×
26.06.2019
219.017.92c4

Результат интеллектуальной деятельности: Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Заявленное изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к способам получения диэлектрического слоя межслойной изоляции определенной толщины в изделиях микроэлектроники на основе полимерного покрытия. Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники включает следующие этапы. Подготовку поверхности нанесения. Нанесение толстого покрытия. Термообработку для удаления растворителя и летучих продуктов реакции. Нанесение покрытия из раствора полимера проводят последовательно в два этапа. На первом этапе раствор полимера наносят центрифугированием. На втором этапе – постадийным ультразвуковым спреевым нанесением. Причем на первом этапе применяют раствор полимера большей концентрации и вязкости, чем на втором. Техническим результатом заявленного изобретения является формирование толстого полимерного слоя заданной толщины из раствора с одновременным улучшением качества поверхности формируемого толстого полимерного слоя и равномерности толстого полимерного слоя по площади поверхности. 5 з.п. ф-лы, 9 ил.

Заявленное изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к способам получения диэлектрического слоя межслойной изоляции определенной толщины на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники.

Из уровня техники известен способ формирования толстых полимерных слоев методом нанесения раствора на горизонтально расположенную поверхность, покрытую тонким слоем того же материала (см. SU1556521 опубл. 20.08.1988)(1). В данных методе на дозу раствора действуют силы поверхностного натяжения и тяжести, под действием которых происходит постепенное сглаживание неровностей рельефа и растекание раствора по поверхности. Для нанесения раствора необходимо использовать внешнюю нагрузку, например, использовать центрифугирование.

Недостатком данного метода является невозможность получения при однократном нанесении равномерных по толщине толстых слоев полимера. Недостатком метода (1) также является возможность неполного растекания раствора по поверхности в результате медленного центрифугирования, или, в обратном случае, при быстром центрифугировании – образование излишка раствора на краю пластины.

Наиболее близким по технической сущности является способ формирования толстых полимерных слоев методом нанесения нескольких тонких слоев раствора на горизонтально расположенную поверхность (см. RU2144472, опубл. 20.01.2000) (2). В данном методе для получения толстопленочного слоя желаемой толщины центрифугированием за один раз наносят слой, имеющий заданную толщину, и затем подвергают его сушке и термообработке. Затем на основном тонкопленочном слое, неоднократно выполняя вышеописанную операцию формируют толстопленочный слой, состоящий из нескольких тонкопленочных слоев.

Недостатком метода (2) является образующаяся граница раздела с соответствующими граничными поверхностями двух тонкопленочных слоев. Также, недостатком данного метода является необходимость проведения сушки и термообработки после нанесения каждого тонкопленочного слоя.

Техническим результатом заявленного способа является формирование толстого полимерного слоя заданной толщины из раствора с одновременным улучшением качества поверхности формируемого толстого полимерного слоя и равномерности толстого полимерного слоя по площади поверхности.

Заявленный технический результат достигается за счет создания способа получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники, включающего подготовку поверхности нанесения, нанесение толстого покрытия, термообработку для удаления растворителя и летучих продуктов реакции, причём нанесение покрытия из раствора полимера проводят последовательно в два этапа: на первом этапе раствор полимера наносят центрифугированием, а на втором – постадийным ультразвуковым (УЗ) спеевым нанесением, причем на первом этапе применяют раствор полимера большей концентрации и вязкости, чем на втором.

Вышеуказанные цели и преимущества настоящего способа станут более очевидными при описании со ссылками на сопроводительные изображения и схемы, на которых:

фигура 1 – полимерный слой, сформированный комбинированным 2-х стадийным методом в разрезе;

фигура 2 – схематичное изображение движения сопла со спреевым конусом относительно подложки (вид сбоку), где 1 – спреевый конус, 2 – сопло, 3 – направление движения сопла со спреевым конусом;

фигура 3 – схематичное изображение траектории движения сопла со спреевым конусом относительно подложки (вид сверху), где 1 – вращающаяся с заданной скоростью подложка, 2 – конус спрея, 3- сопло установки УЗ-спреевого нанесения, 4 – направление движения сопла относительно подложки, 5 – направление вращения подложки;

фигура 4 – схематично изображенная последовательность технологических операций, отражающая сущность изобретения;

фигура 5 – слой полимера (лак АД-9103 ИС ТУ 6-19-247-84) без различимой границы раздела, сформированный комбинированным методом, описанным ранее;

фигура 6 – слой полимера (лак АД-9103 ИС ТУ 6-19-247-84) с различимой границей раздела, сформированный послойным нанесением;

фигура 7 – изображение эффекта расслоения по границы раздела слоев полимера;

фигура 8 – Изображение поверхности слоя полимера, сформированного комбинированным методом, описанным ранее без промежуточной термообработки, расчетная толщина слоя составляет 100 мкм;

фигура 9 – Изображение спреевого конуса в процессе работы установки УЗ-спреевого нанесения.

Способ получения диэлектрического слоя (межслойной изоляции) определенной толщины в изделиях микроэлектроники на основе полимерного покрытия осуществляется следующим образом. Комбинированный метод получения толстого полимерного слоя представляется собой 2-х стадийную последовательность операций нанесения полимерных покрытий из растворов различной концентрации и вязкости методами центрифугирования и УЗ-спреевого нанесения. На примере лака АД-9103 ИС, для метода центрифугирования содержание сухого остатка в растворе составляет 12,5-14 %, а для метода УЗ-спреевого нанесения производят разбавление изначального раствора (12,5-14% сух. остатка) в пропорции 1:3 или 1:4 для получения приемлемой (для установки нанесения) вязкости раствора.

Общая толщина слоя полимерного покрытия Hсл рассчитывается по формуле:

, где

Толщина слоя H1, полученного центрифугированием:

где v – вязкость раствора, b – коэффициент, величина которого приблизительно равна 2, w – частота вращения, t* – время растекания (составляет приблизительно несколько секунд);

Толщина слоя H2, полученного методом УЗ-спреевого нанесения:

где K – коэффициент (от 0 до 1), характеризует количественную характеристику общего объема раствора попадающего на подложку, c – концентрация раствора в %, V – объем раствора в мм3, S – площадь подложки в мм2.

На подготовленную неподвижную подложку, установленную на держатель в центрифуге, в центр из дозатора наносится исходный раствор, вязкостью не более 52000 сПз и методом центрифугирования при скорости вращения необходимой для полного и равномерного распределения по поверхности (для полиимидов с содержанием сухого остатка 12,5-14% скорость вращения 500-1000 об/мин) с получается покрытие толщиной H1, затем методом УЗ-спреевого нанесения на вращающуюся со скоростью 1-5 об/мин подложку наносится выравнивающий слой полимера, вязкостью не более 50 сП и толщиной 5-10 мкм и предварительно проходит мягкую сушку в свете ИК-лампы при температуре, не превышающей 40°C. Дальнейшее наращивание слоя H2, проходит циклами нанесения по 8-12 мкм УЗ-спреевым методом нанесения и мягкой сушки в свете ИК-лампы. При формировании полимерного слоя из всех материалов, кроме светочувствительных, проводят подогрев подложки и мягкую сушку в свете инфракрасной лампы. Коэффициент К, характеризующий количественную характеристику общего объема раствора, попадающего на подложку, обусловлен образованием спреевого конуса, который движется в процессе нанесения вместе с соплом от начальной точки к конечной, находящихся в области краев подложки.

Регулирование площади основания спреевого конуса возможно путем изменения скорости потока газа, проходящего через сопло. Коэффициент К зависит от начальной и конечной точки нанесения материала, а также от площади основания конуса спрея. Варьирование размера капли, попадающей на подложку из сопла, и стабильность спреевого конуса достигается изменением мощности ультразвука. Для формирования диэлектрических слоев, толщиной более 50 мкм используется циклы нанесения 25-35 мкм с последующей конвективной сушкой. Полная полимеризация покрытия проводится после всех циклов нанесения и является последним звеном в цикле термообработки.

Примером использования предлагаемого способа может служить формирование толстого полимерного слоя на основе полиимида на подложке из кремния или нитрида алюминия.

В центр специально подготовленной подложки (методика подготовки поверхности подложки не уточняется ввиду того, что полимерные слои могут быть нанесены на разные поверхности, например, как промежуточные диэлектрические слои или как слой диэлектрика непосредственно на подложке), установленную в держатель центрифуги из дозатора подается 5 мл материала (лак АД-9103 ИС ТУ 6-19-247-84, содержание сухого остатка в растворе составляет 12,5-14%) и вращается в течении 1 минуты при скорости 1000 об/мин. После остановки центрифуги сразу делается 1 проход спреевого нанесения и сушка в свете ИК-лампы 30 минут. Далее делается необходимое количество проходов (повторений) спреевого нанесения для достижения необходимой толщины слоя полимера. В данном случае, для полиимида толщиной более 50 мкм, необходимо использовать промежуточную термообработку в термошкафу со ступенчатым нагревом.

Далее процесс формирования слоя полнее описан со ссылкой на сопроводительные изображения (фигуры).

На фиг. 1 изображен нанесенный 2-х стадийным методом полимерный слой толщиной Hсл. Формирование слоя происходит последовательно, а именно на подготовленную неподвижную подложку (функциональное или технологическое жесткое основание) со сформированной структурой или без нее, в центр, дозируется раствор, вязкость которого не превышает 52000 сП, далее методом центрифугирования создается слой 1 стадии толщиной H1. Толщина слоя H1 рассчитывается по формуле, описанной ранее. Затем на вращающуюся подложку с сформированным слоем ультразвуковым (УЗ)-спреевым методом из раствора вязкостью не более 50 сП наносится слой стадии 2, толщиной H2. Суммарная толщина диэлектрического слоя составляет

.

На фиг. 2 схематично изображено движение сопла установки УЗ-спреевого нанесения (2) с образовавшимся спреевым конусом (1) относительно подложки, с уже сформированным методом центрифугирования слоем 1 стадии, в указанном направлении (3) при виде сбоку. Сопло начинает и заканчивает движение и нанесение вне зоны подложки, что имеет влияние на значения коэффициента К в формуле расчета толщины слоя 2 стадии. Ширина конуса спрея зависит от скорости потока газа, проходящего через сопло. При увеличении скорости потока газа, проходящего через сопло, площадь основания конуса спрея увеличивается, тем самым так же влияя на общее количество материала, попадающее на поверхность подложки и, как следствие, влияя на коэффициент К. На стабильность конуса спрея основное влияние производит мощность источника ультразвука. В зависимости от вязкости наносимого материала при неправильной мощности источника ультразвука в процессе могут возникать такие явления, как образование крупных капель или образование «вспененых» включений, приводящих к дефектам на поверхности и структуре слоя 2 стадии. Для получения качественного слоя необходим оптимальных подбор характеристик системы давление подачи-скорость потока газа-мощность ультразвука для наносимого материала определенной вязкости.

На фиг. 3 схематично изображено движение сопла установки УЗ-спреевого нанесения (3) с образовавшимся спреевым конусом (2) относительно подложки (1), вращающейся в определенном направлении (5) со скоростью 1-10 об/мин с уже сформированным методом центрифугирования слоем 1 стадии, в указанном направлении (4) при виде сверху. Скорость вращения подложки выбирается такой, чтобы распределения материала по поверхности было равномерным и при этом не образовывалось скопления материала на краю пластины. Далее вращение подложки сохраняется при сушке в свете инфракрасной (ИК)-лампы необходимое время. Необходимо учитывать то, что при нанесении материала на подложку не круглой формы значение коэффициента К будет тем ниже, чем меньше площадь фигуры относительно площади описываемой окружности для этой фигуры.

На фиг. 4 изображена последовательность основных операций технологического процесса, отражающая сущность способа формирования толстого полимерного покрытия. В зависимости материала подложки, материала и состояния ее поверхности, проводят подготовку поверхности под нанесение полимера, как пример обработка кремниевой пластины с сформированной проводящей структурой в диметилформамиде и нанесение промоутера адгезии на поверхность перед формированием слоя полиимида. Время между операцией подготовки поверхности и формированием слоя не должно превышать 30 минут, в противном случае операцию подготовки поверхности необходимо повторить. Далее производится дозирование и центрифугирование из раствора, описанное для фиг. 1. Затем в течении 1 минуты, до начала активного выхода растворителя из сформированного слоя 1 стадии производится формирование слоя УЗ-спреевым нанесением, описанное для фиг. 2 и фиг. 3. Получение необходимой толщины слоя полимера достигается изменением количества проходов спрея. За один проход формируется слой до 15 мкм. Между проходами и после последнего используется мягкое подсушивание в свете ИК-лампы с температурой нагрева поверхности не более 40оС. Далее проводится термообработка подложки с нанесенным толстым слоем полимера. Необходимо учитывать то, что для полиимидов, для получения толстых слоев (толщина боле 50-60 мкм) с равномерной и гладкой поверхностью, нужно проводить промежуточную термообработку без имидизации.

На фиг. 5 показано изображение слоя полимера (лак АД-9103 ИС ТУ 6-19-247-84), полученное с помощью растрового электронного микроскопа, сформированного комбинированным методом, описанным ранее. На изображении видно, что слой полимера, находящийся на кремниевой подложке не имеет границы раздела. Слой полимера толщиной приблизительно 29 мкм сформирован комбинированным методом в две стадии, где первая стадия – нанесение центрифугированием при скорости вращения 1000 об/мин продолжительностью 90 секунд, а вторая стадия – УЗ-спреевое нанесение полимера при вращении 1 об/мин и свете ИК-лампы.

На фиг. 6 показано изображение слоя полимера (лак АД-9103 ИС ТУ 6-19-247-84), полученное с помощью растрового электронного микроскопа, сформированного послойным нанесением. В данном случае нанесение материала производилось послойным методом с помощью центрифугирования при скорости вращения 1000 об/мин в течение 1 минуты. Между нанесениями слой подвергается сушке и термообработке. На изображении видно, что есть четкая границы между первым и вторым слоем полимера.

На фиг. 7 показано изображение произошедшего расслоения, полученное с помощью растрового электронного микроскопа. Данный слой полимера получен методом послойного нанесения, описанным для фиг. 6. Общая толщина слоя полимера составляет приблизительно 72 мкм. На изображении видно, что расслоение происходит по границе между слоями.

На фиг. 8 представлено изображение поверхности слоя полимера, нанесенного на кремниевую подложку. Полимерный слой сформирован комбинированным методом, но без промежуточной термообработки, необходимость которой также указывалась ранее в случае, если расчетная толщина полимерного слоя превышает 60 мкм. В данном случае расчетная толщина слоя составляет 100 мкм. Слой полимера с расчетной толщиной 100 мкм сформирован комбинированным методом в две стадии, где первая стадия – нанесение центрифугированием при скорости вращения 1000 об/мин продолжительностью 90 секунд, а вторая стадия – многопроходное УЗ-спреевое нанесение полимера при вращении 1 об/мин и свете ИК-лампы. В процессе сушки, растворитель из раствора, нанесенного на поверхность, выходит слишком быстро, создавая поверхность полимерного слоя, показанную на изображении.

На фиг. 9 показано изображение спреевого конуса в процессе работы установки УЗ-спреевого нанесения. В данном случае через сопло подается раствор полимера на основе Лака АД-9103 ИС ТУ 6-19-247-84.


Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники
Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники
Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники
Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники
Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники
Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники
Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях микроэлектроники
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 99.
13.01.2017
№217.015.6d15

Способ дистанционного зондирования земли

Способ дистанционного зондирования Земли включает в себя получение потока светового излучения Солнца, отраженного от зондируемого участка земной поверхности. Далее поток разделяют на два пучка равной интенсивности, по одному из которых осуществляют преддетекторную адаптивную компенсацию...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002597144
Дата охранного документа: 10.09.2016
13.01.2017
№217.015.721d

Способ радиоподавления несанкционированных каналов космической радиолинии "космический аппарат - земля" и система для его реализации

Группа изобретений относится к области радиотехники и может быть использована для избирательного радиоподавления N несанкционированных каналов космических радиолиний «космический аппарат (КА) - Земля», в частности для радиоподавления несанкционированных каналов радиолиний «КА - Земля»...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002597999
Дата охранного документа: 20.09.2016
13.01.2017
№217.015.901a

Наземный комплекс управления спутниковой навигационной системой

Изобретение относится к спутниковым навигационным системам, а именно к оборудованию наземного комплекса управления данных систем. Достигаемый технический результат - повышение надежности взаимодействия средств, обеспечивающих управление и измерение на пунктах эксплуатации и в центре управления....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002604053
Дата охранного документа: 10.12.2016
25.08.2017
№217.015.9639

Делитель мощности для бортовой аппаратуры космического аппарата

Изобретение относится к СВЧ радиотехнике. Делитель мощности содержит четыре направленных ответвителя на связанных линиях. Смежные направленные ответвители расположены перпендикулярно один к другому, так что проводники связанных линий данных направленных ответвителей образуют стороны двух...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002608978
Дата охранного документа: 30.01.2017
25.08.2017
№217.015.aef4

Устройство для измерения электрических параметров операционных усилителей и компараторов напряжения

Изобретение относится к измерительной технике и может использоваться при входном контроле аналоговых микросхем при производстве радиоэлектронной аппаратуры. Сущность: устройство содержит испытываемый операционный усилитель или компаратор напряжения, неинвертирующий вход которого через...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002612872
Дата охранного документа: 13.03.2017
25.08.2017
№217.015.bdae

Наземная система контроля и управления бортовой аппаратурой межспутниковых измерений навигационной системы, например для системы глонасс

Изобретение относится к спутниковым навигационным системам, а именно к оборудованию наземного комплекса управления данных систем. Технический результат состоит в повышении качества контроля навигационных систем. Для этого наземная система контроля и управления бортовой аппаратурой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002616278
Дата охранного документа: 14.04.2017
25.08.2017
№217.015.ca22

Способ получения заполненных переходных металлизированных сквозных отверстий печатной платы

Изобретение предназначено для конструирования и изготовления многослойных печатных плат (ПП) для высокоплотного монтажа поверхностно-монтируемых компонентов (ПМК) с матричным расположением выводов в корпусах типа BGA, CGA. Технический результат - обеспечение надежности ПП при увеличении...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002619913
Дата охранного документа: 19.05.2017
25.08.2017
№217.015.d1ac

Способ радиометрической коррекции изображения от многоэлементного фотоприёмника инфракрасного диапазона

Изобретение относится к области дистанционного зондирования Земли. Способ радиометрической коррекции изображения от многоэлементного фотоприемника инфракрасного диапазона предусматривает выбор на фотоприёмнике не чувствительных к излучению от объекта съёмки элементов, сравнение сигналов от...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621877
Дата охранного документа: 07.06.2017
25.08.2017
№217.015.d24c

Двунаправленный тепловой микромеханический актюатор и способ его изготовления

Использование: для изготовления микромеханических устройств, содержащих упругие гибкие деформируемые исполнительные элементы. Сущность изобретения заключается в том, что микромеханический актюатор выполнен в виде сформированной в меза-структуре упруго-шарнирной консольной балки, состоящей из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621612
Дата охранного документа: 06.06.2017
25.08.2017
№217.015.d2bb

Способ дистанционного мониторинга рисовых оросительных систем

Изобретение относится к способам радиометрической съемки земной поверхности и может быть использовано при проведении мониторинга рисовых оросительных систем. Сущность: выполняют панорамную космическую ИК-радиометрическую съемку поверхности земли со средним разрешением 100-200 м и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621876
Дата охранного документа: 07.06.2017
Показаны записи 1-10 из 41.
20.01.2013
№216.012.1def

Малогабаритная свч-антенна на основе метаматериала

Изобретение относится к области антенной техники и может быть использовано при создании и изготовлении малогабаритных антенн, обеспечивающих сужение диаграммы направленности. Техническим результатом заявленного изобретения является уменьшение массогабаритных характеристик СВЧ-антенн при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002473157
Дата охранного документа: 20.01.2013
20.04.2013
№216.012.37ff

Способ изготовления шунтирующего диода для солнечных батарей космических аппаратов

Изобретение относится к области изготовления дискретных полупроводниковых приборов. Способ изготовления шунтирующего диода для солнечных батарей космических аппаратов включает формирование структуры планарного диода на кремниевой монокристаллической подложке, формирование металлизации рабочей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002479888
Дата охранного документа: 20.04.2013
10.06.2013
№216.012.4a26

Передающий антенный модуль

Изобретение относится к радиотехнике, а именно к активным антенным модулям. Техническим результатом является повышение функциональных возможностей передающего антенного модуля и технологичность изготовления передающего антенного модуля. Передающий антенный модуль состоит из антенного элемента,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002484562
Дата охранного документа: 10.06.2013
27.07.2013
№216.012.5b09

Антенный излучатель с узкой диаграммой направленности на основе метаматериала

Изобретение относится к антенным устройствам и может быть использовано как отдельная антенна, а также в качестве элемента сложной антенны или антенной системы радиочастотного, терагерцового, инфракрасного или оптического диапазонов. Технический результат - уменьшение массогабаритных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002488926
Дата охранного документа: 27.07.2013
10.12.2013
№216.012.8a2a

Микросистема оптического излучения

Изобретение относится к области оптики и может быть использовано в устройствах и системах для отклонения пучка квазимонохроматического оптического излучения по двум пространственным направлениям, создания плоских изображений с помощью пучка квазимонохроматического оптического излучения,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002501052
Дата охранного документа: 10.12.2013
27.12.2013
№216.012.9222

Способ изготовления поглощающего покрытия

Изобретение относится к способу изготовления поглощающего покрытия, обеспечивающего поглощение в инфракрасном диапазоне длин волн для создания эталонов абсолютно черного тела в имитаторах излучения для аппаратуры дистанционного зондирования земли со стабильными характеристиками. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002503103
Дата охранного документа: 27.12.2013
10.04.2014
№216.012.b1f4

Способ изготовления микроэлектромеханических реле

Изобретение относится к микросистемной технике и может быть использовано при изготовлении микроэлектромеханических реле. Способ изготовления микроэлектромеханических реле включает последовательное формирование на подложке контактной металлизации, состоящей из управляющего электрода, двух нижних...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002511272
Дата охранного документа: 10.04.2014
20.05.2014
№216.012.c311

Интерференционный переключатель резонансного свч компрессора

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в резонансных СВЧ компрессорах в качестве устройства вывода энергии для формирования мощных СВЧ импульсов наносекундной длительности. Технический результат - увеличение рабочей мощности переключателя при неизменной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515696
Дата охранного документа: 20.05.2014
10.06.2014
№216.012.cd07

Микросистемное устройство терморегуляции поверхности космических аппаратов

Изобретение относится к области микроэлектроники - устройствам микросистемной техники, выполненным по технологиям микрообработки кремния, и может быть использовано при создании систем терморегуляции нагреваемой поверхности космических аппаратов, либо иных систем, обеспечивающих микроперемещения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002518258
Дата охранного документа: 10.06.2014
10.06.2014
№216.012.cd20

Способ осаждения нитрида кремния на кремниевую подложку

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и/или устройств микросистемной техники на кремниевых подложках, содержащих в своей структуре пленки нитрида кремния различного функционального назначения....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002518283
Дата охранного документа: 10.06.2014
+ добавить свой РИД