×
11.03.2019
219.016.d693

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОКНА ВЫВОДА ЭНЕРГИИ СВЧ И КВЧ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к способам изготовления волноводных узлов устройств СВЧ и КВЧ диапазонов. Техническим результатом является снижение трудоемкости и стоимости изготовления, а также повышение надежности. Заданную конфигурацию диэлектрической пластины задают вакуумным напылением металлизационного покрытия из двух слоев, адгезионного и проводящего, с суммарной толщиной 0.5-10 мкм с последующей фотолитографией и резкой. Диэлектрическую пластину изготавливают соразмерной внутренним размерам канала металлического волновода, а металлизационное покрытие изготавливают с отверстием в центре. Металлическую мембрану изготавливают толщиной 3-300 мкм гальваническим нанесением пластичного, коррозионноустойчивого, обладающего паяемостью и свариваемостью металла на хорошо проводящий слой металла толщиной 0,5-100 мкм, а конфигурацию задают фотолитографией по проводящему слою металла. Соединение диэлектрической пластины с мембраной осуществляют посредством металлизационного покрытия диэлектрической пластины, при этом совмещают отверстия в мембране и металлизационном покрытии диэлектрической пластины, а диэлектрическую пластину, соединенную с мембраной, располагают непосредственно в канале отрезка металлического волновода с большим атмосферным давлением газа при последующей откачке СВЧ и КВЧ прибора. 10 з.п. ф-лы. 4 ил.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления волноводных узлов устройств СВЧ и КВЧ диапазонов.

Известен способ изготовления окна вывода энергии СВЧ и КВЧ электронных приборов, включающий изготовление диэлектрической пластины из слюды определенного размера с металлизационным покрытием, например, нанесением металлической краски, причем, конфигурацию окна в металлизационном покрытии задают механическим снятием краски с диэлектрической пластины. Диэлектрическую пластину спаивают с металлической мембраной посредством нанесения порошка из стекла "Corning" №7570 состава: 44% PbO, 11% В2O3, 29% Al2O3, 16% SiO2, с температурой размягчения 440°С.

Порошок из стекла смешивают с биндером, эту массу наносят на кромки диэлектрической пластины, затем пластину располагают в углубление металлической мембраны и помещают в печь, нагревают при этой температуре 0,5 часа, а затем охлаждают до комнатной температуры. Металлическую мембрану с диэлектрической пластиной размещают и закрепляют в специальном, предварительно выполненном углублении на фланце отрезка волновода [1].

Недостатком данного способа является высокая трудоемкость изготовления, обусловленная механическим выполнением как заданной конфигурации металлизационного покрытия диэлектрической пластины, так и углубления во фланце отрезка волновода.

Известен способ изготовления окна вывода энергии СВЧ и КВЧ электронных приборов в полом прямоугольном металлическом волноводе, включающий:

- изготовление диэлектрической пластины заданной конфигурации, определяющей резонансную частоту окна вывода энергии,

- изготовление металлической мембраны чашеобразной формы из двух частей: диска с отверстием в центре и круглого углового бортика, присоединенного к краям диска,

- изготовление чашеобразного фланца одного из отрезков волновода в виде диска с бортиком и соразмерного конфигурации металлической чашеобразной мембране и фланцу второго отрезка волновода, выполненного также в виде диска,

- изготовление углубления в чашеобразном фланце для размещения диэлектрической пластины,

- изготовление упругих элементов из проводящего материала, герметичное соединение пайкой стеклом металлической чашеобразной мембраны с диэлектрической пластиной,

- расположение диэлектрической пластины с металлической мембраной между фланцами двух отрезков металлического волновода и последующее вакуумно-плотное соединение фланцев за счет сжатия упругих элементов, расположенных с обеих сторон мембраны [2] - прототип.

Недостатком данного способа как и первого аналога является высокая трудоемкость изготовления, обусловленная сложным изготовлением мембраны, применением упругих элементов для вакуумно-плотного соединения фланцев, а также необходимостью изготовления углубления в чашеобразном фланце, а следовательно, более высокая стоимость и низкая надежность, обусловленная методом крепления диэлектрической пластины с металлической мембраной.

Техническим результатом изобретения является снижение трудоемкости и стоимости изготовления, а также повышение надежности.

Технический результат достигается тем, что в известном способе изготовления окна вывода энергии СВЧ и КВЧ электронных приборов в полом прямоугольном металлическом волноводе, включающем изготовление диэлектрической пластины заданной конфигурации, определяющей резонансную частоту окна вывода энергии, изготовление металлической мембраны заданной конфигурации, имеющей отверстие в центре, соединение диэлектрической пластины с металлической мембраной, расположение диэлектрической пластины с металлической мембраной между фланцами двух отрезков металлического волновода и последующее их вакуумно-плотное соединение посредством сжатия фланцев, заданную конфигурацию диэлектрической пластины задают вакуумным напылением металлизационного покрытия из двух слоев, адгезионного и проводящего, с суммарной толщиной 0,5-10 мкм с последующей фотолитографией и резкой, при этом диэлектрическую пластину изготавливают соразмерной внутренним размерам волноводного канала, а металлизационное покрытие с отверстием в центре, металлическую мембрану изготавливают толщиной 3-300 мкм гальваническим нанесением пластичного, коррозионно-устойчивого, обладающего паяемостью и свариваемостью металла на хорошо проводящий слой металла толщиной 0,5-100 мкм, а конфигурацию мембраны задают фотолитографией по проводящему слою металла, соединение диэлектрической пластины с мембраной осуществляют посредством металлизационного покрытия диэлектрической пластины, при этом совмещают отверстия в мембране и металлизационном покрытии диэлектрической пластины, а диэлектрическую пластину, соединенную с мембраной, располагают непосредственно в канале отрезка волновода с большим атмосферным давлением газа при последующей откачке СВЧ и КВЧ прибора или последующем заполнении его газом.

На металлизационное покрытие диэлектрической пластины дополнительно может быть нанесен слой золота.

Соединение диэлектрической пластины с мембраной может быть осуществлено пайкой или сваркой посредством металлизационного покрытия.

На металлизационное покрытие диэлектрической пластины может быть нанесен припой толщиной 2-20 мкм.

При изготовлении мембраны хорошо проводящий слой из металла изготавливают толщиной 0,5-5 мкм напылением на диэлектрическую подложку, которую удаляют, после гальванического нанесения металла, селективным травлением проводящего слоя и механическим снятием мембраны.

При изготовлении мембраны, перед напылением проводящего слоя, может быть нанесен адгезионный слой.

При изготовлении мембраны, при селективном стравливании проводящего слоя, может быть стравлен и адгезионный слой.

Перед механическим снятием мембраны с диэлектрической подложки ее смачивают многоатомным спиртом, например глицерином и нагревают до температуры 150±10°С.

Нагрев мембраны с диэлектрической подложкой осуществляют со скоростью менее или равной 30 град/мин.

При соединении диэлектрической пластины с мембраной посредством металлизационного покрытия пайкой, диэлектрическую платину располагают в специальной оправке горизонтально, неподвижно, при этом на нее накладывают мембрану и совмещают конфигурацию отверстия мембраны с конфигурацией металлизационного покрытия диэлектрической пластины.

Перед наложением мембраны на диэлектрическую пластину соединяемые поверхности могут быть облужены.

Выполнение конфигурации диэлектрической пластины вакуумным напылением металлизационного покрытия из двух слоев, адгезионного и проводящего с суммарной толщиной 0,5-10 мкм и конфигурацией, соразмерной внутренним размерам волноводного канала с последующей фотолитографией, позволит:

во-первых, использовать при изготовлении окна вывода энергии групповые методы, а следовательно, высокопроизводительное оборудование и тем самым снизить трудоемкость, а значить и стоимость изготовления;

во-вторых, наличие адгезионного слоя повышает сцепление металлизационного покрытия с диэлектрической пластиной и тем самым повышает надежность окна вывода энергии;

в-третьих, наличие проводящего слоя, указанной толщины, обеспечит возможность использования низкотемпературной пайки для соединения диэлектрической пластины с мембраной и тем самым снизить трудоемкость изготовления.

Выполнение металлизационного покрытия толщиной менее 0,5 мкм не желательно, так как проводящий слой может раствориться в припое в процессе пайки, а более 10 мкм не обеспечивает достаточную точность получения конфигурации, а также увеличивает трудоемкость изготовления.

Изготовление диэлектрической пластины, соразмерной внутренним размерам волноводного канала, а металлизационного покрытия с отверстием в центре позволит в последующем располагать диэлектрическую пластину непосредственно в отрезке канала волновода и исключить необходимость изготовления углубления во фланце и тем самым снизить трудоемкость изготовления окна вывода энергии.

Изготовление металлической мембраны заданной конфигурации гальваническим нанесением пластичного, коррозионно-устойчивого, обладающего паяемостью и свариваемостью металла толщиной 3-300 мкм на хорошо проводящий слой металла толщиной 0,5-100 мкм с последующей фотолитографией по проводящему слою позволит:

во-первых, использовать групповой метод при изготовлении мембраны и тем самым снизить трудоемкость изготовления мембраны;

во-вторых, указанная толщина и пластичность металла мембраны позволит исключить необходимость использования дополнительных упругих элементов при последующем вакуумно-плотном соединении фланцев сжатием;

в-третьих, паяемость и свариваемость материала обеспечит надежность соединения с металлизационным покрытием диэлектрической пластины.

Выполнение металлической мембраны менее 3 мкм не обеспечивает достаточную механическую прочность, а следовательно, надежность, а более 300 мкм увеличивает трудоемкость изготовления и стоимость за счет увеличения времени гальванического нанесения.

Выполнение проводящего слоя толщиной менее 0,5 мкм не обладает достаточной проводимостью и не позволит применять гальваническое наращивание для изготовления металлической мембраны, а более 100 мкм увеличивает трудоемкость изготовления и стоимость из-за усложнения технологического процесса.

Совмещение отверстий в мембране и металлизационном покрытии диэлектрической пластины при их соединении увеличивает площадь их соединения и тем самым повышает надежность.

Расположение диэлектрической пластины, соединенной с мембраной, непосредственно в отрезке канала волновода с большим атмосферным давлением газа при последующей откачке СВЧ и КВЧ прибора позволит снизить трудоемкость изготовления, так как исключается необходимость выполнения специального углубления во фланце, и повысить надежность, так как при таком расположении соединение диэлектрической пластины с мембраной испытывает сжимающее усилие.

Нанесение слоя золота толщиной 0,5-5 мкм на металлизационное покрытие диэлектрической пластины упростит соединение ее с мембраной за счет возможности применения низкотемператуной пайки или сварки, а также увеличит коррозионную стойкость металлизационного покрытия, а значит и надежность.

Нанесение слоя золота толщиной менее 0,5 мкм не обеспечивает надежного соединения из-за растворения в припое, а более 5 мкм увеличивает трудоемкость изготовления и стоимость.

Соединение диэлектрической пластины с металлической мембраной посредством металлизационного покрытия пайкой или сваркой позволит снизить трудоемкость изготовления за счет уменьшения температуры соединения.

Нанесение на металлизационное покрытие диэлектрической пластины припоя толщиной 2-20 мкм за счет упрощения процесса соединения позволит снизить трудоемкость изготовления.

Использование хорошо проводящего слоя при изготовлении мембраны из металла толщиной 0,5-5 мкм напылением на диэлектрическую подложку, которую удаляют, после гальванического нанесения металла, селективным травлением проводящего слоя снижает необходимую толщину проводящего слоя, а следовательно, сокращает процесс формирования мембраны и тем самым снижает трудоемкость изготовления.

Изготовление слоя хорошо проводящего металла толщиной менее 0,5 мкм повысит время стравливания, а более 5 мкм увеличит время напыления, а следовательно, и трудоемкость изготовления.

Нанесение адгезионного слоя перед напылением проводящего слоя при изготовлении мембраны позволит дополнительно повысить процент выхода годных на операции гальванического осаждения, а значит снизить трудоемкость изготовления.

Стравливание адгезионного слоя при селективном стравливании проводящего слоя упрощает контроль полноты стравливания проводящего слоя и тем самым снижает трудоемкость изготовления.

Смачивание мембраны перед ее механическим снятием с диэлектрической подложки многоатомным спиртом, например глицерином, и нагрев до температуры 150±10°С, с одной стороны, облегчит процесс снятия мембраны с диэлектрической пластины, а с другой стороны, многоатомный спирт, являясь флюсом, улучшит качество пайки мембраны и тем самым повысит надежность.

Нагрев мембраны с указанной скоростью снижает напряжение мембраны и тем самым повысит надежность последующего соединения мембраны с диэлектрической пластиной.

Расположение диэлектрической пластины с металлизационным покрытием при их соединении в специальной оправке и указанным образом: во-первых, жестко фиксирует диэлектрическую пластину и предотвращает растекание припоя, улучшая качество пайки и тем самым повышает надежность;

во-вторых, упрощает их совмещение и тем самым снижает трудоемкость изготовления.

Изобретение поясняется чертежами.

На фиг.1 представлено изготовление диэлектрической пластины с металлизационным покрытием:

а) диэлектрическая пластина в разрезе;

б) диэлектрическая пластина с металлизациооным покрытием и фотолитографией;

в) изготовление диэлектрической пластины групповым методом, где

- диэлектрическая пластина - 1,

- металлизационное покрытие - 2,

- адгезионный слой - 3,

- проводящий слой - 4,

- отверстие в металлизационном покрытии - 5.

На фиг.2 и 2.1 представлены варианты изготовления металлической мембраны заданной конфигурации:

2а, б - вид сверху и разрез соответственно варианта изготовления по п.1,

2.1а, б - вид сверху и разрез соответственно варианта изготовления по п.п.1-5, где

- металлическая мембрана - 6,

- отверстие в металлической мембране - 7,

- пластичный, коррозионно-устойчивый, обладающий паяемостью и свариваемостью металл, нанесенный гальванически - 8,

- хорошо проводящий слой металла - 9,

- диэлектрическая подложка - 10.

На фиг.3 представлено расположение диэлектрической пластины, соединенной с металлической мембраной между фланцами отрезков волновода, где

- канал отрезков металлического волновода - 11,

- фланцевое соединение - 12.

Пример 1. Изготавливают окно вывода энергии СВЧ и КВЧ электронных приборов в полом прямоугольном металлическом волноводе следующим образом:

1) изготавливают диэлектрическую пластину - 1 из стекла кварцевого KB ГОСТ 15130-86, заданной конфигурации, например прямоугольной, размером 7,1×3,3×0,2 мм, для чего на подложку размером 24×30×0,2 мм наносят вакуумным напылением металлизационное покрытие - 2 из двух слоев, адгезионного - 3 из хрома с поверхностным сопротивлением 100 Ом/мм2, соответствующим толщине 0,02 мкм, и проводящего - 4 из меди толщиной 2 мкм, с суммарной толщиной 2,02 мкм, далее проводят фотолитографию по напыленным слоям хрома и меди, с использованием фоторезиста ФП-383 и установки совмещения ЭМ-576А, при этом в процессе фотолитографии выполняют отверстие в центре металлизационного покрытия - 5, проводят групповым методом резку диэлектрической подложки на отдельные диэлектрические пластины - 1;

2) изготавливают металлическую мембрану - 6 заданной конфигурации, для чего гальванически наносят пластичный, коррозионноустойчивый, обладающий паяемостью и свариваемостью металл - 8, например, золото толщиной 3 мкм на хорошо проводящий слой - 7, например, лист ковара 29 ПК толщиной 30 мкм, задают конфигурацию мембраны, для чего проводят процесс фотолитографии по листу ковара с двух сторон, используя фоторезист ФП-25 и установку двухстороннего совмещения ЭМ-586, в процессе фотолитографии проводят сквозное травление коворового листа и удаление фоторезиста в смеси ацетона и моноэтаноламина с наложением ультразвуковых колебаний;

3) соединяют диэлектрическую пластину - 1 с металлической мембраной - 6, для чего диэлектрическую пластину - 1 располагают в специальной оправке горизонтально и неподвижно, облуживают припоем металлизационное покрытие - 2 диэлектрической пластины - 1, на нее накладывают металлическую мембрану, совмещают конфигурацию отверстия металлической мембраны - 7 с конфигурацией отверстия металлизационного покрытия - 5 диэлектрической пластины - 1 и проводят пайку припоем ПОИН-50 при температуре 150°С;

4) располагают диэлектрическую пластину - 1, соединенную с металлической мембраной - 6 непосредственно в канале отрезка волновода - 11 с большим атмосферным давлением газа, имеющим размер сечения 7,2×3,4 мм, между фланцами - 12 и вакуумно-плотно соединяют их посредством сжатия фланцев.

Примеры 2-3. Изготавливают окно вывода энергии СВЧ и КВЧ электронных приборов как в примере 1, но при других значениях:

а) суммарной толщины металлизационного покрытия,

б) толщины металлической мембраны,

в) толщины проводящего слоя металла, минимальных и максимальных, указанных в формуле изобретения.

Пример 4. Изготавливают окно вывода энергии СВЧ и КВЧ электронных приборов как в примере 1, но мембрану - 6 изготавливают толщиной 10 мкм, например, из гальванически нанесенного золота, для чего на диэлектрическую подложку - 10 из поликора размером 48×60×0,5 мм напыляют адгезионный слой хрома с удельным сопротивлением 100 Ом/мм2 и проводящий слой меди - 9 толщиной 1 мкм, проводят фотолитографию по напыленным слоям хрома и меди, далее гальванически наносят слой золота - 8 толщиной 10 мкм, проводят боковое селективное стравливание напыленных слоев проводящего - 9 и адагезионного и механически снимают металлическую мембрану - 6 из золота с диэлектрической подложки - 10 из поликора пинцетом или лезвием, отделяя от других металлических мембран и разрывая технологические проводники.

Предлагаемый способ изготовления окна вывода энергии СВЧ и КВЧ электронных приборов позволит:

во-первых, благодаря возможности использования, при изготовлении диэлектрической пластины и металлической мембраны заданных конфигураций, групповых методов, и при этом высокопроизводительного оборудования, а также исключения некоторых механических действий как при соединении диэлектрической пластины с металлической мембраной, так и при вакуумно-плотном их соединении между фланцами отрезков металлического волновода посредством сжатия фланцев, снизить трудоемкость, а следовательно, и стоимость изготовления;

во-вторых, благодаря возможности использования низкотемпературной пайки при соединении диэлектрической пластины и металлической мембраны, а также предложенному варианту их размещения и вакуумно-плотного соединения посредством сжатия фланцев, также снизить трудоемкость изготовления и повысить надежность.

Источники информации

1. Сазонов В.П., Терехина В.М., Лямзин В.М. Конструкция окон выходных устройств СВЧ приборов. ЦНИИ Электроника, вып.№3 (8), стр.26, 1972 г.

2. Тесленко Л.Ф., Иванова А.В., Светликина И.А. и др. Окна выводов энергии электронных СВЧ приборов. Обзоры по электронной технике, сер.1. Электроника СВЧ, ЦНИИ Электроника, вып. №10 (729), стр.27-28, 1980 г.

1.СпособизготовленияокнавыводаэнергииСВЧиКВЧэлектронныхприбороввполомпрямоугольномметаллическомволноводе,включающийизготовлениедиэлектрическойпластинызаданнойконфигурации,определяющейрезонанснуючастотуокнавыводаэнергии,изготовлениеметаллическоймембранызаданнойконфигурации,имеющейотверстиевцентре,соединениедиэлектрическойпластинысметаллическоймембраной,расположениедиэлектрическойпластинысметаллическоймембраноймеждуфланцамидвухотрезковметаллическоговолноводаипоследующееихвакуумно-плотноесоединениепосредствомсжатияфланцев,отличающийсятем,чтозаданнуюконфигурациюдиэлектрическойпластинызадаютвакуумнымнапылениемметаллизационногопокрытияиздвухслоев,адгезионногоипроводящего,ссуммарнойтолщиной0,5-10мкмспоследующейфотолитографиейирезкой,приэтомдиэлектрическуюпластинуизготавливаютсоразмернойвнутреннимразмерамканаламеталлическоговолновода,аметаллизационноепокрытиеизготавливаютсотверстиемвцентре,металлическуюмембрануизготавливаюттолщиной3-300мкмгальваническимнанесениемпластичного,коррозионно-устойчивого,обладающегопаяемостьюисвариваемостьюметалланахорошопроводящийслойметаллатолщиной0,5-100мкм,аконфигурациюметаллическоймембранызадаютфотолитографиейпопроводящемуслоюметалла,соединениедиэлектрическойпластинысметаллическоймембранойосуществляютпосредствомметаллизационногопокрытиядиэлектрическойпластины,приэтомсовмещаютотверстиявметаллическоймембранеиметаллизационномпокрытиидиэлектрическойпластины,адиэлектрическуюпластину,соединеннуюсметаллическоймембраной,располагаютнепосредственновканалеотрезкаметаллическоговолноводасбольшиматмосфернымдавлениемгазаприпоследующейоткачкеСВЧиКВЧприбораилипоследующемзаполненииегогазом.12.СпособизготовленияокнавыводаэнергииСВЧиКВЧэлектронныхприборовпоп.1,отличающийсятем,чтонаметаллизационноепокрытиедиэлектрическойпластиныдополнительнонаносятслойзолотатолщиной0,5-5мкм.23.СпособизготовленияокнавыводаэнергииСВЧиКВЧэлектронныхприборовпоп.1или2,отличающийсятем,чтосоединениедиэлектрическойпластинысметаллическоймембранойпосредствомметаллизационногопокрытияосуществляютпайкойилисваркой.34.СпособизготовленияокнавыводаэнергииСВЧиКВЧэлектронныхприборовпоп.3,отличающийсятем,чтонаметаллизационноепокрытиедиэлектрическойпластинынаносятприпойтолщиной2-20мкм.45.СпособизготовленияокнавыводаэнергииСВЧиКВЧэлектронныхприборовпоп.1,отличающийсятем,чтоприизготовленииметаллическоймембраныхорошопроводящийслойизметаллаизготавливаюттолщиной0,5-5мкмнапылениемнадиэлектрическуюподложку,которуюудаляютпослегальваническогонанесенияметалласелективнымтравлениемпроводящегослояимеханическимснятиемметаллическоймембраны.56.СпособизготовленияокнавыводаэнергииСВЧиКВЧэлектронныхприборовпоп.5,отличающийсятем,чтоприизготовленииметаллическоймембраныпереднапылениемпроводящегослоянаносятадгезионныйслой.67.СпособизготовленияокнавыводаэнергииСВЧиКВЧэлектронныхприборовпоп.6,отличающийсятем,чтоприизготовленииметаллическоймембраныприселективномстравливаниипроводящегослоястравливаютиадгезионныйслой.78.СпособизготовленияокнавыводаэнергииСВЧиКВЧэлектронныхприборовпоп.5отличающийсятем,чтопередмеханическимснятиемметаллическоймембранысдиэлектрическойподложкиеесмачиваютмногоатомнымспиртом,напримерглицерином,инагреваютдотемпературы(150±10)°С.89.СпособизготовленияокнавыводаэнергииСВЧиКВЧэлектронныхприборовпоп.8,отличающийсятем,чтонагревметаллическоймембранысдиэлектрическойподложкойосуществляютсоскоростью,менееилиравной30град/мин.910.СпособизготовленияокнавыводаэнергииСВЧиКВЧэлектронныхприборовпоп.3,отличающийсятем,чтоприсоединениидиэлектрическойпластинысметаллическоймембранойпосредствомметаллизационногопокрытияпайкойдиэлектрическуюпластинурасполагаютвспециальнойоправкегоризонтально,неподвижно,металлизационнымпокрытиемвверх.1011.СпособизготовленияокнавыводаэнергииСВЧиКВЧэлектронныхприборовпоп.10,отличающийсятем,чтопередсоединениемдиэлектрическойпластинысметаллическоймембранойсоединяемыеповерхностиоблуживают.11
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 11-20 из 62.
10.10.2013
№216.012.7411

Устройство для контроля толщины проводящей пленки изделий электронной техники

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: устройство для контроля толщины проводящей пленки изделий электронной техники непосредственно в технологическом процессе ее формирования в вакууме путем измерения электрического сопротивления содержит подложку из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002495370
Дата охранного документа: 10.10.2013
10.10.2013
№216.012.7438

Устройство для определения коэффициента теплопроводности материала

Изобретение относится к области технической физики и может быть использовано при прогнозировании эксплуатационных характеристик композиционных материалов. Заявлено устройство для определения коэффициента теплопроводности материала методом плоского горизонтального слоя, содержащее элемент,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002495409
Дата охранного документа: 10.10.2013
20.11.2013
№216.012.833e

Устройство для определения шумовых параметров четырехполюсника свч

Изобретение относится к измерительной технике. Сущность: устройство содержит измерительную интегральную схему с перестраиваемыми параметрами, вход которой соединен с генератором шума посредством центрального проводника в виде отрезка линии передачи, выход которого соединен с входом измеряемого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002499274
Дата охранного документа: 20.11.2013
20.03.2014
№216.012.ad20

Устройство для измерения полного сопротивления и шумовых параметров двухполюсника на свч

Изобретение относится к измерительной технике на СВЧ. Устройство для измерения полного сопротивления и шумовых параметров двухполюсника на СВЧ, содержащее измеритель частотных характеристик и интегральную схему в составе центральной линии передачи, отрезка линии передачи, соединенного с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002510035
Дата охранного документа: 20.03.2014
20.02.2019
№219.016.bcd4

Зонд для измерения электрических характеристик планарных элементов интегральных схем

3онд содержит коаксиальный разъем, коаксиальную линию передачи, воздушную копланарную линию передачи из плоских упругих проводников. Проводники воздушной копланарной линии передачи имеют выступы для контактирования с контактными площадками планарных элементов интегральных схем. На торцах...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002285930
Дата охранного документа: 20.10.2006
20.02.2019
№219.016.be6f

Гибридная интегральная схема свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Сущность изобретения: в гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона, содержащей диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой расположен топологический рисунок металлизации, а на обратной стороне - экранная заземляющая металлизация, по...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002390877
Дата охранного документа: 27.05.2010
20.02.2019
№219.016.c09b

Диск из алмазосодержащего материала для обработки материалов электронной техники и изделий из них

Изобретение относится к электронной технике, а именно к механической обработке материалов электронной техники и изделий из них, в том числе полупроводниковых и ферритовых материалов. Технический результат изобретения - повышение выхода годных путем повышения качества обработки, а именно...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002308118
Дата охранного документа: 10.10.2007
01.03.2019
№219.016.cf97

Усилитель мощности свч

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Технический результат: повышение надежности работы, выходной мощности, снижение коэффициентов отражения на входе и выходе усилителя мощности. Усилитель содержит два прямоугольных волновода, один - для входа, другой - для выхода, которые...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002433524
Дата охранного документа: 10.11.2011
11.03.2019
№219.016.d7ea

Аттенюатор свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно к аттенюаторам СВЧ на полупроводниковых приборах. Аттенюатор СВЧ состоит, по крайней мере, из одного разряда, каждый из которых содержит резисторы, один из которых соединен последовательно, а другой - параллельно линиям передачи на входе и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002340048
Дата охранного документа: 27.11.2008
11.03.2019
№219.016.d8c6

Окно ввода и/или вывода энергии свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно к выходным устройствам электронных СВЧ-приборов. Техническим результатом является повышение надежности, выхода годных приборов при снижении потерь мощности СВЧ. Окно ввода и/или вывода энергии СВЧ выполнено в виде диэлектрической пластины из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002313865
Дата охранного документа: 27.12.2007
Показаны записи 11-20 из 22.
13.01.2017
№217.015.7983

Хлоридный флюс для пайки

Изобретение может быть использовано для низкотемпературной пайки металлов и сплавов припоями различных марок в широком интервале температур. Хлоридный флюс содержит компоненты в следующем соотношении, мас.%: хлористый цинк 33-41, хлористый аммоний 4-12, гидрохлорид диэтиламина 28-30, щавелевая...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002599063
Дата охранного документа: 10.10.2016
04.04.2018
№218.016.2ee3

Способ очистки перед пайкой припоя, выполненного в виде фольги или ленты

Изобретение может быть использовано при подготовке поверхности фольги, ленты припоя после прокатки перед низкотемпературной бесфлюсовой пайкой, в частности, при сборке изделий РЭА и СВЧ-техники. В первой ванне ультразвукового комплекса проводят обезжиривание при температуре 180-200°С в течение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002644486
Дата охранного документа: 12.02.2018
20.02.2019
№219.016.be6f

Гибридная интегральная схема свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Сущность изобретения: в гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона, содержащей диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой расположен топологический рисунок металлизации, а на обратной стороне - экранная заземляющая металлизация, по...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002390877
Дата охранного документа: 27.05.2010
29.03.2019
№219.016.ef30

Способ пайки алюминия и его сплавов

Изобретение может быть использовано при высокотемпературной пайке погружением в расплавленные соли пастообразными припоями системы алюминий-кремний эвтектического состава, преимущественно, при пайке прецизионных изделий СВЧ-техники с различной толщиной стенок. Порошкообразный припой - пасту...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002285593
Дата охранного документа: 20.10.2006
10.04.2019
№219.017.02e5

Способ изготовления гибридной интегральной схемы свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: в способе изготовления гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, включающем изготовление на лицевой стороне диэлектрической подложки топологического рисунка металлизации пленочных проводников и, по крайней мере, одной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002314595
Дата охранного документа: 10.01.2008
18.05.2019
№219.017.55f3

Многоканальный волноводный делитель мощности

Изобретение относится к электронной технике, в частности к многоканальным волноводным делителям мощности, и может быть использовано при создании многоканальных супергетеродинных приемников преимущественно миллиметрового диапазона длин волн и в СВЧ-измерительной технике. Многоканальный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002348091
Дата охранного документа: 27.02.2009
18.05.2019
№219.017.59d6

Связующее вещество паяльной пасты

Изобретение относится к пайке, в частности к составу пастообразной паяльной пасты для пайки и лужения при температурах до 350°С. Связующее вещество паяльной пасты содержит глицерин, сорбит и активирующую добавку. Активирующая добавка содержит соль, которая образована щелочью и органической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002454308
Дата охранного документа: 27.06.2012
18.05.2019
№219.017.5b90

Устройство для монтажа кристалла

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: устройство для монтажа кристалла содержит инструмент для захвата кристалла с выемкой под его размеры и отверстием для вакуума, нагреваемый столик, на котором размещают подложку, инструмент с вакуумной присоской для захвата...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002468470
Дата охранного документа: 27.11.2012
09.06.2019
№219.017.77b4

Гибридная интегральная схема свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике. Техническим результатом изобретения является улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и расширение функциональных возможностей при сохранении электрических характеристик за счет уменьшения площади, занимаемой элементами...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002290720
Дата охранного документа: 27.12.2006
27.06.2019
№219.017.9880

Высокоразрядный фазовращатель свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно к фазовращателям СВЧ на полупроводниковых приборах. Фазовращатели (ФВ) широко используются в аппаратуре связи, радиолокации и измерительной технике. При этом основной сигнал выбирается существенно больше (примерно на 10-12 дБ) сигнала...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002692480
Дата охранного документа: 25.06.2019
+ добавить свой РИД