×
03.10.2019
219.017.d1c0

Результат интеллектуальной деятельности: Искусственный эритроцинкит

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002701822
Дата охранного документа
01.10.2019
Аннотация: Изобретение относится к искусственным ювелирным кристаллам. Предлагается искусственный эритроцинкит, имеющий в своем составе сульфид цинка, сульфид марганца и сульфид алюминия при следующем соотношении компонентов, мас.%: сульфид алюминия AlS - 0,001-0,01, сульфид марганца MnS - 0,2-0,5, сульфид цинка ZnS - остальное. Кристаллы имеют насыщенную оранжевую окраску и фосфоресцируют после облучения естественным дневным светом. 2 ил., 1 табл., 1 пр.

Изобретение относится к новым химическим соединениям, а именно, к искусственным ювелирным кристаллам.

Природные и искусственные кристаллы соединений AIIBVI-сфалерит (сульфид цинка с кубической структурой), вюрцит (гексагональный сульфид цинка) и гринокит (сульфид кадмия) относятся к ювелирным кристаллам [Дж. Синкенкенс. Руководство по обработке драгоценных и поделочных камней. М.: Мир, 1989, с. 328, 335, 388]. Относящийся к этой же группе минералов эритроцинкит ZnMnS также перспективный ювелирный материал. Эритроцинкит не растворим в воде, слабых кислотах и щелочах, а также в органических растворителях, в силу чего инертен по отношению к организму человека. Однако до настоящего времени он не получил широкого распространения из-за отсутствия кристаллов красивых окрасок.

Известен природный эритроцинкит [X. Штрунц. Минералогические таблицы. М.: Гос. науч.-тех. изд-во литературы по горному делу, 1962, с. 88]. Это минерал (Zn, Mn)S, цвет которого характеризуется как красный, просвечиващий. Природный минерал не имеет определенного состава и обычно содержит примеси, что приводит к недостаточной прозрачности для применения в ювелирных изделиях.

Известен искусственный сульфид цинка, легированный марганцем [М.Ф. Буланый, Б.А. Полежаев, Т.А. Прокофьев. Многоцветный источник света на основе сульфида цинка. Журнал технической физики, 1997, т. 67, №10, с. 132-133] - прототип. Этот материал, получаемый в виде объемных кристаллов, можно рассматривать как искусственный эритроцинкит, так как он содержит основные компоненты эритроцинкита - цинк, серу и марганец. Недостатком таких кристаллов является низкое содержание марганца, составляющее 0,0005% (масс.), что приводит к недостаточно насыщенной окраске оранжевого цвета. Из данных авторов прототипа видно, что это связано с наличием в спектрах люминесценции кристаллов не только оранжевой, но и интенсивной голубой полосы. Кроме того, такой материал имеет низкую твердость (3,5 по шкале Мооса). Таким образом, эти кристаллы непригодны для применения в ювелирных изделиях.

Задачей предлагаемого изобретения является создание искусственного эритроцинкита, имеющего интенсивную окраску и пригодного для применения в ювелирных изделиях.

Заявленная задача достигается тем, что предложен искусственный эритроцинкит, имеющий в своем составе сульфид цинка и сульфид марганца, дополнительно содержащий сульфид алюминия при следующем соотношении компонентов (в массовых процентах):сульфид алюминия Al2S3 0,001-0,01, сульфид марганца MnS 0,2-0,5, сульфид цинка ZnS - остальное.

Кристаллы искусственного эритроцинкита такого состава имеют насыщенный оранжевый цвет (Фиг. 1), что также подтверждается спектром люминесценции, снятым при оптическом возбуждении (Фиг. 2). После освещения кристаллов естественным дневным светом наблюдается фосфоресценция. Твердость таких кристаллов 4,5 по шкале Мооса.

На Фиг. 1 показан кристалл искусственного эритроцинкита предлагаемого состава с огранкой «кабошон».

На Фиг. 2 показан спектр люминесценции искусственного эритроцинкита предлагаемого состава, снятый при оптическом возбуждении светоизлучающим диодом с максимумом излучения на длине волны 405 нм. Видно, что интенсивность оранжевой полосы в спектре высокая (на графике Фиг. 1 она принята за 100%), а интенсивность голубой полосы существенно ниже (20% от интенсивности оранжевой полосы).

Сочетание насыщенного цвета, фосфоресцентного свечения и относительно высокой твердости позволяет применять кристаллы в ювелирных изделиях. Наличие фосфоресцентного свечения после освещения естественным дневным светом является новым потребительским свойством материала. Длительность фосфоресценции зависит от яркости естественного света и может достигать 10% от времени предварительного освещения.

Предлагаемый состав выбран экспериментально. При содержании MnS менее 0,2% масс., окраска кристаллов становится бледной, а при содержании MnS выше 0,5% масс., - темной, кристаллы теряют прозрачность, одновременно гасится фосфоресценция.

При содержании Al2S3 менее 0,001% масс., не наблюдается фосфоресцентного свечения, твердость кристаллов падает до 4 по шкале Мооса. При концентрации Al2S3 выше 0,01% масс., наблюдается погасание фосфоресценции, что ухудшает потребительское качество кристаллов.

Пример 1.

Смесь порошков MnS (0,35% масс.), Al2S3 (0,0035% масс.) и ZnS (99,6465% масс.) загружают в графитовый тигель, который помещают в устройство для выращивания кристаллов. Загрузку расплавляют и проводят направленную кристаллизацию под давлением аргона 10 МПа со скоростью 5 мм/час. Получен кристалл искусственного эритроцинкита насыщенного оранжевого цвета, фосфоресцирующий после освещения естественным дневным светом.

Другие примеры составов приведены в таблице.

Искусственный эритроцинкит, имеющий в своем составе сульфид цинка и сульфид марганца, отличающийся тем, что он дополнительно содержит сульфид алюминия при следующем соотношении компонентов, мас.%: сульфид алюминия AlS - 0,001-0,01, сульфид марганца MnS - 0,2-0,5, сульфид цинка ZnS - остальное.
Искусственный эритроцинкит
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 31-40 из 91.
25.08.2017
№217.015.bfac

Способ изготовления изделия с фильтром для агрессивных жидкостей и газов

Изобретение относится к области химической технологии и может быть использовано для изготовления фильтров, способных применяться для очистки агрессивных жидкостей и газов от инородных включений при высоких температурах эксплуатации, в том числе диметилгидразина, используемого в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617105
Дата охранного документа: 20.04.2017
25.08.2017
№217.015.cee8

Способ получения полых нагревателей сопротивления на основе углеродкарбидокремниевого материала

Предложен способ получения полых трубчатых нагревателей из композиционного материала на основе углерода, кремния и карбида кремния путем пропитки расплавленным кремнием предварительно сформированной трубы из углеграфитовых тканей. Заготовку перемещают в вакуумной среде относительно капиллярного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002620688
Дата охранного документа: 29.05.2017
26.08.2017
№217.015.d64a

Устройство квантовой криптографии (варианты)

Устройство квантовой криптографии включает источник излучения, первый волоконный светоделитель, волоконный интерферометр, второй волоконный светоделитель, первый фазовый модулятор, третий волоконный светоделитель, детектор, аттенюатор, линию задержки, поляризационный фильтр, второй фазовый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622985
Дата охранного документа: 21.06.2017
26.08.2017
№217.015.d8c0

Способ получения сульфида галлия (ii)

Изобретение относится к неорганической химии, а именно к получению сульфида галлия (II), являющегося перспективным материалом для полупроводниковой оптоэлектронной техники и инфракрасной оптики. Cинтез GaS проводили в замкнутом объеме из элементарных галлия и серы, взятых в стехиометрическом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623414
Дата охранного документа: 26.06.2017
26.08.2017
№217.015.e440

Модулятор электромагнитного излучения субтерагерцового и терагерцового диапазона для систем высокоскоростной беспроводной связи

Изобретение относится к оптоэлектронике, а именно к модуляторам электромагнитного излучения, в частности, работающим в субтерагерцовом и терагерцовом диапазонах частот (100-10000 ГГц). Изобретение может использоваться в областях науки и техники, использующих данные диапазоны частот, в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002626220
Дата охранного документа: 24.07.2017
19.01.2018
№218.016.0759

Способ получения кремниевых мишеней для магнетронного распыления

Изобретение относится к литейному производству, в частности к получению кремниевых профильных отливок для мишеней магнетронного распыления. Шихту полупроводникового поликристаллического кремния расплавляют в графитовом тигле, который перемещают вертикально в полости нагревателя. В донном...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002631372
Дата охранного документа: 21.09.2017
10.05.2018
№218.016.4d2f

Способ выращивания кристаллов фуллерена с60

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой оптоэлектронике. Навеску порошка исходного фуллерена С60 загружают в кварцевую ампулу, внутренняя поверхность которой покрыта пироуглеродом для защиты исходного порошка от воздействия УФ излучения. Затем проводят низкотемпературную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002652204
Дата охранного документа: 25.04.2018
12.07.2018
№218.016.6fa1

Способ изготовления смесей для калибровки газоаналитического оборудования с использованием твердотельного электролизера

Изобретение относится к исследованию и анализу газов. Способ изготовления смесей для калибровки газоаналитического оборудования, включает: электролиз поступающих в электролизер газовых компонентов с контролируемым выходом продуктов, их смешивание с известным потоком инертного газа и получение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002661074
Дата охранного документа: 11.07.2018
09.08.2018
№218.016.78ff

Материал шпонки для высокотемпературных применений

Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано в устройствах, при работе которых возможно выделение большого количества тепла, приводящего к тепловому расширению шпонки и заклиниванию устройства. Композиционный материал шпонки представляет собой матрицу из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002663146
Дата охранного документа: 01.08.2018
14.03.2019
№219.016.dfbb

Способ прочного соединения изделий из графита

Изобретение относится к области химической технологии и может быть использовано для изготовления блоков из графитовых деталей, способных использоваться при высоких температурах. Сначала на торцевые поверхности подлежащих соединению графитовых деталей наносят слои поливинилацетата, в полученный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681628
Дата охранного документа: 11.03.2019
Показаны записи 31-40 из 41.
20.05.2020
№220.018.1dcf

Неорганический фотохромный материал с пространственно-селективным эффектом памяти

Изобретение относится к области неорганических материалов для твердотельных индикаторов ультрафиолетового излучения. Неорганический фотохромный материал с пространственным эффектом памяти содержит Сu - 0,012-0,015 мас.%, Gd - 0,0004-0,0006 мас.% и ZnS – остальное. Техническим результатом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002721095
Дата охранного документа: 15.05.2020
03.07.2020
№220.018.2dda

Способ получения timnal

Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению объемных слитков спин-поляризованного бесщелевого полупроводника TiMnAl, который может быть использован в спинтронике. Способ получения TiMnAl из элементарных титана, марганца и алюминия включает помещение навесок марганца и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725229
Дата охранного документа: 30.06.2020
20.04.2023
№223.018.4c95

Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом включает смешивание порошков селенида цинка и легирующей добавки и последующее выращивание кристалла из расплава под давлением аргона, при этом хром вводится в исходную загрузку в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751059
Дата охранного документа: 07.07.2021
20.04.2023
№223.018.4cda

Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом включает смешивание порошков сульфида цинка и порошка моносульфида легирующего металла с последующим выращиванием кристалла из расплава вертикальной зонной плавкой. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002755023
Дата охранного документа: 09.09.2021
21.04.2023
№223.018.4fc4

Способ синтеза шпинели ganbse

Изобретение может быть использовано при создании мемристивных структур на основе шпинелей семейства «изоляторов Мотта». Способ синтеза шпинели GaNbSe из элементарных веществ включает твердофазную химическую реакцию в вакуумированной и герметично запаянной кварцевой ампуле. Твердофазную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002745973
Дата охранного документа: 05.04.2021
14.05.2023
№223.018.56cc

Осевой неразгруженный компенсатор

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов халькогенидов в условиях микрогравитации – важном направлении в космическом материаловедении. Осевой компенсатор пружинно-поршневого типа содержит неразгруженный компенсирующий элемент,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002732334
Дата охранного документа: 15.09.2020
15.05.2023
№223.018.5c25

Сверхпроводящая цепь с эффектом близости

Устройство относится к сверхпроводящим цепям с эффектом близости, позволяющим управлять спектром связанных Андреевских состояний. Предлагается сверхпроводящая цепь с эффектом близости, включающая монокристаллическую пластину силицида кобальта CoSi, ориентированную в кристаллографической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002753673
Дата охранного документа: 19.08.2021
15.05.2023
№223.018.5c26

Сверхпроводящая цепь с эффектом близости

Устройство относится к сверхпроводящим цепям с эффектом близости, позволяющим управлять спектром связанных Андреевских состояний. Предлагается сверхпроводящая цепь с эффектом близости, включающая монокристаллическую пластину силицида кобальта CoSi, ориентированную в кристаллографической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002753673
Дата охранного документа: 19.08.2021
15.05.2023
№223.018.5c68

Опора тигля для выращивания кристаллов

Изобретение относится к оборудованию для выращивания кристаллов прямоугольной формы из расплава. Опора тигля выполнена в виде прямоугольного в поперечном сечении корпуса 1 с посадкой для установки тигля на опору 6 и посадкой для установки опоры на шток 5, и имеющего сквозные пазы 4,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002759623
Дата охранного документа: 16.11.2021
16.05.2023
№223.018.5ecf

Электродуговой способ получения слитков timnal

Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению сплава Гейслера в виде слитков, пригодных для изучения свойств спин-поляризованного бесщелевого полупроводника TiMnAl. Способ получения слитков сплава TiMnAl из смеси алюминия, марганца и титана включает подготовку смеси...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002754540
Дата охранного документа: 03.09.2021
+ добавить свой РИД