×
04.04.2018
218.016.2ee3

Результат интеллектуальной деятельности: Способ очистки перед пайкой припоя, выполненного в виде фольги или ленты

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение может быть использовано при подготовке поверхности фольги, ленты припоя после прокатки перед низкотемпературной бесфлюсовой пайкой, в частности, при сборке изделий РЭА и СВЧ-техники. В первой ванне ультразвукового комплекса проводят обезжиривание при температуре 180-200°С в течение 5-7 мин моющим средством, содержащим, мас.%: щелочь KОН или NaOH 15-25, глицерин 50-60, вода – остальное. Во второй ванне очистку производят при температуре 50-60°С в течение 3-5 мин деионизованной водой. В третьей ванне - при температуре 60-70°С в течение 20-30 мин моющим средством, содержащим, мас.%: щелочь KОН или NaOH 3-4, сода NaCO 3-3,5, ПАВ-синтанол 0,25-0,35, вода - остальное, при температуре 60-70°С в течение 20-30 мин. В четвертой ванне очистку проводят деионизованной водой при температуре 60-70°С в течение 2-3 мин. В пятой ванне очистку проводят в ацетоне при комнатной температуре в течение 2-3 мин с наложением ультразвука с последующей сушкой горячим воздухом. Изобретение обеспечивает полное удаление закатанных после горячей прокатки остатков смазочных жидкостей с поверхности золотосодержащих низкотемпературных эвтектических припоев. 1 табл.

Изобретение относится к очистке припоя перед пайкой от технологических загрязнений в водно-щелочных растворах с наложением ультразвука, в частности к подготовке поверхности фольг, лент эвтектических золотосодержащих припоев после прокатки перед низкотемпературной (НТ) бесфлюсовой пайкой и может быть использовано при сборке изделий РЭА и СВЧ-техники, более конкретно - пайка кристаллов полупроводниковых компонентов.

Технологический процесс НТ-пайки состоит из ряда операций, одной из которых является очистка поверхности как паяемых деталей, так и используемых припоев. Для обеспечения физического контакта паяемых деталей с жидким припоем необходимо предварительно удалить органические и неметаллические загрязнения (масло, жиры, окалину), образовавшиеся в процессе химико-термической обработки (в нашем случае образовавшиеся после прокатки лент, фольг до заданного сортамента), и которые не удаляются во время бесфлюсовой НТ-пайки.

Простое обезжиривание фольг, лент эвтектических припоев после прокатки в органических растворителях не дает желаемых результатов - в процессе пайки образуется некачественное паяное соединение.

Известны способы химического обезжиривания поверхности паяемых деталей перед пайкой и составы растворов [Хряпин В.Е., Лакедемонский А.В. Справочник паяльщика. Изд. 4-е, перераб. и доп. М., «Машиностроение», 1974, стр. 159-160], в которых для повышения смачивающей способности воды в нее добавляют поверхностно-активные вещества (ПАВ), например, ОП-7, а для омыления жировых загрязнений - щелочи (NaOH, KОН), тринатрийфосфат и др. Общими недостатками этих способов химического обезжиривания поверхности являются:

во-первых, они предназначены для обезжиривания стальных, медных, алюминиевых, магниевых сплавов;

во-вторых, сложный состав ванн для химического обезжиривания приводит к трудностям при их корректировке в процессе испарения и травления поверхности.

Известен способ ультразвуковой очистки металлических деталей [Патент РФ №2275257 МПК В08В 3/12] путем промывки их в 5 ваннах ультразвукового комплекса (УЗК): в первой ванне в обезжиривающем водном растворе, содержащем моющее средство МС-15 или МС-37 концентрацией 20-25 г/л, температурой раствора 60-70°С; во второй ванне с наложением ультразвука техническим моющим средством (ТМС) «Гремлос В» концентрацией 20-30 г/л, температурой 45-55°С; в третьей ванне с наложением ультразвука горячей проточной водопроводной водой температурой 45-55°С; в четвертой ванне - холодной проточной водопроводной водой и в пятой ванне - холодной проточной дистиллированной водой с последующей сушкой горячим воздухом.

В результате УЗ-химического обезжиривания в пяти ваннах УЗК остатки закатанной во время горячей прокатки смазочной жидкости лишь начинают разрыхляться, остаются на поверхности, и их после очистки приходится счищать с поверхности лент и фольг техническим лезвием. При этом частично счищается (соскабливается) верхний слой припоя, содержащий золото.

Пробная очистка поверхности фольги припоя AuSi в ванне УЗК с моющим средством МС-15 или МС-37 показала, что температуры раствора в первой и второй ванне явно недостаточно и щелочная среда, которая образуется в результате гидролиза солей триполифосфата натрия, метасиликата натрия, карбоната натрия (МС-15) или метасиликата натрия и кальцинированной соды (МС-37) при данной концентрации не растворяет приповерхностный слой органических загрязнений. Последующая очистка поверхности фольги припоя AuSi во второй ванне с техническим моющим средством «Гремлос В», в состав которого входят смесь аминоспиртов, анионноактивных и неионогенных ПАВ типа синтанола АЛМ-10, неонола АФ 9-12, также показала свою неэффективность.

Техническим результатом предлагаемого изобретения является полное удаление закатанных после горячей прокатки остатков смазочных жидкостей с поверхности золотосодержащих НТ-эвтектических припоев, и, как следствие, повышение качества бесфлюсовой пайки кристаллов полупроводниковых компонентов.

Технический результат достигается тем, что очистка перед пайкой припоя, выполненного в виде фольги или ленты, включает обезжиривание в первой ванне ультразвукового комплекса в водном растворе, содержащем моющее средство, очистку с наложением ультразвука во второй и третьей ванне, очистку водой в четвертой ванне и очистку в пятой ванне с наложением ультразвука с последующей сушкой горячим воздухом, при этом в первой ванне обезжиривание проводят при температуре 180-200°С в течение 5-7 мин; моющим средством, содержащим, масс. %: щелочь KОН или NaOH 15-25; глицерин 50-60; воду - остальное; во второй ванне очистку производят при температуре 50-60°С в течение 3-5 мин деионизованной водой, в третьей ванне - при температуре 60-70°С в течение 20-30 мин моющим средством, содержащим, масс. %: щелочь KОН или NaOH 3-4, соду Na2CO3 3-3,5, ПАВ-синтанол 0,25-0,35, воду - остальное, при температуре 60-70°С в течение 20-30 мин, в четвертой ванне очистку проводят деионизованной водой при температуре 60-70°С в течение 2-3 мин; а в пятой ванне очистку проводят в ацетоне при комнатной температуре в течение 2-3 мин с наложением ультразвука.

Использование в водно-щелочном растворе повышенной концентрации щелочи и глицерина позволяет повысить температуру раствора до 180-200°С. При температуре 180-200°С за счет активного кипения раствора образуется кавитационный эффект, который способствует разрыхлению поверхностного слоя при очистке, который образуется при термической обработке во время прокатки.

Сода и ПАВ способствуют переводу оставшихся частиц в раствор - гидрофобная часть молекулы ПАВ захватывает оставшиеся частицы масел, происходит процесс эмульгирования, поверхность становится чистой и приобретает золотистый цвет.

После очистки поверхности в ацетоне и сушки на воздухе фольга припоя становится блестящей, без подтеков и цветов побежалости.

Пример

Очистку фольги припоя Au-Si проводили в 5 ваннах ультразвукового комплекса. Фольга выполнена в виде квадратов размером 50×50 мм и толщиной 30 мкм.

Составы растворов и режимы химического обезжиривания фольги припоя Au-Si приведены в таблице 1.

Квадраты фольги Au-Si помещали в первую ванну с нагретым до температуры 190°С раствором состава в масс. %: KОН 20, глицерин 55, вода 25. Очистку квадратов фольги Au-Si проводили в течение 6 мин.

Квадраты фольги извлекали из первой ванны и помещали во вторую, где очищали с наложением ультразвука (частота 40 кГц) в деионизованной воде при температуре 55°С в течение 4 мин.

Квадраты фольги помещали в третью ванну с нагретым до температуры 65°С раствором состава в масс. %: KОН 3,5, соду Na2CO3 3,25, синтанол ДС-10 0,3, вода - остальное. Очистку проводили с наложением ультразвука (частота 40 кГц) в течение 25 мин.

Квадраты фольги извлекали из третьей ванны и помещали в четвертую, где очищали в деионизованной воде при температуре 65°С в течение 2,5 мин.

Квадраты фольги помещали в пятую ванну с ацетоном с наложением ультразвука (частота 40 кГц) и проводили финишную очистку при комнатной температуре в течение 2,5 мин. Затем фольгу сушили горячим (100°С) воздухом.

Фольга припоя стала блестящей, без подтеков и цветов побежалости.

Для ванны 1 и ванны 3 были приготовлены 3 раствора в соответствии с таблицей 1. Первый состав с нижним пределом, второй со средним пределом и третий с верхним пределом концентрации компонентов в соответствии с формулой изобретения.

Концентрация компонентов растворов вне пределов, заявленных в формуле, приводит к следующим результатам:

в ванне 1-а) состав с концентрацией, меньшей, чем в первом: разрыхление приповерхностного слоя только начинается, поверхность фольги становится матовой;

б) состав с концентрацией, большей, чем в третьем:

разрыхление приповерхностного слоя полное, но из-за сильного кипения раствора наблюдается повышенное пенообразование, выходящее за пределы ванны.

В ванне 3-а) состав с концентрацией, меньшей, чем в первом: неполное обезжиривание, поверхность фольги светло-серая, полублестящая;

б) состав с концентрацией, большей, чем в третьем:

при увеличении концентрации ДС-10 (>>0,35 масс. %) наблюдается повышенное мицеллообразование (помутнение раствора), что снижает действие ПАВ [А.П. Бобров, С.В. Цаплин, П.П. Пурыгин. Разработка и исследование процесса очистки металлических деталей от смазочных материалов растворами ПАВ. Вестник Сам ГУ - Естественнонаучная серия, 2007. №2 (52)].

Растворы приготавливали следующим образом.

Для ванны I.

В ванночку из нержавеющей стали наливали глицерин марки ЧДА (ГОСТ6259 - 75), насыпали твердую щелочь KОН (ГОСТ 24363 - 80), доливали деионизованную воду, соблюдая пропорции, указанные в таблице. Смесь нагревали до 180-200°С и выдерживали до получения однородного состава. Ванночку помещали в первую ванну.

Для ванны III.

В ванночку из нержавеющей стали наливали деионизованную воду (см. табл. 1), затем растворяли щелочь KОН и соду кальцинированную Na2CO3, далее раствор подогревали до температуры 50°С и добавляли пасту белого цвета - синтанол ДС-10 (ТУ 6-14-577-88), помешивая стеклянной палочкой до полного ее растворения.

Таким образом, очистка припоя в ваннах УЗК с повышенной концентрацией щелочной среды и повышенной температурой растворов обеспечивает полное удаление органических загрязнений с поверхности лент, фольг после прокатки эвтектических НТ-припоев и, как следствие, повышает качество бесфлюсовой пайки кристаллов полупроводниковых компонентов.

Очищенной фольгой припоя Au-Si была проведена пайка кристаллов кремниевых транзисторов, был получен 100%-ый припой по всему периметру паяного шва.

Кроме того, достоинствами предлагаемого способа очистки являются простота приготовления растворов, доступность и дешевизна компонентов отечественного производства, отсутствие токсичных веществ в их составе, а также повышение пожаробезопасности (температура вспышки синтанола марки АЛМ-10 и ДС-10 220°С и 247°С) и экологичности процесса очистки (биологическая разлагаемость синтанола ДС-10 около 80%).

Способ очистки перед пайкой припоя, выполненного в виде фольги или ленты, включающий его обезжиривание в первой ванне ультразвукового комплекса в водном растворе, содержащем моющее средство, очистку с наложением ультразвука во второй и третьей ванне, очистку водой в четвертой ванне и очистку в пятой ванне с наложением ультразвука с последующей сушкой горячим воздухом, при этом в первой ванне обезжиривание проводят при температуре 180-200°С в течение 5-7 мин моющим средством, содержащим, мас.%: щелочь KОН или NaOH 15-25, глицерин 50-60, вода – остальное, во второй ванне очистку производят при температуре 50-60°С в течение 3-5 мин деионизованной водой, в третьей ванне - при температуре 60-70°С в течение 20-30 мин моющим средством, содержащим, мас.%: щелочь KОН или NaOH 3-4, сода NaCO 3-3,5, ПАВ-синтанол 0,25-0,35, вода - остальное, при температуре 60-70°С в течение 20-30 мин, в четвертой ванне очистку проводят деионизованной водой при температуре 60-70°С в течение 2-3 мин, а в пятой ванне очистку проводят в ацетоне при комнатной температуре в течение 2-3 мин с наложением ультразвука.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 62.
27.07.2013
№216.012.5943

Флюс для пайки особолегкоплавкими припоями

Изобретение может быть использовано при пайке и лужении никелевых сплавов, нержавеющих и углеродистых сталей особолегоплавкими припоями. Упомянутые припои представляют собой сплавы на основе олова, индия и висмута с температурами пайки ниже или равными 140°С. Флюс для пайки содержит компоненты...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002488472
Дата охранного документа: 27.07.2013
27.06.2014
№216.012.d894

Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает изготовление многослойной диэлектрической подложки, нанесение на каждый из диэлектрических слоев металлизационного покрытия топологического рисунка и экранной заземляющей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002521222
Дата охранного документа: 27.06.2014
27.12.2014
№216.013.14e3

Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает формирование многослойной диэлектрической подложки посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с обеспечением формирования, по меньшей мере, одного сквозного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002536771
Дата охранного документа: 27.12.2014
10.08.2015
№216.013.6be1

Способ определения плотности твердых материалов и устройство для его осуществления

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к способам измерения плотности образцов твердых материалов и применяющимся для этого устройствам. Способ определения плотности твердых материалов включает последовательное определение веса сосуда с жидкостью, определение веса образца...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002559175
Дата охранного документа: 10.08.2015
10.09.2015
№216.013.782b

Завихритель потока текучей среды

Изобретение относится к транспортировке текучих сред по трубопроводам и может быть использовано в устройствах воздействия на поток текучей среды в трубопроводе. Завихритель содержит цилиндрический корпус, внутри которого концентрично установлены три лопатки треугольной формы. Лопатки закреплены...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562352
Дата охранного документа: 10.09.2015
10.09.2015
№216.013.79e9

Сверхмощный свч прибор клистронного типа

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к электровакуумным СВЧ-приборам, предназначенным для получения сверхбольших импульсных и средних мощностей. Технический результат - повышение КПД и импульсной и средней выходной мощности. Сверхмощный СВЧ-прибор клистронного типа содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562798
Дата охранного документа: 10.09.2015
20.09.2015
№216.013.7bea

Мощный полевой транзистор свч

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. В мощном полевом транзисторе СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре упомянутая гетероструктура выполнена в виде последовательности следующих основных слоев: по меньшей мере одного буферного слоя GaAs толщиной не менее 200 нм, группы проводящих...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002563319
Дата охранного документа: 20.09.2015
20.09.2015
№216.013.7ccb

Полупроводниковая гетероструктура

Изобретение относится к электронной технике. Полупроводниковая гетероструктура для мощного полевого транзистора СВЧ содержит на монокристаллической полуизолирующей подложке арсенида галлия последовательность полупроводниковых слоев каждый с заданными функциональными свойствами и техническими...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002563544
Дата охранного документа: 20.09.2015
20.09.2015
№216.013.7ccc

Мощный полевой транзистор свч

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. В мощном полевом транзисторе СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре упомянутая полупроводниковая гетероструктура выполнена в виде последовательности следующих основных слоев, по меньшей мере, одного буферного слоя GaAs толщиной не менее 200 нм,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002563545
Дата охранного документа: 20.09.2015
20.11.2015
№216.013.8f24

Способ изготовления диэлектрического резонатора свч

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Технический результат - повышение точности получения значения величины температурного коэффициента частоты диэлектрического резонатора СВЧ. Для этого способ осуществляет приготовление шихты заданного керамического диэлектрического материала,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002568260
Дата охранного документа: 20.11.2015
Показаны записи 1-10 из 48.
27.07.2013
№216.012.5943

Флюс для пайки особолегкоплавкими припоями

Изобретение может быть использовано при пайке и лужении никелевых сплавов, нержавеющих и углеродистых сталей особолегоплавкими припоями. Упомянутые припои представляют собой сплавы на основе олова, индия и висмута с температурами пайки ниже или равными 140°С. Флюс для пайки содержит компоненты...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002488472
Дата охранного документа: 27.07.2013
27.06.2014
№216.012.d894

Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает изготовление многослойной диэлектрической подложки, нанесение на каждый из диэлектрических слоев металлизационного покрытия топологического рисунка и экранной заземляющей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002521222
Дата охранного документа: 27.06.2014
27.12.2014
№216.013.14e3

Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает формирование многослойной диэлектрической подложки посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с обеспечением формирования, по меньшей мере, одного сквозного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002536771
Дата охранного документа: 27.12.2014
10.08.2015
№216.013.6be1

Способ определения плотности твердых материалов и устройство для его осуществления

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к способам измерения плотности образцов твердых материалов и применяющимся для этого устройствам. Способ определения плотности твердых материалов включает последовательное определение веса сосуда с жидкостью, определение веса образца...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002559175
Дата охранного документа: 10.08.2015
10.09.2015
№216.013.782b

Завихритель потока текучей среды

Изобретение относится к транспортировке текучих сред по трубопроводам и может быть использовано в устройствах воздействия на поток текучей среды в трубопроводе. Завихритель содержит цилиндрический корпус, внутри которого концентрично установлены три лопатки треугольной формы. Лопатки закреплены...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562352
Дата охранного документа: 10.09.2015
10.09.2015
№216.013.79e9

Сверхмощный свч прибор клистронного типа

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к электровакуумным СВЧ-приборам, предназначенным для получения сверхбольших импульсных и средних мощностей. Технический результат - повышение КПД и импульсной и средней выходной мощности. Сверхмощный СВЧ-прибор клистронного типа содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562798
Дата охранного документа: 10.09.2015
20.09.2015
№216.013.7bea

Мощный полевой транзистор свч

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. В мощном полевом транзисторе СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре упомянутая гетероструктура выполнена в виде последовательности следующих основных слоев: по меньшей мере одного буферного слоя GaAs толщиной не менее 200 нм, группы проводящих...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002563319
Дата охранного документа: 20.09.2015
20.09.2015
№216.013.7ccb

Полупроводниковая гетероструктура

Изобретение относится к электронной технике. Полупроводниковая гетероструктура для мощного полевого транзистора СВЧ содержит на монокристаллической полуизолирующей подложке арсенида галлия последовательность полупроводниковых слоев каждый с заданными функциональными свойствами и техническими...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002563544
Дата охранного документа: 20.09.2015
20.09.2015
№216.013.7ccc

Мощный полевой транзистор свч

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. В мощном полевом транзисторе СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре упомянутая полупроводниковая гетероструктура выполнена в виде последовательности следующих основных слоев, по меньшей мере, одного буферного слоя GaAs толщиной не менее 200 нм,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002563545
Дата охранного документа: 20.09.2015
20.11.2015
№216.013.8f24

Способ изготовления диэлектрического резонатора свч

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Технический результат - повышение точности получения значения величины температурного коэффициента частоты диэлектрического резонатора СВЧ. Для этого способ осуществляет приготовление шихты заданного керамического диэлектрического материала,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002568260
Дата охранного документа: 20.11.2015
+ добавить свой РИД