Правообладатель РИД: Калашников Антон Юрьевич

Изобретение относится к технологии микроэлектронных приборов, состоящих из нескольких полупроводниковых компонентов на твердом теле, и может быть использовано при производстве аппаратуры с высокоплотным монтажом. Cпособ изготовления микромодуля включает формирование на коммутационной плате...

Изобретение относится к электронной технике, а именно к области СВЧ микроэлектроники. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение адгезионной прочности монтажных соединений в коммутационной плате и технологичности коммутационной СВЧ-платы. Технический результат...

Использование: для изготовления СВЧ–гибридных интегральных микросхем космического назначения с многоуровневой коммутацией на основе органического диэлектрика. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления СВЧ–гибридной интегральной микросхемы с многоуровневой коммутацией на...

Заявленное изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к способам получения диэлектрического слоя межслойной изоляции определенной толщины в изделиях микроэлектроники на основе полимерного покрытия. Способ получения диэлектрического слоя на основе полимерного покрытия в изделиях...