29.07.2020
220.018.38a9

ПОДЛОЖКА ОТОБРАЖЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0002727938
Дата охранного документа
27.07.2020
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к устройствам отображения. Технический результат заключается в исключении явления цветового сдвига, сформированного при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения. Подложка отображения включает в себя множество групп субпикселов и множество групп сигнальных линий. Множество групп сигнальных линий размещаются вдоль первого направления и разнесены друг от друга, каждая из групп сигнальных линий включает в себя сигнальную линию, и сигнальная линия продолжается вдоль второго направления, пересекающего первое направление. Каждая из групп субпикселов включает в себя первый субпиксел, и первый субпиксел включает в себя первый анод и первую эффективную светоизлучающую область, первый анод включает в себя первую основную часть, и первая основная часть по меньшей мере частично перекрывается с первой эффективной светоизлучающей областью, размер первой основной части в первом направлении превышает размер первой основной части во втором направлении, и первый анод перекрывается с двумя смежными группами сигнальных линий. 4 н и 40 з.п. ф-лы, 14 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Область техники, к которой относится изобретение

[0001] Варианты осуществления настоящего раскрытия сущности относятся к подложке отображения и к устройству отображения.

Уровень техники

[0002] В силу непрерывного развития технологии отображения, панели отображения на органических светодиодах (OLED) все в большей степени применяются к различным электронным устройствам вследствие своих преимуществ, таких как самоподсветка, широкий угол обзора, высокая контрастность, низкое энергопотребление, высокая скорость отклика и т.д.

[0003] В силу растущих требований для OLED–панелей отображения, чтобы достигать проектного решения высокого разрешения в панелях отображения небольшого размера, OLED–панели отображения обычно приспосабливают пиксельную SPR–компоновку, т.е. способ совместного использования пикселов.

Сущность изобретения

[0004] По меньшей мере один вариант осуществления настоящего раскрытия сущности предоставляет подложку отображения, которая включает в себя: базовую подложку; множество групп субпикселов; и множество групп сигнальных линий, размещенных вдоль первого направления и разнесенных друг от друга. Каждая из групп субпикселов включает в себя один первый субпиксел, и первый субпиксел включает в себя первый анод и первую эффективную светоизлучающую область, первый анод включает в себя первую основную часть, и первая основная часть по меньшей мере частично перекрывается с первой эффективной светоизлучающей областью, размер первой основной части в первом направлении превышает размер первой основной части во втором направлении, и первый анод перекрывается с двумя смежными группами сигнальных линий.

[0005] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, отношение размера первой основной части в первом направлении к размеру первой основной части во втором направлении составляет γ1, и значение γ1 варьируется в диапазоне 1,2–3.

[0006] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, сигнальная линия включает в себя контактный вывод, соединенный с внешней схемой возбуждения.

[0007] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, ортографическая проекция первой основной части на базовой подложке имеет по существу форму полосы, и направление продолжения первой основной части пересекает второе направление.

[0008] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, направление продолжения первой основной части является по существу перпендикулярным второму направлению.

[0009] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, позиции, в которых расположены две смежные группы сигнальных линий, перекрывающиеся с первым анодом, находятся на двух концах первой основной части в первом направлении.

[0010] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, позиции, в которых расположены две смежные группы сигнальных линий, перекрывающиеся с первым анодом, являются по существу осесимметричными относительно первой средней линии первой основной части, и первая средняя линия параллельна второму направлению.

[0011] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, первая основная часть имеет по существу шестиугольную форму или эллиптическую форму, и длинная ось симметрии шестиугольной формы или длинная ось эллиптической формы является по существу параллельной первому направлению.

[0012] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, каждая из групп сигнальных линий включает в себя две сигнальных линии, и первый анод перекрывается с четырьмя сигнальными линиями двух смежных групп сигнальных линий.

[0013] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, по меньшей мере одна сигнальная линия в каждой из групп сигнальных линий включает в себя первую сигнальную линию и вторую сигнальную линию, и расстояние между первой сигнальной линией и второй сигнальной линией в одной группе сигнальных линий меньше расстояния между двумя смежными группами сигнальных линий.

[0014] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, в каждой из групп сигнальных линий, первая сигнальная линия и вторая сигнальная линия расположены последовательно, и порядки расположения первой сигнальной линии и второго сигнала в двух смежных группах сигнальных линий являются одинаковыми, и две смежные группы сигнальных линий включают в себя первую группу сигнальных линий и вторую группу сигнальных линий, расположенные вдоль первого направления, в первой группе сигнальных линий, первая сигнальная линия находится на стороне второй сигнальной линии, удаленной от второй группы сигнальных линий, и во второй группе сигнальных линий, первая сигнальная линия находится на стороне второй сигнальной линии рядом с первой группой сигнальных линий.

[0015] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, первая сигнальная линия представляет собой линию передачи данных, выполненную с возможностью передавать сигнал данных, и вторая сигнальная линия представляет собой линию питания, выполненную с возможностью передавать напряжение возбуждения.

[0016] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, первое направление является перпендикулярным второму направлению.

[0017] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, каждая из групп субпикселов дополнительно включает в себя второй субпиксел, второй субпиксел включает в себя второй анод, и второй анод перекрывается с двумя смежными группами сигнальных линий.

[0018] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, ортографические проекции сигнальных линий двух смежных групп сигнальных линий, перекрывающихся со вторым анодом, на базовой подложке, продолжаются вдоль второго направления и проходят через ортографическую проекцию второго анода на базовой подложке.

[0019] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, второй субпиксел включает в себя вторую эффективную светоизлучающую область, второй анод включает в себя вторую основную часть, и вторая основная часть по меньшей мере частично перекрывается со второй эффективной светоизлучающей областью, размер второй основной части в первом направлении превышает размер второй основной части во втором направлении, позиции, в которых расположены две смежные группы сигнальных линий, перекрывающиеся со вторым анодом, находятся на двух концах второй основной части в первом направлении.

[0020] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, ортографическая проекция второй основной части на базовой подложке имеет по существу форму полосы, и направление продолжения второй основной части пересекает второе направление.

[0021] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, направление продолжения второй основной части является по существу перпендикулярным второму направлению.

[0022] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, позиции, в которых расположены две смежные группы сигнальных линий, перекрывающиеся со вторым анодом, являются по существу осесимметричными относительно второй средней линии второй основной части, и вторая средняя линия параллельна второму направлению.

[0023] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, вторая основная часть имеет по существу шестиугольную форму или эллиптическую форму, и длинная ось симметрии шестиугольной формы или длинная ось эллиптической формы является по существу параллельной первому направлению.

[0024] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, каждая из групп сигнальных линий включает в себя две сигнальных линии, и второй анод перекрывается с четырьмя сигнальными линиями двух смежных групп сигнальных линий.

[0025] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, каждая из групп субпикселов дополнительно включает в себя пару третьих субпикселов, и пара третьих субпикселов включает в себя два третьих субпиксела, каждый из третьих субпикселов включает в себя третий анод, и два третьих анода пары третьих субпикселов перекрываются с одной из групп сигнальных линий, и две группы сигнальных линий, соответственно, перекрывающиеся с двумя третьими анодами пары третьих субпикселов, являются смежными друг с другом.

[0026] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, ортографические проекции сигнальных линий группы сигнальных линий, перекрывающейся с третьим анодом, на базовой подложке, продолжаются вдоль второго направления и проходят через ортографическую проекцию третьего анода на базовой подложке.

[0027] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, третий субпиксел включает в себя третью эффективную светоизлучающую область, третий анод включает в себя третью основную часть, и третья основная часть по меньшей мере частично перекрывается с третьей эффективной светоизлучающей областью, и две группы сигнальных линий, перекрывающиеся с двумя третьими анодами пары третьих субпикселов, являются по существу осесимметричными относительно третьей средней линии линии, соединяющей центры двух третьих основных частей, и третья средняя линия параллельна второму направлению.

[0028] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, каждая из групп сигнальных линий включает в себя две сигнальных линии, и два третьих анода пары третьих субпикселов перекрываются с двумя сигнальными линиями одной из групп сигнальных линий, и две группы сигнальных линий, соответственно, перекрывающиеся с двумя третьими анодами пары третьих субпикселов, являются смежными друг с другом.

[0029] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, множество групп субпикселов размещаются вдоль второго направления с возможностью формировать множество столбцов групп субпикселов, и размещаются вдоль первого направления с возможностью формировать множество строк групп субпикселов, и два смежных столбца групп субпикселов рассовмещаются на 1/2 шага, и шаг равен расстоянию между центрами двух первых субпикселов двух смежных групп субпикселов во втором направлении, в каждой из групп субпикселов, первый субпиксел, второй субпиксел и пара третьих субпикселов размещаются вдоль второго направления, и два третьих субпиксела пары третьих субпикселов размещаются вдоль первого направления.

[0030] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, первый субпиксел выполнен с возможностью излучать свет первого цвета, второй субпиксел выполнен с возможностью излучать свет второго цвета, и третий субпиксел выполнен с возможностью излучать свет третьего цвета.

[0031] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, первый цвет является синим, второй цвет является красным, и третий цвет является зеленым.

[0032] Например, подложка отображения, предоставленная посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, дополнительно включает в себя: ограничивающий пикселы слой, расположенный на стороне первого анода, удаленной от базовой подложки, и включающий в себя первое отверстие. Первый субпиксел дополнительно включает в себя первый светоизлучающий слой, первое отверстие открывает первый анод, по меньшей мере часть первого светоизлучающего слоя находится в первом отверстии и покрывает часть первого анода, который является открытым, и область, заданная посредством первого отверстия, представляет собой первую эффективную светоизлучающую область первого субпиксела.

[0033] Например, подложка отображения, предоставленная посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, дополнительно включает в себя: выравнивающий слой, расположенный между пленочным слоем, в котором расположены множество групп сигнальных линий, и пленочным слоем, в котором расположен первый анод. Высота каждой из групп сигнальных линий в направлении, перпендикулярном базовой подложке, варьируется в диапазоне 650–850 нм, и толщина выравнивающего слоя варьируется в диапазоне 1,4–1,6 мкм.

[0034] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, в случае если группа субпикселов включает в себя второй субпиксел и третий субпиксел, ограничивающий пикселы слой дополнительно включает в себя второе отверстие и третье отверстие, второй субпиксел дополнительно включает в себя второй светоизлучающий слой, второе отверстие открывает второй анод, по меньшей мере часть второго светоизлучающего слоя находится во втором отверстии и покрывает часть второго анода, который является открытым, и область, заданная посредством второго отверстия, представляет собой вторую эффективную светоизлучающую область второго субпиксела, третий субпиксел дополнительно включает в себя третий светоизлучающий слой, третье отверстие открывает третий анод, по меньшей мере часть третьего светоизлучающего слоя находится в третьем отверстии и покрывает часть третьего анода, который является открытым, и область, заданная посредством третьего отверстия, представляет собой третью эффективную светоизлучающую область третьего субпиксела.

[0035] По меньшей мере один вариант осуществления настоящего раскрытия сущности предоставляет подложку отображения, которая включает в себя: базовую подложку; множество групп субпикселов; и множество групп сигнальных линий, размещенных вдоль первого направления и разнесенных друг от друга. Каждая из групп сигнальных линий включает в себя первую сигнальную линию и вторую сигнальную линию, и первая сигнальная линия и вторая сигнальная линия продолжаются вдоль второго направления, пересекающего первое направление. Каждая из групп субпикселов включает в себя один первый субпиксел, и первый субпиксел включает в себя первый анод и первую эффективную светоизлучающую область, первый анод включает в себя первую основную часть, и первая основная часть по меньшей мере частично перекрывается с первой эффективной светоизлучающей областью, размер интервала между двумя смежными группами сигнальных линий в первом направлении в 8–10 раз превышает размер первой сигнальной линии в первом направлении, размер первой основной части в первом направлении в 15–17 раз превышает размер первой сигнальной линии в первом направлении, и размер первой основной части во втором направлении в 9–11 раз превышает размер первой сигнальной линии в первом направлении.

[0036] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, отношение размера первой основной части в первом направлении к размеру первой основной части во втором направлении составляет γ1, и значение γ1 варьируется в диапазоне 1,5–1,7.

[0037] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, каждая из групп субпикселов дополнительно включает в себя второй субпиксел, второй субпиксел включает в себя второй анод и вторую эффективную светоизлучающую область, второй анод включает в себя вторую основную часть, и вторая основная часть перекрывается со второй эффективной светоизлучающей областью, размер интервала между двумя смежными группами сигнальных линий в первом направлении в 8–10 раз превышает размер первой сигнальной линии в первом направлении, размер второй основной части в первом направлении в 12–14 раз превышает размер первой сигнальной линии в первом направлении, и размер второй основной части во втором направлении в 4–6 раз превышает размер первой сигнальной линии в первом направлении.

[0038] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, отношение размера второй основной части в первом направлении к размеру второй основной части во втором направлении составляет γ2, и значение γ2 варьируется в диапазоне 2,2–2,6.

[0039] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, каждая из групп субпикселов дополнительно включает в себя пару третьих субпикселов, каждая пара третьих субпикселов включает в себя два третьих субпиксела, каждый третий субпиксел включает в себя третий анод и третью эффективную светоизлучающую область, третий анод включает в себя третью основную часть, и третья основная часть по меньшей мере частично перекрывается с третьей эффективной светоизлучающей областью, размер интервала между двумя смежными группами сигнальных линий в первом направлении в 8–10 раз превышает размер первой сигнальной линии в первом направлении, размер третьей основной части в первом направлении в 6–8 раз превышает размер первой сигнальной линии в первом направлении, и размер третьей основной части во втором направлении в 7–9 раз превышает размер первой сигнальной линии в первом направлении.

[0040] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, размер второй сигнальной линии в первом направлении в 1,3–1,4 раза превышает размер первой сигнальной линии в первом направлении.

[0041] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, ортографическая проекция первой эффективной светоизлучающей области на базовой подложке находится в пределах ортографической проекции первого анода на базовой подложке, и кратчайшее расстояние между краем ортографической проекции первой эффективной светоизлучающей области на базовой подложке и краем ортографической проекции первого анода на базовой подложке варьируется в диапазоне 1–3 микрона.

[0042] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, ортографическая проекция второй эффективной светоизлучающей области на базовой подложке находится в пределах ортографической проекции второго анода на базовой подложке, и кратчайшее расстояние между краем ортографической проекции второй эффективной светоизлучающей области на базовой подложке и краем ортографической проекции второго анода на базовой подложке варьируется в диапазоне 1–3 микрона.

[0043] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, ортографическая проекция третьей эффективной светоизлучающей области на базовой подложке находится в пределах ортографической проекции третьего анода на базовой подложке, и кратчайшее расстояние между краем ортографической проекции третьей эффективной светоизлучающей области на базовой подложке и краем ортографической проекции третьего анода на базовой подложке варьируется в диапазоне 1–3 микрона.

[0044] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, первый субпиксел представляет собой синий субпиксел, второй субпиксел представляет собой красный субпиксел, и третий субпиксел представляет собой зеленый субпиксел.

[0045] По меньшей мере один вариант осуществления настоящего раскрытия сущности предоставляет подложку отображения, которая включает в себя: базовую подложку; множество групп субпикселов; и множество групп сигнальных линий, размещенных вдоль первого направления и разнесенных друг от друга. Каждая из групп сигнальных линий включает в себя первую сигнальную линию и вторую сигнальную линию, и как первая сигнальная линия, так и вторая сигнальная линия продолжаются вдоль второго направления, пересекающего первое направление, в каждой из групп сигнальных линий, первая сигнальная линия и вторая сигнальная линия расположены последовательно, и порядки расположения первой сигнальной линии и второго сигнала в двух смежных группах сигнальных линий являются одинаковыми. Каждая из групп субпикселов включает в себя первый субпиксел, первый субпиксел включает в себя первый анод, и первый анод перекрывается с двумя смежными группами сигнальных линий.

[0046] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности, две смежные группы сигнальных линий включают в себя первую группу сигнальных линий и вторую группу сигнальных линий, расположенные вдоль первого направления, в первой группе сигнальных линий, первая сигнальная линия находится на стороне второй сигнальной линии, удаленной от второй группы сигнальных линий, и во второй группе сигнальных линий, первая сигнальная линия находится на стороне второй сигнальной линии рядом с первой группой сигнальных линий.

[0047] По меньшей мере один вариант осуществления настоящего раскрытия сущности предоставляет подложку отображения, которая включает в себя: базовую подложку; множество групп сигнальных линий, размещенных вдоль первого направления и разнесенных друг от друга, причем каждая из групп сигнальных линий включает в себя первую сигнальную линию и вторую сигнальную линию, и причем как первая сигнальная линия, так и вторая сигнальная линия продолжаются вдоль второго направления, пересекающего первое направление, причем, в каждой из групп сигнальных линий, первая сигнальная линия и вторая сигнальная линия расположены последовательно, и причем порядки расположения первой сигнальной линии и второго сигнала в двух смежных группах сигнальных линий являются одинаковыми; и множество групп субпикселов, размещенных вдоль второго направления с возможностью формировать множество столбцов групп субпикселов и размещенных вдоль первого направления с возможностью формировать множество строк групп субпикселов, и причем два смежных столбца групп субпикселов рассовмещаются на 1/2 шага, и причем шаг равен расстоянию между центрами двух первых субпикселов двух смежных групп субпикселов во втором направлении. Каждая из групп субпикселов включает в себя первый субпиксел, второй субпиксел и пару третьих субпикселов, и пара третьих субпикселов включает в себя два третьих субпиксела, и в каждой из групп субпикселов, первый субпиксел, второй субпиксел и пара третьих субпикселов размещаются вдоль второго направления, и два третьих субпиксела в паре третьих субпикселов размещаются вдоль первого направления, первый субпиксел включает в себя первый анод, второй субпиксел включает в себя второй анод, и третий субпиксел включает в себя третий анод, первый анод перекрывается с двумя смежными группами сигнальных линий, второй анод перекрывается с двумя смежными группами сигнальных линий, и каждый из двух третьих анодов пары третьих субпикселов перекрывается с одной из групп сигнальных линий, и две группы сигнальных линий, соответственно, перекрывающиеся с двумя третьими анодами пары третьих субпикселов, являются смежными друг с другом.

[0048] По меньшей мере один вариант осуществления настоящего раскрытия сущности предоставляет устройство отображения, которое включает в себя вышеуказанную подложку отображения.

Краткое описание чертежей

[0049] Чтобы ясно демонстрировать технические решения вариантов осуществления настоящего раскрытия сущности, в дальнейшем кратко представляются прилагаемые чертежи в релевантных вариантах осуществления настоящего раскрытия сущности. Очевидно, что чертежи могут относиться только к некоторым вариантам осуществления раскрытия сущности и не имеют намерение ограничивать настоящее раскрытие сущности.

[0050] Фиг. 1 является принципиальной схемой OLED–подложки отображения;

[0051] Фиг. 2 является схемой в поперечном сечении субпиксела в OLED–подложке отображения;

[0052] Фиг. 3 является компоновочной схемой подложки отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности;

[0053] Фиг. 4 является эквивалентной принципиальной схемой схемы возбуждения пиксела субпиксела в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности;

[0054] Фиг. 5A–5E являются принципиальными схемами каждого слоя схемы возбуждения пиксела в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности;

[0055] Фиг. 6 является плоской принципиальной схемой подложки отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности;

[0056] Фиг. 7 является принципиальной структурной схемой подложки отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности;

[0057] Фиг. 8 является принципиальной структурной схемой другой подложки отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности;

[0058] Фиг. 9A является принципиальной структурной схемой другой подложки отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности;

[0059] Фиг. 9B является принципиальной структурной схемой другой подложки отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности.

Подробное описание изобретения

[0060] Чтобы обеспечивать очевидность целей, технических подробностей и преимуществ вариантов осуществления раскрытия сущности, технические решения варианта осуществления должны описываться четко и понятно в связи с чертежами, связанными с вариантами осуществления раскрытия сущности. Очевидно, что описанные варианты осуществления составляют только часть, а не все варианты осуществления раскрытия сущности. На основе описанных вариантов осуществления в данном документе, специалисты в данной области техники могут получать другой вариант осуществления без творческих усилий, что должно находиться в пределах объема раскрытия сущности.

[0061] Если не указано иное, все технические и научные термины, используемые в данном документе, имеют смысловые значения, идентичные значениям, обычно понимаемым специалистами в области техники, которой принадлежит настоящее раскрытие сущности. Такие термины, как "первый", "второй" и т.п., которые используются в описании и формуле изобретения настоящего раскрытия сущности, имеют намерение не указывать какую–либо последовательность, величину или важность, а различать различные компоненты. Такие термины, как "содержать/содержащий", "включать в себя/включающий в себя" и т.п., имеют намерение указывать то, что элементы или объекты, приведенные перед этими терминами, охватывают элементы или объекты и их эквиваленты, перечисленные после этих терминов, но не исключают другие элементы или объекты. Такие термины, как "соединять/соединение/соединенный, "связывать/связь/связанный" и т.п., не ограничены физическим соединением или механическим соединением и могут содержать электрическое соединение/связь, прямо или косвенно.

[0062] Общая OLED–подложка отображения включает в себя базовую подложку, схему возбуждения, размещаемую на базовой подложке, выравнивающий слой, размещаемый на стороне схемы возбуждения, удаленной от базовой подложки, анод, размещаемый на стороне выравнивающего слоя, удаленной от базовой подложки, светоизлучающий слой, размещаемый на стороне анода, удаленной от базовой подложки, и катод, размещаемый на стороне светоизлучающего слоя, удаленной от базовой подложки.

[0063] Схема возбуждения на базовой подложке, в общем, включает в себя сигнальные линии, такие как линия передачи данных для передачи или записи данных и линия питания (VDD–линия) для передачи напряжения возбуждения, изготовленные из металлического слоя "исток–сток". До подготовки анода на стороне схемы возбуждения, удаленной от базовой подложки, требуется подготавливать выравнивающий слой (PLN) на схеме возбуждения и затем подготавливать анод на выравнивающем слое таким образом, что последующий подготовленный анод имеет более высокую ровность. Тем не менее, чтобы достигать высокого разрешения, размер пиксела OLED–подложки отображения является небольшим, и сигнальные линии являются относительно плотными; помимо этого, чтобы обеспечивать срок службы и яркость отображения OLED–подложки отображения, площадь эффективной светоизлучающей области каждого пиксела должна быть максимально большой. Следовательно, сигнальные линии схемы возбуждения неизбежно размещаются под анодом, т.е. сигнальные линии схемы возбуждения перекрываются с анодом. В этом случае, поскольку толщины сигнальных линий, изготовленных из металлического слоя "исток–сток", являются большими, выравнивающий слой на сигнальных линиях, изготовленных из металлического слоя "исток–сток", может не полностью выравнивать поверхность сигнальных линий, в силу этого приводя к тому, что анод на выравнивающем слое и светоизлучающий слой на аноде являются неровными, и асимметричные выступы формируются на аноде и светоизлучающем слое на аноде, что вызывает явление цветового сдвига, сформированное при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения.

[0064] Фиг. 1 является принципиальной схемой OLED–подложки отображения. Фиг. 2 является схемой в поперечном сечении субпиксела в OLED–подложке отображения. Как показано на фиг. 1 и фиг. 2, OLED–подложка отображения включает в себя: базовую подложку 10, схеме 20 возбуждения пиксела, выравнивающий слой 30, анод 40, светоизлучающий слой 50, катод 60 и ограничивающий пикселы слой 80. Ограничивающий пикселы слой 80 задает эффективную светоизлучающую область 90, например, синюю эффективную светоизлучающую область 91, красную эффективную светоизлучающую область 92 и зеленую эффективную светоизлучающую область 93. Схема 20 возбуждения включает в себя группу 25 сигнальных линий, изготовленную из металлического слоя "исток–сток". Фиг. 1 показывает взаимное расположение группы 25 сигнальных линий и эффективной светоизлучающей области 90. Как показано на фиг. 1, группа 25 сигнальных линий включает в себя линию 251 передачи данных для передачи или записи данных и линию 252 питания для передачи напряжения возбуждения. Поскольку размер нормальной эффективной светоизлучающей области 90 в направлении прохождения линии 251 передачи данных превышает размер нормальной эффективной светоизлучающей области 90 в направлении, перпендикулярном направлению продолжения линии 251 передачи данных, эффективная светоизлучающая область 90, в общем, покрывает только одну группу 25 сигнальных линий. Кроме того, как показано на фиг. 2, поскольку толщина группы 25 сигнальных линий является большой, выравнивающий слой 30, покрывающий группу 25 сигнальных линий, не может полностью выравнивать поверхность подложки отображения, в силу этого приводя к тому, что анод 40 на выравнивающем слое 30 и светоизлучающий слой 50 на аноде 40 являются неровными таким образом, что асимметричные выступы 70 формируются на аноде 40 и на светоизлучающем слое 50 на аноде 40. Асимметричные выступы 70 являются асимметричными относительно центра эффективной светоизлучающей области 90, заданной посредством ограничивающего пикселы слоя 80, и свет, излучаемый посредством асимметричных выступов 70 в левую сторону и в правую сторону нормальной линии подложки отображения, отличается, в силу этого вызывая явление цветового сдвига при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения. Например, цвет подложки отображения при просмотре с левой стороны нормальной линии подложки отображения под углом 30 градусов от нормальной линии подложки отображения и цвет подложки отображения при просмотре с правой стороны нормальной линии подложки отображения под углом 30 градусов от нормальной линии подложки отображения отличаются, за счет этого вызывая вышеописанное явление цветового сдвига.

[0065] В этом отношении, варианты осуществления настоящего раскрытия сущности предоставляют подложку отображения и устройство отображения. Подложка отображения включает в себя базовую подложку, множество групп субпикселов и множество групп сигнальных линий. Множество групп субпикселов и множество групп сигнальных линий размещаются на базовой подложке; множество групп сигнальных линий размещаются вдоль первого направления и разнесены друг от друга, каждая из групп сигнальных линий включает в себя по меньшей мере одну сигнальную линию, и сигнальная линия продолжается вдоль второго направления, пересекающего первое направление. Каждая из групп субпикселов включает в себя первый субпиксел, первый субпиксел включает в себя первый анод, и первый анод перекрывается с двумя смежными группами сигнальных линий. Поскольку первый анод перекрывается с двумя смежными группами сигнальных линий, даже если первый анод формирует два выступа в позициях, в которых первый анод перекрывается с двумя смежными группами сигнальных линий, два выступа могут понижать асимметрию светового излучения первого анода и светоизлучающего слоя на первом аноде и могут даже исключать асимметрию светового излучения первого анода и светоизлучающего слоя на первом аноде, за счет этого облегчая или даже исключая явление цветового сдвига вида.

[0066] Далее подробно описываются подложка отображения и устройство отображения, предоставленные посредством вариантов осуществления настоящего раскрытия сущности, со ссылкой на прилагаемые чертежи.

[0067] Фиг. 3 является компоновочной схемой подложки отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности. Как показано на фиг. 3, подложка отображения включает в себя базовую подложку 101, множество схем 220 возбуждения пиксела на базовой подложке 101 и первый субпиксел 111, второй субпиксел 112 и третий субпиксел 113, которые находятся на стороне множества схем 220 возбуждения пиксела, удаленной от базовой подложки 101. Первый анод 1110 первого субпиксела 111 дополнительно может включать в себя первый соединительный электрод 171, соединенный с первой основной частью 1112; и первый соединительный электрод 171 выполнен с возможностью соединять первую основную часть 1112 с первой схемой возбуждения субпиксела 220, соответствующей первому субпикселу 111. Если подложка отображения включает в себя второй субпиксел 112, как показано на фиг. 3, второй анод 1120 второго субпиксела 112 дополнительно может включать в себя второй соединительный электрод 172, соединенный со второй основной частью 1122; и второй соединительный электрод 172 выполнен с возможностью соединять вторую основную часть 1122 с схемой возбуждения пиксела, соответствующей второму субпикселу 112. Если подложка отображения включает в себя третий субпиксел 113, как показано на фиг. 3, третий анод 1130 третьего субпиксела 113 дополнительно может включать в себя третий соединительный электрод 173, соединенный с третьей основной частью 1132; и третий соединительный электрод 173 выполнен с возможностью соединять третью основную часть 1132 с схемой возбуждения пиксела, соответствующей третьему субпикселу 113.

[0068] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 3, первый соединительный электрод 171 может представлять собой выступ, расположенный в промежуточной части края первой основной части 1112, удаленного от второй основной части 1122; второй соединительный электрод 172 может представлять собой выступ, расположенный в промежуточной части края второй основной части 1122, удаленного от первой основной части 1112; третий соединительный электрод 173 может представлять собой выступающую часть, продолжающуюся наружу из третьей основной части 1132; и два третьих соединительных электрода 173 двух третьих основных частей 1132 пары 116 третьих субпикселов, соответственно, продолжаются к двум концам второй основной части 1122 в первом направлении и разнесены от второй основной части 1122.

[0069] Например, как показано на фиг. 3, множество схем 220 возбуждения пиксела используются для того, чтобы возбуждать первый субпиксел 111, второй субпиксел 112 и третий субпиксел 113. Фиг. 4 является эквивалентной принципиальной схемой схемы возбуждения пиксела субпиксела в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности. Схема возбуждения пиксела, показанная на фиг. 4, может использоваться для любого из первого субпиксела 111, второго субпиксела 112 и третьего субпиксела 113. Как показано на фиг. 4, схема 220 возбуждения пиксела включает в себя множество тонкопленочных транзисторов T1, T2, T3, T4, T5, T6 и T7 и множество сигнальных линий, соединенных с множеством тонкопленочных транзисторов T1, T2, T3, T4, T5, T6 и T7. Множество сигнальных линий включают в себя линию GL затвора, линию EM управления излучением, линию RL инициализации, линию 121 передачи данных, линию 122 питания и конденсатор Cst. Линия GL затвора используется для передачи стробирующего сигнала и может включать в себя первую линию GLn затвора и вторую линию GLn–1 затвора; линия EM управления излучением может передавать управляющий сигнал. Следовательно, схема возбуждения пиксела представляет собой 7T1C–схему возбуждения пиксела. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия сущности включают в себя, но не ограничены означенным, и первый субпиксел, второй субпиксел и третий субпиксел также могут приспосабливать другие типы схем возбуждения пиксела.

[0070] Например, как показано на фиг. 4, первый электрод G1 затвора первого тонкопленочного транзистора T1 соединяется с третьим электродом D3 стока третьего тонкопленочного транзистора T3 и четвертым электродом D4 стока четвертого тонкопленочного транзистора T4. Первый электрод S1 истока первого тонкопленочного транзистора T1 соединяется со вторым электродом D2 стока второго тонкопленочного транзистора T2 и пятым электродом D5 стока пятого тонкопленочного транзистора T5. Первый электрод D1 стока первого тонкопленочного транзистора T1 соединяется с третьим электродом S3 истока третьего тонкопленочного транзистора T3 и шестым электродом S6 истока шестого тонкопленочного транзистора T6.

[0071] Например, как показано на фиг. 4, второй электрод G2 затвора второго тонкопленочного транзистора T2 соединяется с первой линией GLn затвора, второй электрод S2 истока второго тонкопленочного транзистора T2 соединяется с линией 121 передачи данных, и второй электрод D2 стока второго тонкопленочного транзистора T2 соединяется с первым электродом S1 истока первого тонкопленочного транзистора T1.

[0072] Например, как показано на фиг. 4, третий электрод G3 затвора третьего тонкопленочного транзистора T3 соединяется с первой линией GLn затвора, третий электрод S3 истока третьего тонкопленочного транзистора T3 соединяется с первым электродом D1 стока первого тонкопленочного транзистора T1, и третий электрод D3 стока третьего тонкопленочного транзистора T3 соединяется с первым электродом G1 затвора первого тонкопленочного транзистора T1.

[0073] Например, как показано на фиг. 4, четвертый электрод G4 затвора четвертого тонкопленочного транзистора T4 соединяется со второй линией GLn–1 затвора, четвертый электрод S4 истока четвертого тонкопленочного транзистора T4 соединяется с линией RL инициализации, четвертый электрод D4 стока четвертого тонкопленочного транзистора T4 соединяется с первым электродом G1 затвора первого тонкопленочного транзистора T1, и напряжение Vint инициализации прикладывается через линию RL инициализации.

[0074] Например, как показано на фиг. 4, пятый электрод G5 затвора пятого тонкопленочного транзистора T5 соединяется с линией EM управления излучением, пятый электрод S5 истока пятого тонкопленочного транзистора T5 соединяется с линией 122 питания, и пятый электрод D5 стока пятого тонкопленочного транзистора T5 соединяется с первым электродом S1 истока первого тонкопленочного транзистора T1.

[0075] Например, как показано на фиг. 4, шестой электрод G6 затвора шестого тонкопленочного транзистора T6 соединяется с линией EM управления излучением, шестой электрод S6 истока шестого тонкопленочного транзистора T6 соединяется с первым электродом D1 стока первого тонкопленочного транзистора T1, и шестой электрод D6 стока шестого тонкопленочного транзистора T6 соединяется с анодом каждого субпиксела (например, с первым анодом, вторым анодом или третьим анодом, описанными выше).

[0076] Например, как показано на фиг. 4, седьмой электрод G7 затвора седьмого тонкопленочного транзистора T7 соединяется со второй линией GLn–1 затвора, и седьмой электрод S7 истока седьмого тонкопленочного транзистора T7 соединяется с анодом каждого субпиксела, и седьмой электрод D7 стока седьмого тонкопленочного транзистора T7 соединяется с четвертым электродом S4 истока четвертого тонкопленочного транзистора T4.

[0077] Например, как показано на фиг. 4, конденсатор Cst включает в себя первый электрод CE1 и второй электрод CE2, второй электрод CE2 соединяется с линией 122 питания, и первый электрод CE1 соединяется с первым электродом G1 затвора первого тонкопленочного транзистора T1 и третьим электродом D3 стока третьего тонкопленочного транзистора T3.

[0078] Ниже иллюстративно описывается рабочий режим схемы возбуждения пиксела, показанный на фиг. 4. Во–первых, если сигнал сброса передается во вторую линию GLn–1 затвора, и седьмому тонкопленочному транзистору T7 разрешается включаться, остаточный ток, протекающий через анод каждого субпиксела, разряжается в четвертый тонкопленочный транзистор T4 через седьмой тонкопленочный транзистор T7, в силу чего световое излучение, вызываемое посредством остаточного тока, протекающего через анод каждого субпиксела, может подавляться. Далее, если сигнал инициализации передается во вторую линию GLn–1 затвора, и напряжение Vint инициализации передается в линию RL инициализации, четвертый тонкопленочный транзистор T4 включается, и напряжение Vint инициализации прикладывается к первому электроду G1 затвора первого тонкопленочного транзистора T1 и первому электроду CE2 конденсатора Cst через четвертый тонкопленочный транзистор T4 таким образом, что первый электрод G1 затвора и конденсатор Cst инициализируются. Инициализация первого электрода G1 затвора может обеспечивать возможность первому тонкопленочному транзистору T1 включаться. Следует отметить, что вышеуказанный сигнал сброса и вышеуказанный сигнал инициализации могут представлять собой один и тот же сигнал.

[0079] После этого, если стробирующий сигнал передается в первую линию GLn затвора, и сигнал данных передается в линию 121 передачи данных, как второй тонкопленочный транзистор T2, так и третий тонкопленочный транзистор T3 включаются, и напряжение Vd данных прикладывается к первому электроду G1 затвора через второй тонкопленочный транзистор T2, первый тонкопленочный транзистор T1 и третий тонкопленочный транзистор T3. В этом случае, напряжение, прикладываемое к первому электроду G1 затвора, представляет собой компенсирующее напряжение Vd+Vth, и компенсирующее напряжение, прикладываемое к первому электроду G1 затвора, также прикладывается к первому электроду CE1 конденсатора Cst.

[0080] После этого, линия 122 питания прикладывает напряжение Vel возбуждения ко второму электроду CE2 конденсатора Cst и прикладывает компенсирующее напряжение Vd+Vth к первому электроду CE1 таким образом, что электрические заряды, соответствующие разности между напряжениями, соответственно, прикладываемыми к двум электродам конденсатора Cst, накапливаются в конденсаторе Cst, и первый тонкопленочный транзистор T1 включается в течение предварительно определенного времени.

[0081] После этого, если сигнал управления излучением прикладывается к линии EM управления излучением, как пятый тонкопленочный транзистор T5, так и шестой тонкопленочный транзистор T6 включаются таким образом, что пятый тонкопленочный транзистор T5 прикладывает напряжение Vel возбуждения к первому тонкопленочному транзистору T1. Если напряжение Vel возбуждения передается через первый тонкопленочный транзистор T1, который включается посредством конденсатора Cst, разность между соответствующим напряжением Vel возбуждения и напряжением, прикладываемым к первому электроду G1 затвора через конденсатор Cst, возбуждает ток Id с возможностью протекать через первый электрод D1 стока первого тонкопленочного транзистора T1, и ток Id возбуждения прикладывается к каждому субпикселу через шестой тонкопленочный транзистор T6 таким образом, что светоизлучающий слой каждого субпиксела излучает свет.

[0082] Фиг. 51–5E являются принципиальными схемами каждого слоя схемы возбуждения пиксела в подложке отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности. Схема 220 возбуждения пиксела включает в себя вышеуказанные тонкопленочные транзисторы T1, T2, T3, T4, T5, T6 и T7, линии GLn, GLn–1 затвора, линию EM управления излучением, линию RL инициализации, линию 121 передачи данных, линию 122 питания и конденсатор Cst, которые соединяются с тонкопленочными транзисторами T1, T2, T3, T4, T5, T6 и T7. Далее описывается структура схемы 220 возбуждения пиксела со ссылкой на фиг. 5A–5E.

[0083] Например, фиг. 5A показывает полупроводниковый слой 310 схемы 220 возбуждения пиксела. Полупроводниковый слой 310 может формироваться посредством формирования рисунка с использованием полупроводникового материала. Полупроводниковый слой 310 может использоваться для того, чтобы подготавливать активные слои тонкопленочных транзисторов T1, T2, T3, T4, T5, T6 и T7, описанных выше, и каждый активный слой может включать в себя область истока, область стока и область канала между областью истока и областью стока. Например, полупроводниковый слой 310 может быть изготовлен из аморфного кремния, поликристаллического кремния, оксидного полупроводникового материала и т.п. Следует отметить, что область истока и область стока, описанные выше, могут представлять собой области, легированные с примесью n–типа или примесью p–типа.

[0084] В подложке отображения, предоставленной посредством вариантов осуществления настоящего раскрытия сущности, изолирующий слой затвора (не показан) формируется на вышеуказанном полупроводниковом слое для защиты вышеуказанного полупроводникового слоя. Фиг. 5B показывает первый проводящий слой 320 схемы 220 возбуждения пиксела. Первый проводящий слой 320 размещается на изолирующем слое затвора и в силу этого изолируется от полупроводникового слоя 310. Первый проводящий слой 320 может включать в себя первый электрод CE1 конденсатора Cst, линии GLn, GLn–1 затвора, линию EM управления излучением и электроды затвора тонкопленочных транзисторов T1, T2, T3, T4, T5, T6 и T7 (например, первый электрод G1 затвора, второй электрод G2 затвора, третий электрод G3 затвора, четвертый электрод G4 затвора, пятый электрод G5 затвора, шестой электрод G6 затвора и седьмой электрод G7 затвора, описанные выше). Как показано на фиг. 5B, электроды затвора тонкопленочных транзисторов T2, T4, T5, T6 и T7 представляют собой части линий GLn, GLn–1 затвора, которые перекрываются с полупроводниковым слоем 310, и тонкопленочный транзистор T3 может представлять собой тонкопленочный транзистор на основе структуры с двумя затворами, один электрод затвора тонкопленочного транзистора T3 может составлять часть линии GLn затвора, которая перекрывается с полупроводниковым слоем 310, и другой электрод затвора тонкопленочного транзистора T3 может представлять собой выступ, выступающий из линии GLn затвора; и электрод затвора тонкопленочного транзистора T1 может представлять собой первый электрод CE1.

[0085] В подложке отображения, предоставленной посредством вариантов осуществления настоящего раскрытия сущности, изолирующий слой (не показан) формируется на первом проводящем слое, чтобы защищать первый проводящий слой. Фиг. 5C показывает второй проводящий слой 330 схемы 220 возбуждения пиксела, и второй проводящий слой 330 включает в себя второй электрод CE2 конденсатора Cst и линию RL инициализации. Второй электрод CE2 по меньшей мере частично перекрывается с первым электродом CE1 с возможностью формировать конденсатор Cst.

[0086] В подложке отображения, предоставленной посредством вариантов осуществления настоящего раскрытия сущности, первый защитный слой (не показан) формируется на втором проводящем слое, чтобы защищать второй проводящий слой. Фиг. 5D показывает третий проводящий слой 340 схемы 220 возбуждения пиксела, и третий проводящий слой 340 включает в себя линию 121 передачи данных и линию 122 питания. Фиг. 5E является принципиальной схемой взаимного расположения слоев полупроводникового слоя 310, первого проводящего слоя 320, второго проводящего слоя 330 и третьего проводящего слоя 340, описанных выше. Как показано на фиг. 5D и 5E, линия 121 передачи данных соединяется с областью истока тонкопленочного транзистора T2 в полупроводниковом слое 310, через по меньшей мере одно переходное отверстие (например, первое переходное отверстие 381) в изолирующем слое затвора, изолирующем слое и первом защитном слое. Линия 122 питания соединяется с областью истока, соответствующей тонкопленочному транзистору T5, в полупроводниковом слое 310 через по меньшей мере одно переходное отверстие (например, второе переходное отверстие 382) в изолирующем слое затвора, изолирующем слое и первом защитном слое. Линия 122 питания соединяется со вторым электродом CE2 второго проводящего слоя 330 через по меньшей мере одно переходное отверстие (например, два третьих переходных отверстия 383) в первом защитном слое. Третий проводящий слой 340 дополнительно включает в себя первую соединительную часть 341, вторую соединительную часть 342 и третью соединительную часть 343. Один конец первой соединительной части 341 соединяется с областью стока, соответствующей третьему тонкопленочному транзистору T3, в полупроводниковом слое 310 через по меньшей мере одно переходное отверстие (например, четвертое переходное отверстие 384) в изолирующем слое затвора, изолирующем слое и первом защитном слое. Другой конец первой соединительной части 341 соединяется с электродом затвора первого тонкопленочного транзистора T1 в первом проводящем слое 320 через по меньшей мере одно переходное отверстие (например, пятое переходное отверстие 385) в изолирующем слое и первом защитном слое. Один конец второй соединительной части 342 соединяется с линией RL инициализации через одно переходное отверстие (например, шестое переходное отверстие 386) в первом защитном слое, и другой конец второй соединительной части 342 соединяется с областью стока седьмого тонкопленочного транзистора T7 в полупроводниковом слое 310 через по меньшей мере одно переходное отверстие (например, седьмое переходное отверстие 387) в изолирующем слое затвора, изолирующем слое и первом защитном слое. Третья соединительная часть 343 соединяется с областью стока шестого тонкопленочного транзистора T6 в полупроводниковом слое 310 через по меньшей мере одно переходное отверстие (например, восьмое переходное отверстие 388) в изолирующем слое затвора, изолирующем слое и первом защитном слое.

[0087] В подложке отображения, предоставленной посредством вариантов осуществления настоящего раскрытия сущности, второй защитный слой (не показан) формируется на третьем проводящем слое, чтобы защищать третий проводящий слой. Анод каждого субпиксела может размещаться на втором защитном слое.

[0088] Вариант осуществления настоящего раскрытия сущности предоставляет подложку отображения. Фиг. 6 является плоской принципиальной схемой подложки отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности. Как показано на фиг. 6, подложка 100 отображения включает в себя базовую подложку 101, множество групп 110 субпикселов и множество групп 120 сигнальных линий. Множество групп 110 субпикселов и множество групп 120 сигнальных линий размещаются на базовой подложке 101; множество групп 120 сигнальных линий размещаются вдоль первого направления и разнесены друг от друга. Каждая из групп 120 сигнальных линий включает в себя по меньшей мере одну сигнальную линию 1200, сигнальные линии 1200 продолжаются вдоль второго направления, пересекающего первое направление. Каждая из групп 110 субпикселов включает в себя первый субпиксел 111, первый субпиксел 111 включает в себя первый анод 1110; и первый анод 1110 перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий. Иными словами, ортографическая проекция первого анода 1110 на плоскости, в которой расположены группы 120 сигнальных линий, перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий. Следует отметить, что в отображаемом поле, пиксел, в общем, включает в себя множество субпикселов, которые, соответственно, могут отображать один цвет (например, красный цвет, зеленый цвет или синий цвет), и отношение субпикселов различных цветов управляется таким образом, чтобы отображать различные цвета, первый субпиксел, описанный выше, представляет собой монохромный субпиксел; помимо этого, группа сигнальных линий, описанная выше, означает набор, по меньшей мере, части сигнальных линий, совместно используемых посредством схем возбуждения одного и того же столбца субпикселов.

[0089] Например, как показано на фиг. 6, первый субпиксел 111 включает в себя первую эффективную светоизлучающую область 1115, первый анод 1110 включает в себя первую основную часть 1112, и первая основная часть 1112, по меньшей мере, частично перекрывается с первой эффективной светоизлучающей областью 1115. Размер первой основной части 1112 в первом направлении превышает размер первой основной части 1112 во втором направлении, и первый анод 1110, перекрывающийся с двумя смежными группами 120 сигнальных линий, может представлять собой первую основную часть 1112, перекрывающуюся с двумя смежными группами 120 сигнальных линий. В подложке отображения, предоставленной посредством вариантов осуществления настоящего раскрытия сущности, поскольку первый анод перекрывается с двумя смежными группами сигнальных линий, первый анод формирует два выступа в позициях, в которых первый анод перекрывается с двумя смежными группами сигнальных линий. Два выступа могут уменьшать асимметрию светового излучения первого анода и светоизлучающего слоя на первом аноде и даже могут исключать асимметрию светового излучения первого анода и светоизлучающего слоя на первом аноде, за счет этого облегчая и даже исключая явление цветового сдвига, сформированное при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения. Следует отметить, что левая сторона и правая сторона нормальной линии подложки отображения, описанной выше, могут представлять собой две стороны направления продолжения групп сигнальных линий.

[0090] Например, как показано на фиг. 6, группа сигнальных линий может состоять из линии 121 передачи данных и линии 122 питания, и первый анод 1110 первого субпиксела 111 перекрывается с двумя смежными группами сигнальных линий.

[0091] Фиг. 7 является принципиальной структурной схемой другой подложки отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности. Как показано на фиг. 7, поскольку первый анод 1110 перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий, первый анод 1110 формирует два выступа 170 в позициях, в которых первый анод 1110 перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий. Можно видеть, что по сравнению только с одним выступом, два выступа 170 могут уменьшать асимметрию светового излучения первого анода 1110 и светоизлучающего слоя на первом аноде 1110 и даже могут исключать асимметрию светового излучения первого анода 1110 и светоизлучающего слоя на первом аноде 1110, за счет этого облегчая или даже исключая явление цветового сдвига, сформированное при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения.

[0092] Например, в некоторых примерах, отношение размера первой основной части 1112 в первом направлении к размеру первой основной части 1112 во втором направлении составляет γ1, и значение γ1 варьируется в диапазоне 1,2–3. Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, ортографические проекции сигнальных линий 1200 в двух группах 120 сигнальных линий, перекрывающихся с первым анодом 1110 на базовой подложке 101, продолжаются вдоль второго направления и проходят через ортографическую проекцию первого анода 1110 на базовой подложке 101. Иными словами, сигнальные линии двух групп сигнальных линий, перекрывающихся с первым анодом, продолжается через первый анод таким образом, что выступы, сформированные посредством первого анода, также проходят через первый анод вдоль второго направления.

[0093] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, каждая сигнальная линия 1200 может продолжаться за пределы области отображения подложки отображения; помимо этого, каждая сигнальная линия 1200 может включать в себя контактный вывод 1209, который соединяется с внешней схемой возбуждения. Например, если сигнальная линия представляет собой линию передачи данных, сигнальная линия может включать в себя контактный вывод, соединенный с формирователем сигналов управления данными.

[0094] Например, в некоторых примерах, базовая подложка 101 может представлять собой прозрачную подложку; например, базовая подложка 101 может представлять собой стеклянную подложку, пластиковую подложку, кварцевую подложку и т.п. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия сущности включают в себя, но не ограничены означенным, и материал базовой подложки 101 может выбираться согласно фактическим условиям и потребностям.

[0095] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6 и 7, первый субпиксел 111 включает в себя первую эффективную светоизлучающую область 1115, первый анод 1110 включает в себя первую основную часть 1112, и первая основная часть 1112, по меньшей мере, частично перекрывается с первой эффективной светоизлучающей областью 1115. Размер первой основной части 1112 в первом направлении превышает размер первой основной части 1112 во втором направлении, и позиции, в которых расположены две смежные группы 120 сигнальных линий, перекрывающиеся с первым анодом 1110, находятся на двух концах первой основной части 1112 в первом направлении. В этом случае, поскольку позиции, в которых расположены две смежные группы 120 сигнальных линий, перекрывающиеся с первым анодом 1110, находятся на двух концах первой основной части 1112 в первом направлении без прохождения через центр первой основной части 1112, симметрия двух выступов 170, сформированных в позициях, в которых первый анод 1110 перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий, является более высокой таким образом, что явление цветового сдвига при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения может облегчаться или даже исключаться. Следует отметить, что первый анод, показанный на фиг. 6, показывает только первую основную часть.

[0096] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6 и 7, ортографическая проекция первой основной части 1112 на базовой подложке 101 имеет по существу форму полосы, и направление продолжения первой основной части 1112 пересекает второе направление.

[0097] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6 и 7, направление продолжения первой основной части 1112 является по существу перпендикулярным второму направлению. Следует отметить, что вышеуказанное "по существу перпендикулярный" означает то, что угол между направлением продолжения первой основной части и вторым направлением варьируется в диапазоне 85–90 градусов.

[0098] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6 и 7, позиции, в которых расположены две смежные группы 120 сигнальных линий, перекрывающиеся с первым анодом 1110, являются по существу осесимметричными относительно первой средней линии первой основной части 1112, и первая средняя линия параллельна второму направлению. В этом случае, как показано на фиг. 7, первый анод 1110 формирует два выступа 170 в позициях, в которых первый анод 1110 перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий, и два выступа 170 дополнительно могут эффективно уменьшать асимметрию светового излучения первого анода и светоизлучающего слоя на первом аноде и даже исключать асимметрию светового излучения первого анода и светоизлучающего слоя на первом аноде, за счет этого облегчая или даже исключая явление цветового сдвига, сформированное при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения.

[0099] Следует отметить, что поскольку группа сигнальных линий включает в себя по меньшей мере одну сигнальную линию, т.е. существует случай, в котором группа сигнальных линий включает в себя множество сигнальных линий, позиции, в которых две смежные группы сигнальных линий расположены по существу осесимметричными относительно первой средней линии первой основной части 1112, означают позиции, в которых расположены две смежные группы сигнальных линий, вместо того, что непосредственно две группы сигнальных линий являются по существу осесимметричными относительно первой средней линии первой основной части. Помимо этого, позиции, в которых расположены две смежные группы сигнальных линий, могут представлять собой геометрические центры групп сигнальных линий, например, геометрические центры ортографических проекций групп сигнальных линий на первой основной части.

[00100] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, в каждой группе сигнальных линий 1200, первая сигнальная линия 121 и вторая сигнальная линия 122 расположены последовательно, и порядки расположения первой сигнальной линии 121 и второй сигнальной линии 122 в двух смежных группах 120 сигнальных линий являются одинаковыми. Следовательно, позиции, в которых две смежные группы сигнальных линий расположены по существу осесимметричными относительно первой средней линии первой основной части 1112, означают позиции, в которых расположены две смежные группы сигнальных линий, вместо того, что непосредственно две группы сигнальных линий являются по существу осесимметричными относительно первой средней линии первой основной части.

[00101] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, две смежные группы 120 сигнальных линий включают в себя первую группу 1201 сигнальных линий и вторую группу 1202 сигнальных линий, расположенные вдоль первого направления, в первой группе 1201 сигнальных линий, первая сигнальная линия 121 расположена на стороне второй сигнальной линии 122, удаленной от второй группы 1202 сигнальных линий, и во второй группе 1202 сигнальных линий, первая сигнальная линия 121 расположена на стороне второй сигнальной линии 122 рядом с первой группой 1201 сигнальных линий.

[00102] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, размер первой основной части 1112 в первом направлении превышает размер первой основной части 1112 во втором направлении. Иными словами, форма первой основной части 1112 представляет собой длинную форму полосы, такую как шестиугольная форма или эллиптическая форма. Как показано на фиг. 1, поскольку размер нормального анода во втором направлении превышает размер нормального анода в первом направлении, нормальный анод, в общем, покрывает только одну группу сигнальных линий. Размер первой основной части первого анода, предоставленного посредством вариантов осуществления настоящего раскрытия сущности в первом направлении, превышает размер первой основной части 1112 во втором направлении таким образом, что первый анод может перекрываться с двумя смежными группами сигнальных линий на одной и той же площади. Например, первая основная часть 1112, предоставленная посредством вариантов осуществления настоящего раскрытия сущности, может получаться посредством вращения основной части соответствующего анода в подложке отображения, показанной на фиг. 1, на 90 градусов.

[00103] Например, размер первой основной части 1112 в первом направлении варьируется в диапазоне 45–60 микрон; и размер первой основной части 1112 во втором направлении варьируется в диапазоне 15–30 микрон. Следует отметить, что вышеуказанные размеры представляют собой только иллюстративные примеры, и размер первой основной части в вариантах осуществления настоящего раскрытия сущности может определяться согласно размеру и разрешению фактического продукта.

[00104] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, первая основная часть 1112 имеет по существу шестиугольную форму или эллиптическую форму, и длинная ось симметрии шестиугольной формы или длинная ось эллиптической формы является по существу параллельной первому направлению. Следует отметить, что вышеуказанное "по существу параллельный" означает то, что угол между длинной осью симметрии шестиугольной формы или длинной осью эллиптической формы и первым направлением не превышает 5 градусов.

[00105] Следует отметить, что варианты осуществления настоящего раскрытия сущности включают в себя, но не ограничены означенным, и форма первой основной части в вариантах осуществления настоящего раскрытия сущности также может представлять собой другие формы длинной полосы; помимо этого, если первая основная часть имеет по существу шестиугольную форму или эллиптическую форму, длинная ось симметрии шестиугольной формы или длинная ось эллиптической формы может не быть параллельным первому направлению, при условии, что ортографическая проекция первого анода на плоскости, в которой расположены группы сигнальных линий, перекрывается с двумя смежными группами сигнальных линий.

[00106] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 7, подложка отображения дополнительно включает в себя ограничивающий пикселы слой 160 на стороне первого анода 1110, удаленной от базовой подложки 101, и включает в себя первое отверстие 161. Первый субпиксел 111 дополнительно включает в себя первый светоизлучающий слой 1114. По меньшей мере часть первого светоизлучающего слоя 1114 расположена в первом отверстии 161; и область, заданная посредством первого отверстия 161, представляет собой первую эффективную светоизлучающую область 1115. Первый анод 1110 может возбуждать первый светоизлучающий слой 1114 с возможностью излучать свет.

[00107] Например, как показано на фиг. 7, площадь первой эффективной светоизлучающей области 1115 может быть немного меньше площади первого анода 1110, и форма первой эффективной светоизлучающей области 1115 может быть аналогичной форме первой основной части 1112 первого анода 1110, и кратчайшее расстояние между краем первой эффективной светоизлучающей области 1115 и краем первой основной части 1112 варьируется в диапазоне 1–5 микрон.

[00108] Следует отметить, что первый светоизлучающий слой 1114 может включать в себя непосредственно электролюминесцентный слой и другие функциональные слои с обеих сторон электролюминесцентного слоя, например, другие функциональные слои могут включать в себя слой инжекции дырок, слой переноса дырок, слой инжекции электронов, слой переноса электронов и т.п.

[00109] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 7, первый субпиксел 111 дополнительно включает в себя первый катод 1116, и первый катод 1116 расположен на стороне первого светоизлучающего слоя 1115, удаленной от первого анода 1112.

[00110] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 7, подложка отображения дополнительно включает в себя: выравнивающий слой 230 между пленочным слоем, в котором расположены множество групп 120 сигнальных линий, и пленочным слоем, в котором расположен первый анод 1112, и высота каждой группы 120 сигнальных линий в направлении, перпендикулярном базовой подложке 101, варьируется в диапазоне 650–850 нм, и толщина выравнивающего слоя 230 варьируется в диапазоне 1,4–1,6 мкм. Поскольку группы сигнальных линий, в общем, изготавливаются из металлического слоя "исток–сток" и обычно приспосабливают многослойную структуру, такую как многослойная структура Ti/Al/Ti; высота (толщина) каждой группы 120 сигнальных линий в направлении, перпендикулярном базовой подложке 101, является большой, и выравнивающий слой 230 не может полностью выравнивать поверхность каждой группы 120 сигнальных линий, в силу этого приводя к тому, что первый анод на выравнивающем слое и первый светоизлучающий слой на первом аноде являются неровными, и выступы формируются на первом аноде и первом светоизлучающем слое на первом аноде. В этом случае, подложка отображения может эффективно уменьшать асимметрию светового излучения первого субпиксела и даже исключать асимметрию светового излучения первого субпиксела, за счет этого облегчая и даже исключая явление цветового сдвига, сформированное при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения.

[00111] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 7, подложка отображения дополнительно включает в себя схеме 220 возбуждения пиксела, схема 220 возбуждения пиксела находится между базовой подложкой 101 и выравнивающим слоем 230 и включает в себя группы 120 сигнальных линий, описанные выше. Иными словами, группы 120 сигнальных линий могут составлять часть схемы 220 возбуждения пиксела. Например, группы 120 сигнальных линий могут представлять собой набор сигнальных линий, сформированных посредством металлического слоя "исток–сток" в пиксельной схеме 220 возбуждения. Конечно, схема возбуждения пиксела в вариантах осуществления настоящего раскрытия сущности может означать общее проектное решение. Например, схема возбуждения пиксела дополнительно может включать в себя тонкопленочный транзистор, конденсатор и т.п., и подробности не описываются повторно в данном документе.

[00112] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6 и 7, каждая группа 120 сигнальных линий включает в себя две сигнальных линии 1200, и первый анод 1110 перекрывается с четырьмя сигнальными линиями 1200 двух смежных групп 120 сигнальных линий.

[00113] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6 и 7, по меньшей мере одна сигнальная линия 1200, включенная в каждую группу 120 сигнальных линий, включает в себя первую сигнальную линию 121 и вторую сигнальную линию 122, и расстояние между первой сигнальной линией 121 и второй сигнальной линией 122 в одной группе 120 сигнальных линий меньше расстояния между двумя смежными группами 120 сигнальных линий. В этом случае, поскольку расстояние между линией 121 передачи данных и линией 122 питания одной группе 120 сигнальных линий является небольшим, группа 120 сигнальных линий обеспечивает возможность первой эффективной светоизлучающей области 1110 формировать выступы в позициях, в которых первая эффективная светоизлучающая область 1110 перекрывается с группой 120 сигнальных линий.

[00114] Следует отметить, что расстояние между первой сигнальной линией 121 и второй сигнальной линией 122 в одной группе 120 сигнальных линий может представлять собой ширину интервала между первой сигнальной линией 121 и второй сигнальной линией 122 в одной группе 120 сигнальных линий. Помимо этого, в фактической подложке отображения, вследствие ограничения процесса проектирования и изготовления пиксельной схемы, первая сигнальная линия не представляет собой продолговатую прямую линию с одинаковой шириной в каждой позиции, и вторая сигнальная линия также не представляет собой продолговатую прямую линию с одинаковой шириной в каждой позиции, вышеуказанное расстояние между первой сигнальной линией 121 и второй сигнальной линией 122 может представлять собой среднюю ширину интервала между первой сигнальной линией 121 и второй сигнальной линией 122, и расстояние между двумя смежными группами 120 сигнальных линий может представлять собой среднюю ширину интервала между двумя смежными группами 120 сигнальных линий.

[00115] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6 и 7, каждая группа 120 сигнальных линий включает в себя линию 121 передачи данных для передачи сигнала данных и линию 122 питания для передачи напряжения возбуждения, т.е. первая сигнальная линия 121 может представлять собой линию передачи данных, и вторая сигнальная линия 122 может представлять собой линию 122 питания.

[00116] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6 и 7, в одной группе 120 сигнальных линий, линия 121 передачи данных и линия 122 питания последовательно размещаются в первом направлении, т.е. последовательно размещаются от левой стороны к правой стороне на фиг. 6. Линия 121 передачи данных расположена слева от линии 122 питания. Порядки расположения линии 121 передачи данных и линии 122 питания в различных группах 120 сигнальных линий являются одинаковыми. Следовательно, в подложке отображения, предоставленной посредством вариантов осуществления настоящего раскрытия сущности, позиции, в которых расположены две смежные группы сигнальных линий, перекрывающиеся с первым анодом 1110, вместо непосредственно двух групп сигнальных линий являются по существу осесимметричными относительно первой средней линии первого анода 1110.

[00117] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6 и 7, если группа 120 сигнальных линий включает в себя множество линий 1200 передачи данных, множество линий 1200 передачи данных разнесены друг от друга и являются по существу параллельными между собой. Например, если группа 120 сигнальных линий включает в себя линию 121 передачи данных и линию 122 питания, линия 121 передачи данных и линия 122 питания разнесены друг от друга и являются по существу параллельными между собой.

[00118] Например, в некоторых примерах, ширина линии 121 передачи данных варьируется в диапазоне 2,5–3 микрона, ширина линии 122 питания варьируется в диапазоне 4–6 микрон, и расстояние между линией 121 передачи данных и линией 122 питания варьируется в диапазоне 3–4 микрона.

[00119] Например, в некоторых примерах, расстояние между смежными линиями передачи данных варьируется в диапазоне 23–35 микрон; и расстояние между смежными линиями питания варьируется в диапазоне 23–35 микрон. Длина первой основной части 1112 вдоль первого направления варьируется в диапазоне 45–60 микрон таким образом, что первая основная часть 1112 может покрывать две смежные группы 120 сигнальных линий.

[00120] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, первое направление, описанное выше, является перпендикулярным второму направлению, описанному выше.

[00121] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, каждая группа субпикселов 120 дополнительно включает в себя второй субпиксел 112, второй субпиксел 112 включает в себя второй анод 1120, и второй анод 1120 перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий.

[00122] В подложке отображения, предоставленной посредством вариантов осуществления настоящего раскрытия сущности, поскольку второй анод перекрывается с двумя смежными группами сигнальных линий, второй анод может формировать два выступа в позициях, в которых второй анод перекрывается с двумя смежными группами сигнальных линий. Два выступа могут уменьшать асимметрию светового излучения второго анода и светоизлучающего слоя на втором аноде и даже исключать асимметрию светового излучения второго анода и светоизлучающего слоя на втором аноде, за счет этого дополнительно облегчая и даже исключая явление цветового сдвига, сформированное при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения.

[00123] Фиг. 8 является принципиальной структурной схемой другой подложки отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности. Как показано на фиг. 8, поскольку второй анод 1120 перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий, второй анод 1120 формирует два выступа 175 в позициях, в которых второй анод 1120 перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий. Можно видеть, что по сравнению только с одним выступом, два выступа 175 могут уменьшать асимметрию светового излучения второго анода 1120 и светоизлучающего слоя на втором аноде 1120 и даже исключать асимметрию светового излучения второго анода 1120 и светоизлучающего слоя на втором аноде 1120, за счет этого дополнительно облегчая и даже исключая явление цветового сдвига, сформированное при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения.

[00124] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, ортографические проекции сигнальных линий 1200 в двух группах 120 сигнальных линий, перекрывающихся со вторым анодом 1120, на базовой подложке 101, продолжаются во втором направлении и проходят через ортографическую проекцию второго анода 1120 на базовой подложке 101.

[00125] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6 и 8, второй субпиксел 112 включает в себя вторую эффективную светоизлучающую область 1125, второй анод 1120 включает в себя вторую основную часть 1122, и вторая основная часть 1122 по меньшей мере частично перекрывается со второй эффективной светоизлучающей областью 1125. Размер второй основной части 1122 в первом направлении превышает размер второй основной части 1122 во втором направлении, и позиции, в которых расположены две смежные группы 120 сигнальных линий, перекрывающиеся со вторым анодом 1120, находятся на двух концах второй основной части 1122 в первом направлении. В этом случае, поскольку позиции, в которых расположены две смежные группы 120 сигнальных линий, перекрывающиеся со вторым анодом 1120, находятся на двух концах второй основной части 1122 в первом направлении, симметрия двух выступов 175, сформированных в позициях, в которых второй анод 1120 перекрывается с двумя смежными группами сигнальных линий, является высокой, за счет этого облегчая и даже исключая явление цветового сдвига, сформированное при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения. Следует отметить, что фиг. 6 показывает только вторую основную часть второго анода.

[00126] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6 и 8, ортографическая проекция второй основной части 1122 на базовой подложке 101 имеет по существу форму полосы, и направление продолжения второй основной части пересекает второе направление.

[00127] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6 и 8, направление продолжения второй основной части является по существу перпендикулярным второму направлению.

[00128] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6 и 8, позиции, в которых расположены две смежные группы 120 сигнальных линий, перекрывающиеся со вторым анодом 1120, являются по существу осесимметричными относительно второй средней линии второй основной части 1122, и вторая средняя линия параллельна второму направлению. В этом случае, как показано на фиг. 8, второй анод 1120 формирует два симметричных по позиции выступа 175 в позициях, в которых второй анод 1120 перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий, и два выступа 175 могут эффективно уменьшать асимметрию светового излучения второго анода и светоизлучающего слоя на втором аноде и даже исключать асимметрию светового излучения второго анода и светоизлучающего слоя на втором аноде, за счет этого дополнительно облегчая и даже исключая явление цветового сдвига, сформированное при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения.

[00129] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, размер второй основной части 1122 в первом направлении превышает размер второй основной части 1122 во втором направлении. Иными словами, форма второй основной части 1122 представляет собой форму полосы, такую как шестиугольная форма или эллиптическая форма. Как показано на фиг. 1, поскольку размер нормального анода во втором направлении превышает размер нормального анода в первом направлении, нормальный анод, в общем, покрывает только одну группу сигнальных линий. Размер второй основной части второго анода, предоставленного посредством вариантов осуществления настоящего раскрытия сущности в первом направлении, превышает размер второй основной части во втором направлении таким образом, что второй анод может перекрываться с двумя смежными группами сигнальных линий под одной и той же площадью. Например, вторая основная часть, предоставленная посредством вариантов осуществления настоящего раскрытия сущности, может получаться посредством вращения основной части соответствующего анода в подложке отображения, показанной на фиг. 1, на 90 градусов.

[00130] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6 и 8, каждая группа 120 сигнальных линий включает в себя две сигнальных линии 1200, и второй анод 1120 перекрывается с четырьмя сигнальными линиями 1200 двух смежных групп 120 сигнальных линий. Например, размер второй основной части 1122 в первом направлении варьируется в диапазоне 45–55 микрон; и размер второй основной части 1122 во втором направлении варьируется в диапазоне 12–20 микрон. Следует отметить, что вышеуказанные размеры представляют собой только иллюстративные примеры, и размеры второй основной части в вариантах осуществления настоящего раскрытия сущности могут определяться согласно размеру и разрешению фактического продукта.

[00131] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, вторая основная часть 1122 имеет по существу шестиугольную форму или эллиптическую форму, и длинная ось симметрии шестиугольной формы или длинная ось эллиптической формы может быть параллельной первому направлению. Следует отметить, что вышеуказанное "по существу параллельный" означает то, что угол между длинной осью симметрии шестиугольной формы или длинной осью эллипса и первым направлением не превышает 5 градусов.

[00132] Следует отметить, что варианты осуществления настоящего раскрытия сущности включают в себя, но не ограничены означенным, и форма второй основной части в вариантах осуществления настоящего раскрытия сущности также может представлять собой другие формы длинной полосы; помимо этого, если вторая основная часть имеет по существу шестиугольную форму или эллиптическую форму, длинная ось симметрии шестиугольной формы или длинная ось эллиптической формы может не быть параллельной первому направлению, при условии, что ортографическая проекция второго анода на плоскости, в которой расположены группы сигнальных линий, перекрывается с двумя смежными группами сигнальных линий.

[00133] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, подложка отображения дополнительно включает в себя ограничивающий пикселы слой 160 на стороне второго анода 1120, удаленной от базовой подложки 101, и включает в себя второе отверстие 162. Первый субпиксел 112 дополнительно включает в себя второй светоизлучающий слой 1124. По меньшей мере часть второго светоизлучающего слоя 1124 расположена во втором отверстии 162. Область, заданная посредством второго отверстия 162, представляет собой вторую эффективную светоизлучающую область 1125. Второй анод 1120 может возбуждать второй светоизлучающий слой 1124 с возможностью излучать свет.

[00134] Например, как показано на фиг. 8, площадь второй эффективной светоизлучающей области 1125 может быть немного меньше площади второго анода 1120, и форма второй эффективной светоизлучающей области 1125 может быть аналогичной форме второй основной части 1122 второго анода 1120. Кратчайшее расстояние между краем второй эффективной светоизлучающей области 1125 и краем второй основной части 1122 варьируется в диапазоне 1–5 микрон.

[00135] Следует отметить, что второй светоизлучающий слой 1124 может включать в себя непосредственно электролюминесцентный слой и другие функциональные слои с обеих сторон электролюминесцентного слоя, например, другие функциональные слои могут включать в себя слой инжекции дырок, слой переноса дырок, слой инжекции электронов, слой переноса электронов и т.п.

[00136] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 8, второй субпиксел 112 дополнительно включает в себя второй катод 1126, и второй катод 1126 расположен на стороне второго светоизлучающего слоя 1125, удаленной от второго анода 1122.

[00137] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, каждая группа 110 субпикселов дополнительно включает в себя пару 116 третьих субпикселов; пара 116 третьих субпикселов включает в себя два третьих субпиксела 113; каждый третий субпиксел 113 включает в себя третий анод 1130, два третьих анода 1130 пары 116 третьих субпикселов, соответственно, перекрываются с одной группой 120 сигнальных линий, и две группы сигнальных линий, перекрывающиеся с двумя третьими анодами 1130 пары 116, 120 третьих субпикселов, являются смежными друг с другом, т.е. представляют собой две смежные группы 120 сигнальных линий. Фиг. 9A является принципиальной структурной схемой другой подложки отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности. Как показано на фиг. 9A, пара 116 третьих субпикселов рассматривается в целом, поскольку каждый из двух третьих анодов 1130 пары 116 третьих субпикселов перекрывается с одной группой 120 сигнальных линий, и две группы 120 сигнальных линий, перекрывающиеся с двумя третьими анодами 1130 пары 116 третьих субпикселов, являются смежными друг с другом, два выступа 179 формируются в позициях, в которых два третьих анода 1130 пары 116 третьих субпикселов, соответственно, перекрываются с двумя смежными группами 120 сигнальных линий. Два выступа 179 могут уменьшать асимметрию светового излучения пары 116 третьих субпикселов и даже исключать асимметрию светового излучения пары 116 третьих субпикселов, за счет этого дополнительно облегчая и даже исключая явление цветового сдвига, сформированное при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения.

[00138] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, ортографические проекции сигнальных линий 1200 в группе 120 сигнальных линий, перекрывающейся с третьим анодом 1130, на базовой подложке 101, продолжаются во втором направлении и проходят через ортографическую проекцию третьего анода 1130 на базовой подложке 101.

[00139] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, третий субпиксел 113 включает в себя третью эффективную светоизлучающую область 1135, третий анод 1130 включает в себя третью основную часть 1132, и третья основная часть 1132 по меньшей мере частично перекрывается с третьей эффективной светоизлучающей областью 1135. Две группы 120 сигнальных линий, соответственно, перекрывающиеся с двумя третьими анодами 1130 пары 116 третьих субпикселов, являются по существу осесимметричными относительно третьей средней линии линии, соединяющей центры двух третьих основных частей 1132, и третья средняя линия параллельна второму направлению. В этом случае, как показано на фиг. 9A, два анода 1130 или две третьих эффективных светоизлучающих области 1135 формируют два симметричных по позиции выступа 179 в позициях, в которых два анода 1130 или две третьих эффективных светоизлучающих области 1135, соответственно, перекрываются с двумя смежными группами 120 сигнальных линий, два выступа 179 дополнительно могут эффективно уменьшать асимметрию светового излучения пары 116 третьих субпикселов и даже исключать асимметрию светового излучения пары 116 третьих субпикселов, за счет этого дополнительно облегчая и даже исключая явление цветового сдвига, сформированное при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения.

[00140] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, каждая группа 120 сигнальных линий включает в себя две сигнальных линии 1200, каждый из двух третьих анодов 1130 пары 116 третьих субпикселов перекрывается с двумя сигнальными линиями в одной группе 1200 сигнальных линий, и две группы сигнальных линий, соответственно, перекрывающиеся с двумя третьими анодами 1130 пары 116 третьих субпикселов, являются смежными друг с другом. Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, множество групп 110 субпикселов размещаются вдоль второго направления с возможностью формировать множество столбцов групп субпикселов, и размещаются в первом направлении с возможностью формировать множество строк групп субпикселов. Два смежных столбца групп субпикселов рассовмещаются на 1/2 шага и рассовмещаются на 1/2 шага во втором направлении. Шаг равен расстоянию между центрами двух первых субпикселов 111 в двух смежных группах 110 субпикселов во втором направлении. В каждой группе 110 субпикселов, первый субпиксел 111, второй субпиксел 112 и пара 116 третьих субпикселов размещаются вдоль второго направления, и два третьих субпиксела 113 пары 116 третьих субпикселов размещаются вдоль первого направления. Иными словами, каждая группа субпикселов может представлять собой повторяющуюся единицу в подложке отображения.

[00141] Например, в некоторых примерах, первый субпиксел 111 выполнен с возможностью излучать свет первого цвета, второй субпиксел 112 выполнен с возможностью излучать свет второго цвета, и третий субпиксел 113 выполнен с возможностью излучать свет третьего цвета.

[00142] Например, в некоторых примерах, первый цвет является синим, второй цвет является красным, и третий цвет является зеленым. Следовательно, подложка отображения имеет компоновочную структуру из красных, зеленых и синих субпикселов. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия сущности содержат, но не ограничены означенным. Первый цвет, второй цвет и третий цвет, описанные выше, также могут представлять собой другие цвета.

[00143] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, третья основная часть 1132 имеет по существу пятигранную форму, и прямоугольная сторона пятигранной формы является по существу параллельной второму направлению.

[00144] Например, в некоторых примерах, размер третьей основной части 1132 в первом направлении варьируется в диапазоне 23–27 микрон, и размер третьей основной части 1132 во втором направлении варьируется в диапазоне 18–22 микрона.

[00145] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 9A, в случае если группа 110 субпикселов включает в себя третий субпиксел 113, третий субпиксел 113 дополнительно включает в себя третий светоизлучающий слой 1134. В этом случае, ограничивающий пикселы слой 160 дополнительно включает в себя третье отверстие 163, третье отверстие 163 открывает третий анод 1130, и по меньшей мере часть третьего светоизлучающего слоя 1134 расположена в третьем отверстии 163 и покрывает часть третьего анода 1130, который является открытым. Область, заданная посредством третьего отверстия 163, представляет собой третью эффективную светоизлучающую область 1135 третьего субпиксела 113.

[00146] Следует отметить, что площадь третьей основной части 1132 третьего анода 1130 может немного превышать площадь третьего светоизлучающего слоя 1134. Помимо этого, третий светоизлучающий слой 1134 может включать в себя непосредственно электролюминесцентный слой и другие функциональные слои с обеих сторон электролюминесцентного слоя, например, другие функциональные слои могут включать в себя слой инжекции дырок, слой переноса дырок, слой инжекции электронов, слой переноса электронов и т.п.

[00147] Фиг. 9B является принципиальной структурной схемой другой подложки отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия сущности. Например, как показано на фиг. 9B, две третьих эффективных светоизлучающих области 1135 в одной паре 116 третьих субпикселов могут совместно использовать одно третье отверстие 163, т.е. площадь третьего отверстия 163 немного превышает площади двух третьих эффективных светоизлучающих областей 1135, и площадь светоизлучающего слоя в третьем отверстии 1135 может немного превышать площади двух третьих основных частей 1132. В этом случае, третья эффективная светоизлучающая область 1135 может представлять собой область перекрытия третьего отверстия 163 и третьей основной части 1132.

[00148] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 9B, каждый третий субпиксел 113 дополнительно включает в себя третий катод 1136, и третий катод 1136 расположен на стороне третьего светоизлучающего слоя 1135, удаленной от третьего анода 1132.

[00149] Следует отметить, что каждая эффективная светоизлучающая область (например, первая эффективная светоизлучающая область, вторая эффективная светоизлучающая область или третья эффективная светоизлучающая область) в общем, проектируется с возможностью иметь регулярную форму, к примеру, вышеуказанную шестиугольную форму, пятигранную форму или эллиптическую форму. Тем не менее, в фактическом процессе изготовления, форма сформированной эффективной светоизлучающей области, в общем, отклоняется от регулярной формы вышеуказанного проектного решения. Например, каждый угол вышеуказанной регулярной формы может округляться, и в силу этого форма каждой эффективной светоизлучающей области (например, первой эффективной светоизлучающей области, второй эффективной светоизлучающей области или третьей эффективной светоизлучающей области) может представлять собой округленную форму. Помимо этого, форма фактически сформированной эффективной светоизлучающей области также может иметь другие варьирования относительно проектной формы. Например, форма эффективной светоизлучающей области, спроектированная в качестве шестиугольной формы, может становиться приблизительно эллиптической формой в фактическом процессе изготовления.

[00150] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, если первый субпиксел 111 представляет собой синий субпиксел, второй субпиксел 112 представляет собой красный субпиксел, и третий субпиксел 113 представляет собой зеленый субпиксел, площадь первого светоизлучающего слоя 1114 первого субпиксела 111 и площадь второго светоизлучающего слоя 1124 второго субпиксела 112 превышают площадь третьего светоизлучающего слоя 1134 одного третьего субпиксела 113, и площадь первого светоизлучающего слоя 1114 первого субпиксела 111 превышает площадь второго светоизлучающего слоя 1124 второго субпиксела 112.

[00151] Вариант осуществления настоящего раскрытия сущности предоставляет подложку отображения. Как показано на фиг. 6, подложка отображения включает в себя: базовую подложку 101, множество групп 110 субпикселов и множество групп 120 сигнальных линий, множество групп 110 субпикселов и множество групп 120 сигнальных линий размещаются на базовой подложке 101. Множество групп 120 сигнальных линий размещаются вдоль первого направления и разнесены друг от друга, и каждая из групп 120 сигнальных линий включает в себя первую сигнальную линию 121 и вторую сигнальную линию 122. Как первая сигнальная линия 121, так и вторая сигнальная линия 122 продолжаются вдоль второго направления, пересекающего первое направление. В каждой из групп 120 сигнальных линий, первая сигнальная линия 121 и вторая сигнальная линия 122 расположены последовательно, и порядки расположения первой сигнальной линии 121 и вторая сигнальная линия 122 двух смежных групп 120 сигнальных линий являются одинаковыми. Множество групп 110 субпикселов размещаются вдоль второго направления с возможностью формировать множество столбцов групп субпикселов, и размещаются вдоль первого направления с возможностью формировать множество строк групп субпикселов, и два смежных столбца групп субпикселов рассовмещаются на 1/2 шага, и шаг равен расстоянию между центрами двух первых субпикселов в двух смежных группах субпикселов во втором направлении. Каждая из групп 110 субпикселов включает в себя первый субпиксел 111, второй субпиксел 112 и пару 116 третьих субпикселов. Пара 116 третьих субпикселов включает в себя два третьих субпиксела 113. В каждой из групп 110 субпикселов, первый субпиксел 111, второй субпиксел 112 и пара 116 третьих субпикселов размещаются вдоль второго направления, и два третьих субпиксела 113 пары 116 третьих субпикселов размещаются вдоль первого направления. Первый субпиксел 111 включает в себя первый анод 1110, второй субпиксел 112 включает в себя второй анод 1120, и третий субпиксел 113 включает в себя третий анод 1130. Первый анод 1110 перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий, второй анод 1120 перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий, и каждый из двух третьих анодов 1130 пары 116 третьих субпикселов перекрывается с одной группой 120 сигнальных линий, и две группы 120 сигнальных линий, соответственно, перекрывающиеся с двумя третьими анодами 1130 пары 116 третьих субпикселов, являются смежными друг с другом.

[00152] Вариант осуществления настоящего раскрытия сущности дополнительно предоставляет устройство отображения. Устройство отображения включает в себя вышеуказанную подложку отображения. Следовательно, устройство отображения также может эффективно уменьшать асимметрию светового излучения анода и светоизлучающего слоя (например, первого анода и первого светоизлучающего слоя на первом аноде, второго анода и второго светоизлучающего слоя слое на втором аноде и третьего анода и третьего светоизлучающего слоя на третьем аноде) на аноде каждого субпиксела и даже исключать асимметрию светового излучения эффективных светоизлучающих областей, за счет этого облегчая и даже исключая явление цветового сдвига, сформированное при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения и повышая качество отображения и оптимизируя пользовательское восприятие.

[00153] Например, в некоторых примерах, устройство отображения может представлять собой любой продукт или компонент, имеющий функцию отображения, такой как смартфон, планшетный компьютер, телевизионный приемник, дисплей, ноутбук, цифровая фоторамка, навигатор и т.п.

[00154] Вариант осуществления настоящего раскрытия сущности дополнительно предоставляет подложку отображения. Как показано на фиг. 6 и 7, подложка отображения включает в себя базовую подложку 101, множество групп 110 субпикселов и множество групп 120 сигнальных линий. Множество групп 110 субпикселов и множество групп 120 сигнальных линий размещаются на базовой подложке 101. Множество групп 120 сигнальных линий размещаются вдоль первого направления и разнесены друг от друга. Каждая из групп 120 сигнальных линий включает в себя две сигнальных линии 1200; и сигнальные линии 1200 продолжаются вдоль второго направления, пересекающего первое направление. Каждая из групп 110 субпикселов включает в себя синий субпиксел 111 и красный субпиксел 112. Синий субпиксел 111 включает в себя первый анод 1110, и красный субпиксел 112 включает в себя второй анод 1120. Первый анод 1110 перекрывается с четырьмя сигнальными линиями 1200 двух смежных групп 120 сигнальных линий, и второй анод 1120 перекрывается с четырьмя сигнальными линиями 1200 двух смежных групп 120 сигнальных линий.

[00155] В подложке отображения, предоставленной посредством вариантов осуществления настоящего раскрытия сущности, поскольку каждый из первого анода 1110 синего субпиксела 111 и второго анода 1120 красного субпиксела 112 перекрывается с четырьмя сигнальными линиями 1200 двух смежных групп 120 сигнальных линий одновременно, в этом случае, даже если первый анод 1110 формирует выступы в позициях, в которых первый анод 1110 перекрывается с группами 120 сигнальных линий, первый анод 1110 формирует два выступа в позициях, в которых первый анод 1110 перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий, и два выступа могут уменьшать асимметрию светового излучения первого анода 1110 и светоизлучающего слоя на первом аноде 1110 и могут даже исключать асимметрию светового излучения первого анода 1110 и светоизлучающего слоя на первом аноде 1110, за счет этого облегчая и даже исключая явление цветового сдвига, сформированное при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения. Аналогично, даже если второй анод 1120 формирует выступы в позициях, в которых второй анод 1120 перекрывается с группами 120 сигнальных линий, второй анод 1120 формирует два выступа в позициях, в которых второй анод 1120 перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий, и два выступа могут уменьшать асимметрию светового излучения второго анода 1120 и светоизлучающего слоя на втором аноде 1120 и могут даже исключать асимметрию светового излучения второго анода 1120 и светоизлучающего слоя на втором аноде 1120, за счет этого облегчая и даже исключая явление цветового сдвига, сформированное при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения.

[00156] Например, в некоторых примерах, две сигнальных линии 1200, включенные в каждую группу 120 сигнальных линий, могут представлять собой линию 121 передачи данных и линию 122 питания. Линия 121 передачи данных используется для передачи или записи данных, и линия 122 питания используется для передачи напряжения возбуждения. Поскольку толщины линии передачи данных и линии питания являются большими, выравнивающий слой, покрывающий линию передачи данных и линию питания, не может полностью выравнивать поверхность подложки отображения, приводя к тому, что анод на выравнивающем слое и светоизлучающий слой на аноде являются неровными, и в силу этого выступы формируются на аноде и светоизлучающем слое на аноде. Подложка отображения, предоставленная посредством вариантов осуществления настоящего раскрытия сущности, может исключать асимметрию светового излучения светоизлучающих слоев на первом аноде и втором аноде посредством предоставления возможности каждому из первого анода и второго анода перекрываться с четырьмя сигнальными линиями двух смежных групп сигнальных линий одновременно, за счет этого исключая асимметрию светового излучения светоизлучающих слоев на первом аноде и втором аноде и дополнительно облегчая и даже исключая явление цветового сдвига, сформированного при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения.

[00157] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, ортогональные проекции четырех сигнальных линий 1200, перекрывающихся с первым анодом 1110 на базовой подложке 101, продолжаются вдоль второго направления и проходят через ортографическую проекцию первого анода 1110 на базовой подложке. Ортографические проекции четырех сигнальных линий 1200, перекрывающихся со вторым анодом 1120, на базовой подложке 101, продолжаются вдоль второго направления и проходят через ортографическую проекцию второго анода 1120 на базовой подложке 101.

[00158] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, каждая из групп 110 субпикселов дополнительно включает в себя пару 116 зеленых субпикселов, и каждая пара 116 зеленых субпикселов включает в себя два зеленых субпиксела 113. Каждый из зеленых субпикселов 113 включает в себя третий анод 1130, и каждый из двух третьих анодов 1130 пары 116 зеленых субпикселов перекрывается с двумя сигнальными линиями 1200 одной группы 120 сигнальных линий, и две группы 120 сигнальных линий, соответственно, перекрывающиеся с двумя третьими анодами 1130 пары 116 третьих субпикселов, являются смежными друг с другом. В этом случае, пара 116 третьих субпикселов рассматривается в целом, поскольку каждый из двух третьих анодов 1130 пары 116 третьих субпикселов перекрывается с одной 120 группой сигнальных линий, и две группы 120 сигнальных линий, соответственно, перекрывающиеся с двумя третьими анодами 1130, являются смежными друг с другом, два выступа формируются в позициях, в которых каждый из двух третьих анодов 1130 пары 116 третьих субпикселов перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий. Два выступа могут уменьшать асимметрию светового излучения пары 116 третьих субпикселов и даже исключать асимметрию светового излучения пары 116 третьих субпикселов, за счет этого дополнительно облегчая и даже исключая явление цветового сдвига, сформированное при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения.

[00159] По меньшей мере один вариант осуществления настоящего раскрытия сущности дополнительно предоставляет подложку отображения. Как показано на фиг. 6 и 7, подложка отображения включает в себя базовую подложку 101, множество групп 110 субпикселов и множество групп 120 сигнальных линий. Множество групп 110 субпикселов и множество групп 120 сигнальных линий размещаются на базовой подложке 101. Множество групп 120 сигнальных линий размещаются вдоль первого направления и разнесены друг от друга. Каждая из групп 120 сигнальных линий включает в себя первую сигнальную линию 121 и вторую сигнальную линию 122. Первая сигнальная линия 121 и вторая сигнальная линия 122 продолжаются вдоль второго направления, пересекающего первое направление. Каждая из групп 110 субпикселов включает в себя первый субпиксел 111, первый субпиксел 111 включает в себя первый анод 1110 и первую эффективную светоизлучающую область 1115. Первый анод 1110 включает в себя первую основную часть 1112, и первая основная часть 1112 по меньшей мере частично перекрывается с первой эффективной светоизлучающей областью 1115. Размер интервала между двумя смежными группами 120 сигнальных линий в первом направлении в 8–10 раз превышает размер первой сигнальной линии 121 в первом направлении; размер первой основной части 1112 в первом направлении в 15–17 раз превышает размер первой сигнальной линии 121 в первом направлении, и размер первой основной части 1112 во втором направлении в 9–11 раз превышает размер первой сигнальной линии 121 в первом направлении. Поскольку размер первой основной части 1112 в первом направлении в 15–17 раз превышает размер первой сигнальной линии 121 в первом направлении, первая основная часть 1112 может покрывать две смежные группы 120 сигнальных линий. В этом случае, даже если первый анод 1110 формирует выступы в позициях, в которых первый анод 1110 перекрывается с группами 120 сигнальных линий, первый анод 1110 формирует два выступа в позициях, в которых первый анод 1110 перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий, и два выступа могут уменьшать асимметрию светового излучения первого анода 1110 и светоизлучающего слоя на первом аноде 1110 и могут даже исключать асимметрию светового излучения первого анода 1110 и светоизлучающего слоя на первом аноде 1110, за счет этого облегчая и даже исключая явление цветового сдвига, сформированное при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения.

[00160] Например, в некоторых примерах, отношение размера первой основной части 1112 в первом направлении к размеру первой основной части 1112 во втором направлении составляет γ1, и значение γ1 варьируется в диапазоне 1,5–1,7.

[00161] Например, в некоторых примерах, каждая группа 110 субпикселов дополнительно включает в себя второй субпиксел 112, второй субпиксел 112 включает в себя второй анод 1120 и вторую эффективную светоизлучающую область 1125. Второй анод 1120 включает в себя вторую основную часть 1122. Вторая основная часть 1122 перекрывается со второй эффективной светоизлучающей областью 1125. Размер интервала между двумя смежными группами 120 сигнальных линий в первом направлении в 8–10 раз превышает размер первой сигнальной линии 121 в первом направлении. Размер второй основной части 1122 в первом направлении в 12–14 раз превышает размер первой сигнальной линии в первом направлении, и размер второй основной части во втором направлении в 4–6 раз превышает размер первой сигнальной линии в первом направлении. Поскольку размер второй основной части 1122 в первом направлении в 12–14 раз превышает размер первой сигнальной линии в первом направлении, вторая основная часть 1122 может покрывать две смежные группы 120 сигнальных линий. В этом случае, даже если второй анод 1120 формирует выступы в позициях, в которых второй анод 1120 перекрывается с группами 120 сигнальных линий, второй анод 1120 формирует два выступа в позициях, в которых второй анод 1120 перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий, и два выступа могут уменьшать асимметрию светового излучения второго анода 1120 и светоизлучающего слоя на втором аноде 1120 и могут даже исключать асимметрию светового излучения второго анода 1120 и светоизлучающего слоя на втором аноде 1120, за счет этого облегчая и даже исключая явление цветового сдвига, сформированное при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения.

[00162] Например, в некоторых примерах, отношение размера второй основной части 1122 в первом направлении к размеру второй основной части 1122 во втором направлении составляет γ2, и значение γ2 варьируется в диапазоне 2,2–2,6.

[00163] Например, в некоторых примерах, каждая группа 110 субпикселов дополнительно включает в себя пару 116 третьих субпикселов, каждая пара 116 третьих субпикселов включает в себя два третьих субпиксела 113, и каждый третий субпиксел 113 включает в себя третий анод 1130 и третью эффективную светоизлучающую область 1135. Третий анод 1130 включает в себя третью основную часть 1132, и третья основная часть 1132 по меньшей мере частично перекрывается с третьей эффективной светоизлучающей областью 1135. Размер интервала между двумя смежными группами 120 сигнальных линий в первом направлении в 8–10 раз превышает размер первой сигнальной линии 121 в первом направлении, и размер третьей основной части 1132 в первом направлении в 6–8 раз превышает размер первой сигнальной линии 121 в первом направлении, и размер третьей основной части 1132 во втором направлении в 7–9 раз превышает размер первой сигнальной линии 121 в первом направлении.

[00164] Например, в некоторых примерах, размер второй сигнальной линии 122 в первом направлении в 1,3–1,4 раза превышает размер первой сигнальной линии 121 в первом направлении.

[00165] Например, в некоторых примерах, ортографическая проекция первой эффективной светоизлучающей области 1115 на базовой подложке 101 находится в пределах ортографической проекции первого анода 1112 на базовой подложке 101, и кратчайшее расстояние между краем ортографической проекции первой эффективной светоизлучающей области 1115 на базовой подложке 101 и краем ортографической проекции первого анода 1112 на базовой подложке 101 варьируется в диапазоне 1–3 микрона. Ортографическая проекция второй эффективной светоизлучающей области 1125 на базовой подложке 101 находится в пределах ортографической проекции второго анода 1122 на базовой подложке 101, и кратчайшее расстояние между краем ортографической проекции второй эффективной светоизлучающей области 1125 на базовой подложке 101 и краем ортографической проекции второго анода 1122 на базовой подложке 101 варьируется в диапазоне 1–3 микрона. Ортографическая проекция третьей эффективной светоизлучающей области 1135 на базовой подложке 101 находится в пределах ортографической проекции третьего анода 1132 на базовой подложке 101, и кратчайшее расстояние между краем ортографической проекции третьей эффективной светоизлучающей области 1135 на базовой подложке 101 и краем ортографической проекции третьего анода 1132 на базовой подложке 101 варьируется в диапазоне 1–3 микрона.

[00166] Например, в некоторых примерах, первый субпиксел представляет собой синий субпиксел, второй субпиксел представляет собой красный субпиксел, и третий субпиксел представляет собой зеленый субпиксел.

[00167] По меньшей мере один вариант осуществления настоящего раскрытия сущности дополнительно предоставляет подложку отображения. Как показано на фиг. 6 и 7, подложка отображения включает в себя базовую подложку 101, множество групп 110 субпикселов и множество групп 120 сигнальных линий. Множество групп 110 субпикселов и множество групп 120 сигнальных линий размещаются на базовой подложке 101. Множество групп 120 сигнальных линий размещаются вдоль первого направления и разнесены друг от друга. Каждая из групп 120 сигнальных линий включает в себя первую сигнальную линию 121 и вторую сигнальную линию 122. Первая сигнальная линия 121 и вторая сигнальная линия 122 продолжаются вдоль второго направления, пересекающего первое направление. Каждая группа 110 субпикселов включает в себя синий субпиксел 111 и красный субпиксел 112. Синий субпиксел 111 включает в себя первый анод 1110 и первую эффективную светоизлучающую область 1115. Красный субпиксел 112 включает в себя второй анод 1120 и вторую эффективную светоизлучающую область 1125. Первый анод 1110 включает в себя первую основную часть 1112, и первая основная часть 1112 по меньшей мере частично перекрывается с первой эффективной светоизлучающей областью 1115. Второй анод 1120 включает в себя вторую основную часть 1122, и вторая основная часть 1122 по меньшей мере частично перекрывается с эффективными светоизлучающими областями 1125. Ортографическая проекция первой основной части 1112 на базовой подложке 101 имеет по существу форму полосы, и направление продолжения первой основной части 1112 пересекается со вторым направлением. Ортографическая проекция второй основной части 1122 на базовой подложке 101 имеет по существу форму полосы, и направление продолжения второй основной части 1122 пересекается со вторым направлением. Следует отметить, что направление продолжения первой основной части и направление продолжения второй основной части могут быть одинаковыми или отличающимися от первого направления.

[00168] В подложке отображения, предоставленной посредством вариантов осуществления настоящего раскрытия сущности, поскольку направление продолжения первой основной части 1112 первого анода 1110 первого субпиксела 111 пересекается со вторым направлением, первая основная часть 1112 может покрывать две смежные группы 120 сигнальных линий. В этом случае, даже если первый анод 1110 формирует выступы в позициях, в которых первый анод 1110 перекрывается с группами 120 сигнальных линий, первый анод 1110 формирует два выступа в позициях, в которых первый анод 1110 перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий, и два выступа могут уменьшать асимметрию светового излучения первого анода 1110 и светоизлучающего слоя на первом аноде 1110 и могут даже исключать асимметрию светового излучения первого анода 1110 и светоизлучающего слоя на первом аноде 1110, за счет этого облегчая и даже исключая явление цветового сдвига, сформированное при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения. Аналогично, поскольку направление продолжения второй основной части 1122 второго анода 1120 второго субпиксела 112 пересекается со вторым направлением, вторая основная часть 1122 может покрывать две смежные группы 120 сигнальных линий. В этом случае, даже если второй анод 1120 формирует выступы в позициях, в которых второй анод 1120 перекрывается с группами 120 сигнальных линий, второй анод 1120 формирует два выступа в позициях, в которых второй анод 1120 перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий, и два выступа могут уменьшать асимметрию светового излучения второго анода 1120 и светоизлучающего слоя на втором аноде 1120 и могут даже исключать асимметрию светового излучения второго анода 1120 и светоизлучающего слоя на втором аноде 1120, за счет этого облегчая и даже исключая явление цветового сдвига, сформированное при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения.

[00169] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, направление продолжения первой основной части 1112 является по существу перпендикулярным второму направлению, и направление продолжения второй основной части 1122 является по существу перпендикулярным второму направлению. В том случае, если длины (размеры в направлении прохождения первой основной части 1112 и второй основной части 1122) первой основной части 1112 и второй основной части 1122 являются достаточно большими, обеспечивается то, что первая основная часть 1112 может покрывать две смежные группы 120 сигнальных линий, и вторая основная часть 1122 может покрывать две смежные группы 120 сигнальных линий. Следует отметить, что вышеуказанное "по существу перпендикулярный" включает в себя случай, в котором угол между направлением продолжения первой основной части или направлением продолжения второй основной части и вторым направлением варьируется в диапазоне 85–95 градусов.

[00170] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, первое направление является перпендикулярным второму направлению. В этом случае, направление продолжения первой основной части 1112 может быть по существу параллельным первому направлению, и направление продолжения второй основной части 1122 может быть по существу параллельным первому направлению. Следует отметить, что вышеуказанное "по существу параллельный" включает в себя случай, в котором угол между направлением продолжения первой основной части или направлением продолжения второй основной части и первым направлением варьируется в диапазоне 0–5 градусов.

[00171] Например, в некоторых примерах, размер интервала между двумя смежными группами 120 сигнальных линий в первом направлении в 8–10 раз превышает размер первой сигнальной линии 121 в первом направлении; размер первой основной части 1112 в первом направлении в 15–17 раз превышает размер первой сигнальной линии 121 в первом направлении, и размер первой основной части 1112 во втором направлении в 9–11 раз превышает размер первой сигнальной линии 121 в первом направлении. Поскольку размер первой основной части 1112 в первом направлении в 15–17 раз превышает размер первой сигнальной линии 121 в первом направлении, первая основная часть 1112 может покрывать две смежные группы сигнальных линий. В этом случае, даже если первый анод 1110 формирует выступы в позициях, в которых первый анод 1110 перекрывается с группами 120 сигнальных линий, первый анод 1110 формирует два выступа в позициях, в которых первый анод 1110 перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий, и два выступа могут уменьшать асимметрию светового излучения первого анода 1110 и светоизлучающего слоя на первом аноде 1110 и могут даже исключать асимметрию светового излучения первого анода 1110 и светоизлучающего слоя на первом аноде 1110, за счет этого облегчая и даже исключая явление цветового сдвига, сформированное при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения.

[00172] Например, в некоторых примерах, размер первой сигнальной линии 121 в первом направлении варьируется в диапазоне 3–4 микрона.

[00173] Например, в некоторых примерах, размер интервала между двумя смежными группами 120 сигнальных линий в первом направлении в 8–10 раз превышает размер первой сигнальной линии 121 в первом направлении, и размер второй основной части 1122 в первом направлении в 12–14 раз превышает размер первой сигнальной линии в первом направлении, и размер второй основной части во втором направлении в 4–6 раз превышает размер первой сигнальной линии в первом направлении. Поскольку размер второй основной части 1122 в первом направлении в 12–14 раз превышает размер первой сигнальной линии 121 в первом направлении, вторая основная часть 1122 может покрывать две смежные группы 120 сигнальных линий. В этом случае, даже если второй анод 1120 формирует выступы в позициях, в которых второй анод 1120 перекрывается с группами 120 сигнальных линий, второй анод 1120 формирует два выступа в позициях, в которых второй анод 1120 перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий, и два выступа могут уменьшать асимметрию светового излучения второго анода 1120 и светоизлучающего слоя на втором аноде 1120 и могут даже исключать асимметрию светового излучения второго анода 1120 и светоизлучающего слоя на втором аноде 1120, за счет этого облегчая и даже исключая явление цветового сдвига, сформированное при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения.

[00174] Например, в некоторых примерах, размер второй сигнальной линии 122 в первом направлении в 1,3–1,4 раза превышает размер первой сигнальной линии 121 в первом направлении. Иными словами, ширина второй сигнальной линии 122 является большой, за счет этого упрощая передачу напряжения возбуждения.

[00175] Например, в некоторых примерах, каждая группа субпикселов 120 дополнительно включает в себя пару 116 зеленых субпикселов, каждая пара 116 зеленых субпикселов включает в себя два зеленых субпиксела 113, и каждый зеленый субпиксел 113 включает в себя третий анод 1130 и третью эффективную светоизлучающую область 1135. Третий анод 1130 включает в себя третью основную часть 1132, и третья основная часть 1132 по меньшей мере частично перекрывается с третьей эффективной светоизлучающей областью 1135. Третья основная часть 1132 покрывает одну группу 120 сигнальных линий, и две группы 120 сигнальных линий, соответственно, перекрывающиеся с двумя третьими основными частями 1132 пары 116 зеленых субпикселов, являются смежными друг с другом. В этом случае, пара 116 третьих субпикселов рассматривается в целом, поскольку каждый из двух третьих анодов 1130 пары 116 третьих субпикселов перекрывается с одной группой 120 сигнальных линий, и две группы 120 сигнальных линий, соответственно, перекрывающиеся с двумя третьими анодами 1130 пары 116 третьих субпикселов, являются смежными друг с другом, два выступа формируются в позициях, в которых каждый из двух третьих анодов 1130 пары 116 третьих субпикселов перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий. Два выступа могут уменьшать асимметрию светового излучения пары 116 третьих субпикселов и даже исключать асимметрию светового излучения пары 116 третьих субпикселов, за счет этого облегчая и даже исключая явление цветового сдвига, сформированное при просмотре с левой стороны и правой стороны от нормальной линии подложки отображения под одним и тем же углом относительно нормальной линии подложки отображения.

[00176] Например, в некоторых примерах, размер интервала между двумя смежными группами 120 сигнальных линий в первом направлении в 8–10 раз превышает размер первой сигнальной линии 121 в первом направлении, и размер третьей основной части 1132 в первом направлении в 6–8 раз превышает размер первой сигнальной линии 121 в первом направлении, и размер третьей основной части 1132 во втором направлении в 7–9 раз превышает размер первой сигнальной линии 121 в первом направлении. В этом случае, в одной паре 116 третьих субпикселов, сумма размеров двух третьих основных частей 1132 в первом направлении в по меньшей мере 12–16 раз превышает размер первой сигнальной линии 121 в первом направлении, и в силу этого две третьих основных части 1132 могут перекрываться с двумя смежными группами 120 сигнальных линий.

[00177] Например, в некоторых примерах, ортографическая проекция первой эффективной светоизлучающей области 1115 на базовой подложке 101 находится в пределах ортографической проекции первого анода 1112 на базовой подложке 101, и кратчайшее расстояние между краем ортографической проекции первой эффективной светоизлучающей области 1115 на базовой подложке 101 и краем ортографической проекции первого анода 1112 на базовой подложке 101 варьируется в диапазоне 1–3 микрона. Ортографическая проекция второй эффективной светоизлучающей области 1125 на базовой подложке 101 находится в пределах ортографической проекции второго анода 1122 на базовой подложке 101, и кратчайшее расстояние между краем ортографической проекции второй эффективной светоизлучающей области 1125 на базовой подложке 101 и краем ортографической проекции второго анода 1122 на базовой подложке 101 варьируется в диапазоне 1–3 микрона. Ортографическая проекция третьей эффективной светоизлучающей области 1135 на базовой подложке 101 находится в пределах ортографической проекции третьего анода 1132 на базовой подложке 101, и кратчайшее расстояние между краем ортографической проекции третьей эффективной светоизлучающей области 1135 на базовой подложке 101 и краем ортографической проекции третьего анода 1132 на базовой подложке 101 варьируется в диапазоне 1–3 микрона.

[00178] По меньшей мере один вариант осуществления настоящего раскрытия сущности дополнительно предоставляет подложку отображения; как показано на фиг. 6, подложка отображения включает в себя: базовую подложку 101; множество групп 110 субпикселов; и множество групп 120 сигнальных линий. Множество групп 120 сигнальных линий размещаются вдоль первого направления и разнесены друг от друга. Каждая из групп 120 сигнальных линий включает в себя первую сигнальную линию 121 и вторую сигнальную линию 122. Как первая сигнальная линия 121, так и вторая сигнальная линия 122 продолжаются вдоль второго направления, пересекающего первое направление. В каждой из групп 120 сигнальных линий, первая сигнальная линия 121 и вторая сигнальная линия 122 расположены последовательно, и порядки расположения первой сигнальной линии 121 и вторая сигнальная линия 122 двух смежных групп 120 сигнальных линий являются одинаковыми. Каждая из групп субпикселов 120 включает в себя первый субпиксел 111, первый субпиксел 111 включает в себя первый анод 1110, и первый анод 1110 перекрывается с двумя смежными группами 120 сигнальных линий.

[00179] Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6, две смежные группы 120 сигнальных линий включают в себя первую группу 1201 сигнальных линий и вторую группу 1202 сигнальных линий, расположенные вдоль первого направления, в первой группе 1201 сигнальных линий, первая сигнальная линия 121 расположена на стороне второй сигнальной линии 122, удаленной от второй группы 1202 сигнальных линий, и во второй группе 1202 сигнальных линий, первая сигнальная линия 121 расположена на стороне второй сигнальной линии 122 рядом с первой группой 1201 сигнальных линий.

[00180] Следует отметить несколько следующих утверждений:

[00181] (1) Прилагаемые чертежи заключают в себе только структуру(ы) в связи с вариантом(ами) осуществления настоящего раскрытия сущности, и другая структура(ы) может упоминаться как единый замысел(лы).

[00182] (2) В случае отсутствия конфликта, варианты осуществления настоящего раскрытия сущности и признаки в вариантах осуществления могут взаимно комбинироваться, чтобы получать новые варианты осуществления.

[00183] Вышеприведенные описания представляют собой только конкретные варианты осуществления настоящего раскрытия сущности, но объем охраны настоящего раскрытия сущности не ограничен этим, специалисты в данной области техники могут вносить некоторые варьирования или замены в объем настоящего раскрытия сущности, и варьирования и замены должны находиться в пределах объема охраны настоящего раскрытия сущности. Следовательно, объем охраны настоящего раскрытия сущности должен определяться посредством объема охраны формулы изобретения.


ПОДЛОЖКА ОТОБРАЖЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ
ПОДЛОЖКА ОТОБРАЖЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ
ПОДЛОЖКА ОТОБРАЖЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ
ПОДЛОЖКА ОТОБРАЖЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ
ПОДЛОЖКА ОТОБРАЖЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ
ПОДЛОЖКА ОТОБРАЖЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ
ПОДЛОЖКА ОТОБРАЖЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ
ПОДЛОЖКА ОТОБРАЖЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ
ПОДЛОЖКА ОТОБРАЖЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 25.
13.10.2018
№218.016.91ec

Блок отображения на основе органических светоизлучающих диодов, способ его возбуждения и устройство отображения

Изобретение относится к устройствам отображения на основе органических светоизлучающих диодов. Технический результат заключается в повышении качества пиксельного отображения блока отображения OLED. Технический результат достигается за счет того, что субпиксельные блоки содержат структуры OLED и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002669521
Дата охранного документа: 11.10.2018
09.11.2018
№218.016.9c05

Матричная подложка и способ ее производства, гибкая панель отображения и устройство отображения

Изобретение относится к гибким устройствам отображения. Заявлены матричная подложка и способ ее производства, гибкая панель отображения и устройство отображения. Матричная подложка включает в себя гибкую подложку (1), разделенную на область отображения (11) и периферийную область (12), при этом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002671935
Дата охранного документа: 07.11.2018
26.12.2018
№218.016.ab08

Матричная подложка и способ ее возбуждения, панель отображения и устройство отображения

Изобретение относится к области отображения данных. Технический результат – обеспечение возбуждения матричной подложки высокого разрешения посредством одной пиксельной схемы. Матричная подложка содержит множество циркуляционных блоков и множество пиксельных блоков, причем: каждый циркуляционный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676020
Дата охранного документа: 25.12.2018
29.12.2018
№218.016.ace0

Модуль и способ сбора данных, блок обработки данных, возбудитель и устройство отображения

Группа изобретений относится к области отображения данных. Техническим результатом является улучшение эффективности выполнения пространственной фильтрации. Модуль сбора данных содержит терминал ввода и вывода данных, через который данные вводятся в модуль сбора данных и который может выводить...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676243
Дата охранного документа: 26.12.2018
02.02.2019
№219.016.b5e7

Матричная подложка с органическими светодиодами и устройство отображения

Изобретение относится к области отображения информации и касается матричной подложки с органическими светодиодами. Матричная подложка включает в себя множество субпикселей, имеющих светоизлучающие слои и содержащих субпиксели первого цвета, субпиксели второго цвета и субпиксели третьего цвета в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002678597
Дата охранного документа: 30.01.2019
02.07.2019
№219.017.a354

Матричная подложка, жидкокристаллическая панель отображения и жидкокристаллическое устройство отображения

Изобретение относится к области технологий отображения, в частности к жидкокристаллическим устройствам отображения. Матричная подложка содержит множество пиксельных модулей, размещенных в матрице. При этом пиксельные модули содержат первые пиксельные электроды и вторые пиксельные электроды,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002692838
Дата охранного документа: 28.06.2019
05.07.2019
№219.017.a5c8

Матричная подложка и способ ее возбуждения и устройство отображения

Предлагается матричная подложка и способ ее возбуждения и устройство отображения. Матричная подложка содержит множество линий (G1, G2, G3,..., Gi,..., Gn) затвора и линий (D1, D2, D3,..., Dj,..., Dm) данных, а также множество субпикселов (10), ограниченных линиями (G1, G2, G3,..., Gi,..., Gn)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002693559
Дата охранного документа: 03.07.2019
03.08.2019
№219.017.bcd7

Схема, подложка отображения и устройство отображения

Изобретение относится к схемам отображения. Технический результат заключается в расширении арсенала средств того же назначения. Схема устройства отображения содержит множество схемных модулей, при этом для по меньшей мере одного из схемных модулей расстояния схемного модуля от двух схемных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002696213
Дата охранного документа: 31.07.2019
12.08.2019
№219.017.be3b

Матричная подложка и устройство отображения

Использование: для создания матричной подложки и устройства отображения. Сущность изобретения заключается в том, что матричная подложка содержит: содержащая линию общего электрода, множество линий затвора и множество линий данных, которые пересекаются друг с другом, и пиксельные модули,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002697012
Дата охранного документа: 08.08.2019
13.11.2019
№219.017.e13e

Тонкопленочный транзистор, запуск затвора на матрице и содержащее его устройство отображения, и способ его изготовления

Изобретение раскрывает тонкопленочный транзистор, включающий в себя базовую подложку, активный слой на базовой подложке, содержащий первую полупроводниковую область, вторую полупроводниковую область и множество полупроводниковых мостов, каждый из которых соединяет первую полупроводниковую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002705754
Дата охранного документа: 11.11.2019
Показаны записи 1-8 из 8.
15.02.2020
№220.018.02dd

Генератор и его смешивающее устройство двойного закручивания

Смешивающее устройство двойного закручивания содержит: смешивающую трубу (11), используемую, чтобы смешивать выхлопной газ и мочевину; конический смеситель, содержащий коническую трубу (12), имеющую выходной конец, проходящий в смешивающую трубу (11), и множество сужающихся закручивающих...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002714149
Дата охранного документа: 12.02.2020
05.03.2020
№220.018.095e

Устройство разделения воздуха и холодильное и морозильное устройство

Настоящее изобретение относится к области технологии разделения газа, в частности к устройству разделения воздуха и холодильному и морозильному устройству. Устройство разделения воздуха содержит опорную раму, на которой образованы опорная поверхность с каналом и камера для сбора обогащенного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002715843
Дата охранного документа: 03.03.2020
26.04.2020
№220.018.19fa

Выдвижной ящик в сборе и холодильное и морозильное устройство с выдвижным ящиком в сборе

Предоставлены выдвижной ящик в сборе (200) и холодильное и морозильное устройство с выдвижным ящиком в сборе (200). Выдвижной ящик в сборе (200) содержит картридж (10) и мембрану для кондиционирования воздуха в сборе (30), при этом пространство выдвижного ящика образовано в картридже (10), и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002720097
Дата охранного документа: 24.04.2020
20.05.2020
№220.018.1e4d

Гибкая дисплейная панель, способ ее изготовления и устройство с гибким дисплеем

Гибкая дисплейная панель включает гибкую подложку (2011), гибкий дисплейный экран (2012), размещенный на гибкой подложке (2011), защитную пленку (203), размещенную на стороне гибкого дисплейного экрана (2012), противоположной относительно гибкой подложки (2011), и соединительный слой (202),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002721102
Дата охранного документа: 15.05.2020
21.05.2020
№220.018.1f57

Холодильное и морозильное устройство

Раскрыто холодильное и морозильное устройство, содержащее коробчатый корпус (20), мембрану для кондиционирования воздуха в сборе (30) и воздушный насос (41), при этом коробчатый корпус (20) имеет обшивку (21), оболочку и теплоизоляционный слой, пространство для хранения емкости для хранения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002721246
Дата охранного документа: 18.05.2020
29.05.2020
№220.018.219b

Устройство хранения

Устройство (10) хранения содержит коробчатый корпус (20), отделитель (30) газа и устройство (40) удаления газа. Устройство (40) удаления газа сообщается с отделителем (30) газа. Предложенное устройство имеет улучшенные рабочие характеристики. 6 з.п. ф-лы, 6 ил.
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002722094
Дата охранного документа: 26.05.2020
29.05.2020
№220.018.219c

Устройство хранения для сохранения свежести с кондиционированием воздуха

Устройство хранения для сохранения свежести с кондиционированием воздуха содержит корпус (20) оболочки, имеющий первое пространство (21) для хранения, образованное в нем, и устройство для удаления кислорода, выполненное с возможностью удаления части или всего кислорода в воздухе в первом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002722096
Дата охранного документа: 26.05.2020
03.06.2020
№220.018.23a7

Холодильное и морозильное устройство

Предоставлено холодильное и морозильное устройство, содержащее пространство для хранения, компрессорную камеру, мембрану для кондиционирования воздуха в сборе и всасывающий насос, расположенный в компрессорной камере. Предоставленное холодильное и морозильное устройство характеризуется...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002722545
Дата охранного документа: 01.06.2020

Похожие РИД в системе