×
23.04.2023
223.018.51d2

Результат интеллектуальной деятельности: Композиция с углеродными нанотрубками для получения углеродной заготовки для высокоплотной SiC/C/Si керамики и способ получения изделий из SiC/C/Si керамики

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Композиция и способ изобретения относятся к получению изделий из высокоплотной карбидокремниевой SiC/C/Si керамики для различных отраслей промышленности. Технический результат состоит в увеличении глубины силицирования углеродных заготовок, увеличении размеров изделий из силицированых графитов, повышении плотности силицированных графитов, увеличении содержания в них карбидокремниевой фазы. Композиция для получения углеродных заготовок состоит из углерода и органического связующего, в качестве углерода используют измельченный искусственный графит плотностью от 1,7 до 1,85 г/см и углеродные нанотрубки, взятые в количественном отношении (мас.%): углеродные нанотрубки - от 1 до 10; смесь графитовых порошков с размерами частиц 63-100 мкм - от 0 до 40 и с размерами частиц 100-135 мкм - от 85 до 45, органическое связующее - 15. Для изготовления углеродной заготовки смешивают измельченные графитовые порошки и органическое связующее с углеродными нанотрубками с последующим формованием и/или прессованием при давлении 50-80 кг/см. Проводят пиролиз заготовки в инертной среде, механическую обработку до формы готового изделия и пропитку расплавом кремния в вакуумной печи. 2 н.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.

Заявляемое изобретение относится к области получения керамических материалов на основе карбида кремния (SiC) и может быть использовано для получения крупногабаритных изделий, изделий сложной формы из карбидокремниевой керамики с улучшенными физико-механическими характеристиками и термоокислительной стойкостью для применения в различных отраслях промышленности - нефтедобывающей и нефтеперерабатывающей, химической, металлургической, пищевой, ВПК, ЖКХ и др.

Углеродные нанотрубки могут быть применены в качестве структурирующего компонента при изготовлении карбидокремниевых керамоматричных изделий на основе углеродных заготовок, не содержащих первичный карбид кремния. При силицировании высокая реакционная способность углеродных нанотрубок позволяет интенсифицировать процессы реакции в требуемом направлении, и, таким образом, управлять структурой материала. Например, возможно получение матричного керамического материала, армированного непрореагировавшими углеволокнистым наполнителем (углеродными волокнами) и дополнительно содержащего по границе раздела фаз карбидокремниевую интерфазу. Увеличение прочности такого композита достигает 40% по показателю прочности при изгибе и 200% по показателю прочности при сжатии [Углеродкерамический волокнисто-армированный композиционный материал и способ его получения RU 2684538 Бейлина Н.Ю. Публикация: 2019.04.09]. Данный способ применим к ограниченной номенклатуре изделий с узким назначением.

Известным способом получения карбидокремниевых изделий из монолитной керамики, микроструктура которой может варьироваться в широких пределах, является силицирование углеродных заготовок на основе порошков из электрографита взвешенного фракционного состава. Изменение фракционного состава графитового порошка, количества связующего и давления прессования позволяют получать пористые углеродные заготовки, которым может быть придана сложная геометрическая форма доступными для обработки конструкционного графита способами. Размеры деталей после силицирования не изменяются, что позволяет исключить или минимизировать финишную механическую обработку керамического материала алмазным инструментом. Известная композиция для такой SiC/C/Si керамики [Прототип, патент РФ 2573146 Композиция углеродной заготовки для получения SiC/C/Si керамики и способ получения SiC/C/Si изделий, Публикация 2015.12.20] включает измельченный искусственный графит плотностью от 1,7 до 1,85 г/см3 с размерами частиц менее 50 мкм, 63-50 мкм и 100-63 мкм и органическое связующее (остальное). Углеродные заготовки после смешения углеродных компонентов и органического связующего, формования и/или прессования при давлении 100 кг/см2-350 кг/см2, подвергаются пиролизу в инертной среде, механической обработке до формы готового изделия твердосплавным инструментом и пропитке расплавом кремния в вакуумной печи.

Недостатком данного способа при изготовлении SiC/C/Si керамики высокой плотности (от 2,75 г/см3 и выше) является необходимость использования в композиции существенной доли порошков мелкой фракции. При этом из-за уменьшения размера транспортных пор и снижения открытой пористости заготовок усложняется их полноценная и однородная пропитка расплавом кремния, что накладывает ограничения на размеры деталей, которые могут быть получены с использованием этой композиции. Кроме того, порошки малых фракций (менее 63 мкм) при смешении углеродных компонентов и органического связующего могут комковаться со связующим в агломераты. Последнее может приводить к образованию грубых дефектов в заготовке, неравномерному силицированию с остаточными напряжениями и, как следствие, повышению процента брака на выходе готовых изделий.

Задача, на которую направлена группа изобретений, состоит в усовершенствовании технологии получения высокоплотных силицированных графитов.

Технический результат состоит в увеличении глубины силицирования углеродных заготовок, увеличении размеров изделий из силицированых графитов, в том числе возможности получения изделий сложных форм, повышении плотности карбидокремниевых изделий (силицированных графитов), увеличении содержания в них карбидокремниевой фазы.

Технический результат достигается за счет того, что композиция с углеродными нанотрубками для высокоплотной SiC/C/Si керамики имеет в своем составе углерод и органическое связующее, в качестве углерода используют измельченный искусственный графит плотностью от 1,7 до 1,85 г/см3; в состав композиции входят:

- углеродные нананотрубки в количестве от 1 до 10% масс. %,

- смесь графита с органическим связующим с размерами частиц 63-100 мкм в количестве от 0 до 40% масс. % и с размерами частиц 100-315 мкм в количестве от 85 до 45% масс. %, связующее в количестве 15 масс. %.

Технических результат достигается за счет того, что способ получения изделий из SiC/C/Si керамики включает изготовление углеродной заготовки путем смешивания измельченного искусственного графита и органического связующего, ее формование и/или прессование, пиролиз в инертной среде, механическую обработку до формы готового изделия твердосплавным инструментом и пропитку расплавом кремния в вакуумной печи; на этапе смешивания измельченного искусственного графита и органического связующего проводят введение углеродных нанотрубок, прессование осуществляют при давлении 50-80 кг/см2.

Композиция по данному изобретению не содержит порошков графита малых фракций (менее 63 мкм), снижающих эффективность процесса силицирования в объеме заготовки. Использование в композиции графита с размерами частиц от 63 до 100 мкм (до 40% от общего содержания порошков графита) позволяет повысить плотность карбидокремниевой керамики при сохранении высокой эффективности силицирования.

Введение нанотрубок в состав композиции углеродной заготовки производится непосредственно в ходе смешивания порошков углерода с органическим связующим. Отсутствие абразивности у углеродных порошков исключает перемалывание нанотрубок. В процессе перемешивания нанотрубки вместе со связующим обволакивают частицы углерода.

Прессование заготовок в указанном диапазоне давлений и их последующий пиролиз позволяют получить микроструктуру углеродной заготовки с системой непрерывных наноструктурированных связей между частицами углерода, покрытых коксовым остатком связующего, углеродными нанотрубками и системой открытых пор. При этом объемные усадки отожженных углеродных заготовок уменьшаются пропорционально увеличению количества нанотрубок.

После пиролиза углеродные заготовки, полученные из предложенной композиции, обладают высокой прочностью, позволяющей подвергать их механической обработке для получения формы заготовки, близкой к форме готового изделия.

В процессе пропитки расплавом кремния углеродной заготовки, содержащей углеродные нанотрубки, преимущественно углеродные нанотрубки первыми вступают в реакцию с кремнием. При контакте жидкого кремния с углеродом происходит реакция образования карбида кремния. При реакции на границе расплава кремния и углерода поверхностный слой SiC формируется очень быстро (менее 1 минуты) и в дальнейшем растет до максимальной толщины примерно 10-15 мкм в течении 10-15 минут, после чего рост слоя SiC практически приостанавливается и дальнейшее продолжение процесса силицирования нецелесообразно [Гнесин Г.Г. Карбидокремниевые материалы. - М.: Металлургия, 1977]. Таким образом, все введенные в композицию нанотрубки, вступающие в реакцию с расплавом кремния, полностью преобразуются в SiC, обеспечивая дополнительное упрочнение SiC каркаса, а также повышение плотности карбидокремниевого материала в сравнении с композицией аналогичного состава, но без введения углеродных нанотрубок.

Также введение в композицию углеродных нанотрубок повышает открытую пористость, улучшает сеть транспортных пор, по которым кремний поступает в объем углеродной заготовки, что позволяет увеличить глубину силицирования, получать более однородные в объеме материалы. Введение нанотрубок по данному изобретению не требует увеличения количества операций при изготовлении углеродной заготовки и производится при смешивании порошков до введения или одновременно с введением органического связующего. Введение нанотрубок указанным способом позволяет получить однородную структуру углеродной заготовки.

Давление прессования в указанных пределах позволяет получать заготовки, пригодные для механической обработки. Приложение большего давления при прессовании не приводит к сколько-нибудь заметному увеличению достижимой плотности заготовки. Применение меньшего давления может привести к недостаточной прочности углеродной заготовки и ее разрушению при механической обработке.

Реализация изобретения поясняется рисунками и примерами конкретного выполнения.

Фиг. 1. Изменение фазового состава карбидокремниевых материалов после пропитки расплавом кремния в зависимости от массовой доли углеродных нанотрубок (УНТ) в углеродных заготовках (ПБ - 15%; графит 63/100 - 40%; графит 100/315 - 45%, давление прессования - 50 кг/см2):

а) УНТ - 0 масс. %; б) УНТ - 3 масс. %; г) УНТ - 5 масс. %; д) УНТ - 10 масс. %;

Пример

В соответствии с предложенной группой изобретений изготовлены образцы карбидокремниевой керамики в форме секторов диаметром 60 мм и высотой 12 мм на основе композиций с различным содержанием УНТ. Для этого приготовленные углеродные заготовки диаметром 60 мм и высотой 100 мм разрезались и силицировались. Для силицированных образцов определялись структурные характеристики.

Углеродные порошки требуемого фракционного состава получали путем помола болванок графита марки ЭГ-83, плотность которых в зависимости от особенностей производства лежит в пределах 1,7…1,85 г/см3. Средняя плотность графита в порошке составила 1,73 г/см3. В качестве коксообразующего связующего использовался пульвербаркелит (ПБ) марки СФПН-011Л по ТУ 2257-111-05015227-2006. В качестве углеродных нанотрубок брались многослойные углеродные нанотрубки, полученные методом каталитического пиролиза, с внешним диаметром 20-100 нм, длиной 5-50 мкм, насыпной плотностью 0,3 г/см3.

Углеродные порошки фракции 63/100 и 100/315 после взвешивания соединялись и перемешивались на смесителе типа «пьяная бочка» в течение 60 минут. Далее добавляли коксообразующее связующее и углеродные нанотрубки в количестве 0, 3, 5 и 10 масс. % и продолжали перемешивание в течение 60 минут. Промежуточные заготовки получали прессованием массы на гидравлическом прессе в пресс-форму диаметром 60 мм при давлении 50 кг/см2. Затем производили отжиг (пиролиз) прессовок в защитной атмосфере при температуре 900°С в течение 8 часов. Относительные изменения объема заготовок после пиролиза составили от 7,6 до 6,3% для количества УНТ от 0 масс. % до 10 масс. % соответственно. При увеличении количества вводимых углеродных нанотрубок уменьшалась плотность пиролизованных заготовок от 1,17 до 1,08 г/см3 (Табл. 1).

Пропитку всех полученных углеродных заготовок расплавом кремния производили в высокотемпературной вакуумной печи при температуре 1850°С в течение 20 минут. Далее следовали охлаждение и разгрузка печи. В результате пропитки расплавом кремния углеродных заготовок получены материалы на основе карбидокремниевой керамики плотностью от 2,72 г/см3 для наиболее плотной углеродной заготовки до 2,84 г/см3 для углеродной заготовки плотностью 1,08 г/см3. При повышении массовой доли нанотрубок в композиции углеродных заготовок наблюдали пропорциональное увеличение плотности получаемой карбидокремниевой керамики (Фиг. 1а-г).

Характеристики силицированных образцов (ПБ - 15%; графит 63/100 - 40%; графит 100/315 - 45%, давление прессования - 50 кг/см2) с различным содержанием углеродных нанотрубок. Увеличение плотности силицированных графитов по данному изобретению происходит за счет уменьшения объема получающихся в процессе силицирования замкнутых пор, снижения количества непрореагировавшего с расплавом кремния углерода. Уменьшение усадки при силицировании смягчает внутренние напряжения, возникающие при превращении жидкого кремния и углерода в составе углеродной матрицы в карбид кремния. При этом возможно изготовление толстостенных деталей с равномерной структурой.

При повышении массовой доли нанотрубок в композиции углеродных заготовок у силицированных из них изделий наблюдается соответствующее уменьшение усадки изделий при силицировании, что позволяет лучше контролировать форму готовых изделий.

Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 71-80 из 91.
31.05.2020
№220.018.22bb

Сапфировый роликовый аппликатор для криохирургии и криотерапии

Изобретение относится к криогенной технике, а именно криоаппликаторам иммерсионного типа, и может использоваться в криомедицине и ветеринарии. Криоаппликатор содержит ролик и ручку, ролик выполнен из сапфира в виде шлифованного или полированного шара или цилиндра с углублениями на торцах, в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002722352
Дата охранного документа: 29.05.2020
09.06.2020
№220.018.25bc

Структура с резистивным переключением

Изобретение предназначено для применения в электронике для нейроморфных вычислений и хранения информации. Структура с резистивным переключением включает два металлических алюминиевых контакта, нанесенных на поверхность тонкой пленки аморфной сурьмы. Изобретение обеспечивает получение структуры...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002723073
Дата охранного документа: 08.06.2020
03.07.2020
№220.018.2dda

Способ получения timnal

Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению объемных слитков спин-поляризованного бесщелевого полупроводника TiMnAl, который может быть использован в спинтронике. Способ получения TiMnAl из элементарных титана, марганца и алюминия включает помещение навесок марганца и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725229
Дата охранного документа: 30.06.2020
06.07.2020
№220.018.2fb7

Трансформатор импульсов электроэнергии однополярного тока

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электрометаллургии для гальванической развязки в источниках питания высокочастотной дуги, используемой для плавления металлических порошков, электроэрозионной обработки поверхности и изготовления деталей сложной формы....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725610
Дата охранного документа: 03.07.2020
09.07.2020
№220.018.3097

Устройство для выращивания смешанных кристаллов сульфата кобальта-никеля-калия для оптических фильтров ультрафиолетового диапазона

Изобретение относится к области роста кристаллов, в частности, к выращиванию смешанных монокристаллов K(Со,Ni)(SO)x6HO (KCNSH) из водных растворов и может быть использовано в оптическом приборостроении для изготовления солнечно-слепых фильтров. Устройство для выращивания смешанных кристаллов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725924
Дата охранного документа: 07.07.2020
20.04.2023
№223.018.4c95

Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом включает смешивание порошков селенида цинка и легирующей добавки и последующее выращивание кристалла из расплава под давлением аргона, при этом хром вводится в исходную загрузку в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751059
Дата охранного документа: 07.07.2021
20.04.2023
№223.018.4c96

Высокотемпературный слоисто-волокнистый композит, армированный оксидными волокнами, и способ его получения

Изобретение относится к высокотемпературным конструкционным композитным материалам с металлической матрицей и способам их получения. Высокотемпературный слоисто-волокнистый композит, с матрицей на основе Nb, твердого раствора Nb(Al), а также интерметаллидов NbAl и NbAl содержит слои Мо,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751062
Дата охранного документа: 07.07.2021
20.04.2023
№223.018.4cda

Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом включает смешивание порошков сульфида цинка и порошка моносульфида легирующего металла с последующим выращиванием кристалла из расплава вертикальной зонной плавкой. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002755023
Дата охранного документа: 09.09.2021
20.04.2023
№223.018.4d09

Устройство для измерения малых токов инжектированных зарядов в конденсированных средах

Устройство для измерения малых токов инжектированных зарядов в конденсированных средах предназначено для измерения малых токов ~ 10 А и регистрации их изменения во времени, а также записи результатов измерения на электронный носитель. Устройство содержит преобразователь ток-напряжение,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002754201
Дата охранного документа: 30.08.2021
20.04.2023
№223.018.4d26

Устройство для получения наночастиц из газов и паров жидкостей при сверхнизких температурах

Изобретение относится к области нанотехнологии, а именно предлагаемое устройство позволяет получать частицы малых размеров (наночастицы) из материалов, которые существуют при комнатных температурах в виде газов или паров. Устройство для получения наночастиц из материалов, существующих при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002756051
Дата охранного документа: 24.09.2021
Показаны записи 11-14 из 14.
20.04.2023
№223.018.4ab9

Композиция для высокотемпературной керамики и способ получения высокотемпературной керамики на основе карбида кремния и силицида молибдена

Группа изобретений относится к области получения керамических материалов на основе карбида кремния (SiC) и силицида молибдена, которые могут использоваться при получении изделий повышенной термостойкости, при изготовлении деталей турбин, авиационных двигателей, фрикционных элементов,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002788686
Дата охранного документа: 24.01.2023
20.04.2023
№223.018.4c96

Высокотемпературный слоисто-волокнистый композит, армированный оксидными волокнами, и способ его получения

Изобретение относится к высокотемпературным конструкционным композитным материалам с металлической матрицей и способам их получения. Высокотемпературный слоисто-волокнистый композит, с матрицей на основе Nb, твердого раствора Nb(Al), а также интерметаллидов NbAl и NbAl содержит слои Мо,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751062
Дата охранного документа: 07.07.2021
21.04.2023
№223.018.4fc0

Волновод с субволновой фокусировкой для терагерцовой эндоскопии

Изобретение относится к оптике, а именно к устройствам для передачи и преобразования пучков терагерцового излучения. Заявленный волновод с субволновой фокусировкой для терагерцовой эндоскопии включает полую трубку, на внешней поверхности которой имеется оболочка. Внутренний диаметр трубки...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002790924
Дата охранного документа: 28.02.2023
24.04.2023
№223.018.5275

Способ получения изделий из карбидокремниевой керамики

Способ изобретения относится к области получения карбидокремниевых керамических изделий, в том числе крупногабаритных, обладающих повышенными эксплуатационными характеристиками, в том числе при высоких температурах для применения в различных областях промышленности. Технический результат...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740984
Дата охранного документа: 22.01.2021
+ добавить свой РИД