МАТРИЧНАЯ ПОДЛОЖКА И УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ

Область техники, к которой относится изобретение

Настоящее изобретение относится к области техники отображения, и в частности, к матричной подложке и устройству отображения.

Уровень техники

С развитием технологии отображения и прогрессом общества, технология изготовления жидкокристаллических дисплеев широко применяется и теперь играет важнейшую роль в промышленном производстве и жизни людей.

Режим жидкокристаллического дисплея может разделяться на твист-нематический (TN) режим, режим с выравниванием по вертикали (VA) и режим с горизонтальным электрическим полем. Режим с горизонтальным электрическим полем содержит режим с ориентацией доменов в плоскости матричного слоя (IPS) и режим с ориентацией доменов по краевому полю (FFS). Жидкокристаллическое устройство отображения с FFS-режимом широко применяется вследствие широкого угла обзора и высокого коэффициента пропускания.

Что касается FFS-режима, жидкокристаллическая панель отображения содержит матричную подложку и цветную пленочную подложку. Матричная подложка содержит множество линий затвора, множество линий данных и множество пиксельных модулей. Линии затвора и линии данных пересекаются друг с другом перпендикулярным способом. Пиксельные модули задаются посредством соседних линий затвора и соседних линий данных. Каждый из пиксельных модулей содержит тонкопленочный транзистор, пиксельный электрод и общий электрод. Общий электрод расположен выше пиксельного электрода, и щели формируются в общем электроде. Изолирующий слой размещается между пиксельным электродом и общим электродом. Напряжение сигнала линии данных загружается в пиксельный электрод через тонкопленочный транзистор. Весь общий электрод покрывает все пиксельные модули и соединен с линией общего электрода в области без отображения.

Общий электрод, по меньшей мере, частично перекрывает линии данных или линии затвора. Чтобы уменьшать паразитную емкость между линиями данных или линиями затвора и общим электродом, толщина изолирующего слоя между общим электродом и линиями данных или линиями затвора увеличивается, соответственно. Это также снижает емкость хранения, сформированную между пиксельным электродом и общим электродом, так что напряжение пиксельного электрода подвергается изменению в ходе отображения кадра, и затрагивается эффект отображения.

Сущность изобретения

Относительно вышеуказанных проблем в предшествующем уровне техники, настоящее изобретение предоставляет матричную подложку и устройство отображения. В матричной подложке, емкость хранения может формироваться между линией электрода хранения и пиксельным электродом и компенсировать емкость хранения, сформированную между общим электродом и пиксельным электродом. Как результат, может не допускаться снижение емкости хранения между общим электродом и пиксельным электродом вследствие увеличения толщины первого изолирующего слоя. Дополнительно, способность сохранения заряда пиксельного электрода может увеличиваться, так что напряжение пиксельного электрода является постоянным в течение периода отображения кадра, и обеспечивается эффект отображения изображения.

Настоящее изобретение предоставляет матричную подложку, содержащую линию общего электрода, множество линий затвора и множество линий данных, которые пересекаются друг с другом, и пиксельные модули, заданные посредством соседних линий затвора и соседних линий данных, каждый из пиксельных модулей содержит пиксельный электрод и общий электрод, первый изолирующий слой размещается между пиксельным электродом и общим электродом, каждый из пиксельных модулей дополнительно содержит линию электрода хранения, линия электрода хранения и пиксельный электрод, по меньшей мере, частично перекрываются, второй изолирующий слой размещается между линией электрода хранения и пиксельным электродом, и линия электрода хранения и общий электрод соединены с линией общего электрода, соответственно. Поскольку линия электрода хранения и пиксельный электрод, по меньшей мере, частично перекрываются и разнесены посредством второго жидкокристаллического слоя, дополнительная емкость хранения формируется между линией электрода хранения и пиксельным электродом. Дополнительная емкость хранения может компенсировать емкость хранения между пиксельным электродом и общим электродом, так что может не допускаться снижение емкости хранения вследствие увеличения толщины первого изолирующего слоя между пиксельным электродом и общим электродом.

Выражение "линия электрода хранения и пиксельный электрод, по меньшей мере, частично перекрываются", используемое в данном документе, указывает то, что проекция линии электрода хранения в направлении, перпендикулярном матричной подложке, по меньшей мере, частично перекрывает проекцию пиксельного электрода.

Предпочтительно, область без отображения матричной подложки содержит предварительно заданный участок, в котором размещается контактная площадка электрода хранения, линия электрода хранения соединена с контактной площадкой электрода хранения, и в предварительно заданном участке линия общего электрода соединена с общим электродом и контактной площадкой электрода хранения, соответственно. Поскольку линия электрода хранения и линия общего электрода соединяются с контактной площадкой электрода хранения, линия электрода хранения увеличивает полезную площадь пластины для емкости хранения, в качестве которой выступает линия общего электрода, за счет этого увеличивая емкость хранения между пиксельным электродом и общим электродом. Поскольку контактная площадка электрода хранения размещается в предварительно заданном участке области без отображения, область отображения матричной подложки не затрагивается.

Матричная подложка может содержать область отображения и область без отображения. Например, участок, в котором размещаются пиксельные модули, может представлять собой область отображения, в то время как оставшаяся область может представлять собой область без отображения. Общий электрод, линия электрода хранения, первый изолирующий слой и второй изолирующий слой идут в область без отображения матричной подложки, соответственно.

Предпочтительно, линия общего электрода изготавливается из того же материала, что и линии данных, и размещается в том же слое, что и линии данных, и линия электрода хранения и контактная площадка электрода хранения изготавливаются из того же материала, что и линии затвора, и размещаются в том же слое, что и линии затвора. Согласно этому решению, линия общего электрода и линии данных изготовлены из одного и того же материала и размещены в одном и том же слое, и линия электрода хранения, контактная площадка электрода хранения и линии затвора изготовлены из одного и того же материала и размещены в одном и том же слое. Таким образом, линия общего электрода и линии данных могут формироваться посредством одного и того же процесса формирования рисунка, и линия электрода хранения, контактная площадка электрода хранения и линии затвора могут формироваться посредством одного и того же процесса формирования рисунка, за счет этого упрощая процесс изготовления и сокращая затраты.

Предпочтительно, общий электрод расположен выше пиксельного электрода, линия общего электрода, линия данных и пиксельный электрод размещаются на втором изолирующем слое, и линии затвора расположены ниже пиксельного электрода.

Предпочтительно, первое сквозное отверстие размещается в участке первого изолирующего слоя, соответствующем предварительно заданному участку, общий электрод соединен с линией общего электрода посредством первого сквозного отверстия; второе сквозное отверстие размещается в участке второго изолирующего слоя, соответствующем предварительно заданному участку, линия общего электрода соединена с контактной площадкой электрода хранения посредством второго сквозного отверстия.

Предпочтительно, линия электрода хранения, контактная площадка электрода хранения и линии общего электрода изготавливаются из того же материала, что и линии затвора, и размещаются в том же слое, что и линии затвора, и линия общего электрода и контактная площадка электрода хранения формируют цельную конструкцию. Согласно этому решению, линия электрода хранения, контактная площадка электрода хранения, линия общего электрода и линии затвора изготовлены из одного и того же материала и размещены в одном и том же слое. Таким образом, линия электрода хранения, контактная площадка электрода хранения, линия общего электрода и линии затвора могут формироваться посредством одного и того же процесса формирования рисунка, за счет этого упрощая процесс изготовления и сокращая затраты.

Предпочтительно, общий электрод расположен выше пиксельного электрода, и линии затвора расположены ниже пиксельного электрода.

Предпочтительно, третье сквозное отверстие размещается в участке первого изолирующего слоя и второго изолирующего слоя, соответствующем предварительно заданному участку, и общий электрод соединен с контактной площадкой электрода хранения посредством третьего сквозного отверстия.

Предпочтительно, предусмотрено множество линий электрода хранения, которые являются параллельными с направлением прохождения линий затвора, и каждая из множества линий электрода хранения соответствует ряду пиксельных электродов.

Предпочтительно, предусмотрено множество предварительно заданных участков и множество контактных площадок электрода хранения, и каждая из контактных площадок электрода хранения соединена с одной из линий электрода хранения;

- предусмотрено множество линий общего электрода, каждая из множества линий общего электрода, по меньшей мере, соединена с контактной площадкой электрода хранения в одном из предварительно заданных участков и дополнительно соединена с общим электродом в предварительно заданном участке.

Предпочтительно, предусмотрено множество предварительно заданных участков и множество контактных площадок электрода хранения, и каждая из контактных площадок электрода хранения соединена с одной из линий электрода хранения;

- предусмотрена только одна линия общего электрода, линия общего электрода соединена с контактной площадкой электрода хранения в каждом из предварительно заданных участков и соединена с общим электродом в каждом из предварительно заданных участков.

Предпочтительно, каждый из предварительно заданных участков расположен между линиями прохождения двух соседних линий затвора, и каждый из предварительно заданных участков соответствует ряду пиксельных электродов; направление прохождения каждой из линий общего электрода является параллельным с направлением прохождения линий затвора.

Предпочтительно, каждый из предварительно заданных участков расположен между линиями прохождения двух соседних линий затвора, и каждый из предварительно заданных участков соответствует ряду пиксельных электродов; направление прохождения линии общего электрода является параллельным с направлением прохождения линии данных.

Предпочтительно, щели размещаются в общем электроде и в участке, соответствующем лежащему ниже пиксельному электроду.

Выражение "участок общего электрода, соответствующий лежащему ниже пиксельному электроду", используемое в данном документе, указывает участок общего электрода, проекция которого в направлении, перпендикулярном матричной подложке, соответствует проекции пиксельного электрода.

Предпочтительно, первый изолирующий слой имеет толщину 1-3 мкм.

Настоящее изобретение дополнительно предоставляет устройство отображения, которое содержит вышеуказанную матричную подложку.

Настоящее изобретение предоставляет следующие преимущества. В матричной подложке настоящего изобретения, предоставляется линия электрода хранения, которая, по меньшей мере, частично перекрывает пиксельный электрод. Емкость хранения может формироваться между линией электрода хранения и пиксельным электродом и компенсирует емкость хранения, сформированную между общим электродом и пиксельным электродом. Как результат, может не допускаться снижение емкости хранения вследствие увеличения толщины первого изолирующего слоя. Дополнительно, способность сохранения заряда пиксельного электрода может увеличиваться, так что напряжение пиксельного электрода является постоянным в течение периода отображения кадра, и обеспечивается эффект отображения изображения.

Устройство отображения настоящего изобретения содержит вышеуказанную матричную подложку и может повышать качество отображения устройства отображения.

Краткое описание чертежей

Фиг. 1 является структурным видом матричной подложки в варианте 1 осуществления настоящего изобретения;

Фиг. 2 является видом в частичном поперечном сечении матричной подложки вдоль A1A2 на фиг. 1;

Фиг. 3 является видом в частичном поперечном сечении матричной подложки вдоль B1B2 на фиг. 1;

Фиг. 4 является структурным видом матричной подложки в варианте 2 осуществления настоящего изобретения;

Фиг. 5 является видом в частичном поперечном сечении матричной подложки вдоль B1B2 на фиг. 4.

Ссылки с номерами

1 - линия затвора; 2 - линия данных; 3 - пиксельный модуль; 31 - пиксельный электрод; 32 - общий электрод; 321 - щели; 33 - линия электрода хранения; 34 - тонкопленочный транзистор; 4 - первый изолирующий слой; 5 - второй изолирующий слой; 6 - линия общего электрода; 7 - область отображения; 8 - область без отображения; 81 - предварительно заданный участок; 9 - контактная площадка электрода хранения; 10 - первое сквозное отверстие; 11 - второе сквозное отверстие; 12 - третье сквозное отверстие; 13 - подложка.

Подробное описание изобретения

Далее подробно описываются матричная подложка и устройство отображения настоящего изобретения в отношении чертежей и вариантов осуществления, так что технические решения настоящего изобретения могут лучше пониматься специалистами в данной области техники.

Вариант 1 осуществления

Настоящий вариант осуществления предоставляет матричную подложку. Как показано на фиг. 1, 2 и 3, матричная подложка содержит линию 6 общего электрода, множество линий 1 затвора и множество линий 2 данных, которые пересекаются друг с другом, и пиксельные модули 3, заданные посредством соседних линий 1 затвора и соседних линий 2 данных. Каждый из пиксельных модулей 3 содержит пиксельный электрод 31 и общий электрод 32, и первый изолирующий слой 4 размещается между пиксельным электродом 31 и общим электродом 32. Каждый из пиксельных модулей 3 дополнительно содержит линию 33 электрода хранения. Линия 33 электрода хранения, по меньшей мере, частично перекрывает пиксельный электрод 31. Второй изолирующий слой 5 размещается между линией 33 электрода хранения и пиксельным электродом 31, и линия 33 электрода хранения и общий электрод 32 соединены с линией 6 общего электрода, соответственно.

В матричной подложке предоставляется линия 33 электрода хранения, которая, по меньшей мере, частично перекрывает пиксельный электрод 31. Емкость хранения может формироваться между линией 33 электрода хранения и пиксельным электродом 31 и компенсирует емкость хранения, сформированную между общим электродом 32 и пиксельным электродом 31. Как результат, может не допускаться снижение емкости хранения вследствие увеличения толщины первого изолирующего слоя 4. Дополнительно, способность сохранения заряда пиксельного электрода может увеличиваться, так что напряжение пиксельного электрода 31 является постоянным в течение периода отображения кадра, и обеспечивается эффект отображения изображения.

В этом варианте осуществления, участок, в котором размещаются пиксельные модули 3, представляет собой область 7 отображения, в то время как оставшаяся область представляет собой область 8 без отображения. Общий электрод 32, линия 33 электрода хранения, первый изолирующий слой 4 и второй изолирующий слой 5 идут в область 8 без отображения, соответственно.

Область 8 без отображения содержит предварительно заданный участок 81, в котором размещается контактная площадка 9 электрода хранения. Линия 33 электрода хранения соединена с контактной площадкой 9 электрода хранения. В предварительно заданном участке 81, линия 6 общего электрода соединена с общим электродом 32 и контактной площадкой 9 электрода хранения, соответственно, как показано на фиг. 3. А именно, и общий электрод 32 и линия 33 электрода хранения соединяются с контактной площадкой 9 электрода хранения. Таким образом, обеспечивается то, что в ходе отображения, совершенно идентичный сигнал общего напряжения применяется к общему электроду 32 и линии 33 электрода хранения, так что емкость хранения, сформированная между линией 33 электрода хранения и пиксельным электродом 31, может компенсировать емкость хранения, сформированную между общим электродом 32 и пиксельным электродом 31. Как результат, емкость хранения между пиксельным электродом 31 и общим электродом 32 не снижается.

В этом варианте осуществления, общий электрод 32 размещается выше пиксельного электрода 31, линия 6 общего электрода изготавливается из того же материала, что и материал линий 2 данных, и размещается в том же слое, что и слой линий 2 данных, и линии 2 данных и пиксельный электрод 31 размещаются выше второго изолирующего слоя 5. Линии 1 затвора размещаются ниже пиксельного электрода 31, и линия 33 электрода хранения и контактная площадка 9 электрода хранения изготавливаются из того же материала, что и линии затвора, и размещаются в том же слое, что и слой линий 1 затвора. Кроме того, каждый из пиксельных модулей 3 дополнительно содержит тонкопленочный транзистор 34. Тонкопленочный транзистор 34 содержит исток, сток, активную область и затвор. Активная область размещается на втором изолирующем слое 5, и затвор и линии 1 затвора размещаются в одном и том же слое. Исток соединен с линиями 2 данных, сток соединен с пиксельным электродом 31, и затвор соединен с линиями 1 затвора.

Как показано на фиг. 3, первое сквозное отверстие 10 размещается в участке первого изолирующего слоя 4, соответствующем предварительно заданному участку 81, и общий электрод 32 соединен с линией 6 общего электрода посредством первого сквозного отверстия 10. Второе сквозное отверстие 11 размещается в участке второго изолирующего слоя 5, соответствующем предварительно заданному участку 81, и линия 6 общего электрода соединена с контактной площадкой 9 электрода хранения посредством второго сквозного отверстия 11. Таким образом, общий электрод 32 и линия 33 электрода хранения могут быть соединены с линией 6 общего электрода, соответственно.

Также возможно то, что линии 2 данных размещаются между общим электродом 32 и пиксельным электродом 31. В этом случае, первый изолирующий слой 4 содержит изолирующий слой между линиями 2 данных и пиксельным электродом 31 и изолирующий слой между линиями 2 данных и общим электродом 32. Оставшаяся структура является идентичной структуре, описанной выше.

В этом варианте осуществления, линия 33 электрода хранения содержит множество линий электрода хранения, и множество линий 33 электрода хранения являются параллельными с направлением прохождения линий 1 затвора. Каждая из линий 33 электрода хранения соответствует ряду пиксельных электродов 31, т.е. каждая из линий 33 электрода хранения, по меньшей мере, частично перекрывает каждый из пиксельных электродов 31 в ряду пиксельных электродов 31, которой соответствует линия электрода хранения. Таким образом, обеспечивается то, что емкость хранения между каждым из пиксельных электродов 31 и общим электродом 32 не уменьшается, так что способность сохранения заряда каждого из пиксельных электродов 31 поддерживается постоянной, за счет этого обеспечивая то, что напряжение каждого из пиксельных электродов 31 является постоянным в ходе отображения кадра.

В этом варианте осуществления, предусмотрено множество предварительно заданных участков 81, и, соответственно, предусмотрено множество контактных площадок 9 электрода хранения. Каждая из контактных площадок 9 электрода хранения соединена с одной из линий 33 электрода хранения. Предусмотрена только одна линия 6 общего электрода, которая соединена с контактной площадкой 9 электрода хранения в каждом из предварительно заданных участков 81 и соединена с общим электродом 32 в каждом из предварительно заданных участков 81. Таким образом, обеспечивается то, что линия 6 общего электрода подает идентичное общее напряжение в общий электрод 32 и каждую из контактных площадок 9 электрода хранения, так что напряжение на общем электроде 32 и линии 33 электрода хранения является постоянным в ходе отображения.

В этом варианте осуществления, каждый из предварительно заданных участков 81 расположен между линиями прохождения двух соседних линий 1 затвора, и каждый из предварительно заданных участков 81 соответствует ряду пиксельных электродов 31. Направление прохождения линии 6 общего электрода является параллельным с направлением прохождения линий 2 данных. Таким образом, упрощается межсоединение в области 8 без отображения матричной подложки, и повышается выход годных матричных подложек.

В этом варианте осуществления, щели 321 размещаются в общем электроде 32 и в участке, соответствующем лежащему ниже пиксельному электроду 31. Таким образом, краевое поле может формироваться между общим электродом 32 и пиксельным электродом 31, так что режим с коммутацией по краевому полю может быть реализован в матричной подложке.

В этом варианте осуществления, первый изолирующий слой 4 имеет толщину 1-3 мкм. А именно, линия 33 электрода хранения размещается таким образом, что когда первый изолирующий слой 4 имеет вышеуказанную толщину, способность сохранения заряда пиксельного электрода 31 поддерживается постоянной, и обеспечивается эффект отображения изображения в каждом кадре.

Способ для изготовления матричной подложки в этом варианте осуществления может содержать следующие этапы S1-S7.

Этап S1. Металлический слой напыляется на подложке 130. Рисунок линий 1 затвора, затвора, линии 33 электрода хранения и контактной площадки 9 электрода хранения формируется посредством применения фоторезиста, экспонирования, проявки и травления.

На этом этапе, что касается металлического слоя, например, могут использоваться металлические материалы, такие как Al, Cu, Mo, Ti, Cr или W, либо материалы в форме сплава этих металлических материалов. Кроме того, линии затвора могут не только иметь однослойную структуру, но также и иметь многослойную структуру, такую как Mo\Al\Mo, Ti\Cu\Ti, Mo\Ti\Cu.

Этап S2. Второй изолирующий слой 5 осаждается на результирующей подложке 13 из этапа S1 посредством химического осаждения из паровой фазы. Второе сквозное отверстие 11 формируется посредством применения фоторезиста, экспонирования, проявки и травления, и контактная площадка 9 электрода хранения частично открывается.

На этом этапе, что касается второго изолирующего слоя 5, может использоваться нитрид кремния или оксид кремния. Второй изолирующий слой 5 также может приспосабливать многослойную структуру, например, оксид кремния/нитрид кремния.

Этап S3. Слой прозрачного проводящего материала напыляется на результирующей подложке 13 из этапа S2. Рисунок пиксельного электрода 31 формируется посредством применения фоторезиста, экспонирования, проявки и травления.

На этом этапе, что касается прозрачного проводящего материала, например, используются оксид индия и олова (ITO), легированный индием оксид цинка (IZO) или другие прозрачные материалы на основе оксидов металла.

Этап S4. Полупроводниковый слой осаждается на результирующей подложке 13 из этапа S3. Рисунок активного слоя формируется посредством применения фоторезиста, экспонирования, проявки и травления.

На этом этапе, полупроводниковый слой может приспосабливать аморфный кремний, поликристаллический кремний, микрокристаллический кремний или оксидный полупроводниковый материал, например, a-Si и n+a-Si, который осаждается непрерывно посредством плазмохимического осаждения из паровой фазы, либо оксид индия, галия и цинка (IGZO), который осаждается посредством напыления.

Этап S5. Металлический слой осаждается на результирующей подложке 13 из этапа S4 посредством напыления. Рисунок линий 2 данных, истока, стока и линии 6 общего электрода формируется посредством применения фоторезиста, экспонирования, проявки и травления. Сток соединен с пиксельным электродом 31.

На этом этапе, что касается металлического слоя, могут использоваться металлические материалы, такие как Al, Cu, Mo, Ti, Cr или W, либо материалы в форме сплава этих металлических материалов.

Этап S6. Первый изолирующий слой 4 осаждается на результирующей подложке 13 из этапа S5. Первое сквозное отверстие 10 формируется посредством применения фоторезиста, экспонирования, проявки и травления и частично открывает линию 6 общего электрода.

На этом этапе, что касается первого изолирующего слоя 4, используются неорганические изоляционные материалы, такие как нитрид кремния, или органические изоляционные материалы, такие как органические материалы на основе смолы.

Этап S7. Слой прозрачного проводящего материала осаждается посредством напыления на результирующей подложке 13 из этапа S6. Рисунок общего электрода 32 формируется посредством применения фоторезиста, экспонирования, проявки и травления.

На этом этапе, что касается прозрачного проводящего материала, например, используются оксид индия и олова (ITO), легированный индием оксид цинка (IZO) или другие прозрачные материалы на основе оксидов металла.

Вариант 2 осуществления

Настоящий вариант осуществления предоставляет матричную подложку, которая отличается от варианта 1 осуществления в следующих аспектах. Как показано на фиг. 4, 5, общий электрод 32 расположен выше пиксельного электрода 31, линии 1 затвора расположены ниже пиксельного электрода 31, линия 33 электрода хранения, контактная площадка 9 электрода хранения и линия 6 общего электрода изготавливаются из того же материала, что и линии затвора, и размещаются в том же слое, что и слой линий 1 затвора, и линия 6 общего электрода и контактная площадка 9 электрода хранения формируют цельную конструкцию. Третье сквозное отверстие 12 размещается в участке первого изолирующего слоя 4 и второго изолирующего слоя 5, соответствующем предварительно заданному участку 81, и общий электрод 32 соединен с контактной площадкой 9 электрода хранения посредством третьего сквозного отверстия 12.

Таким образом, общий электрод 32 и линия 33 электрода хранения могут быть соединены с линией 6 общего электрода, соответственно, так что линия 6 общего электрода может предоставлять постоянное общее напряжение в общий электрод 32 и линию 33 электрода хранения в ходе отображения.

В этом варианте осуществления, предусмотрено множество предварительно заданных участков 81, и, соответственно, предусмотрено множество контактных площадок 9 электрода хранения. Каждая из контактных площадок 9 электрода хранения соединена с одной из линий 33 электрода хранения. Предусмотрено множество линий 6 общего электрода. Каждая из линий 6 общего электрода, по меньшей мере, соединена с контактными площадками 9 электрода хранения в одном из предварительно заданных участков 81 и соединена с общим электродом 32 в предварительно заданном участке 81, в котором она соединена с контактными площадками 9 электрода хранения. Таким образом, линия 6 общего электрода предоставляет постоянное общее напряжение в общий электрод 32 и каждую из контактных площадок 9 электрода хранения, так что напряжение на общем электроде 32 и линии 33 электрода хранения является постоянным в ходе отображения.

В этом варианте осуществления, каждый из предварительно заданных участков 81 расположен между линиями прохождения двух соседних линий 1 затвора, и каждый из предварительно заданных участков 81 соответствует ряду пиксельных электродов 31. Направление прохождения каждой из линий 6 общего электрода является параллельным с направлением прохождения линий 1 затвора. Таким образом, упрощается межсоединение в области 8 без отображения матричной подложки, и повышается выход годных матричных подложек.

Соответственно, в ходе изготовления матричной подложки настоящего варианта осуществления, в то время, когда формируются линии 1 затвора, затвор, линия 33 электрода хранения и контактные площадки 9 электрода хранения, формируются линии 6 общего электрода. После осаждения первого изолирующего слоя 4, формируется третье сквозное отверстие 12, которое проникает через первый изолирующий слой 4 и второй изолирующий слой 5 и частично открывает контактные площадки 9 электрода хранения. Можно обратиться к варианту 1 осуществления для способа для изготовления каждого слоя в матричной подложке, что не повторяется в данном документе для простоты.

Варианты 1 и 2 осуществления имеют следующие преимущества. В матричной подложке вариантов 1 и 2 осуществления, предоставляются линии электрода хранения, при этом линии электрода хранения, по меньшей мере, частично перекрывают пиксельный электрод, так что емкость хранения может формироваться между линиями электрода хранения и пиксельным электродом. Емкость хранения может компенсировать емкость хранения, сформированную между общим электродом и пиксельным электродом, так что может не допускаться снижение емкости хранения между общим электродом и пиксельным электродом вследствие увеличения толщины первого изолирующего слоя. Дополнительно, способность сохранения заряда пиксельного электрода может увеличиваться, так что напряжение пиксельного электрода является постоянным в течение периода отображения кадра, и обеспечивается эффект отображения изображения.

Вариант 3 осуществления

Настоящий вариант осуществления предоставляет устройство отображения, которое содержит матричную подложку по варианту 1 или 2 осуществления.

Посредством приспособления матричной подложки по варианту 1 или 2 осуществления, может повышаться качество отображения устройства отображения.

Хотя настоящее изобретение описано выше со ссылкой на конкретные варианты осуществления, следует понимать, что ограничения описанных вариантов осуществления служат просто для иллюстративной цели и ни в коей мере не являются ограничивающими. Вместо этого, объем изобретения задается посредством прилагаемой формулы изобретения, а не посредством описания, и всех изменения, которые попадают в пределы диапазона формулы изобретения, должны охватываться ей. Таким образом, варианты осуществления, отличные от конкретных вариантов осуществления, описанных выше, являются в равной степени возможными в пределах этой прилагаемой формулы изобретения.