ДАТЧИК СЛАБЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ

Изобретение относится к измерительной технике, а более конкретно -предназначено для измерения слабых магнитных полей и может использоваться в первую очередь в магнитометрии.

Известен датчик слабых высокочастотных магнитных полей [Патент РФ №2536083, МПК G01R 33/05, G01R 33/24, опубл. 20.12.2014], содержащий диэлектрическую подложку, на верхней стороне которой нанесены полосковые проводники двух микрополосковых резонаторов, а на нижней стороне осаждена магнитная пленка, покрытая металлическим слоем, выполняющим роль экрана. Проводники резонаторов расположены под оптимальным углом друг к другу, обеспечивающим максимальный коэффициент преобразования датчика. Мощность СВЧ-генератора подается на оба резонатора одновременно, а выходной сигнал датчика формируется двумя сигналами, снимаемыми одновременно с этих двух резонаторов, при этом сигналы резонаторов суммируются, а шумы генератора компенсируются. Такая конструкция датчика имеет малые габариты, низкий уровень собственных шумов и широкую полосу частот.

Недостатком такой конструкции является дрейф нулевого значения, т.е. самопроизвольное отклонение постоянной составляющей напряжения на выходе магнитометра, что не позволяет производить измерения на частотах ниже 10^-2 Гц.

Наиболее близким аналогом по совокупности существенных признаков является малогабаритный высокочастотный магнитометр [Патент РФ №163174, G01R 33/05, опубл. 10.07.2016, (прототип)], содержащий многослойную печатную плату, на которой размещена диэлектрическая подложка с нанесенными на поверхности подложки полосковыми линиями двух микрополосковых резонаторов. На нижней стороне подложки, обращенной к земляному полигону печатной платы, осаждена тонкая магнитная пленка. Накачка резонаторов осуществляется экранированным СВЧ-генератором. Выходной сигнал магнитометра формируется двумя амплитудными детекторами и дифференциальным усилителем с компенсационной схемой измерения. Постоянное поле смещения в магнитной пленке создается системой из постоянных магнитов. Особенностью конструкции магнитометра является использование компенсационной катушки низкочастотных магнитных полей, выполненной в виде печатной индуктивности на нескольких слоях многослойной печатной платы. Такая особенность позволяет компенсировать низкочастотную составляющую магнитного поля и не экранировать высокочастотную составляющую магнитного поля.

Недостатком конструкции прототипа является дрейф нулевого значения на выходе магнитометра, что не позволяет измерять значения величины постоянной составляющей магнитного поля.

Техническим результатом заявленного технического решения является снижение величины дрейфа нулевого значения выходного сигнала магнитометра.

Заявляемый технический результат достигается тем, что в датчике слабых магнитных полей, содержащем диэлектрическую подложку, на верхней стороне которой нанесен проводник микрополоскового резонатора, а на нижней стороне осаждена тонкая магнитная пленка, покрытая металлическим слоем, магнитную систему, создающую постоянное поле смещения, СВЧ-генератор накачки микрополоскового резонатора, амплитудный детектор, операционный усилитель, компенсационную систему, новым является то, что высокочастотное магнитное поле и постоянное поле смещения направлены строго вдоль оси трудного намагничивания пленки, компенсационное поле и измеряемое поле направлены перпендикулярно оси трудного намагничивания пленки и дополнительно используется схема синхронного детектирования сигнала, содержащая синхронный детектор, генератор модулирующего поля и модуляционную катушку, поле которой направлено перпендикулярно оси трудного намагничивания пленки.

Сопоставительный анализ с прототипом показывает, что заявляемое устройство отличается наличием схемы синхронного детектирования сигнала, включающей синхронный детектор, генератор модулирующего поля и модуляционную катушку и конфигурацией магнитных полей: постоянное поле смещения и СВЧ-поле накачки направлены строго вдоль оси трудного намагничивания тонкой магнитной пленки (ТМП); измеряемое поле, поле компенсационной системы и модуляционное поле направлены строго перпендикулярно оси трудного намагничивания.

Таким образом, перечисленные выше отличительные от прототипа признаки позволяют сделать вывод о соответствии заявляемого технического решения критерию «новизна».

Признаки, отличающие заявляемое техническое решение от прототипа, не выявлены в других технических решениях и, следовательно, обеспечивают заявляемому решению соответствие критерию «изобретательский уровень».

Данное изобретение поясняется чертежом, где изображена функциональная схема датчика слабых магнитных полей.

Датчик слабых магнитных полей содержит: малошумящий СВЧ-генератор (1), выход которого через емкость связи С_СВ (2) подключен к резонатору (3), образованному емкостью С_Р (4) и индуктивностью полоска L_P (5). Тонкая магнитная пленка (ТМП) (6) размещается непосредственно под полоском L_P (5). Вход амплитудного детектора (7) соединен с резонатором (3), а выход - с операционным усилителем (8). Выход операционного усилителя (8) подключен к компенсационной системе (9), образованной катушкой обратной связи L_OC (10) и последовательно включенным сопротивлением обратной связи R_OC (11), а также ко входу синхронного детектора (12). Магнитная система (13), состоящая из постоянных магнитов, размещается таким образом, чтобы сформировать постоянное поле смещения Н_СМ строго вдоль оси трудного намагничивания (ОТН) пленки [Саланский, Н. Физические свойства и применение магнитных пленок / Н. М. Саланский, М. Ш. Ерухимов. - Новосибирск: Наука, - 1975. - 202 с.]. Выход модуляционного генератора (14) ВЧ подключен к модуляционной системе (15), состоящей из модуляционной катушки L_МОД (16) и последовательно включенного сопротивления R_МОД (17), а также ко входу синхронного детектора (12). ТМП (6) размещена в резонаторе (3) таким образом, что ОТН направлена строго вдоль направления магнитного поля Н_ВЧ, формируемого полоском L_P (5). Катушка обратной связи L_OC (10) и модуляционная катушка L_МОД (16) размещены таким образом, что формируемые ими поля Н_КОМП и Н_МОД направлены строго перпендикулярно ОТН. Постоянная времени цепи обратной связи выбирается таким образом, чтобы эффективно компенсировать низкочастотное измеряемое поле Н_ИЗМ и не компенсировать высокочастотное модуляционное поле Н_МОД. Направление максимальной чувствительности датчика к измеряемому полю Н_ИЗМ ортогонально ОТН пленки. Выходной сигнал синхронного детектора (12) является выходным сигналом датчика слабых магнитных полей.

Устройство работает следующим образом. Сигнал малошумящего СВЧ-генератора (1) через разделительную емкость С_СВ (2) поступает на резонатор (3), образованный емкостью С_Р (4) и индуктивностью полоска L_P (5), формирующего высокочастотное поле Н_ВЧ в пленке (6). Частота генератора (1) равна резонансной частоте резонатора (3) и для пермаллоевых пленок нестрикционного состава выбирается в диапазоне 600-800 МГц. Амплитудный детектор (7) измеряет величину амплитудного напряжения на резонаторе. Выходной сигнал амплитудного детектора (7) поступает на операционный усилитель (8), выходной сигнал которого подается на компенсационную систему (9), образованную катушкой обратной связи L_OC (10) и сопротивлением обратной связи R_OC (11), а также на вход синхронного детектора (12). Поле Н_КОМП, создаваемое катушкой обратной связи L_OC (10), совпадает по величине с измеряемым полем Н_ИЗМ и противоположно ему по направлению, в результате чего в области пленки происходит компенсация измеряемого поля Н_ИЗМ. Магнитная система (13) формирует постоянное поле смещения Н_СМ, направленное строго вдоль ОТН. Сигнал модуляционного генератора (14) высокой частоты поступает на модуляционную систему (15), состоящую из модуляционной катушки L_МОД (16) и сопротивления R_МОД (17). Модуляционная катушка L_МOД (16) формирует модулирующее магнитное поле Н_МОД, направленное перпендикулярно ОТН. Амплитуда модулирующего поля Н_МОД выше максимальной напряженности измеряемого поля Н_ИЗМ, частота модулирующего поля выше максимальной частоты Н_ИЗМ. На вход синхронного детектора (12) поступают сигналы с выхода операционного усилителя (8) и модуляционного генератора (14) высокой частоты. С выхода синхронного детектора (12) сигнал передается потребителю. Так как поле смещения Н_СМ направлено строго вдоль ОТН, устройство работает в режиме удвоения частоты и на выходе синхронного детектора при отсутствии поля Н_ИЗМ сигнал отсутствует (в спектре сигнала нет составляющей с частотой Н_МОД). При появлении поля Н_ИЗМ происходит смещение рабочей точки датчика и изменение составляющих спектра выходного сигнала - появляется составляющая с частотой Н_МОД, которая детектируется синхронным детектором. В результате чего на выходе устройства появляется сигнал, пропорциональный величине измеряемого поля Н_ИЗМ.

Основным достоинством введения схем модуляции и синхронного детектирования является ослабление эффекта дрейфа нулевого значения (дрейф нуля) на выходе датчика, который выражается в самопроизвольном отклонении выходного напряжения при отсутствии измеряемого сигнала. Экспериментальные исследования заявляемого датчика слабых магнитных полей показали, что по сравнению с устройством аналогичного назначения (прототип) заявляемое устройство обеспечивает меньший дрейф нулевого значения на выходе датчика. Датчик слабых магнитных полей может быть использован в случаях, когда необходимо проводить измерения величины магнитного поля в области частот от постоянной составляющей и до единиц мегагерц.