×
21.12.2019
219.017.f00f

Результат интеллектуальной деятельности: Способ электроэрозионной обработки поверхности молибдена

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к электроэрозионной обработке поверхности металлов и сплавов, используемой для повышения твердости, жаропрочности и коррозионной стойкости деталей машин. Предложен способ получения покрытия из карбида молибдена на детали из молибдена, включающий электроэрозионную обработку детали высоковольтной электрической дугой высокого давления в атмосфере водорода с фиксированным зазором между электродами, при которой в качестве катода используют обрабатываемую деталь, а в качестве анода - легирующий электрод из графита. При этом обработку осуществляют при напряжении 2000 B, токе разряда 0,5-1 А с частотой следования импульсов 60 Гц, причем путем изменения скважности импульсов контролируют шероховатость получаемого покрытия из карбида молибдена. Изобретение обеспечивает получение на поверхности молибдена покрытия из карбида молибдена с шероховатостью Ra=0,08-0,4 мкм. 2 ил., 3 пр.

Изобретение относится к электроэрозионной обработке поверхности металлов и сплавов, используемой для повышения твердости, жаропрочности и коррозионной стойкости деталей машин.

В тексте патента используются термины и определения установленные ГОСТ Р МЭК 60974-1-2012 «Оборудование для дуговой сварки. Часть 1. Источники сварочного тока» и ГОСТ 25331-82 «Обработка электроэрозионная. Термины и определения».

Электроэрозионная обработка поверхности - процесс, основанный на разрушении электрода (анода) при искровом разряде и переносе продуктов эрозии на поверхность изделия, служащего катодом. Известны две схемы процесса: а) перенос материала происходит в виде очень мелких капель с кратковременным замыканием искрового промежутка и физическим контактом анода на изделие, и б) с постоянным (фиксированным) зазором между электродами. Вибрация легирующего электрода с периодическим контактом с поверхностью изделия облегчает ведение процесса, а поддержка постоянного межэлектродного зазора требует сложной автоматики. Широкое распространение получила первая схема, хотя, стоит заметить, что современное развитие высокодинамичных автоматизированных систем, например, линейных серводвигателей, нивелирует сложность регулировки межэлектроного зазора. Электроэрозионная обработка поверхности характеризуется: а) высокой адгезией материала анода с поверхностью обрабатываемого изделия; б) локальной обработкой поверхности с минимальной зоной термического влияния; в) относительной простотой реализации; г) отсутствием жестких требований к подготовке поверхности перед нанесением и д) высокой надежностью оборудования.

Характерным недостатком электроэрозионной обработки является увеличение шероховатости поверхности обрабатываемого изделия, причем, чем больше энергия электрического разряда при электроэрозионной обработке, тем больше шероховатость. Увеличение шероховатости, в свою очередь, влечет за собой рост площади поверхности теплообмена, что и было положено авторами в основу изобретения для оребрения трубы теплообменника способом электроэрозионного легирования поверхности [Тарельник В.Б., Марцинковский В.С., Тарельник Н.В., Коноплянченко Е.В. // Патент РФ №2615096.03.04.2017. Бюл. №10] - аналог. Без дополнительной обработки для снижения шероховатости поверхности методами поверхностно-пластического деформирования в частности безабразивной ультразвуковой финишной обработки, предложенный способ электроэрозионной обработки не пригоден для создания износостойких покрытий с низкой шероховатостью (Ra=0,08-0,4 мкм), используемых в парах трения, в деталях и узлах газо- и гидродинамических установок. Применение шлифовки после электроэрозионной обработки не представляется возможным, так как в данном случае удаляется 50-100 мкм поверхностного слоя, причем слоя с наибольшей твердостью.

Известен способ электроэрозионной обработки поверхности [А.Е. Кудряшов, Д.Н. Лебедев, А.Ю. Потанин, Н.В. Швындина, И.В. Сухорукова, Д.В. Штанский, Е.А. Левашов. / Кинетика осаждения, структура и свойства электроискровых покрытий Cr-Al-Si-B на жаропрочном никелевом сплаве. // Известия вузов. Порошковая металлургия и функциональные покрытия. - 2015. - №4. - С. 59-70.] -аналог. Авторами установлен оптимальный высокочастотный режим электроэрозионной обработки: энергия импульса Е=0,048 Дж, ток искрового разряда I=120 А при напряжении U=20 В, частота следования импульсов f=3200 Гц, длительность импульса т=20 мкс, характеризующийся минимальной эрозией катода при удовлетворительной скорости осаждения покрытий и относительно низкой шероховатостью (при толщине покрытия 15-25 мкм шероховатость Ra варьируется от 3 до 8,5 мкм при исходной шероховатости образца Ra=0,38 мкм). В работах других авторов, например, [Игнатенко Э.П., Верхотуров А.Д., Маркман М.З. / Формирование поверхностного слоя при электроискровом легировании легкоплавкими металлами // Электронная обработка материалов. - 1979. - №3. - С. 26-29.] установлено, что воздействие на поверхность электродов единичных искровых импульсов приводит к образованию лунок на аноде и катоде. Несмотря на одинаковое число искровых импульсов, воздействующих на поверхность электродов с одинаковой энергией, характер изменения массы последних различен: в режиме единичных импульсов всегда отмечалось уменьшение массы анода и катода, а в случае непрерывной подачи импульсов уменьшение массы у анода и повышение у катода. Приведенные экспериментальные данные объясняются тем, что в газовой среде вблизи электродов происходят чрезвычайно сложные процессы при возникновении разряда [Грановский В.Л. Электрический ток в газе. Установившийся ток./ под ред. Л.А. Сена и В.Е. Голанта. М., Наука, 1971.]. В частности, из-за негативного влияния пинч-эффекта (сжатие канала дугового разряда, вызванное силами магнитодинамической природы, зависящими от силы тока) в прикатодной области разряда возникают потоки плазмы, направленные от электрода, препятствующие осаждению легирующего материала. При токах разряда выше критических значений (50-100 А) катодный депозит образуется с большим трудом и наблюдается эрозия катода. По этой причине, получение износостойких покрытий с низкой шероховатостью (Ra=0,08-0,4 мкм) в известном способе электроэрозионной обработки поверхности при токах 120 А невозможно при любой длительности и частоте следования импульсов, что и наблюдается в ухудшении шероховатости поверхности в десятки раз по сравнению с исходной.

Известен способ цементации стальных деталей электроэрозионным легированием [Марцинковский В.С., Тарельник В.Б., Братущак М.П. // Патент РФ №2468899.10.12.2012 Бюл. №34] - прототип. Задача изобретения - снижение шероховатости поверхности стальных деталей после процесса цементации электроэрозионным легированием с сохранением качества поверхностного слоя: отсутствие микротрещин, наличие слоя повышенной твердости, 100% сплошность. Технический результат достигается за счет того, что последующее электроэрозионное легирование поверхности детали выполняют поэтапно тем же графитовым электродом, что и цементацию, при этом на каждом последующем этапе снижают энергию разряда режима электроэрозионного легирования. Наилучший результат по снижению шероховатости поверхности до значений Ra=0,8-0,9 мкм достигается при следующих режимах электроэрозионной обработки: энергия разряда Е=0,1 Дж, производительность 2 мин/см2. Процесс цементации стальных деталей электроэрозионным легированием проводили на открытом воздухе с физическим контактом анода на изделие при значениях тока, ведущих к эрозии катода (детали), что категорически неприемлемо для создания функциональных покрытий из карбида молибдена Мо2С с низкой шероховатостью (Ra=0,08-0,4 мкм).

Задачей настоящего изобретения является разработка способа электроэрозионной обработки поверхности деталей из молибдена графитовым анодом для получения функциональных покрытий из карбида молибдена Мо2С с шероховатостью не хуже Ra=0,08-0,4 мкм.

Технический результат достигается тем, что процесс электроэрозионной обработки поверхности проводят высоковольтной электрической дугой высокого давления в атмосфере водорода с фиксированным зазором между электродами и жесткой внешней характеристикой источника тока, причем скважность импульсов варьируется в зависимости от заданной шероховатости покрытия из карбида молибдена Мо2С.

При карбидизации тугоплавких металлов и сплавов, имеющих большое сродство к кислороду (вольфрам, молибден), для получения достаточно чистых по составу карбидных покрытий необходимо использовать защитные газовые смеси, не содержащие кислорода и его соединений [Самсонов Г.В., Эпик Л.П. / Тугоплавкие покрытия. // Изд. 2-е, пер. и доп. М. - «Металлургия». - 1973.]. В качестве защитного и плазмообразующего газа наиболее дешевым с экономической точки зрения и эффективным с термодинамической является использование водорода.

Из уровня техники известно, что использование электроэрозионной обработки поверхности с физическим контактом анода на изделие при токах 100-120 А даже с минимальной энергией импульса Е=0,05-0,1 Дж не может обеспечить шероховатость поверхности лучше, чем Ra=0,8-0,9 мкм. Поэтому в предлагаемом способе была выбрана схема процесса с фиксированным зазором между электродами, для того, чтобы однозначно исключить влияние пинч-эффекта на процесс обработки, ток разряда был снижен в 100 раз, по сравнению с прототипом, и варьировался в диапазоне 0,5-1 А. Напряжение между катодом и анодом было выбрано 2000 В, исходя из подводимой мощности (от 1 до 2 кВт), для достижения типовых значений производительности процесса 1-5 мин/см2. Источник тока имеет жесткую внешнюю характеристику. Во избежание поражения оператора электрическим током, частота следования импульсов выбрана 60 кГц - выше рекомендованного порогового значения 50 кГц [А.Г. Качалов В.В. Наумов / Основы электробезопасности. Методические материалы для работников охраны труда и ответственных за электрохозяйство. 3-е издание. // Издательство УПЦ «Талант» - 2003]. На фиг. 1 представлен график, поясняющий характер следования импульсов и их скважность (ϕа=2000 В - потенциал анода; ϕк=0 В - потенциал катода). Изменяя скважность импульсов (S) можно регулировать скорость массопереноса материала анода и контролировать шероховатость поверхности катода. На графике цифрами обозначены возможные режимы разряда, при которых: (1) S=1,1; (2) S=2; (3) S=10.

На фиг. 1 представлен график, поясняющий характер следования импульсов и их скважность.

На фиг. 2 представлено изображение рельефа поверхности, полученное с помощью атомно-силовой микроскопии.

Способ электроэрозионной обработки поверхности детали из молибдена (катод) с исходной шероховатостью после токарной обработки Ra=50-100 при использовании анода из графита в атмосфере водорода при давлении 0,1 МПа характеризуется следующими примерами.

Пример 1. Ток дугового разряда I=1 А, напряжение между электродами U=2000 В, межэлектродный зазор δ=2 мм, скважность импульсов S=1,1. Наблюдается активная эрозия анода с получением катодного депозита и карбидизацией Мо2С поверхности детали из молибдена. После электроэрозионной обработки шероховатость поверхности снизилась до значений Ra=0,8 мкм.

Пример 2. Ток дугового разряда I=0,5 А, напряжение между электродами U=2000 В, межэлектродный зазор δ=2 мм, скважность импульсов S=2. Эрозия анода снижается, производительность процесса карбидизации Мо2С поверхности молибденового изделия замедляется, шероховатость поверхности после обработки Ra=0,4 мкм.

Пример 3. Ток дугового разряда I=0,8 А, напряжение между электродами U=2000 В, межэлектродный зазор δ=2 мм, скважность импульсов S=10. Наблюдается выглаживание поверхности катода с «залечиванием» лунок и эрозией наростов, производительность процесса карбидизации Мо2С минимальна, шероховатость поверхности стремится к значению Ra=0,08 мкм. На фиг. 2 представлено изображение рельефа поверхности, полученное с помощью атомно-силовой микроскопии (Solver Р-47, NT-MDT).

Таким образом, предложенный способ электроэрозионной обработки является перспективным для создания покрытий на поверхности деталей из тугоплавких металлов, используемых в парах трения, в деталях и узлах газо- и гидродинамических установок.

Способ получения покрытия из карбида молибдена на детали из молибдена, включающий электроэрозионную обработку детали высоковольтной электрической дугой высокого давления в атмосфере водорода с фиксированным зазором между электродами, при которой в качестве катода используют обрабатываемую деталь, а в качестве анода - легирующий электрод из графита, при этом обработку осуществляют при напряжении 2000 B, токе разряда 0,5-1 А с частотой следования импульсов 60 Гц, причем путем изменения скважности импульсов контролируют шероховатость получаемого покрытия из карбида молибдена.
Способ электроэрозионной обработки поверхности молибдена
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 71-80 из 91.
09.06.2020
№220.018.25bc

Структура с резистивным переключением

Изобретение предназначено для применения в электронике для нейроморфных вычислений и хранения информации. Структура с резистивным переключением включает два металлических алюминиевых контакта, нанесенных на поверхность тонкой пленки аморфной сурьмы. Изобретение обеспечивает получение структуры...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002723073
Дата охранного документа: 08.06.2020
03.07.2020
№220.018.2dda

Способ получения timnal

Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению объемных слитков спин-поляризованного бесщелевого полупроводника TiMnAl, который может быть использован в спинтронике. Способ получения TiMnAl из элементарных титана, марганца и алюминия включает помещение навесок марганца и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725229
Дата охранного документа: 30.06.2020
06.07.2020
№220.018.2fb7

Трансформатор импульсов электроэнергии однополярного тока

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электрометаллургии для гальванической развязки в источниках питания высокочастотной дуги, используемой для плавления металлических порошков, электроэрозионной обработки поверхности и изготовления деталей сложной формы....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725610
Дата охранного документа: 03.07.2020
09.07.2020
№220.018.3097

Устройство для выращивания смешанных кристаллов сульфата кобальта-никеля-калия для оптических фильтров ультрафиолетового диапазона

Изобретение относится к области роста кристаллов, в частности, к выращиванию смешанных монокристаллов K(Со,Ni)(SO)x6HO (KCNSH) из водных растворов и может быть использовано в оптическом приборостроении для изготовления солнечно-слепых фильтров. Устройство для выращивания смешанных кристаллов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725924
Дата охранного документа: 07.07.2020
20.04.2023
№223.018.4c95

Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом включает смешивание порошков селенида цинка и легирующей добавки и последующее выращивание кристалла из расплава под давлением аргона, при этом хром вводится в исходную загрузку в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751059
Дата охранного документа: 07.07.2021
20.04.2023
№223.018.4c96

Высокотемпературный слоисто-волокнистый композит, армированный оксидными волокнами, и способ его получения

Изобретение относится к высокотемпературным конструкционным композитным материалам с металлической матрицей и способам их получения. Высокотемпературный слоисто-волокнистый композит, с матрицей на основе Nb, твердого раствора Nb(Al), а также интерметаллидов NbAl и NbAl содержит слои Мо,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751062
Дата охранного документа: 07.07.2021
20.04.2023
№223.018.4cda

Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом включает смешивание порошков сульфида цинка и порошка моносульфида легирующего металла с последующим выращиванием кристалла из расплава вертикальной зонной плавкой. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002755023
Дата охранного документа: 09.09.2021
20.04.2023
№223.018.4d09

Устройство для измерения малых токов инжектированных зарядов в конденсированных средах

Устройство для измерения малых токов инжектированных зарядов в конденсированных средах предназначено для измерения малых токов ~ 10 А и регистрации их изменения во времени, а также записи результатов измерения на электронный носитель. Устройство содержит преобразователь ток-напряжение,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002754201
Дата охранного документа: 30.08.2021
20.04.2023
№223.018.4d26

Устройство для получения наночастиц из газов и паров жидкостей при сверхнизких температурах

Изобретение относится к области нанотехнологии, а именно предлагаемое устройство позволяет получать частицы малых размеров (наночастицы) из материалов, которые существуют при комнатных температурах в виде газов или паров. Устройство для получения наночастиц из материалов, существующих при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002756051
Дата охранного документа: 24.09.2021
21.04.2023
№223.018.4fc4

Способ синтеза шпинели ganbse

Изобретение может быть использовано при создании мемристивных структур на основе шпинелей семейства «изоляторов Мотта». Способ синтеза шпинели GaNbSe из элементарных веществ включает твердофазную химическую реакцию в вакуумированной и герметично запаянной кварцевой ампуле. Твердофазную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002745973
Дата охранного документа: 05.04.2021
Показаны записи 41-48 из 48.
20.04.2023
№223.018.4cda

Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом включает смешивание порошков сульфида цинка и порошка моносульфида легирующего металла с последующим выращиванием кристалла из расплава вертикальной зонной плавкой. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002755023
Дата охранного документа: 09.09.2021
21.04.2023
№223.018.4fc4

Способ синтеза шпинели ganbse

Изобретение может быть использовано при создании мемристивных структур на основе шпинелей семейства «изоляторов Мотта». Способ синтеза шпинели GaNbSe из элементарных веществ включает твердофазную химическую реакцию в вакуумированной и герметично запаянной кварцевой ампуле. Твердофазную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002745973
Дата охранного документа: 05.04.2021
14.05.2023
№223.018.56cc

Осевой неразгруженный компенсатор

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов халькогенидов в условиях микрогравитации – важном направлении в космическом материаловедении. Осевой компенсатор пружинно-поршневого типа содержит неразгруженный компенсирующий элемент,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002732334
Дата охранного документа: 15.09.2020
15.05.2023
№223.018.5c25

Сверхпроводящая цепь с эффектом близости

Устройство относится к сверхпроводящим цепям с эффектом близости, позволяющим управлять спектром связанных Андреевских состояний. Предлагается сверхпроводящая цепь с эффектом близости, включающая монокристаллическую пластину силицида кобальта CoSi, ориентированную в кристаллографической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002753673
Дата охранного документа: 19.08.2021
15.05.2023
№223.018.5c26

Сверхпроводящая цепь с эффектом близости

Устройство относится к сверхпроводящим цепям с эффектом близости, позволяющим управлять спектром связанных Андреевских состояний. Предлагается сверхпроводящая цепь с эффектом близости, включающая монокристаллическую пластину силицида кобальта CoSi, ориентированную в кристаллографической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002753673
Дата охранного документа: 19.08.2021
15.05.2023
№223.018.5c68

Опора тигля для выращивания кристаллов

Изобретение относится к оборудованию для выращивания кристаллов прямоугольной формы из расплава. Опора тигля выполнена в виде прямоугольного в поперечном сечении корпуса 1 с посадкой для установки тигля на опору 6 и посадкой для установки опоры на шток 5, и имеющего сквозные пазы 4,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002759623
Дата охранного документа: 16.11.2021
16.05.2023
№223.018.5ecf

Электродуговой способ получения слитков timnal

Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению сплава Гейслера в виде слитков, пригодных для изучения свойств спин-поляризованного бесщелевого полупроводника TiMnAl. Способ получения слитков сплава TiMnAl из смеси алюминия, марганца и титана включает подготовку смеси...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002754540
Дата охранного документа: 03.09.2021
16.05.2023
№223.018.6357

Электродуговой способ получения прецизионного сплава timnal

Изобретение относится к области металлургии прецизионных сплавов и может быть использовано для получения сплава Гейслера. Осуществляют сплавление смеси порошков алюминия, марганца и титана в гарнисаже плазмой дугового разряда напряжением от 65 до 70 В и током от 8 до 10 А в атмосфере гелия...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002776576
Дата охранного документа: 22.07.2022
+ добавить свой РИД