×
18.05.2018
218.016.51f8

Результат интеллектуальной деятельности: Магнитоэлектрический композиционный материал для датчика магнитного поля

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Использование: для получения МЭ композиционных материалов с внутренним постоянным магнитным полем. Сущность изобретения заключается в том, что магнитоэлектрический композиционный материал для датчика магнитного поля содержит магнитострикционную и пьезоэлектрическую из керамики цирконат-титаната свинца PbZrTiO компоненты, где магнитострикционная компонента содержит внутреннее постоянное магнитное поле смещения, магнитострикционный слой сформирован из распределенных в эпоксидном компаунде гранул терфенола TbDyFe, а внутреннее постоянное магнитное поле смещения создается разделением магнитострикционного слоя на две области с различной концентрацией гранул TbDyFeТехнический результат: обеспечение возможности получения МЭ композиционных материалов с внутренним постоянным магнитным полем, демонстрирующих оптимальные МЭ коэффициенты, упрощение условий использования материала в устройствах. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к магнитоэлектрическим (МЭ) материалам и может быть применено в устройствах, где магнитное поле используется для управления электрическими параметрами (прямой МЭ эффект), а внешнее электрическое поле используется для управления магнитными параметрами (обратный МЭ эффект), например, в датчиках магнитных полей, в сверхвысокочастотных резонаторах, в магнитоэлектрической памяти.

Известны смесевые, слоистые и тонкопленочные магнитоэлектрические композиционные материалы (М. Fiebig. Revival of the magnetoelectric effect, J. Phys. D: Appl. Phys., V. 38, R 123-R 152, 2005). Недостатком этих материалов являются незначительные МЭ коэффициенты в отсутствие внешнего постоянного магнитного поля смещения.

Из работы авторов настоящего изобретения (А.В. Калгин, С.А. Гриднев, Z.H. Gribe. Прямой магнитоэлектрический эффект в двухслойных композитных структурах Tb0.12Dy0.2Fe0.68 - PbZr0.53Ti0.47O3 при изгибных и продольных колебаниях, ФТТ, Т. 56, Вып. 11, С. 2111-2114, 2014) известен двухслойный МЭ композиционный материал, полученный нанесением магнитострикционного слоя из тщательно перемешанных ферромагнитных гранул терфенола Tb0,12Dy0,2Fe0,68(TDF) и эпоксидного компаунда на предварительно поляризованную пьезоэлектрическую пластину из керамики цирконата-титаната свинца PbZr0,53Ti0,47O3 (PZT). Недостаток этого материала заключается в том, что для обеспечения в нем оптимальной эффективности МЭ взаимодействия необходимо использовать подмагничивающее внешнее постоянное магнитное поле.

Известны МЭ композиционные материалы с внутренним магнитным полем смещения, которые не требуют внешнего постоянного магнитного поля смещения для получения пригодных для практики МЭ коэффициентов (Y. Zhou, D. Maurya, Y. Yan, G. Srinivasan, E. Quandt, S. Priya. Self-biased magne-toelectric composites: an overview and future perspectives, Energy harvesting and systems, V. 3, I. 1, 42 pp., 2015).

Из патента РФ 2363074 (МПК H01L 41/16, H01F 1/00, опубл. 27.07. 2008), принятого за прототип, известен материал для компонентов радиоэлектронных приборов, представляющий собой двухфазную композицию магнитострикционной и сегнетоэлектрической компонент, магнитострикционная компонента которого выполнена из материала с градиентом намагниченности насыщения, а сегнетоэлектрическая компонента - из материала с градиентом поляризации.

Однако здесь возникают трудности с регулированием и подбором оптимальных по величине внутренних магнитных полей. Кроме того, предлагаемый способ приготовления магнитострикционных компонент является трудоемким технологическим процессом.

Задачей изобретения является повышение МЭ коэффициентов без подачи внешнего смещающего магнитного поля H=.

Технический результат заключается в получении МЭ композиционных материалов с внутренним постоянным магнитным полем, демонстрирующих оптимальные МЭ коэффициенты, и в упрощении условий использования материала в устройствах.

Технический результат достигается использованием двухкомпонентного материала в виде склеенных между собой магнитострикционного слоя из терфенола Tb0,12Dy0,2Fe0,68 и пьезоэлектрической керамики цирконата-титаната свинца PbZr0,53Ti0,47O3. Магнитострикционная компонента представляет собой распределенные в эпоксидном компаунде гранулы терфенола. Внутреннее постоянное магнитное поле создается разделением магнитострикционного слоя на две области с различной концентрацией гранул Tb0,12Dy0,2Fe0,68. Оптимальная концентрация гранул терфенола в первой области магнитострикционного слоя составляет 0,8 масс. долей, а во второй - от 0,33 до 0,77 масс. долей.

Для решения задачи изобретения были получены МЭ композиционные материалы (a) Tb0,12Dy0,2Fe0,68 - (b) PbZr0,53Ti0,47O3 [(a) TDF - (b) PZT] в виде склеенных между собой магнитострикционного слоя с градиентным распределением в эпоксидном компаунде концентрации терфенола TDF и пьезокерамического слоя из PZT.

На фиг. 1 показаны схематические изображения образцов композитов (а) TDF - (b) PZT, где (а) гранулы TDF распределены случайным образом и (б) имеется градиент концентрации гранул TDF вдоль длины магнитострикционного слоя (изобретение).

На фиг. 2 приведена зависимость напряженности внутреннего постоянного магнитного поля H=int (Э) от концентрации частиц х во второй области магнитострикционного слоя.

На фиг. 3 представлена зависимость поперечного МЭ коэффициента α31 (мВ/см*Э) от напряженности внутреннего постоянного магнитного поля H=int (Э) при напряженности переменного магнитного поля Н~=5 Э и резонансной частоте для 1-й гармоники продольных колебаний по ширине изобретения 0,9 TDF - 0,7 PZT с разными величинами градиента концентрации гранул TDF вдоль длины магнитострикционных слоев.

Градиент концентрации магнитных гранул приводит к градиенту намагниченности, который создает внутреннее постоянное магнитное поле. С увеличением градиента концентрации магнитных гранул внутреннее магнитное поле растет.

Решение задачи позволяет получить следующий технический результат. Выбор оптимального градиента концентрации гранул TDF создает условие для достижения внутреннего постоянного магнитного поля, обеспечивающего оптимальный МЭ коэффициент и избавляющего от необходимости использования источников внешнего постоянного магнитного поля, усложняющих конструкции МЭ устройств.

Пример

На фиг. 1 показаны схематические изображения образцов композитов (a) TDF - (b) PZT, отличающихся распределением гранул среднего размера z=71 мкм в магнитострикционных слоях. Магнитные слои образцов композитов имеют размеры 6 (длина, ZTDF) * 6 (ширина, WTDF) * а (толщина, а) мм3, где а=0,3-1,5 мм, а пьезоэлектрические слои - 8 (длина, LPZT) * 6 (ширина, WPZT) * 0,7 (толщина, b) мм3. Стрелками показаны направления внутреннего магнитного поля H=int, поляризации Р и напряженность переменного магнитного поля H~.

Массовая доля гранул в магнитострикционных слоях аналога составляет 0,8, а поскольку гранулы в нем распределены статистически равномерно, то внутреннее магнитное поле смещения H=int отсутствует. Для получения отличного от нуля H=int в изобретении создают градиент распределения магнитных гранул по длине магнитострикционного слоя. С этой целью магнитострикционный слой разделяют по длине на две половины, в одной из которых массовая доля гранул 0,8, то есть такая же, как и в аналоге, а в другой составляет х, которую изменяют по величине от 0,33 до 0,77. Это позволяет получать разное по величине H=int, направленное перпендикулярно поляризации Р в пьезоэлектрическом слое.

Напряженность H=int для изобретения 0,9TDF - 0,7PZT изменяется от 18 до 1794 Э при изменении х от 0,33 до 0,77 (фиг. 2) и определяется из зависимости поперечного МЭ коэффициента по напряжению α31 от Н= для случая равномерного распределения частиц в магнитострикционном слое 0,9TDF - 0,7PZT. Для этого на зависимости α31=) находят значения α31 для композитов с градиентным распределением гранул TDF в магнитострикционных слоях вдоль длины образцов и сопоставляют их с соответствующими им значениями Н=.

Оптимальный поперечный МЭ коэффициент по напряжению 24,2 мВ/(см⋅Э) в изобретении наблюдается при внутреннем магнитном поле величиной 720 Э, которое достигается согласно фиг. 2 при оптимальной хопт, равной 0,66. При прочих равных условиях поле H=int=720 Э приводит к росту α31 до 24,2 мВ/(см⋅Э) в изобретении 0,9TDF - 0,7PZT по сравнению с α31=14 мВ/(см⋅Э) при равномерном распределении частиц в магнитострикционном слое 0,9TDF - 0,7PZT, где H=int=0 Э.

Магнитоэлектрический композиционный материал с градиентом намагниченности может найти применение в различных устройствах электронной техники и, в частности, в датчиках магнитного поля. Коэффициент чувствительности датчика на основе изобретения 0,9TDF - 0,7PZT с Н=int=720 Э при напряженности переменного магнитного поля 5 Э, резонансной частоте 1-й гармоники продольных колебаний по ширине изобретения 226,3 кГц и температуре 20°С составит 16,9 В/Тл, что в 3,4 раза больше аналогичного коэффициента самых чувствительных стандартных датчиков Холла.

Магнитоэлектрический композиционный материал (a) TDF - (b) PZT с градиентом намагниченности получают следующим образом.

Создают статистические смеси из тщательно перемешанных ферромагнитных гранул TDF среднего размера z и эпоксидного компаунда, которые в виде двух участков наносят на предварительно поляризованную пластину из PZT так, как показано на фиг. 1б. Указанные участки отличаются массовым содержанием гранул TDF для того, чтобы создать в материале внутреннее смещающее магнитное поле. Магнитострикционный слой склеивают с пьезоэлектрическим слоем, полимеризуют при комнатной температуре в течение 24 ч, а затем шлифовальным листом доводят до требуемых геометрических размеров. Градиент концентрации магнитных гранул и толщины слоев выбирают такими, чтобы обеспечить в материале наибольший МЭ эффект.


Магнитоэлектрический композиционный материал для датчика магнитного поля
Магнитоэлектрический композиционный материал для датчика магнитного поля
Магнитоэлектрический композиционный материал для датчика магнитного поля
Источник поступления информации: Портал edrid.ru

Показаны записи 81-86 из 86.
16.05.2023
№223.018.5faa

Способ профилактики язвообразования на слизистой оболочке желудка

Настоящее изобретение относится к области медицины, а именно к способу профилактики язвообразования на слизистой оболочке желудка, включающему пероральное применение крысам гомогенного геля, содержащего хитозан, который отличается тем, что используют гель в дозах от 0,08 до 0,24 мл/100 г массы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002744455
Дата охранного документа: 09.03.2021
16.05.2023
№223.018.5fab

Способ профилактики язвообразования на слизистой оболочке желудка

Настоящее изобретение относится к области медицины, а именно к способу профилактики язвообразования на слизистой оболочке желудка, включающему пероральное применение крысам гомогенного геля, содержащего хитозан, который отличается тем, что используют гель в дозах от 0,08 до 0,24 мл/100 г массы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002744455
Дата охранного документа: 09.03.2021
16.05.2023
№223.018.60b8

Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал на базе пористого стекла и материалов группы дигидрофосфата калия

Изобретение относится к наноструктурированным материалам с выраженной сегнетоэлектрической активностью, используемым в качестве функциональных материалов в современной микро- и наноэлектронике. Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал содержит матрицу из пористого стекла и в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740563
Дата охранного документа: 15.01.2021
16.05.2023
№223.018.60b9

Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал на базе пористого стекла и материалов группы дигидрофосфата калия

Изобретение относится к наноструктурированным материалам с выраженной сегнетоэлектрической активностью, используемым в качестве функциональных материалов в современной микро- и наноэлектронике. Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал содержит матрицу из пористого стекла и в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740563
Дата охранного документа: 15.01.2021
16.05.2023
№223.018.62c0

Применения пиримидинкарбоновой кислоты в качестве стимулятора роста сахарной свеклы

Изобретение относится к области сельского хозяйства, и в частности, к регуляторам роста растений. 2-бензиламино-4-метилпиримидин-5-карбоновую кислоту применяют в качестве стимулятора роста сахарной свеклы, при этом семена замачивают в водной суспензии с массовой долей от 0,01% до 0,1%...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002788114
Дата охранного документа: 16.01.2023
16.06.2023
№223.018.7c99

Способ подготовки жирномасличного лекарственного растительного сырья для определения подлинности микроскопическим исследованием

Изобретение относится к способу подготовки высушенного жирномасличного лекарственного растительного сырья к микроскопироскопическому исследованию, включающему измельчение высушенного объекта, экстракцию жирного масла гексаном, удаление остатков растворителя из ЛРС, обработку ЛРС...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740945
Дата охранного документа: 21.01.2021
Показаны записи 1-7 из 7.
20.03.2014
№216.012.abe1

Способ создания композитной сегнетоэлектрической наноструктуры

Изобретение относится к способам синтезирования новых материалов с заданными электрофизическими характеристиками и может быть применено для создания функциональных материалов с управляемыми характеристиками для нужд современной микро- и наноэлектроники. Технический результат изобретения -...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509716
Дата охранного документа: 20.03.2014
27.09.2014
№216.012.f965

Нанокомпозитный материал с сегнетоэлектрическими характеристиками

Изобретение относится к наноструктурированным материалам с сегнетоэлектрической активностью. Технический результат заключается в получении сегнетоэлектрического материала с высокими и регулируемыми диэлектрическими и пироэлектрическими характеристиками. Нанокомпозитный материал с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002529682
Дата охранного документа: 27.09.2014
27.09.2014
№216.012.f9f2

Способ повышения устойчивости сегнетоэлектрической пленки к многократным переключениям

Изобретение относится к области применения сегнетоэлектрических материалов в качестве носителей записи информации. Технический результат заключается в уменьшении связанного с многократными переключениями эффекта усталости сегнетоэлектрической пленки. Способ повышения устойчивости...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002529823
Дата охранного документа: 27.09.2014
13.01.2017
№217.015.79e9

Нанокомпозитный сегнетоэлектрический материал на базе нанокристаллической целлюлозы и триглицинсульфата

Изобретение относится к наноструктурированным материалам с выраженной сегнетоэлектрической активностью и может быть применено в устройствах микро- и наноэлектроники. Технический результат заключается в получении сегнетоэлектрического материала с высокими и регулируемыми диэлектрическими,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002599133
Дата охранного документа: 10.10.2016
13.09.2018
№218.016.8702

Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал на базе нанокристаллической целлюлозы и сегнетовой соли

Изобретение относится к наноструктурированным материалам с выраженной сегнетоэлектрической активностью с требуемыми характеристиками, используемым в качестве функциональных материалов в современной микро- и наноэлектронике. Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал включает в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666857
Дата охранного документа: 12.09.2018
16.05.2023
№223.018.60b8

Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал на базе пористого стекла и материалов группы дигидрофосфата калия

Изобретение относится к наноструктурированным материалам с выраженной сегнетоэлектрической активностью, используемым в качестве функциональных материалов в современной микро- и наноэлектронике. Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал содержит матрицу из пористого стекла и в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740563
Дата охранного документа: 15.01.2021
16.05.2023
№223.018.60b9

Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал на базе пористого стекла и материалов группы дигидрофосфата калия

Изобретение относится к наноструктурированным материалам с выраженной сегнетоэлектрической активностью, используемым в качестве функциональных материалов в современной микро- и наноэлектронике. Сегнетоэлектрический нанокомпозитный материал содержит матрицу из пористого стекла и в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740563
Дата охранного документа: 15.01.2021
+ добавить свой РИД