МАТРИЧНАЯ ПОДЛОЖКА, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПАНЕЛЬ ОТОБРАЖЕНИЯ И ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Область техники, к которой относится изобретение

Настоящее раскрытие сущности относится к области техники отображения, и в частности, к матричной подложке, жидкокристаллической панели отображения и жидкокристаллическому устройству отображения.

Уровень техники

Жидкокристаллические устройства отображения имеют характеристики, включающие в себя низкую потребляемую мощность, отсутствующее излучение и т.п., которые являются преобладающими в области техники плоских дисплеев в данный момент.

Жидкокристаллическая панель отображения в существующем жидкокристаллическом устройстве отображения обычно содержит матричную подложку и цветную пленочную подложку, размещенные напротив друг друга, и жидкокристаллический слой, заполненный между матричной подложкой и цветной пленочной подложкой. Матричная подложка содержит множество пиксельных модулей, и каждый пиксельный модуль содержит один пиксельный электрод, и цветная пленочная подложка содержит общий электрод. Угол отклонения молекул жидких кристаллов в жидкокристаллическом участке, которому соответствует пиксельный модуль, может управляться посредством электрического поля, сформированного между пиксельным электродом и общим электродом, в силу этого выполняя функцию жидкокристаллического дисплея.

Тем не менее, в существующей матричной подложке, поскольку каждый пиксельный модуль содержит только один пиксельный электрод, под действием эффекта электрического поля, сформированного посредством пиксельного электрода и общего электрода, молекулы жидких кристаллов в жидкокристаллическом участке, которому соответствует один пиксельный модуль, имеют идентичный угол отклонения, приводя к небольшому углу обзора жидкокристаллического устройства отображения в предшествующем уровне техники.

Сущность изобретения

Цель настоящего раскрытия сущности заключается в том, чтобы предоставлять матричную подложку, жидкокристаллическую панель отображения и устройство отображения, которые позволяют, по меньшей мере, частично снижать остроту проблемы, существующей в предшествующем уровне техники.

Первый аспект настоящего раскрытия сущности предоставляет матричную подложку. Матричная подложка может содержать множество пиксельных модулей, размещаемых в матрице, по меньшей мере, один из пиксельных модулей содержит один или более первых пиксельных электродов и второй пиксельный электрод, каждый из первых пиксельных электродов соединен с первым тонкопленочным транзистором, второй пиксельный электрод соединен со вторым тонкопленочным транзистором; при этом:

- канал обеспечен между истоком и стоком в каждом из первых тонкопленочных транзисторов, проекция каждого из первых пиксельных электродов на плоскость, где находится канал соответствующего первого тонкопленочного транзистора, покрывает, по меньшей мере, частично канал соответствующего первого тонкопленочного транзистора; что касается каждого из первых тонкопленочных транзисторов, площадь части их канала, которая покрыта соответствующим первым пиксельным электродом, не равна; каждый из первых пиксельных электродов и истока и стока в соответствующем первом тонкопленочном транзисторе составляют тонкопленочный транзистор с верхним затвором.

В матричной подложке, предоставленной посредством настоящего раскрытия сущности, по меньшей мере, один пиксельный модуль из множества пиксельных модулей содержит один или более первых пиксельных электродов, возбуждаемых посредством соответствующих первых тонкопленочных транзисторов, и второй пиксельной электрод, возбуждаемый посредством второго тонкопленочного транзистора, при этом канал обеспечен между истоком и стоком каждого первого тонкопленочного транзистора, проекция каждого первого пиксельного электрода на плоскость канала соответствующего первого тонкопленочного транзистора покрывает, по меньшей мере, частично канал соответствующего первого тонкопленочного транзистора, и каждый первый пиксельный электрод составляет тонкопленочный транзистор с верхним затвором совместно с истоком и стоком соответствующего первого тонкопленочного транзистора. В каждом тонкопленочном транзисторе с верхним затвором, первый пиксельный электрод используется в качестве затвора, сток соответствующего первого тонкопленочного транзистора используется в качестве истока, и исток соответствующего первого тонкопленочного транзистора используется в качестве стока. Кроме того, каждый первый пиксельный электрод электрически соединен с истоком соответствующего тонкопленочного транзистора с верхним затвором (т.е. со стоком соответствующего первого тонкопленочного транзистора). Когда первый пиксельный электрод разряжается, миграция носителей формируется в затворе соответствующего тонкопленочного транзистора с верхним затвором (т.е. в первом пиксельном электроде) таким образом, что канал между истоком и стоком в тонкопленочном транзисторе с верхним затвором является проводящим, т.е. тонкопленочный транзистор с верхним затвором находится во включенном состоянии, за счет этого предоставляя возможность первому пиксельному электроду сбрасывать частичное напряжение через тонкопленочный транзистор с верхним затвором. Следовательно, когда один или более первых пиксельных электродов и второй пиксельный электрод разряжаются, в идентичном пиксельном модуле, напряжения одного или более первых пиксельных электродов ниже напряжения второго пиксельного электрода, так что угол отклонения молекул жидких кристаллов в жидкокристаллических участках, которым соответствуют один или более первых пиксельных электродов, меньше угла отклонения молекул жидких кристаллов в жидкокристаллическом участке, которому соответствует второй пиксельный электрод. Один или более первых пиксельных электродов сбрасывают напряжение на различных скоростях через соответствующие тонкопленочные транзисторы с верхним затвором, так что соответствующие первые пиксельные электроды имеют различные напряжения. Различные напряжения предоставляют возможность молекулам жидких кристаллов в соответствующих жидкокристаллических участках иметь различные углы отклонения, т.е. молекулы жидких кристаллов в жидкокристаллическом участке, которому соответствует идентичный пиксельный модуль, имеют различные углы отклонения. Соответственно, по сравнению с предшествующим уровнем техники, в котором углы отклонения молекул жидких кристаллов в жидкокристаллическом участке, которому соответствует идентичный пиксельный модуль, являются идентичными в матричной подложке, предоставленной посредством настоящего раскрытия сущности, молекулы жидких кристаллов в жидкокристаллическом участке, которому соответствует идентичный пиксельный модуль, имеют, по меньшей мере, два угла отклонения, за счет этого значительно увеличивая угол обзора жидкокристаллического устройства отображения.

Второй аспект настоящего раскрытия сущности предоставляет жидкокристаллическую панель отображения, содержащую матричную подложку, предоставленную посредством вышеприведенного технического решения.

Преимущества, которыми обладает жидкокристаллическая панель отображения, предоставленная посредством настоящего раскрытия сущности, относительно предшествующего уровня техники являются идентичными преимуществам, которыми обладает вышеуказанная матричная подложка относительно предшествующего уровня техники, что не описывается здесь подробно для простоты.

Третий аспект настоящего раскрытия сущности дополнительно предоставляет жидкокристаллическое устройство отображения, содержащее жидкокристаллическую панель отображения, предоставленную посредством вышеприведенного технического решения.

Преимущества, которыми обладает жидкокристаллическое устройство отображения, предоставленное посредством настоящего раскрытия сущности, относительно предшествующего уровня техники являются идентичными преимуществам, которыми обладает вышеуказанная жидкокристаллическая панель отображения относительно предшествующего уровня техники, что не описывается здесь подробно для простоты.

Краткое описание чертежей

Чертежи, описанные здесь, используются для того, чтобы предоставлять дополнительное понимание настоящего раскрытия сущности, и составляют часть настоящего раскрытия сущности. Иллюстративные варианты осуществления настоящего раскрытия сущности и их пояснения используются для того, чтобы интерпретировать настоящее раскрытие сущности, и не ограничивают настоящее раскрытие сущности несоответствующим способом. На чертежах:

Фиг. 1 является принципиальной структурной схемой пиксельного модуля в матричной подложке по вариантам осуществления настоящего раскрытия сущности;

Фиг. 2 является принципиальной структурной схемой другого пиксельного модуля в матричной подложке по вариантам осуществления настоящего раскрытия сущности.

Ссылки с номерами, используемые на чертежах, являются следующими:

1 - жидкокристаллическая дисплейная панель

2 - источник задней подсветки

21 - углубление

100 - первый пиксельный электрод

110 - первый тонкопленочный транзистор

111 - исток первого тонкопленочного транзистора

112 - сток первого тонкопленочного транзистора

113 - первое сквозное отверстие

200 - второй пиксельный электрод

210 - второй тонкопленочный транзистор

211 - исток второго тонкопленочного транзистора

212 - сток второго тонкопленочного транзистора

213 - второе сквозное отверстие

300 - общий электрод

310 - экранирующий электрод

Подробное описание изобретения

Чтобы дополнительно пояснять матричную подложку и устройство отображения, предоставленные посредством вариантов осуществления настоящего раскрытия сущности, ниже предоставляется подробное описание со ссылкой на чертежи.

Ссылаясь на фиг. 1, варианты осуществления настоящего раскрытия сущности предоставляют матричную подложку, содержащую множество пиксельных модулей, размещаемых в матрице, при этом пиксельные электроды, по меньшей мере, в одном пиксельном модуле располагаются следующим образом.

Фиг. 1 показывает один пиксельный модуль в матричной подложке. Пиксельный модуль содержит первый пиксельный электрод 100 и второй пиксельный электрод 200. Первый пиксельный электрод 100 соединен с первым тонкопленочным транзистором 110, и второй пиксельный электрод 200 соединен со вторым тонкопленочным транзистором 210, при этом канал обеспечен между истоком 111 и стоком 112 первого тонкопленочного транзистора 110. Проекция первого пиксельного электрода 100 на плоскость, где находится канал, покрывает, по меньшей мере, часть канала. Первый пиксельный электрод 100 и исток 111 и сток 112 первого тонкопленочного транзистора 110 выступают в качестве тонкопленочного транзистора с верхним затвором (т.е. первый пиксельный электрод 100 одновременно выступает в качестве затвора первого тонкопленочного транзистора 110).

При реализации, матричная подложка содержит несущую подложку и множество пиксельных модулей, размещаемых в матрице на несущей подложке. По меньшей мере, в одном пиксельном модуле, первый пиксельный электрод 100 и второй пиксельный электрод 200 располагаются наверху пиксельного модуля. Первый пиксельный электрод 100 используется в качестве затвора тонкопленочного транзистора с верхним затвором, сток 112 первого тонкопленочного транзистора 110 используется в качестве истока тонкопленочного транзистора с верхним затвором, исток 111 первого тонкопленочного транзистора 110 используется в качестве стока тонкопленочного транзистора с верхним затвором, и первый пиксельный электрод соединяется с истоком тонкопленочного транзистора с верхним затвором (т.е. со стоком 112).

На основе вышеприведенной конфигурации, когда пиксельный электрод разряжается, возникает миграция носителей в затворе тонкопленочного транзистора с верхним затвором (т.е. в первом пиксельном электроде 100) таким образом, что канал между истоком и стоком тонкопленочного транзистора с верхним затвором является проводящим, т.е. тонкопленочный транзистор с верхним затвором находится во включенном состоянии, в силу чего первый пиксельный электрод 100 может сбрасывать частичное напряжение в линию 2 данных через тонкопленочный транзистор с верхним затвором, так что в идентичном пиксельном модуле, скорость разряда первого пиксельного электрода 100 выше скорости разряда второго пиксельного электрода 200, за счет этого приводя к тому, что напряжение первого пиксельного электрода 100 ниже напряжения второго пиксельного электрода 200, дополнительно задавая интенсивность поля для электрического поля, сформированного посредством первого пиксельного электрода 110 и общего электрода на цветной пленочной подложке, ниже интенсивности поля для электрического поля, сформированного посредством второго пиксельного электрода 200 и общего электрода на цветной пленочной подложке. Жидкокристаллический участок, которому соответствует идентичный пиксельный модуль, фактически разделяется на область низких напряжений, которой соответствует первый пиксельный электрод 100, и область высоких напряжений, которой соответствует второй пиксельный электрод 200. Соответственно, под действием эффектов вышеуказанных электрических полей с различными интенсивностями поля, сила электрического поля, действующая на молекулы жидких кристаллов в области низких напряжений, меньше силы электрического поля, действующей на молекулы жидких кристаллов в области высоких напряжений, так что угол отклонения молекул жидких кристаллов в области низких напряжений меньше угла отклонения молекул жидких кристаллов в области высоких напряжений, т.е. молекулы жидких кристаллов в жидкокристаллическом участке, которому соответствует идентичный пиксельный модуль, имеют различные углы отклонения. Следовательно, по сравнению с предшествующим уровнем техники, в котором молекулы жидких кристаллов в жидкокристаллическом участке, которому соответствует идентичный пиксельный модуль, имеют идентичные углы отклонения в матричной подложке, предоставленной посредством настоящего раскрытия сущности, молекулы жидких кристаллов в жидкокристаллическом участке, которому соответствует идентичный пиксельный модуль, имеют, по меньшей мере, два угла отклонения, за счет этого значительно увеличивая угол обзора жидкокристаллического устройства отображения.

В вариантах осуществления настоящего раскрытия сущности, проекция первого пиксельного электрода 100 на плоскость, где находится канал между истоком 111 и стоком 112 первого тонкопленочного транзистора 110, может покрывать весь канал между истоком 111 и стоком 112 первого тонкопленочного транзистора 110, как показано на фиг. 1, и также может покрывать часть канала между истоком 111 и стоком 112 первого тонкопленочного транзистора 110, как показано на фиг. 2. Поскольку в общем случае скорость разряда первого пиксельного электрода 100 через тонкопленочный транзистор с верхним затвором положительно коррелирована с площадью канала, покрываемой посредством проекции первого пиксельного электрода 100 на плоскость, где находится канал между истоком 111 и стоком 112 первого тонкопленочного транзистора 110, при реализации, специалисты в данной области техники могут обоснованно регулировать площадь канала, покрываемую посредством проекции первого пиксельного электрода 100, согласно скорости разряда первого пиксельного электрода 100 через тонкопленочный транзистор с верхним затвором и размеру пространства для межсоединений на матричной подложке.

В некоторых реализациях, идентичный пиксельный модуль может содержать, по меньшей мере, два первых пиксельных электрода 100. Каждый первый пиксельный электрод 100 возбуждается посредством соответствующего первого тонкопленочного транзистора 110. Предусмотрен канал между истоком 111 и стоком 112 каждого первого тонкопленочного транзистора 110. Проекция первого пиксельного электрода 100, соответствующего первому тонкопленочному транзистору 110 на плоскость, где находится канал первого тонкопленочного транзистора 110, по меньшей мере, частично покрывает канал, и для каждого первого тонкопленочного транзистора 110, площадь части канала, покрываемая посредством проекции первого пиксельного электрода 100, не равна, с тем чтобы составлять различный тонкопленочный транзистор с верхним затвором, соответствующий каждому первому пиксельному электроду 100. Посредством вышеуказанной меры, в идентичном пиксельном модуле, когда первые пиксельные электроды 100 и второй пиксельный электрод 200 разряжаются, скорости разряда соответствующих первых пиксельных электродов 100 через соответствующие тонкопленочные транзисторы с верхним затвором задаются таким образом, что они отличаются, чтобы заставлять соответствующие первые пиксельные электроды 100 иметь различные напряжения. Различные напряжения предоставляют возможность молекулам жидких кристаллов в соответствующих областях низких напряжений иметь различные углы отклонения, и дополнительно, угол отклонений молекул жидких кристаллов в области высоких напряжений также отличается от углов отклонения молекул жидких кристаллов в соответствующих областях низких напряжений. Следовательно, в вариантах осуществления настоящего раскрытия сущности, молекулы жидких кристаллов в жидкокристаллическом участке, которому соответствует идентичный пиксельный модуль, имеют, по меньшей мере, три различных угла отклонения, что значительно увеличивает угол обзора жидкокристаллического устройства отображения по сравнению с предшествующим уровнем техники, в котором молекулы жидких кристаллов в жидкокристаллическом участке, которому соответствует идентичный пиксельный модуль, имеют только один угол отклонения.

Ссылаясь на фиг. 1, в отношении вышеприведенного технического решения, матричная подложка дополнительно содержит множество линий данных, продолжающихся в первом направлении, и множество линий затвора, продолжающихся во втором направлении, и второй тонкопленочный транзистор 210 содержит исток 211 и затвор, размещенные в разных слоях, при этом исток 211 состоит из сегмента линии данных в участке, в котором линия 2 данных пересекает линию 1 затвора, и затвор состоит из сегмента линии затвора в участке, в котором линия 1 затвора пересекает линию 2 данных. В частности, линия 1 затвора расположена в слое затвора в пиксельном модуле, и линия 2 данных расположена в металлическом слое стока-истока в пиксельном модуле, в котором расположены исток 111, исток 211, сток 112 и сток 212. Во время выполнения процесса формирования рисунка для слоя затвора и металлического слоя стока-истока, сегмент линии 2 данных в участке, в котором линия 2 данных пересекает линию 1 затвора, непосредственно используется в качестве истока 211, и линия 1 затвора в участке используется в качестве затвора, без необходимости дополнительно размещать исток 211, затвор и провода для соединения истока 211 и затвора с сигнальной линией, соответственно, на несущей подложке. Это позволяет не только упрощать процесс формирования рисунка для слоя затвора и металлического слоя стока-истока, но также и снижать общую площадь проводов на матричной подложке и увеличивать относительное отверстие подложки, в силу этого формируя лучший эффект отображения. Кроме того, в соответствии с иллюстративным вариантом осуществления настоящего раскрытия сущности, первый пиксельный электрод 100 и второй пиксельный электрод 200 в идентичном пиксельном модуле расположены на двух сторонах сигнальной линии, соответственно. Например, первый пиксельный электрод 100 и второй пиксельный электрод 200 в идентичном пиксельном модуле расположены на двух сторонах линии 1 затвора, соответственно, так что как первый пиксельный электрод 100, так и второй пиксельный электрод 200 находятся близко к линии 1 затвора, с тем чтобы уменьшать длину провода для соединения второго пиксельного электрода 200 со вторым тонкопленочным транзистором 210 и длину провода для соединения первого пиксельного электрода 100 с первым тонкопленочным транзистором 110, за счет этого дополнительно упрощая процесс формирования рисунка для слоя затвора и металлического слоя стока-истока, снижая общую площадь проводов на матричной подложке и увеличивая относительное отверстие подложки, в силу этого формируя лучший эффект отображения.

Ссылаясь на фиг. 1, дополнительно, форма истока 211 второго тонкопленочного транзистора 210 задается в качестве круглой дуги. Круглый дугообразный исток 211, по сравнению с I-образным истоком, увеличивает длину канала между истоком 211 и стоком 212 и дополнительно увеличивает среднее соотношение W/L сторон канала (где ширина W является длиной канала, L является шириной поперечного сечения канала; в этом варианте осуществления, ширина W находится в прямой пропорции с длиной круглой дугообразной частичной линии 2 данных). Когда второй тонкопленочный транзистор 210 находится во включенном состоянии, его зарядный ток I_on и соотношение W/L сторон канала имеют следующую взаимосвязь:

,

где V_gs является разностью потенциалов между затвором и истоком, и V_th является начальным возбуждаемым напряжением зарядов для зоны проводимости активного слоя, т.е. пороговым напряжением. C_ox=ε₀ε_ox/d_ox, в формуле, C_ox является емкостью единицы площади изолирующего слоя затвора, ε₀ является вакуумной диэлектрической постоянной, ε_ox является диэлектрической постоянной изолирующего слоя затвора, и d_ox является толщиной изолирующего слоя затвора; μ_n является мобильностью электронных носителей активного слоя.

Как известно из вышеуказанной взаимосвязи, зарядный ток второго тонкопленочного транзистора 210 находится в прямой пропорции с соотношением сторон его канала. По вышеприведенной причине, исток 211 второго тонкопленочного транзистора 210 задается в качестве круглой дуги таким образом, что канал между истоком 211 и стоком 212 второго тонкопленочного транзистора становится более длинным, чтобы за счет этого увеличивать соотношение сторон канала второго тонкопленочного транзистора 210 и дополнительно увеличивать зарядный ток второго тонкопленочного транзистора 210, чтобы увеличивать напряжение, полученное посредством второго пиксельного электрода 200 после заряда, и дополнительно увеличивать разность между напряжением первого пиксельного электрода 100 и напряжением второго пиксельного электрода 200 в идентичном пиксельном модуле, за счет этого дополнительно увеличивая разность между углом отклонения молекул жидких кристаллов в области низких напряжений и углом отклонения молекул жидких кристаллов в области высоких напряжений таким образом, что угол между углом отклонения молекул жидких кристаллов в области низких напряжений и углом отклонения молекул жидких кристаллов в области высоких напряжений больше, за счет этого дополнительно увеличивая угол обзора жидкокристаллического устройства отображения.

Ссылаясь на фиг. 2, в общем случае, чем выше напряжение, которым обладает первый пиксельный электрод 100 или второй пиксельный электрод 200, тем больше помехи сформированного электромагнитного поля для сигналов, проходящих через окружающие компоненты. Следовательно, по сравнению с первым пиксельным электродом 100, электромагнитное поле, сформированное посредством второго пиксельного электрода 200, вызывает более существенные помехи для сигналов, проходящих через окружающие компоненты. Чтобы снижать остроту этого явления, в качестве усовершенствованного решения относительно вышеприведенного технического решения, между первым пиксельным электродом 100 и вторым пиксельным электродом 200 дополнительно обеспечен общий электрод 300, который содержит экранирующий электрод 310, который продолжается до второго пиксельного электрода 200, и расположен между двумя смежными вторыми пиксельными электродами 200. На основе вышеприведенной конфигурации, два смежных вторых пиксельных электрода 200 развязаны посредством экранирующего электрода 310, и электромагнитное поле, сформированное посредством второго пиксельного электрода 200, экранировано посредством экранирующего электрода 310, чтобы снижать помехи электромагнитного поля, сформированного посредством второго пиксельного электрода 200, для сигналов, проходящих через компоненты в смежном пиксельном модуле. Помимо этого, экранирующий электрод 310 может иметь форму полосы, как показано на фиг. 2, например, камертонный экранирующий электрод 310. Камертонный экранирующий электрод имеет два вильчатых ответвления, размещаемые параллельно, и два вильчатых ответвления экранируют электромагнитное поле второго пиксельного электрода 200 совместно друг с другом, что позволяет лучше ослаблять влияние электромагнитного поля на окружающие компоненты и дополнительно улучшать экранирующий эффект экранирующего электрода 310 для электрического поля и магнитного поля, сформированных посредством второго пиксельного электрода 200.

Ссылаясь на фиг. 2, дополнительно, экранирующий электрод 310 расположен между двумя смежными линиями 2 данных, и на двух сторонах экранирующего электрода 310, часть линии 2 данных, которая соответствует каждому второму пиксельному электроду 200, имеет углубление 21, утопленное внутрь второго пиксельного электрода 200. В частности, линия 2 данных расположена в металлическом слое стока-истока, в котором расположены истоки 111, 211 и стоки 112, 212. Во время выполнения процесса формирования рисунка для металлического слоя стока-истока, на линии 2 данных, соответствующей надлежащим смежным вторым пиксельным электродам 200, сегмент линии данных на линии 2 данных поднимается ко второму пиксельному электроду 200, чтобы формировать вышеуказанное углубление 21, которое может демонстрировать форму прямоугольной ямки. На основе вышеприведенной конфигурации, имеется соответствующее разнесение между частью линии 2 данных рядом со вторым пиксельным электродом 200 и экранирующим электродом 310, что позволяет предотвращать формирование паразитной емкости посредством части линии 2 данных и экранирующего электрода 310, которая приводит к помехам для сигналов, проходящих через линию 2 данных.

Ссылаясь на фиг. 2, в отношении вышеуказанного усовершенствованного решения, пассивирующий слой обеспечен между стоком 111 первого тонкопленочного транзистора 110 и первым пиксельным электродом 100, сток 111 первого тонкопленочного транзистора 110 электрически соединен с первым пиксельным электродом 100 через первое сквозное отверстие 113, расположенное в пассивирующем слое, и проекция первого сквозного отверстия 113 на плоскость, где находится общий электрод 300, расположена в пределах общего электрода 300. В частности, первый пиксельный электрод 100 и общий электрод 300 имеют определенную противостоящую область в первом сквозном отверстии 113 таким образом, что первый пиксельный электрод 100 и общий электрод формируют небольшой компенсационный конденсатор в первом сквозном отверстии 113 (первый пиксельный электрод 100 и общий электрод 300 выступают в качестве двух электродов компенсационного конденсатора, соответственно). Компенсационный конденсатор может накапливать определенную электроэнергию, когда первый пиксельный электрод 100 заряжается, и надлежащим образом компенсировать напряжение первого пиксельного электрода 100, когда он разряжается, с тем чтобы не допускать слишком быстрого разряда первого пиксельного электрода 100. Поскольку слишком быстрый разряд первого пиксельного электрода 100 приводит к тому, что процесс его разряда не может длиться до начала следующего процесса заряда, молекулы жидких кристаллов в области низких напряжений не могут поддерживаться отклоненными в течение одного цикла заряда и разряда первого пиксельного электрода 100, так что область низких напряжений не может продолжать пропускание света в течение одного цикла заряда и разряда первого пиксельного электрода 100, что в итоге приводит к миганию пиксельных точек на изображении, которому соответствует пиксельный модуль. Следовательно, варианты осуществления настоящего раскрытия сущности размещают первое сквозное отверстие 113 прямо поверх общего электрода 300, чтобы не допускать мигания пиксельных точек на изображении, которое получается в результате слишком быстрого разряда первого пиксельного электрода.

Ссылаясь на фиг. 2, в отношении вышеуказанного усовершенствованного решения, пассивирующий слой обеспечен между стоком 211 второго тонкопленочного транзистора 210 и вторым пиксельным электродом 200, сток 211 второго тонкопленочного транзистора 210 электрически соединен со вторым пиксельным электродом 200 через второе сквозное отверстие 213, расположенное в пассивирующем слое, и проекция второго сквозного отверстия 213 на плоскость, где находится общий электрод 300, расположена в пределах общего электрода 300. В частности, второй пиксельный электрод 200 и общий электрод 300 имеют определенную противостоящую область во втором сквозном отверстии 213 таким образом, что второй пиксельный электрод 200 и общий электрод 300 формируют небольшой компенсационный конденсатор во втором сквозном отверстии 213. Компенсационный конденсатор может накапливать определенную электроэнергию, когда второй пиксельный электрод 200 заряжается, и компенсировать напряжение второго пиксельного электрода 200 в некоторой степени, когда второй пиксельный электрод 200 разряжается, с тем чтобы дополнительно снижать скорость разряда второго пиксельного электрода 200 таким образом, что напряжение второго пиксельного электрода 200 в идентичном пиксельном модуле выше напряжения первого пиксельного электрода 100, за счет этого обеспечивая разность между углом отклонения молекул жидких кристаллов в области низких напряжений и углом отклонения молекул жидких кристаллов в области высоких напряжений и дополнительно обеспечивая угол обзора жидкокристаллического устройства отображения.

Варианты осуществления настоящего раскрытия сущности дополнительно предоставляют жидкокристаллическую панель отображения, содержащую матричную подложку согласно любому из вышеприведенных технических решений.

Матричная подложка, содержащаяся в жидкокристаллической панели отображения, предоставленной посредством настоящего раскрытия сущности, содержит множество пиксельных модулей, размещаемых в матрице, при этом, по меньшей мере, один пиксельный модуль содержит один или более первых пиксельных электродов, возбуждаемых посредством соответствующих первых тонкопленочных транзисторов, и второй пиксельной электрод, возбуждаемый посредством второго тонкопленочного транзистора, при этом канал обеспечен между истоком и стоком каждого первого тонкопленочного транзистора, проекция каждого первого пиксельного электрода на плоскость канала соответствующего первого тонкопленочного транзистора покрывает, по меньшей мере, частично канал соответствующего первого тонкопленочного транзистора, и каждый первый пиксельный электрод составляет тонкопленочный транзистор с верхним затвором совместно с истоком и стоком в соответствующем первом тонкопленочном транзисторе. В каждом тонкопленочном транзисторе с верхним затвором, первый пиксельный электрод используется в качестве затвора, сток соответствующего первого тонкопленочного транзистора используется в качестве истока, и исток соответствующего первого тонкопленочного транзистора используется в качестве стока. Кроме того, каждый первый пиксельный электрод электрически соединен с истоком соответствующего тонкопленочного транзистора с верхним затвором (т.е. со стоком соответствующего первого тонкопленочного транзистора). Когда первый пиксельный электрод разряжается, миграция носителей формируется в затворе соответствующего тонкопленочного транзистора с верхним затвором (т.е. в первом пиксельном электроде) таким образом, что канал между истоком и стоком тонкопленочного транзистора с верхним затвором является проводящим, т.е. тонкопленочный транзистор с верхним затвором находится во включенном состоянии, за счет этого предоставляя возможность первому пиксельному электроду сбрасывать частичное напряжение через тонкопленочный транзистор с верхним затвором. Следовательно, когда один или более первых пиксельных электродов и второй пиксельный электрод разряжаются, в идентичном пиксельном модуле, напряжения одного или более первых пиксельных электродов ниже напряжения второго пиксельного электрода, так что угол отклонения молекул жидких кристаллов в жидкокристаллических участках, которым соответствуют один или более первых пиксельных электродов, меньше угла отклонения молекул жидких кристаллов в жидкокристаллическом участке, которому соответствует второй пиксельный электрод. Один или более первых пиксельных электродов сбрасывают напряжение на различных скоростях через соответствующие тонкопленочные транзисторы с верхним затвором, так что соответствующие первые пиксельные электроды имеют различные напряжения. Различные напряжения предоставляют возможность молекулам жидких кристаллов в соответствующих жидкокристаллических участках иметь различные углы отклонения, т.е. молекулы жидких кристаллов в жидкокристаллическом участке, которому соответствует идентичный пиксельный модуль, имеют различные углы отклонения. Соответственно, по сравнению с предшествующим уровнем техники, в котором углы отклонения молекул жидких кристаллов в жидкокристаллическом участке, которому соответствует идентичный пиксельный модуль, являются идентичными в матричной подложке, используемой в жидкокристаллической панели отображения, предоставленной посредством настоящего раскрытия сущности, молекулы жидких кристаллов в жидкокристаллическом участке, которому соответствует идентичный пиксельный модуль, имеют, по меньшей мере, два угла отклонения, за счет этого значительно увеличивая угол обзора жидкокристаллического устройства отображения.

Варианты осуществления настоящего раскрытия сущности дополнительно предоставляют жидкокристаллическое устройство отображения, содержащее жидкокристаллическую панель отображения согласно вышеприведенному техническому решению.

Жидкокристаллическое устройство отображения, предоставленное посредством настоящего раскрытия сущности, содержит жидкокристаллическую панель отображения, содержащую матричную подложку. Матричная подложка содержит множество пиксельных модулей, размещаемых в матрице, при этом, по меньшей мере, один пиксельный модуль содержит один или более первых пиксельных электродов, возбуждаемых посредством соответствующих первых тонкопленочных транзисторов, и второй пиксельной электрод, возбуждаемый посредством второго тонкопленочного транзистора, при этом канал обеспечен между истоком и стоком каждого первого тонкопленочного транзистора, проекция каждого первого пиксельного электрода на плоскость канала соответствующего первого тонкопленочного транзистора покрывает, по меньшей мере, частично канал соответствующего первого тонкопленочного транзистора, и каждый первый пиксельный электрод составляет тонкопленочный транзистор с верхним затвором совместно с истоком и стоком соответствующего первого тонкопленочного транзистора. В каждом тонкопленочном транзисторе с верхним затвором, первый пиксельный электрод используется в качестве затвора, сток соответствующего первого тонкопленочного транзистора используется в качестве истока, и исток соответствующего первого тонкопленочного транзистора используется в качестве стока. Кроме того, каждый первый пиксельный электрод электрически соединен с истоком соответствующего тонкопленочного транзистора с верхним затвором (т.е. со стоком соответствующего первого тонкопленочного транзистора). Когда первый пиксельный электрод разряжается, миграция носителей формируется в затворе соответствующего тонкопленочного транзистора с верхним затвором (т.е. в первом пиксельном электроде) таким образом, что канал между истоком и стоком тонкопленочного транзистора с верхним затвором является проводящим, т.е. тонкопленочный транзистор с верхним затвором находится во включенном состоянии, за счет этого предоставляя возможность первому пиксельному электроду сбрасывать частичное напряжение через тонкопленочный транзистор с верхним затвором. Следовательно, когда один или более первых пиксельных электродов и второй пиксельный электрод разряжаются, в идентичном пиксельном модуле, напряжения одного или более первых пиксельных электродов ниже напряжения второго пиксельного электрода, так что угол отклонения молекул жидких кристаллов в жидкокристаллических участках, которым соответствуют один или более первых пиксельных электродов, меньше угла отклонения молекул жидких кристаллов в жидкокристаллическом участке, которому соответствует второй пиксельный электрод. Один или более первых пиксельных электродов сбрасывают напряжение на различных скоростях через соответствующие тонкопленочные транзисторы с верхним затвором, так что соответствующие первые пиксельные электроды имеют различные напряжения. Различные напряжения предоставляют возможность молекулам жидких кристаллов в соответствующих жидкокристаллических участках иметь различные углы отклонения, т.е. молекулы жидких кристаллов в жидкокристаллическом участке, которому соответствует идентичный пиксельный модуль, имеют различные углы отклонения. Соответственно, по сравнению с предшествующим уровнем техники, в котором углы отклонения молекул жидких кристаллов в жидкокристаллическом участке, которому соответствует идентичный пиксельный модуль, являются идентичными в жидкокристаллической панели отображения, используемой в жидкокристаллическом устройстве отображения, предоставленном посредством настоящего раскрытия сущности, молекулы жидких кристаллов в жидкокристаллическом участке, которому соответствует идентичный пиксельный модуль на матричной подложке, имеют, по меньшей мере, два угла отклонения, за счет этого значительно увеличивая угол обзора жидкокристаллического устройства отображения.

В описании вышеприведенных вариантов осуществления, характерные признаки, структуры, материалы или характеристики могут комбинироваться надлежащим образом в любом одном или более вариантов осуществления или примеров.

Вышеприведенный контент представляет собой просто конкретные реализации настоящего раскрытия сущности, но объем охраны настоящего раскрытия сущности не ограничен этим. Любые варьирования или замены, которые могут быть легко предусмотрены специалистами в данной области техники в пределах объема, раскрытого посредством настоящего раскрытия сущности, должны охватываться объемом охраны настоящего раскрытия сущности. Таким образом, объем охраны настоящего раскрытия сущности должен быть основан на объемах охраны формулы изобретения.