×
25.08.2017
217.015.b4da

Результат интеллектуальной деятельности: Способ оптимизации аутопластических свойств малоберцовой кости

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002614095
Дата охранного документа
22.03.2017
Аннотация: Изобретение относится к травматологии и ортопедии и может быть применимо для пластики крупных осевых дефектов длинных трубчатых костей. Малоберцовую кость распиливают продольно на две части, наносят на каждую половинку множество перфораций и укладывают их на место дефекта повернутыми друг к другу кортикальными стенками. Способ позволяет оптимизировать пластические свойства малоберцовой кости. 1 ил.

Изобретение относится к медицине, а именно к травматологии-ортопедии, и может быть использовано при необходимости пластики крупных осевых дефектов длинных трубчатых костей.

Известно, что наиболее подходящим костным аутопластическим материалом являются участки крыла подвздошной кости, гребень большеберцовой кости, большой вертел, губчатая ткань эпифизов крупных костей и др. В этом плане наименее пластичной является малоберцовая кость в силу своей плотной архитектоники. Однако именно она наиболее удобна для изъятия в значительных пределах без ущерба для функции конечности. Однако использование такого трансплантата хотя и выгодно для замещения больших осевых дефектов длинных трубчатых костей, но страдает недостатком - плохо трансформируется в новую кость в силу своей биологической инертности, обусловленной обилием кортикальной основы и бедностью спонгиозной. Однако, если выполнить некоторые механические процедуры над ней, она значительно оптимизирует свои аутопластические свойства. Так, в доступной литературе мы не встретили способа оптимизации пластических возможностей малоберцовой кости. Отсюда мы можем сослаться лишь на опыт корифеев ортопедии, занимавшихся лечением дефектов и ложных суставов длинных трубчатых костей с использованием для аутопластики трансплантатов из крыла подвздошной кости, гребня и эпифиза большеберцовой кости, большого вертела бедренной кости и, реже, малоберцовой кости [Бойчев Б., Конфорти Б., Чоканов К. Оперативная ортопедия и травматология, София, 1961, с. 94-101].

Описание рисунка: Рис. 1. Схема трансплантации дефекта большеберцовой кости трансплантатом из малоберцовой кости здоровой стороны: а) здоровая голень; б) голень с дефектом в средней трети большеберцовой кости; в) замещение дефекта большеберцовой кости подготовленными (г, д, е) трансплантатами из малоберцовой кости (распил надвое, перфорация каждой половинки и укладка их на место обращенными друг к другу кортикальными стенками; г, д) половинки трансплантата из малоберцовой кости, распиленной пополам, и перфорированные; е) схема укладки половинок трансплантата друг к другу

Предложен способ оптимизации аутопластических свойств малоберцовой кости, заключающийся в ее поперечном распиле, множественной перфорации и укладке на место трансплантации кортикальными стенками друг к другу, т.е. повернутыми относительно друг друга на 180 градусов.

Предлагаемый способ технически несложен и может использоваться в случаях, когда необходимо устранить значительный осевой дефект длинной трубчатой кости, не прибегая к пластике чужеродными материалами.

Пример конкретного исполнения. Больной С., 34 г., поступил в РКБ с застарелым посттравматическим дефектом большеберцовой кости правой голени на протяжении 11 см (Рис. 1-б). После соответствующей подготовки на здоровой голени продольным разрезом выделен и поднадкостнично резецирован диафизарный участок малоберцовой кости длиной до 17 см (Рис. 1-а). Затем пилой Джильи этот трансплантат продольно распилен надвое. Каждая его половинка перфорирована спицей Киршнера на всем протяжении (до 30 перфораций, Рис. 1-г,д). Обе половинки развернуты относительно друг друга на 180 градусов и связаны кетгутовым серкляжем кортикальными стенками друг к другу (Рис. 1-е), и после освежения костномозговых каналов дефектных фрагментов большеберцовой кости внедрены в них верхним и нижним концами (Рис. 1-в). Вокруг трансплантата рыхло ушиты мягкие ткани. Ко дну раны подведен активный дренаж для отсоса гематомы. Послеоперационный период гладкий. Рентгенологически определяемая костная мозоль по ходу аутотрансплантата прослеживается с 5 недели. К концу 3-х месяцев - хороший, плотный регенерат на месте пластики. С 4-го месяца разрешена дозированная нагрузка на эту ногу. При осмотре через год - нога опорная, жалоб нет.

Способ пластики крупных осевых дефектов длинных трубчатых костей, заключающийся в использовании для этой цели малоберцовой кости, отличающийся тем, что перед применением ее распиливают продольно на две части, наносят на каждую половинку множество перфораций и укладывают их на место дефекта повернутыми друг к другу кортикальными стенками.
Способ оптимизации аутопластических свойств малоберцовой кости
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 31-40 из 51.
01.11.2018
№218.016.9878

Способ получения микроклубней картофеля in vitro

Изобретение относится к области биотехнологии. Изобретение представляет собой способ получения микроклубней картофеля in vitro, включающий черенкование пробирочных растений и высадку одноузловых черенков на агаризованную питательную среду, содержащую макро- и микроэлементы и витамины на основе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002671102
Дата охранного документа: 29.10.2018
01.11.2018
№218.016.98fb

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженной плотностью дефектов. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование поверх слоя оксида кремния...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002671294
Дата охранного документа: 30.10.2018
12.12.2018
№218.016.a59c

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления подзатворного диэлектрика с пониженной плотностью дефектов. Изобретение обеспечивает снижение плотности дефектов, повышение технологичности, улучшение параметров приборов,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002674413
Дата охранного документа: 07.12.2018
19.01.2019
№219.016.b1a1

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затвора полевого транзистора с пониженными токами утечек. Изобретение обеспечивает снижение значений токов утечек, улучшение параметров структур, повышение технологичности,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002677500
Дата охранного документа: 17.01.2019
03.03.2019
№219.016.d23f

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженной дефектностью. Изобретение обеспечивает снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002680989
Дата охранного документа: 01.03.2019
05.07.2019
№219.017.a5ce

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с повышенным значением напряжения пробоя изолирующих областей. Изобретение обеспечивает повышение значений напряжения пробоя изолирующих областей,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002693506
Дата охранного документа: 03.07.2019
11.07.2019
№219.017.b2c2

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки. Изобретение обеспечивает снижение значения токов утечек, повышение технологичности и качества, улучшение параметров приборов и увеличение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002694160
Дата охранного документа: 09.07.2019
03.08.2019
№219.017.bbe8

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с низким значением тока утечки. Технология способа состоит в следующем: гидрогенизированный аморфный кремний формировали обработкой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002696356
Дата охранного документа: 01.08.2019
01.09.2019
№219.017.c5a7

Способ изготовления преобразователя солнечной энергии с высоким кпд

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления преобразователя солнечной энергии. Способ изготовления полупроводникового прибора со структурой с р, i, n слоями, включающий процессы легирования, при этом формирование...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002698491
Дата охранного документа: 28.08.2019
02.11.2019
№219.017.de05

Кормовая добавка для ягнят

Изобретение относится к ветеринарии, в частности к кормовой добавке для ягнят. Добавка содержит "Биобактон" и "Бифидумбактерин", растворенные в воде при температуре 37°С, минеральную добавку, включающую глюконат кальция и активированный уголь, взятые в соотношении 2:1, и растительную добавку,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002704855
Дата охранного документа: 31.10.2019
Показаны записи 21-21 из 21.
04.04.2018
№218.016.368b

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии получения кремниевых пленок на сапфире с пониженной дефектностью. В способе изготовления полупроводниковой структуры проводят отжиг подложки в атмосфере водорода в течение 2 часов при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646422
Дата охранного документа: 05.03.2018
+ добавить свой РИД