на втором электроде T3d третьего транзистора T3, иными словами, второй электрод T3d третьего транзистора T3 служит первой электропроводной структурой; и эта первая поверхностная микроструктура по меньшей мере частично накладывается на сквозное отверстие No. 10 (пример четвертого сквозного отверстия в настоящем изобретении) в направлении, перпендикулярном к базовой подложке.
В других примерах, как показано на фиг. 3E, первая поверхностная микроструктура 11 и вторая поверхностная микроструктура 12 расположены на первом электроде T3s третьего транзистора T3, иными словами, первый электрод T3s третьего транзистора T3 служит в качестве первой электропроводной структуры; и эта первая поверхностная микроструктура по меньшей мере частично накладывается на сквозное отверстие No. 6 в направлении, перпендикулярном к базовой подложке.
Для ясности, первая поверхностная микроструктура 11 и вторая поверхностная микроструктура 12 показаны черными точками на обоих чертежах фиг. 3D и фиг. 3E. Поскольку электропроводная структура в первой позиции сквозного отверстия имеет больший уклон, и механические напряжения больше, расположение первой поверхностной микроструктуры в позиции первой электропроводной структуры, соответствующей указанному сквозному отверстию, может помочь ослабить механические напряжения.
По меньшей мере один вариант настоящего изобретения далее предлагает способ изготовления описанной выше дисплейной подложки. Способ изготовления дисплейной подложки, предлагаемый вариантом настоящего изобретения, будет на примерах описан ниже в сочетании с фиг. 3A – фиг. 3B и фиг. 4A – фиг. 4D, взяв один субпиксель в качестве примера; однако варианты настоящего изобретения этим не исчерпываются. Фиг. 4A – фиг. 4D соответственно показывают рисунки первого электропроводного слоя, полупроводникового слоя, второго электропроводного слоя и третьего электропроводного слоя в одном субпикселе (например, в первом субпикселе P1).
Способ изготовления содержит этапы S61 – S65.
Этап S61: создание первого слоя электропроводного материала и формирование рисунка в этом первом слое электропроводного материала для образования первого электропроводного слоя 501, как показано на фиг. 4A, иными словами, экранирующего свет слоя 170 и третьего конденсаторного электрода Cc накопительного конденсатора Cst. В процессе формирования рисунка также формируют регистрирующую секцию 231 и соединительный электрод, изолированные один от другого.
Этап S62: создание первого изоляционного слоя 201 на первом электропроводном слое 501 и создание слоя полупроводникового материала на первом изоляционном слое, и формирование рисунка в слое полупроводникового материала для образования полупроводникового слоя 104, как показано на фиг. 4B, иными словами, образование активного слоя T1a первого транзистора T1, активного слоя T2a второго транзистора T2 и активного слоя T3a третьего транзистора T3, отделенных промежутками один от другого.
Этап S63: создание второго изоляционного слоя 202 на полупроводниковом слое 104, создание второго слоя электропроводного материала на втором изоляционном слое, и формирование рисунка второго слоя электропроводного материала для образования второго электропроводного слоя 502, как показано на фиг. 4C, иными словами, формирование электрода T1g затвора первого транзистора T1, электрода T2g затвора второго транзистора T2 и электрода T3g затвора третьего транзистора T3, изолированных один от другого. На фиг. 4C также показан удлинительный участок 180.
Например, как показано на фиг. 4C, второй электропроводный слой 502 далее содержит первую линию 150 развертки и вторую линию 160 развертки, изолированные одна от другой.
Например, ширина проводников первой линии 150 развертки и второй линии 160 развертки составляет от 5 мкм до 15 мкм.
Например, первая линия 150 развертки и электроды T2g затворов вторых транзисторов T2 в соответствующей строке субпикселей образуют одну интегральную структуру; и вторая линия 160 развертки соответственно интегрирована с электродами T2g затворов вторых транзисторов T2 в соответствующей строке субпикселей в виде одной интегральной структуры.
Этап S64: преобразование в электропроводное состояние (например, посредством легирования) полупроводникового слоя 204 самосовмещенным способом с использованием второго электропроводного слоя 502 в качестве маски, так что часть этого полупроводникового слоя 204, не закрытая вторым электропроводным слоем 502, становится электропроводной, в результате чего образуются первый конденсаторный электрод Ca, а также участки активных слоев соответствующих транзисторов, расположенные по обе стороны от области канала, становятся электропроводными для образования первой электродной контактной области и второй электродной контактной области, соответственно; эти первая электродная контактная область и вторая электродная контактная область, соответственно, конфигурированы для электрического соединения с первым электродом и вторым электродом транзистора. На фиг. 4B показаны первая электродная контактная область T1a1 и вторая электродная контактная область T1a2 активного слоя T1a первого транзистора T1, первая электродная контактная область T2a1 и вторая электродная контактная область T2a2 активная область T2a второго транзистора T2, и первая электродная контактная область T3a1 и вторая электродная контактная область T3a2 активного слоя T3a третьего транзистора T3. На фиг. 4B также показан соединительный участок 720.
Например, второй изоляционный слой 202 травят прежде преобразования полупроводникового слоя 104 в электропроводное состояние, так что область второго изоляционного слоя 202, не закрытая вторым электропроводным слоем 502, оказывается полностью стравлена, иными словами, второй изоляционный слой 202 совпадает со вторым электропроводным слоем 502 в направлении, перпендикулярном к базовой подложке 101. Таким образом, область полупроводникового слоя 204, не закрытая вторым электропроводным слоем 202, оказывается преобразована в электропроводное состояние посредством ионной имплантации, так что имплантируемые ионы не могут быть блокированы вторым изоляционным слоем 202.
Этап S65: создание третьего изоляционного слоя 203 на втором электропроводном слое 502, создание третьего слоя электропроводного материала на третьем изоляционном слое 203 и формирование заданного рисунка в слое третьего электропроводного материала для получения третьего электропроводного слоя 503, как показано на фиг. 4D, иными словами, создание первого электрода T1s и второго электрода T1d первого транзистора T1, первого электрода T2s и второго электрода T2d второго транзистора T2, и первого электрода T3s и второго электрода T3d третьего транзистора T3.
Например, третий электропроводный слой 503 далее содержит линию DL данных, регистрирующую линию 230 и линию 240 питания, изолированные одна от другой.
Например, ширина проводника линии DL данных составляет от 5 мкм до 15 мкм; ширина проводника регистрирующей линии 230 составляет от 5 мкм до 30 мкм, и ширина проводника линии 240 питания составляет от 5 мкм до 30 мкм.
Например, как показано на фиг. 4D, линия 240 питания и второй электрод T1d первого транзистора T1 в (ближайшем) субпикселе, непосредственно соседнем с ними образуют одну интегральную структуру. Например, каждая линия 110 данных и второй электрод T2d второго транзистора T2 в субпикселе, соединенном с этой линией, образуют интегральную структуру.
Например, материал полупроводникового слоя может представлять собой, не ограничиваясь этим, материалы на основе кремния (аморфный кремний (a-Si), поликристаллический кремний (p-Si) и т.п.), структуры металл-оксид-полупроводник (IGZO, ZnO, AZO, IZTO и т.п.) и органические материалы (гексатиофен, политиофен и т.п.).
Например, описанный выше первый слой электропроводного материала выполнен из экранирующего свет электропроводного материала, например, золота (Au), серебра (Ag), меди (Cu), алюминия (Al), молибдена (Mo), магния (Mg), вольфрама (W), или сплава, представляющего собой комбинацию перечисленных выше металлов. Например, первый слой электропроводного материала может быть выполнен из сплава молибдена с титаном, например, толщиной от 50 нм до 100 нм.
Например, в качестве материалов для второго слоя электропроводного материала и третьего слоя электропроводного материала могут быть использованы золото (Au), серебро (Ag), медь (Cu), алюминий (Al), молибден (Mo), магний (Mg), вольфрам (W) и сплавы, представляющие собой комбинации перечисленных выше металлов, или электропроводные оксиды металлов, например, оксид индия и олова (ITO), оксид индия и цинка (IZO), оксид цинка (ZnO), оксид цинка и алюминия (AZO) и т.п.
Например, второй слой электропроводного материала имеет многослойную структуру из сплава молибдена с титаном и меди, например, толщина слоя сплава молибдена с титаном может составлять от 30 нм до 50 нм, и толщина меди составляет от 300 нм до 400 нм.
Например, третий слой электропроводного материала имеет многослойную структуру из сплава молибдена с титаном и меди, например, толщина слоя сплава молибдена с титаном может составлять от 30 нм до 50 нм, и толщина меди составляет от 400 нм до 700 нм.
Например, материал полупроводникового слоя может представлять собой, не ограничиваясь этим, материалы на основе кремния (аморфный кремний (a-Si), поликристаллический кремний (p-Si) и т.п.), структуры металл-оксид-полупроводник (IGZO, ZnO, AZO, IZTO и т.п.) и органические материалы (гексатиофен, политиофен и т.п.).
Например, слой полупроводникового материала может быть выполнен из оксида индия, галлия и цинка и иметь толщину от 30 нм до 50 нм.
Например, первый изоляционный слой 201, второй изоляционный слой 202, и третий изоляционный слой 203 представляют собой, например, неорганические изоляционные слои, например, оксиды кремния, такие как оксид кремния, нитрид кремния и оксинитрид кремния, нитриды кремния или оксиды азота и кремния; изоляционные материалы, содержащие оксинитриды металлов, такие как оксид алюминия, нитрид титана и т.п. Например, эти изоляционные слои могут также быть выполнены из органических материалов, например, полиимид (PI), акрилат, эпоксидная смола и полиметилметакрилат (PMMA), и т.п., что не ограничивается в вариантах настоящего изобретения.
Например, первый изоляционный слой 201 выполнен из оксида кремния и имеет толщину от 300 нм до 500 нм. Например, второй изоляционный слой 202 выполнен из оксида кремния и имеет толщину от 100 нм до 160 нм. Например, третий изоляционный слой выполнен из оксида кремния и имеет толщину от 400 нм до 600 нм.
Например, как показано на фиг. 3B, четвертый изоляционный слой 204, слой цветного светофильтра и пятый изоляционный слой 205 также могут быть последовательно созданы на третьем электропроводном слое 503; первый электрод 123 светоизлучающего элемента выполняют на пятом изоляционном слое 205; затем на первом электроде 123 создают слой 206, ограничивающий пиксель; и последовательно формируют светоизлучающий слой 124 и второй электрод 122, для получения дисплейной подложки 10, как показано на фиг. 3A.
Например, процедура формирования слоя цветного светофильтра может содержать сначала создание слоя красного цветного светофильтра и выполнение рисунка в этом слое красного цветного светофильтра для образования участка цветного светофильтра, соответствующего красному субпикселю, далее создание слоя зеленого цветного светофильтра и выполнение рисунка в этом слое зеленого цветного светофильтра для образования участка цветного светофильтра, соответствующего зеленому субпикселю, и затем создание слоя синего цветного светофильтра и выполнение рисунка в этом слое синего цветного светофильтра для образования участка цветного светофильтра, соответствующего синему субпикселю.
Например, толщины слоя красного цветного светофильтра, слоя зеленого цветного светофильтра и слоя синего цветного светофильтра составляют соответственно от 2,000 нм до 3,000 нм, иными словами, толщина каждого участка цветного светофильтра равна от 2,000 нм до 3,000 нм.
Например, накладывающиеся один на другой участки цветного светофильтра между соседними субпикселями могут образовывать экранирующий свет участок для предотвращения перекрестных помех между цветами.
Например, электропроводная структура или сигнальная линия в дисплейной подложке может быть подвергнута травлению для образования вогнутой структуры; или поверхность электропроводной структуры или сигнальной линии может быть подвергнута плазменной обработке для создания первой поверхностной микроструктуры и второй поверхностной микроструктуры, как описано выше.
По меньшей мере один из вариантов настоящего изобретения далее предлагает панель дисплея, содержащую какую-либо одну из описанных выше дисплейных подложек 10. Следует отметить, что описанная выше дисплейная подложка 10, выполненная в соответствии по меньшей мере с одним из вариантов настоящего изобретения, может содержать или может не содержать светоизлучающий элемент 125, иными словами, светоизлучающий элемент 125 может быть создан на заводе, выпускающем панели, уже после завершения изготовления дисплейной подложки 10. Если дисплейная подложка 10 сама по себе не содержит светоизлучающий элемент 125, панель дисплея, изготовленная в соответствии с одним из вариантов настоящего изобретения, далее содержит светоизлучающий элемент 125 в дополнение к такой дисплейной подложке 10.
Например, панель дисплея представляет собой панель дисплея на органических светодиодах (OLED) и, соответственно, дисплейная подложка 10 в такой панели является дисплейной подложкой OLED-типа. Как показано на фиг. 5A, например, панель 20 дисплея далее содержит герметизирующий слой 801 и покровную пластину 802, нанесенные на дисплейную подложку 10; герметизирующий слой 801 конфигурирован для герметизации светоизлучающего элемента на дисплейной подложке 10 для предотвращения проникновения влаги и кислорода извне к светоизлучающему элементу и драйверной схеме, что могло бы привести к повреждению устройства. Например, герметизирующий слой 801 содержит органическую тонкую пленку или структуру, в которой одна на другую поочередно нанесены органические тонкие пленки и неорганические тонкие пленки. Например, между герметизирующим слоем 801 и дисплейной подложкой 10 может быть дополнительно создан водопоглощающий слой (не показан), который может быть конфигурирован для поглощения остаточных паров воды или золей после предыдущих этапов изготовления светоизлучающего элемента. Покровная пластина 802 представляет собой, например, стеклянную покровную пластину. Например, покровная пластина 802 и герметизирующий слой 801 могут представлять собой интегральную структуру.
В другом примере, как показано на фиг. 5B, панель дисплея содержит адгезионный слой 901 и металлический герметизирующий слой 902, созданные на дисплейной подложке 10. В дополнение к герметизирующей функции металлический герметизирующий слой 902 может также служить опорой и фиксировать дисплейную подложку 10, например, в приложениях большого размера, поддерживая дисплейную подложку 10 для уменьшения воздействия механических напряжений на дисплейную подложку 10. Например, дисплейная подложка 10 имеет структуру, излучающую вниз, и тогда металлический герметизирующий слой 902 не будет блокировать свет дисплея.
По меньшей мере один из вариантов настоящего изобретения далее предлагает дисплейное устройство 30; как показано на фиг. 6, дисплейное устройство 30 содержит дисплейную подложку 10 или дисплейную панель 20, как описано выше; дисплейное устройство согласно этому варианту может представлять собой: монитор, OLED-панель, OLED-телевизор, электронную «бумагу», мобильный телефон, планшетный персональный компьютер, портативный компьютер, цифровой копировально-множительный станок, навигатор, либо какой-либо другой продукт или компонент, имеющий функцию дисплея.
Например, описанная выше процедура формирования рисунка может применять обычную процедуру фотолитографии, содержащую, например, этапы нанесения покрытия фоторезистом, экспонирования, проявления, сушки и травления.
Выше были рассмотрены всего лишь примеры вариантов настоящего изобретения, не предназначенные для ограничения объема настоящего изобретения, так что объем настоящего изобретения определен прилагаемой формулой изобретения.
Блок отображения на основе органических светоизлучающих диодов, способ его возбуждения и устройство отображения
Матричная подложка и способ ее производства, гибкая панель отображения и устройство отображения
Матричная подложка и способ ее возбуждения, панель отображения и устройство отображения
Модуль и способ сбора данных, блок обработки данных, возбудитель и устройство отображения
Матричная подложка с органическими светодиодами и устройство отображения
Матричная подложка, жидкокристаллическая панель отображения и жидкокристаллическое устройство отображения
Матричная подложка и способ ее возбуждения и устройство отображения
Схема, подложка отображения и устройство отображения
Матричная подложка и устройство отображения
Тонкопленочный транзистор, запуск затвора на матрице и содержащее его устройство отображения, и способ его изготовления
Способ и устройство кодирования
Способ и устройство кодирования полярным кодом, беспроводное устройство и машиночитаемый носитель
Устройство и способ кодирования
Дисплейная панель
