×
09.06.2019
219.017.77b4

ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ-ДИАПАЗОНА

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к электронной технике. Техническим результатом изобретения является улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и расширение функциональных возможностей при сохранении электрических характеристик за счет уменьшения площади, занимаемой элементами гибридной интегральной схемы и их соединениями. Сущность изобретения: гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит диэлектрическую подложку с топологическим рисунком металлизации на лицевой ее стороне, пленочный конденсатор, верхняя металлическая обкладка которого выполнена в составе топологического рисунка металлизации, а нижней служит поверхность металла, заполняющего отверстие в диэлектрической подложке и выходящего на ее лицевую сторону, при этом отверстие расположено непосредственно под верхней металлической обкладкой, а в диэлектрической пленке пленочного конденсатора над его нижней и вне площади верхней металлической обкладки выполнено отверстие, через которое нижняя металлическая обкладка непосредственно соединена с топологическим рисунком металлизации. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к электронной технике, а именно к гибридным интегральным схемам СВЧ-диапазона.

Известна гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона, содержащая диэлектрическую подложку с локальной глазированной областью, на лицевой стороне глазированной области в составе топологического рисунка металлизации выполнен пленочный конденсатор, состоящий из верхней и нижней металлических обкладок и диэлектрической пленки между ними. На обратной стороне диэлектрической подложки выполнена экранная заземляющая металлизация. В диэлектрической подложке вне пределов расположения пленочного конденсатора выполнено отверстие, заполненное металлом, посредством которого нижняя обкладка пленочного конденсатора соединена с экранной заземляющей металлизацией (1).

Недостатками данной гибридной интегральной схемы СВЧ являются низкая технологичность и высокие массогабаритные характеристики из-за выполнения отверстия для соединения нижней обкладки пленочного конденсатора с экранной заземляющей металлизацией за пределами конденсатора.

Известна гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона - прототип, содержащая диэлектрическую подложку с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне диэлектрической подложки (2). В составе топологического рисунка металлизации выполнена верхняя металлическая обкладка пленочного конденсатора. На обратной стороне диэлектрической подложки выполнена экранная заземляющая металлизация. В диэлектрической подложке непосредственно под верхней металлической обкладкой пленочного конденсатора выполнено отверстие, которое заполнено металлом, поверхность которого, выходящая на лицевую сторону диэлектрической подложки, имеет шероховатость 0,02-0,08 мкм и служит нижней обкладкой пленочного конденсатора. Между верхней и нижней металлическими обкладками пленочного конденсатора расположена диэлектрическая пленка конденсатора, толщиной 0,05-5 мкм, а размер диэлектрической пленки пленочного конденсатора превышает в плане размер верхней металлической обкладки на 5-400 мкм.

Преимущество прототипа перед аналогом состоит в улучшении массогабаритных характеристик, но недостаточно.

Недостатками данной гибридной интегральной схемы СВЧ являются низкая технологичность и относительно высокие массогабаритные характеристики, обусловленные расположением отверстия для соединения нижней металлической обкладки пленочного конденсатора с экранной заземляющей металлизацией.

Техническим результатом изобретения является улучшение массогабаритных характеристик, повышение технологичности и расширение функциональных возможностей при сохранении электрических характеристик.

Технический результат достигается тем, что в известной гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона, содержащей диэлектрическую подложку с топологическим рисунком металлизации на лицевой стороне, в составе топологического рисунка металлизации выполнена верхняя металлическая обкладка пленочного конденсатора, в диэлектрической подложке непосредственно под верхней металлической обкладкой пленочного конденсатора выполнено отверстие, заполненное металлом, поверхность которого, выходящая на лицевую сторону диэлектрической подложки, имеет шероховатость 0,02-0,08 мкм и служит нижней металлической обкладкой пленочного конденсатора, между верхней и нижней металлическими обкладками расположена диэлектрическая пленка пленочного конденсатора толщиной 0,05-5 мкм, а ее размер в плане превышает размер верхней металлической обкладки на 5-400 мкм, в диэлектрической пленке пленочного конденсатора, над его нижней металлической обкладкой, вне площади и на расстоянии 50-500 мкм от его верхней металлической обкладки, выполнено отверстие, через которое нижняя металлическая обкладка пленочного конденсатора непосредственно соединена с топологическим рисунком металлизации.

Отверстие в диэлектрической подложке может быть заполнено металлом с лицевой ее стороны на глубину не менее 5 мкм.

Отверстие в диэлектрической подложке может быть выполнено глухим.

Отверстие в диэлектрической подложке может быть заполнено металлом в виде металлической вставки, соразмерной с отверстием в диэлектрической подложке и закрепленной в нем связующим веществом, при этом зазор между металлической вставкой и внутренней поверхностью отверстия меньше или равен 0,5 мм.

Внутренняя поверхность отверстия в диэлектрической подложке может быть металлизирована.

Поверхность нижней металлической обкладки пленочного конденсатора со стороны диэлектрической пленки может иметь дополнительное металлизационное покрытие толщиной 0,05-5 мкм.

Поверхность нижней обкладки пленочного конденсатора может иметь пассивирующее покрытие толщиной 1,22-2000 Å.

Наличие отверстия в диэлектрической пленке пленочного конденсатора и выполнение его указанным образом над нижней металлической обкладкой пленочного конденсатора позволит непосредственно соединить нижнюю металлическую обкладку пленочного конденсатора с топологическим рисунком металлизации и тем самым:

- во-первых, уменьшить площадь, занимаемую как самим пленочным конденсатором, так и его соединениями и уменьшить массогабаритные характеристики;

- во-вторых, использовать пленочный конденсатор не только в качестве блокировочного конденсатора при условии соединения нижней металлической обкладки с заземляющей металлизацией на лицевой стороне диэлектрической подложки в случае копланарной линии передачи, но и в качестве разделительного конденсатора и тем самым расширить функциональные возможности гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона;

- в-третьих, повысить технологичность за счет непосредственного соединения нижней металлической обкладки тонкопленочного конденсатора с топологическим рисунком металлизации.

Выполнение отверстия в диэлектрической пленке на расстоянии от верхней металлической обкладки пленочного конденсатора менее 50 мкм недопустимо из-за возможности пробоя по поверхности диэлектрической пленки конденсатора, а более 500 мкм ухудшит массогабаритные характеристики.

Заполнение отверстия в диэлектрической подложке металлом с лицевой стороны диэлектрической подложки на глубину менее 5 мкм увеличит потери мощности СВЧ-сигнала.

Выполнение отверстия в диэлектрической подложке глухим позволит дополнительно улучшить массогабаритные характеристики и повысить технологичность.

Заполнение отверстия в диэлектрической подложке металлом в виде указанной металлической вставки улучшит проводимость нижней металлической обкладки конденсатора и тем самым повысит технологичность и несколько улучшит электрические характеристики.

Выполнение указанного зазора более 0,5 мм затруднит закрепление металлической вставки в отверстии диэлектрической подложки и снизит технологичность.

Металлизация отверстия в диэлектрической подложке упростит закрепление металлической вставки и тем самым повысит технологичность.

Наличие дополнительного металлизационного покрытия на нижней металлической обкладке пленочного конденсатора со стороны его диэлектрической пленки улучшит проводимость нижней металлической обкладки пленочного конденсатора и тем самым позволит сохранить электрические характеристики, повысить технологичность за счет упрощения изготовления диэлектрической пленки пленочного конденсатора.

Дополнительная металлизация толщиной менее 0,05 мкм не обеспечит необходимую проводимость, а более 5 мкм ухудшит массогабаритные характеристики.

Наличие пассивирующего покрытия на нижней металлической обкладке пленочного конденсатора обеспечит ее сохранность и тем самым повысит технологичность.

Пассивирующее покрытие толщиной менее 1,22 А обеспечить невозможно, а более 2000 А снизит технологичность.

Изобретение поясняется чертежами.

На фиг.1 представлена предлагаемая гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона, где

- диэлектрическая подложка - 1,

- топологический рисунок металлизации - 2,

- пленочный конденсатор - 3,

- отверстие в диэлектрической подложке - 4,

- металл, заполняющий отверстие, - 5,

- верхняя металлическая обкладка пленочного конденсатора - 6,

- нижняя металлическая обкладка пленочного конденсатора - 7,

- диэлектрическая пленка пленочного конденсатора - 8,

- отверстие в диэлектрической пленке пленочного конденсатора - 9.

На фиг.2 представлен вариант гибридной интегральной схемы, в котором отверстие в диэлектрической подложке 4 выполнено глухим, а металл 5, заполняющий отверстие, выполнен в виде металлической вставки, которая закреплена связующим веществом - 10.

Пример 1.

Гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит диэлектрическую подложку 1, например из поликора (ВК-100-1) Ще.7.817.0.10-05. Ще.781.000ТУ размером 48×60×0,5 с топологическим рисунком металлизации 2 на лицевой стороне, выполненным из структуры металлов Cr-Cu-Cu-Ni-Au, толщиной 0,02, 1, 3, (0,6-0,8), 3 мкм соответственно, при этом слои Cr и Cu (1 мкм) нанесены вакуумным напылением, а Cu (3 мкм), Ni, Au нанесены гальваническим осаждением. В составе топологического рисунка металлизации 2 выполнена верхняя металлическая обкладка 6 пленочного конденсатора 3. В диэлектрической подложке 1 непосредственно под верхней металлической обкладкой пленочного конденсатора выполнено отверстие 4 диаметром 1,5 мм, заполненное металлом 5, например, молибдено-марганцевой пастой, при этом поверхность металла, выходящая на лицевую сторону диэлектрической подложки 1, имеет шероховатость 0,05 мкм и служит нижней металлической обкладкой пленочного конденсатора 7, между верхней и нижней металлическими обкладками пленочного конденсатора расположена диэлектрическая пленка пленочного конденсатора 8, например из нитрида кремния толщиной 0,3 мкм, при этом ее размер превышает в плане размер верхней металлической обкладки пленочного конденсатора 6 на 200 мкм. В диэлектрической пленке пленочного конденсатора 8 над нижней металлической обкладкой пленочного конденсатора 7 вне площади верхней металлической обкладки пленочного конденсатора 6 и на расстоянии 250 мкм от его верхней металлической обкладки выполнено отверстие 9 диаметром 0,3 мм, через которое нижняя металлическая обкладка пленочного конденсатора 7 непосредственно соединена с топологическим рисунком металлизации 2.

Пример 2.

Гибридная интегральная схема СВЧ выполнена аналогично примеру 1, но при этом металл 5, заполняющий отверстие в диэлектрической подложке 4, выполнен в виде металлической вставки, например, из сплава МД-50 (50% меди и 50% молибдена) диаметром 1,3 мм, расположенной в отверстии с зазором 0,2 мм и закрепленной в нем связующим веществом 10, например припоем Au-Si - эвтектического состава, либо стеклом с температурой плавления 400-450°С таким образом, что ее плоскость, выходящая на лицевую сторону диэлектрической подложки, была заподлицо с ней, при этом внутренняя поверхность отверстия в диэлектрической подложке металлизирована, например, Pd-Ni-Cr-Cu-Ni-Au, а поверхность нижней металлической обкладки пленочного конденсатора дополнительно металлизирована, например, Al толщиной 0,6 мкм, который осажден вакуумным напылением, а затем анодирован на глубину 0,3 мкм.

Пример 3.

Гибридная интегральная схема СВЧ выполнена аналогично примеру 1, но при этом нижняя металлическая обкладка пленочного конденсатора имеет пассивирующее покрытие, например, из диэлектрической алмазоподобной пленки углерода толщиной 1000 А.

Таким образом, предложенная конструкция гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона по сравнению с прототипом позволит:

- во-первых, уменьшить площадь, занимаемую как самим пленочным конденсатором, так и его соединениями и тем самым уменьшить массогабаритные характеристики;

- во-вторых, использовать пленочный конденсатор не только в качестве блокировочного конденсатора при условии соединения нижней металлической обкладки пленочного конденсатора с заземляющей металлизацией на лицевой стороне диэлектрической подложки в случае копланарной линии передачи, но и в качестве разделительного конденсатора и тем самым расширить функциональные возможности гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона.

При этом сохранены электрические параметры и даже возможно их некоторое улучшение.

ИСТОЧНИКИ ИНФОРМАЦИИ

1. Темнов А.М., Силин Р.А., Михальченков А.Г. Гибридно-монолитные интегральные приборы СВЧ: конструирование и технология изготовления. Обзоры по электронной технике. Сер. 1, Электроника СВЧ, вып. 20(1319), 1987 г., стр.14.

2. Патент РФ №2235390 приоритет 27.01.03 г. МПК7 H 01 L 27/13, Н 05 К 1/16.

1.ГибриднаяинтегральнаясхемаСВЧ-диапазона,содержащаядиэлектрическуюподложкустопологическимрисункомметаллизациинаеелицевойстороне,всоставетопологическогорисункаметаллизациивыполненаверхняяметаллическаяобкладкапленочногоконденсатора,вдиэлектрическойподложкенепосредственноподверхнейметаллическойобкладкойпленочногоконденсаторавыполненоотверстие,заполненноеметаллом,поверхностькоторого,выходящаяналицевуюсторонудиэлектрическойподложки,имеетшероховатость0,02-0,08мкмислужитнижнейметаллическойобкладкойпленочногоконденсатора,междуверхнейинижнейметаллическимиобкладкамирасположенадиэлектрическаяпленкапленочногоконденсаторатолщиной0,05-5мкм,приэтомееразмерпревышаетвпланеразмерверхнейметаллическойобкладкина5-400мкм,отличающаясятем,чтовдиэлектрическойпленкепленочногоконденсаторанадегонижнейметаллическойобкладкойвнеплощадиинарасстоянии50-500мкмотеговерхнейметаллическойобкладкивыполненоотверстие,черезкотороенижняяметаллическаяобкладкапленочногоконденсаторанепосредственносоединенастопологическимрисункомметаллизации.12.ГибриднаяинтегральнаясхемаСВЧ-диапазонапоп.1,отличающаясятем,чтоотверстиевдиэлектрическойподложкезаполненометалломслицевойеесторонынаглубинунеменее5мкм.23.ГибриднаяинтегральнаясхемаСВЧ-диапазонапоп.1,отличающаясятем,чтоотверстиевдиэлектрическойподложкевыполненоглухим.34.ГибриднаяинтегральнаясхемаСВЧ-диапазонапоп.1или3,отличающаясятем,чтоотверстиевдиэлектрическойподложкезаполненометалломввидеметаллическойвставки,соразмернойсотверстиемвдиэлектрическойподложке,приэтомвнутренняяповерхностьотверстиявдиэлектрическойподложкеметаллизирована,азазормеждуметаллическойвставкойивнутреннейповерхностьюотверстияменьшеилиравен0,5мм.45.ГибриднаяинтегральнаясхемаСВЧ-диапазонапоп.1,отличающаясятем,чтоповерхностьнижнейметаллическойобкладкипленочногоконденсаторасостороныегодиэлектрическойпленкиимеетдополнительноеметаллизационноепокрытиетолщиной0,05-5мкм.56.ГибриднаяинтегральнаясхемаСВЧ-диапазонапоп.1,отличающаясятем,чтоповерхностьнижнейметаллическойобкладкипленочногоконденсаторасостороныегодиэлектрическойпленкиимеетпассивирующеепокрытиетолщиной1,22-2000Å.6
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 62.
10.01.2013
№216.012.18f7

Устройство для вакуумного нанесения материала

Изобретение относится к вакуумной технике, а именно к устройствам для вакуумного нанесения материалов, предназначенных, прежде всего, для использования в электронной технике. Устройство для вакуумного нанесения материала содержит вакуумную камеру, в которой расположены испаритель наносимого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002471883
Дата охранного документа: 10.01.2013
20.01.2013
№216.012.1df8

Смеситель свч

Изобретение относится к электронной технике. Достигаемый технический результат - расширение рабочего диапазона частот, в том числе включая крайне высокие, снижение потерь преобразования. Смеситель СВЧ содержит коаксиально-волноводный тройник в виде отрезка прямоугольного волновода, коаксиальную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002473166
Дата охранного документа: 20.01.2013
10.02.2013
№216.012.24cb

Интегральная схема свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно интегральным схемам СВЧ, и может быть широко использовано в электронной технике СВЧ, в частности в радиолокационных станциях с фазированными антенными решетками (ФАР). Технический результат - улучшение электрических характеристик, повышение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474921
Дата охранного документа: 10.02.2013
10.04.2013
№216.012.34e0

Двухканальный переключатель свч

Изобретение относится к технике СВЧ. Двухканальный переключатель СВЧ содержит три линии передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна линия передачи предназначена для входа СВЧ сигнала, две другие - для выхода, отрезок линии передачи, два полевых транзистора с барьером Шотки....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002479079
Дата охранного документа: 10.04.2013
20.06.2013
№216.012.4c24

Способ изготовления изделий из огнеупорного керамического материала для электронной техники свч

Изобретение относится к способу изготовления изделий из огнеупорного керамического материала для использования в электронной технике СВЧ: муфеля печи, лодочки и их элементов. Поверхность частиц оксида алюминия увлажняют поверхностно-активным веществом, смешивают частицы оксида алюминия и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485074
Дата охранного документа: 20.06.2013
20.06.2013
№216.012.4de9

Устройство для измерения полного сопротивления двухполюсника на свч

Изобретение относится к измерительной технике на СВЧ и может использоваться при проектировании изделий электронной техники СВЧ различного назначения. Техническим результатом выступает расширение рабочей полосы частот и снижение погрешности измерений, а также упрощение конструкции и возможность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485527
Дата охранного документа: 20.06.2013
20.06.2013
№216.012.4e47

Способ изготовления мощного транзистора свч

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощного транзистора СВЧ включает формирование на лицевой стороне полупроводниковой подложки топологии, по меньшей мере, одного кристалла транзистора, формирование электродов транзистора, формирование, по меньшей мере, одного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485621
Дата охранного документа: 20.06.2013
10.08.2013
№216.012.5e55

Гибридная интегральная схема свч

Изобретение относится к гибридным интегральным схемам СВЧ и предназначено для радиоэлектронных устройств различного назначения, в том числе радиолокационных станции с фазированными антенными решетками (ФАР). Технический результат - улучшение электрических характеристик гибридных интегральных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002489770
Дата охранного документа: 10.08.2013
27.09.2013
№216.012.7055

Устройство для измерения параметров рассеяния четырехполюсника на свч

Заявлено устройство относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения параметров рассеяния четырехполюсника на СВЧ. Техническим результатом заявленного устройства выступает упрощение и повышение точности устройства для измерения параметров рассеяния четырехполюсника на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002494408
Дата охранного документа: 27.09.2013
27.09.2013
№216.012.70ab

Способ изготовления корпуса мощного полупроводникового прибора свч

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления корпуса мощного полупроводникового прибора СВЧ включает изготовление высокотеплопроводного основания и рамки из металла или сплава металлов, изготовление выводов, совмещение рамки с выводами и высокотеплопроводного основания,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002494494
Дата охранного документа: 27.09.2013
Показаны записи 1-10 из 11.
27.03.2013
№216.012.319e

Гибридная интегральная схема свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Техническим результатом изобретения является улучшение электрических характеристик и повышение технологичности гибридной интегральной схемы. Гибридная интегральная схема...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002478240
Дата охранного документа: 27.03.2013
10.08.2013
№216.012.5e55

Гибридная интегральная схема свч

Изобретение относится к гибридным интегральным схемам СВЧ и предназначено для радиоэлектронных устройств различного назначения, в том числе радиолокационных станции с фазированными антенными решетками (ФАР). Технический результат - улучшение электрических характеристик гибридных интегральных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002489770
Дата охранного документа: 10.08.2013
10.11.2013
№216.012.800e

Мощная гибридная интегральная схема свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике, а именно к конструкции мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона длин волн. Технический результат - улучшение тепловых и электрических характеристик. Достигается тем, что мощная гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона содержит электро- и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002498455
Дата охранного документа: 10.11.2013
27.06.2014
№216.012.d894

Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает изготовление многослойной диэлектрической подложки, нанесение на каждый из диэлектрических слоев металлизационного покрытия топологического рисунка и экранной заземляющей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002521222
Дата охранного документа: 27.06.2014
27.12.2014
№216.013.14e3

Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает формирование многослойной диэлектрической подложки посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с обеспечением формирования, по меньшей мере, одного сквозного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002536771
Дата охранного документа: 27.12.2014
10.01.2015
№216.013.187b

Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании мощных гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона многоцелевого назначения. Технический результат - улучшение электрических характеристик за счет улучшения теплоотвода, повышение технологичности при сохранении...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002537695
Дата охранного документа: 10.01.2015
20.02.2015
№216.013.281c

Выводная рамка для многокристального полупроводникового прибора свч

Изобретение относится к электронной технике. В выводной рамке для многокристального полупроводникового прибора СВЧ, содержащей, по меньшей мере, два вывода каждый с внешними и внутренними концами, внешние концы выводов соединены с технологической рамкой, внутренние концы каждого вывода имеют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002541725
Дата охранного документа: 20.02.2015
20.02.2019
№219.016.be6f

Гибридная интегральная схема свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Сущность изобретения: в гибридной интегральной схеме СВЧ-диапазона, содержащей диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой расположен топологический рисунок металлизации, а на обратной стороне - экранная заземляющая металлизация, по...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002390877
Дата охранного документа: 27.05.2010
11.03.2019
№219.016.d693

Способ изготовления окна вывода энергии свч и квч электронных приборов

Изобретение относится к способам изготовления волноводных узлов устройств СВЧ и КВЧ диапазонов. Техническим результатом является снижение трудоемкости и стоимости изготовления, а также повышение надежности. Заданную конфигурацию диэлектрической пластины задают вакуумным напылением...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002285313
Дата охранного документа: 10.10.2006
10.04.2019
№219.017.02e5

Способ изготовления гибридной интегральной схемы свч-диапазона

Изобретение относится к электронной технике. Сущность изобретения: в способе изготовления гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, включающем изготовление на лицевой стороне диэлектрической подложки топологического рисунка металлизации пленочных проводников и, по крайней мере, одной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002314595
Дата охранного документа: 10.01.2008
+ добавить свой РИД