×
03.08.2019
219.017.bbe8

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с низким значением тока утечки. Технология способа состоит в следующем: гидрогенизированный аморфный кремний формировали обработкой кристаллического кремния потоком ионов кремния дозой 1*10 см с энергией 250 кэВ при температуре 40°С. Водород вводили имплантацией после аморфизации с энергией 20 кэВ и дозой 5*10 см. Предложенный способ изготовления тонкопленочного транзистора позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность. Также способ обеспечивает снижение токов утечек, улучшение параметров структур, повышение технологичности и качества. 1 табл.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с низким значением тока утечки.

Известен способ изготовления тонкопленочного транзистора [Пат. 5382537 США, МКИ H01L 21/265] путем обработки в канале полевого транзистора слоя аморфного кремния через отверстия в масочных слоях Si/SiO2 эксимерным лазером с образованием затравочных кристаллов. Затем при температуре 600°С в течении 40 часов в атмосфере азота слой аморфного кремния подвергается кристаллизации с формированием крупнозернистого активного слоя. В таких структурах при различных температурных режимах повышается дефектность структуры и ухудшаются электрические параметры приборов.

Известен способ изготовления тонкопленочного транзистора [Пат. 5384271 США, МКИ H01L 21/24] на аморфном кремнии путем последовательного проведения следующих этапов работы в области канала: жидкостное травление в HF, сухое реактивное ионное травление, повторное жидкостное травление в HF, обработка в очищающем растворе, отжиг.

Недостатками этого способа являются:

- повышенные значения тока утечки;

- высокая дефектность;

- низкая технологичность.

Задача, решаемая изобретением: снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается формированием слоя гидрогенизированного аморфного кремния обработкой кристаллического кремния потоком ионов кремния дозой 1*1016 см-2 с энергией 250 кэВ при температуре 40°С, с последующей имплантацией водорода с энергией 20 кэВ, дозой 5*1015 см-2

Технология способа состоит в следующем: гидрогенизированный аморфный кремний формировали обработкой кристаллического кремния потоком ионов кремния дозой 1*1016 см-2 с энергией 250 кэВ, при температуре 40°С. Водород вводили имплантацией после аморфизации с энергией 20 кэВ и дозой 5*1015 см-2.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые структуры. Результаты обработки представлены в таблице.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 16,4%.

Технический результат: снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличения процента выхода годных.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.

Предложенный способ изготовления тонкопленочного транзистора путем формирования слоя гидрогенизированного аморфного кремния обработкой кристаллического кремния потоком ионов кремния дозой 1*1016 см-2 с энергией 250 кэВ при температуре 40°С, с последующей имплантацией водорода с энергией 20 кэВ, дозой 5*1015 см-2, позволяет повысит процент выхода годных приборов и улучшит их надежность.

Способ изготовления тонкопленочного транзистора, включающий подложку, процессы травления, формирования слоя аморфного кремния, отличающийся тем, что слой гидрогенизированного аморфного кремния формируют обработкой кристаллического кремния потоком ионов кремния дозой 1*10 см с энергией 250 кэВ при температуре 40°С, с последующей имплантацией водорода с энергией 20 кэВ и дозой 5*10 см.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 46.
13.01.2017
№217.015.67f8

Способ оперативной коррекции аддукционно-супинационной установки стопы

Изобретение относится к медицине, а именно к травматологии-ортопедии при коррекции аддукционно-супинационной установки, особенно у маленьких детей, которым нельзя выполнить корригирующую костную операцию в связи с незавершенностью роста скелета. Проводят через головку первой плюсневой кости...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002591632
Дата охранного документа: 20.07.2016
13.01.2017
№217.015.759c

Способ оперативного лечения застарелого разрыва ключично-акромиального сочленения

Изобретение относится к медицине, а именно к травматологии и ортопедии. Формируют вертикальный канал в ключице, вблизи ее головки. Через него протягивают две прочные нити, сложенные вдвое, свободные концы их проводят в субоссальных тканях под ключично-акромиальным сочленением, захлестывают над...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002598762
Дата охранного документа: 27.09.2016
13.01.2017
№217.015.7680

Способ инактивации антипитательных веществ в бобах сои

Изобретение относится к сельскому хозяйству, в частности к способам обработки семян сои, и предназначено для получения белково-энергетических добавок, повышающих продуктивность сельскохозяйственных животных. Способ реализуется следующим образом: цельные или измельченные зерна сои в течение 1...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002598637
Дата охранного документа: 27.09.2016
13.01.2017
№217.015.7f61

Способ инактивации антипитательных веществ в бобах сои

Изобретение относится к сельскому хозяйству, в частности к способам обработки семян сои, и предназначено для получения белково-энергетических добавок, повышающих продуктивность сельскохозяйственных животных и птицы. В процессе способа мелкоизмельченные зерна сои выдерживают в течение 60-90...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002600006
Дата охранного документа: 20.10.2016
13.01.2017
№217.015.8ea5

Способ размножения клоновых подвоев косточковых культур в ранние сроки черенкования

Изобретение относится к области сельского хозяйства, в частности к садоводству. Способ включает предварительное дезинфицирование с помощью контейнерного субстрата из торфа и крупнозернистого песка в соотношении 1:2. Размножают клоновые подвои косточковых культур травянистыми черенками с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002605331
Дата охранного документа: 20.12.2016
25.08.2017
№217.015.b4da

Способ оптимизации аутопластических свойств малоберцовой кости

Изобретение относится к травматологии и ортопедии и может быть применимо для пластики крупных осевых дефектов длинных трубчатых костей. Малоберцовую кость распиливают продольно на две части, наносят на каждую половинку множество перфораций и укладывают их на место дефекта повернутыми друг к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002614095
Дата охранного документа: 22.03.2017
25.08.2017
№217.015.d0bc

Способ деалгезии при гонартрозе

Изобретение относится к травматологии и ортопедии и может быть применимо для деалгизации при гонартрозе. Производят местную анестезию, параартикулярные продольные разрезы кожи, подкожной клетчатки, фасции, перфорации мыщелков спицей в разных направлениях. Способ позволяет обеспечить деалгезию,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621269
Дата охранного документа: 01.06.2017
29.12.2017
№217.015.fc13

Способ выработки тепловой энергии

Изобретение относится к теплотехнике и может быть использовано в работе тепловых электростанций. В заявленном способе в емкости располагают анод и катод при узком канале плазмы в пределах 2,5-3 см, емкость заполняют дистиллированной водой, в которую добавляют соль хлорида натрия в пределах...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002638646
Дата охранного документа: 15.12.2017
19.01.2018
№218.016.061c

Способ оперативного лечения отвисающей стопы

Изобретение относится к медицине, а именно к травматологии – ортопедии. Выкраивают продольно сухожильно-мышечный лоскут из центра трехглавой мышцы до средней трети голени. Отсекают лоскут у пяточного бугра и проксимально от мышечной части камбаловидной и икроножной мышц. Смещают его дистально....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002631047
Дата охранного документа: 15.09.2017
19.01.2018
№218.016.0675

Способ пластики крестообразных связок коленного сустава

Изобретение относится к медицине, а именно к травматологии-ортопедии. Обнажают, расслаивают пополам на протяжении сухожилие длинной малоберцовой мышцы и отсекают наружную порцию. Вскрывают коленный сустав наружным парапателярным разрезом. Формируют канал из центра межмыщелкого пространства в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002631107
Дата охранного документа: 18.09.2017
Показаны записи 1-10 из 88.
27.10.2013
№216.012.7b4f

Способ изготовления полупроводникового прибора

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор формируют путем двойной имплантации в область канала сфокусированными пучками ионов бора дозой 6×10-6×10 см с энергией 20 кэВ и ионов мышьяка с энергией 100 кэВ дозой (1-2)×10 см...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497229
Дата охранного документа: 27.10.2013
10.05.2014
№216.012.c1b1

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора на подложку из монокристаллического кремния с термически выращенным слоем окиси кремния...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515334
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.05.2014
№216.012.c1b2

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления полупроводниковой структуры в предварительно аморфизированную поверхность кремниевой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515335
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.07.2014
№216.012.dc54

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным сопротивлением затвора. В способе изготовления полупроводникового прибора электрод затвора формируют путем последовательного нанесения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522182
Дата охранного документа: 10.07.2014
20.07.2014
№216.012.df38

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора в качестве подложки используют сильнолегированные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522930
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.09.2014
№216.012.f515

Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов. Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора включает формирование внутри p-кармана возле его края сильнолегированной p - области имплантацией ионов бора с энергией 100-120 кэВ, концентрацией 1,6·10 см с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528574
Дата охранного документа: 20.09.2014
27.01.2015
№216.013.2095

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. Задача решается путем обработки структур кремний на сапфире с эпитаксиальным слоем кремния ионами водорода в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539789
Дата охранного документа: 27.01.2015
27.01.2015
№216.013.20a1

Способ изготовления тонкого слоя диоксида кремния

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкого подзатворного слоя диоксида кремния с высокой диэлектрической прочностью. Изобретение обеспечивает повышение диэлектрической прочности диоксида кремния,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539801
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.05.2015
№216.013.4a87

Способ изготовления контактно-барьерной металлизации

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактно-барьерной металлизации прибора. Изобретение обеспечивает снижение значений плотности дефектов, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550586
Дата охранного документа: 10.05.2015
20.07.2015
№216.013.6282

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Использование: для производства полупроводниковых приборов, в частности в технологии изготовления биполярных транзисторов с низкой плотностью дефектов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полупроводникового прибора включает нанесение эпитаксиального слоя,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556765
Дата охранного документа: 20.07.2015
+ добавить свой РИД