×
10.08.2015
216.013.6b62

ГИБРИДНЫЙ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0002559048
Дата охранного документа
10.08.2015
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для создания фотопреобразователей, преобразующих энергию света в электрическую энергию. Гибридный фотопреобразователь содержит диэлектрическую подложку, расположенные на ее лицевой поверхности изолированные друг от друга области легированного примесью монокристаллического кремния, в каждой из которых у поверхности, примыкающей к диэлектрической подложке, расположен скрытый слой того же типа проводимости, что и области, но с большей концентрацией легирующей примеси, а у поверхности, наиболее удаленной от диэлектрической подложки, расположены два участка разного типа проводимости с большей по сравнению с областями концентрацией легирующей примеси, и эти участки имеют металлические соединения с другими элементами фотопреобразователя, и два контактных вывода, соединенные соответственно с участками двух крайних областей, причем первый контактный вывод соединен с участком того же типа проводимости, что и области, а также содержит вторую диэлектрическую подложку, на лицевой поверхности которой расположены изолированные друг от друга дополнительные области легированного примесью монокристаллического кремния того же, что и у областей, типа проводимости, в каждой из которых у поверхности, примыкающей к второй диэлектрической подложке, расположен дополнительный скрытый слой того же типа проводимости, что и дополнительные области, но с большей концентрацией легирующей примеси, а у поверхности, наиболее удаленной от второй диэлектрической подложки, расположены два дополнительных участка разного типа проводимости с большей по сравнению с дополнительными областями концентрацией легирующей примеси, причем на всех участках и всех дополнительных участках сформированы металлические объемные выводы, диэлектрические подложки обращены лицевыми поверхностями друг к другу и участки разного типа проводимости каждой области соединены через посредство объемных выводов каждый с соответствующим ему дополнительным участком противоположного типа проводимости, расположенными в двух соседних дополнительных областях, и второй контактный вывод соединен с участком того же типа проводимости, что и области. Техническим результатом предлагаемого изобретения является двукратное увеличение напряжения, снимаемого с фотопреобразователя при его освещении, при сохранении площади диэлектрической подложки. 7 ил.
Основные результаты: Гибридный фотопреобразователь, содержащий диэлектрическую подложку, расположенные на ее лицевой поверхности изолированные друг от друга области легированного примесью монокристаллического кремния, в каждой из которых у поверхности, примыкающей к диэлектрической подложке, расположен скрытый слой того же типа проводимости, что и области, но с большей концентрацией легирующей примеси, а у поверхности, наиболее удаленной от диэлектрической подложки, расположены два участка разного типа проводимости с большей по сравнению с областями концентрацией легирующей примеси, и эти участки имеют металлические соединения с другими элементами фотопреобразователя, и два контактных вывода, соединенных соответственно с участками двух крайних областей, причем первый контактный вывод соединен с участком того же типа проводимости, что и области, отличающийся тем, что введена вторая диэлектрическая подложка, на лицевой поверхности которой расположены изолированные друг от друга дополнительные области легированного примесью монокристаллического кремния того же, что и у областей, типа проводимости, в каждой из которых у поверхности, примыкающей к второй диэлектрической подложке, расположен дополнительный скрытый слой того же типа проводимости, что и дополнительные области, но с большей концентрацией легирующей примеси, а у поверхности, наиболее удаленной от второй диэлектрической подложки, расположены два дополнительных участка разного типа проводимости с большей по сравнению с дополнительными областями концентрацией легирующей примеси, причем на всех участках и всех дополнительных участках сформированы металлические объемные выводы, диэлектрические подложки обращены лицевыми поверхностями друг к другу и участки разного типа проводимости каждой области соединены через посредство объемных выводов каждый с соответствующим ему дополнительным участком противоположного типа проводимости, расположенными в двух соседних дополнительных областях, и второй контактный вывод соединен с участком того же типа проводимости, что и области.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для создания фотопреобразователей, преобразующих энергию света в электрическую энергию.

Известны фотопреобразователи и конструкции на их основе, использующие пластины монокристаллического кремния с участками различного типа проводимости, образующими p-n-переходы [1].

Недостатком указанных обычных фотопреобразователей (типа солнечных элементов) является то, что они вырабатывают при освещении ток низкого напряжения (для кремниевых элементов примерно 0,5-0,7 В), а путем последовательного соединения обычных фотопреобразователей (типа солнечных элементов в солнечных батареях) не удается получить высоковольтный источник тока малых габаритов, так как конструкция с последовательным соединением солнечных элементов будет занимать большие площадь и объем.

Известно гибридное матричное фотоприемное устройство ИК- диапазона, содержащее кристалл матричного фотоприемника на основе фоторезисторов и несколько кристаллов мультиплексоров на ПЗС [2]. Соединение кристаллов мультиплексоров с кристаллом матричного фотоприемника осуществляется методом перевернутого кристалла с использованием металлических объемных выводов. При этом между диффузионными областями с противоположным подложке типом проводимости и сформированными на них объемными выводами расположены металлические контактные площадки для обеспечения хорошей адгезии и малого сопротивления контакта.

Недостатком указанного фотоприемного устройства является то, что его нельзя использовать в качестве источника тока, питающего различные приборы.

За прототип предлагаемой конструкции взят фотопреобразователь, содержащий диэлектрическую подложку, расположенные на ее лицевой поверхности изолированные друг от друга области легированного примесью монокристаллического кремния, в которых у поверхности, примыкающей к диэлектрической подложке, расположен скрытый слой того же типа проводимости, что и сами области, но с большей концентрацией легирующей примеси, а у поверхности, наиболее удаленной от диэлектрической подложки, расположены два участка разного типа проводимости с большей по сравнению с областями концентрацией легирующей примеси, и эти участки имеют металлические соединения с другими элементами фотопреобразователя, и два контактных вывода [3]. Участки разного типа проводимости каждой области соединены металлическими перемычками каждый с соответствующим ему участком противоположного типа проводимости, расположенными в двух соседних областях, а участок каждой из двух крайних областей, свободный от металлической перемычки, соединен с соответствующим ему контактным выводом фотопреобразователя. При этом из двух участков, соответственно соединенных с контактными выводами, по типу проводимости один совпадает с областями, а другой противоположен им.

Между металлическими перемычками и контактными выводами, с одной стороны, и боковыми поверхностями областей, с другой стороны, расположен слой диэлектрика, предотвращающий короткое замыкание металлизацией фотогенерирующих p-n+-переходов, образованных областями и расположенными в них участками противоположного типа проводимости (для определенности считается, что области имеют проводимость p-типа). Участки того же типа проводимости, что и области, но с большей концентрацией легирующей примеси, а также большая концентрация легирующей примеси в участках с противоположным областям типом проводимости обеспечивают омический (а не выпрямляющий) контакт полупроводника с металлизацией. Скрытый слой того же типа проводимости, что и области, но с большей концентрацией легирующей примеси, служит для уменьшения влияния паразитного сопротивления тела области, включенного последовательно с p-n+-переходом.

На виде сверху все области расположены на диэлектрической подложке в виде матрицы с большим числом строк и столбцов и за счет наличия металлических соединительных перемычек составляют единую «змееподобную» последовательную цепь включенных в одном направлении фотогенерирующих p-n+-переходов, сформированных в этих областях (то есть токи в соседних строках матрицы текут в противоположных направлениях). Напряжение, снимаемое с фотопреобразователя при его освещении, представляет собой сумму напряжений на отдельных p-n+-переходах и при большом количестве областей превышает 1000 В.

Недостатком выбранного в качестве прототипа фотопреобразователя является недостаточно высокое напряжение, снимаемое с фотопреобразователя при его освещении, при заданной площади диэлектрической подложки.

Техническим результатом изобретения является двукратное увеличение напряжения, снимаемого с фотопреобразователя при его освещении, при сохранении площади диэлектрической подложки.

Указанный технический результат достигается тем, что в фотопреобразователь, содержащий диэлектрическую подложку, расположенные на ее лицевой поверхности изолированные друг от друга области легированного примесью монокристаллического кремния, в каждой из которых у поверхности, примыкающей к диэлектрической подложке, расположен скрытый слой того же типа проводимости, что и области, но с большей концентрацией легирующей примеси, а у поверхности, наиболее удаленной от диэлектрической подложки, расположены два участка разного типа проводимости с большей по сравнению с областями концентрацией легирующей примеси, и эти участки имеют металлические соединения с другими элементами фотопреобразователя, и два контактных вывода, соединенных соответственно с участками двух крайних областей, причем первый контактный вывод соединен с участком того же типа проводимости, что и области, введена вторая диэлектрическая подложка, на лицевой поверхности которой расположены изолированные друг от друга дополнительные области легированного примесью монокристаллического кремния того же, что и у областей, типа проводимости, в каждой из которых у поверхности, примыкающей к второй диэлектрической подложке, расположен дополнительный скрытый слой того же типа проводимости, что и дополнительные области, но с большей концентрацией легирующей примеси, а у поверхности, наиболее удаленной от второй диэлектрической подложки, расположены два дополнительных участка разного типа проводимости с большей по сравнению с дополнительными областями концентрацией легирующей примеси, причем на всех участках и всех дополнительных участках сформированы металлические объемные выводы, диэлектрические подложки обращены лицевыми поверхностями друг к другу и участки разного типа проводимости каждой области соединены через посредство объемных выводов каждый с соответствующим ему дополнительным участком противоположного типа проводимости, расположенными в двух соседних дополнительных областях, и второй контактный вывод соединен с участком того же типа проводимости, что и области.

Сопоставительный анализ с прототипом показывает, что заявляемый гибридный фотопреобразователь отличается присутствием новых элементов: второй диэлектрической подложки, на лицевой поверхности которой расположены изолированные друг от друга дополнительные области легированного примесью монокристаллического кремния того же, что и у областей, типа проводимости, в каждой из которых у поверхности, примыкающей к второй диэлектрической подложке, расположен дополнительный скрытый слой того же типа проводимости, что и дополнительные области, но с большей концентрацией легирующей примеси, а у поверхности, наиболее удаленной от второй диэлектрической подложки, расположены два дополнительных участка разного типа проводимости с большей по сравнению с дополнительными областями концентрацией легирующей примеси, причем на всех участках и всех дополнительных участках сформированы металлические объемные выводы, диэлектрические подложки обращены лицевыми поверхностями друг к другу и участки разного типа проводимости каждой области соединены через посредство объемных выводов каждый с соответствующим ему дополнительным участком противоположного типа проводимости, расположенными в двух соседних дополнительных областях, и второй контактный вывод соединен с участком того же типа проводимости соответствующей крайней области, что и области.

Таким образом, заявляемый гибридный фотопреобразователь соответствует критерию изобретения «новизна».

Сравнение заявляемого решения не только с прототипом, но и с другими техническими решениями в данной области техники показало, что признаки, отличающие заявляемое решение от прототипа, являются неочевидными для специалиста, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию «изобретательский уровень».

На фиг.1 схематично изображен вид сверху на гибридный фотопреобразователь. На фиг.2 укрупненно показаны несколько областей и дополнительных областей легированного примесью монокристаллического кремния при виде сверху, а на фиг.3 представлено поперечное сечение тех же областей и дополнительных областей. На фиг.4, 5 изображены соответственно поперечные сечения двух контактных выводов, соединенных с участками двух крайних областей. На фиг.6, 7 схематично показаны поперечные сечения прототипа (фиг.6) и заявляемого изобретения (фиг.7) с целью пояснения преимущества последнего; при этом для простоты часть конструктивных элементов опущена.

Для наглядности и упрощения чертежей масштаб не соблюден, на видах сверху (фиг.1, 2) наклонные боковые грани областей и дополнительных областей условно показаны как вертикальные, а дополнительные области условно сделаны более широкими в вертикальном направлении, чем области. По аналогичной причине на фиг.1 вторая диэлектрическая подложка условно изображена больших размеров, чем диэлектрическая подложка.

Фотопреобразователь содержит диэлектрическую подложку 1 (фиг.1-3), на лицевой поверхности 2 которой расположены изолированные друг от друга области легированного примесью монокристаллического кремния 3, 4. Для определенности считается, что области состоят из кремния, легированного акцепторной примесью. Поэтому они имеют проводимость p-типа. Изоляция областей осуществляется за счет наличия между ними промежутков 5. В каждой области у поверхности, примыкающей к диэлектрической подложке, расположен скрытый слой 6 того же типа проводимости, что и области, но с большей концентрацией легирующей примеси, а у поверхности, наиболее удаленной от диэлектрической подложки, расположены два участка разного типа проводимости 7 и 8 с большей по сравнению с областями концентрацией легирующей примеси. По типу проводимости участок 7 противоположен областям, а участок 8 совпадает с ними. В соответствии с выбранным для определенности p-типом проводимости областей скрытый слой 6 и участок 8 имеют проводимость p+-типа, а участок 7 - проводимость n+-типа.

Помимо диэлектрической подложки 1 гибридный фотопреобразователь содержит также вторую диэлектрическую подложку 9. На лицевой поверхности 10 второй диэлектрической подложки расположены изолированные друг от друга дополнительные области легированного примесью монокристаллического кремния того же, что и у областей, типа проводимости 11, 12, 13. Изоляция дополнительных областей осуществляется за счет наличия между ними промежутков 14. В каждой дополнительной области у поверхности, примыкающей к второй диэлектрической подложке, расположен дополнительный скрытый слой 15 того же типа проводимости, что и дополнительные области, но с большей концентрацией легирующей примеси, а у поверхности, наиболее удаленной от второй диэлектрической подложки, расположены два дополнительных участка разного типа проводимости 16 и 17 с большей по сравнению с дополнительными областями концентрацией легирующей примеси. По типу проводимости дополнительный участок 16 противоположен дополнительным областям, а дополнительный участок 17 совпадает с ними. В соответствии с выбранным для определенности р-типом проводимости областей дополнительный скрытый слой 15 и дополнительный участок 17 имеют проводимость p+-типа, а дополнительный участок 16 - проводимость n+-типа.

На всех участках 7, 8 и всех дополнительных участках 16, 17 сформированы металлические объемные выводы 18, 19, 20, 21. Между каждым участком и дополнительным участком и сформированным на нем объемным выводом расположена соответствующая металлическая контактная площадка 22, 23, 24, 25, обеспечивающая хорошую адгезию и малое сопротивление контакта.

Диэлектрическая подложка 1 и вторая диэлектрическая подложка 9 обращены лицевыми поверхностями друг к другу, и участки разного типа проводимости каждой области соединены через посредство объемных выводов каждый с соответствующим ему дополнительным участком противоположного типа проводимости, расположенными в двух соседних дополнительных областях. Так, в области 3 участок 8 p+-типа через посредство объемных выводов 19, 20 соединен с дополнительным участком 16 n+-типа дополнительной области 11, а участок 7 n+-типа через посредство объемных выводов 18, 26 соединен с дополнительным участком 27 p+-типа дополнительной области 12, соседней с дополнительной областью 11 (расположенная между объемным выводом 26 и дополнительным участком 27 металлическая контактная площадка обозначена номером 28). В соседней с областью 3 области 4 участок n+-типа через посредство своего объемного вывода и объемного вывода 21 соединен с дополнительным участком 17 p+-типа дополнительной области 11, а участок p+-типа через посредство объемных выводов соединен с дополнительным участком n+-типа дополнительной области 13, соседней с дополнительной областью 11.

Соединенные между собой указанным образом чередующиеся области и дополнительные области образуют последовательную цепь (фиг.1). Расположенные на концах этой цепи крайние области 29 и 30 содержат соответственно совпадающие с ними по типу проводимости участки 31 и 32 (фиг.4, 5). К каждому из этих участков присоединен соответствующий контактный вывод 33, 34.

Обратные поверхности диэлектрической подложки 1 и второй диэлектрической подложки 9 обозначены соответственно номерами 35 и 36.

Заявляемое изобретение может быть изготовлено с использованием современных технологических методов полупроводниковой микроэлектроники. В частности, для формирования областей на диэлектрической подложке и дополнительных областей на второй диэлектрической подложке можно применять структуры «кремний на сапфире». Для создания изолирующих промежутков между соседними областями 5 и соседними дополнительными областями 14 (фиг.1-3) можно использовать метод селективного травления кремния с кристаллографической ориентацией (100) до диэлектрической подложки и второй диэлектрической подложки соответственно. Металлические объемные выводы могут изготавливаться из индия.

Заявляемый гибридный фотопреобразователь работает следующим образом. Последовательная цепь чередующихся друг с другом областей и дополнительных областей (фиг.1-5) представляет собой цепь последовательно включенных в одном направлении p-n+-переходов. Диэлектрическая подложка 1 и вторая диэлектрическая подложка 9 расположены так, что потоки принимаемых излучений (направления которых показаны вертикальными стрелками) падают на их обратные поверхности 35 и 36. Пройдя через толщу диэлектрической подложки и второй диэлектрической подложки соответственно, эти потоки достигают обедненных областей p-n+-переходов, где преобразуют свою световую энергию в энергию электрического тока (p-n+-переходы образуются, в частности, дополнительной областью 11 p-типа и дополнительным участком 16 n+-типа, областью 3 p-типа и участком 7 n+-типа). Напряжение, снимаемое с гибридного фотопреобразователя при его освещении, представляет собой сумму напряжений на отдельных p-n+-переходах.

Участки и дополнительные участки того же типа проводимости, что и области и дополнительные области, но с большей концентрацией легирующей примеси (номера 8, 17, 31, 32), нужны для того, чтобы контакт полупроводника с металлом был омическим (а не выпрямляющим). Скрытые слои и дополнительные скрытые слои того же типа проводимости, что и области и дополнительные области, но с большей концентрацией легирующей примеси (номера 6, 15), служат для уменьшения влияния паразитных сопротивлений тел соответствующих областей и дополнительных областей, включенных последовательно с p-n+-переходами (номера 3, 11).

Преимущество заявляемого изобретения по сравнению с прототипом заключается в двукратном увеличении количества последовательно включенных в одном направлении p-n+-переходов при сохранении площади диэлектрической подложки и площади одного p-n+-перехода. В результате заявляемое изобретение по сравнению с прототипом позволяет вдвое повысить напряжение, снимаемое с фотопреобразователя при его освещении (доведя его до уровня свыше 2000 В), при сохранении площади диэлектрической подложки.

Сказанное подтверждается сравнением длины строки фотопреобразователя для прототипа и заявляемого изобретения (строки расположены параллельно оси x на фиг.1, 6, 7). При этом для заявляемого изобретения будем полагать следующее. Количество областей, расположенных на диэлектрической подложке 1 в одной строке (фиг.1, 3, 7), равно количеству областей в одной строке у прототипа Nпр. Размеры областей, участков разного типа проводимости и изолирующих промежутков совпадают с размерами соответствующих конструктивных элементов прототипа (для обеспечения одинаковости фотоэлектрических характеристик их p-n+-переходов). Размеры дополнительных областей, дополнительных участков разного типа проводимости и изолирующих промежутков, расположенных на второй диэлектрической подложке 9, равны соответственно размерам областей, участков и изолирующих промежутков, расположенных на диэлектрической подложке 1. Объемные выводы расположены вдоль строки (вдоль оси x) равномерно с шагом, составляющим половину шага следования областей l1.

Ясно, что при количестве областей в строке Nпр, значительно превышающем единицу, длина строки в заявляемом изобретении (от точки А крайней левой области в строке (фиг.7) до точки В крайней правой области строки) равна длине строки в прототипе (поскольку участком длиной l1/2 на правом краю строки заявляемого изобретения можно пренебречь). При этом количество p-n+-переходов, содержащихся в одной строке заявляемого изобретения (расположенных в чередующихся друг с другом областях и дополнительных областях), вдвое превышает количество p-n+-переходов в одной строке у прототипа (совпадающее с числом изолированных областей p-типа Nпр).

Очевидно, что количество строк, а также ширину одной строки в заявляемом изобретении и в прототипе можно сделать одинаковыми (фиг.1). При этом размеры диэлектрических подложек в направлении, перпендикулярном оси x, а следовательно, и площади этих подложек в заявляемом изобретении и в прототипе также будут одинаковыми, в то время как общее количество последовательно включенных в одном направлении p-n+-переходов в заявляемом изобретении будет в 2 раза больше, чем в прототипе. Тем самым в заявляемом изобретении по сравнению с прототипом обеспечивается указанное выше двукратное увеличение напряжения, снимаемого с фотопреобразователя при его освещении, при сохранении площади диэлектрической подложки.

Источники информации

1. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984, том 2, глава 14.

2. D.H. Pommerrenig. Extrinsic Silicon Focal Plane Arrays. SPIE, 1983, v. 443, pp.144-150.

3. Т.Ю. Дмитриева, Ю.А. Концевой, С.В. Мякин. Фотопреобразователь. Патент на изобретение №2345445.

Гибридный фотопреобразователь, содержащий диэлектрическую подложку, расположенные на ее лицевой поверхности изолированные друг от друга области легированного примесью монокристаллического кремния, в каждой из которых у поверхности, примыкающей к диэлектрической подложке, расположен скрытый слой того же типа проводимости, что и области, но с большей концентрацией легирующей примеси, а у поверхности, наиболее удаленной от диэлектрической подложки, расположены два участка разного типа проводимости с большей по сравнению с областями концентрацией легирующей примеси, и эти участки имеют металлические соединения с другими элементами фотопреобразователя, и два контактных вывода, соединенных соответственно с участками двух крайних областей, причем первый контактный вывод соединен с участком того же типа проводимости, что и области, отличающийся тем, что введена вторая диэлектрическая подложка, на лицевой поверхности которой расположены изолированные друг от друга дополнительные области легированного примесью монокристаллического кремния того же, что и у областей, типа проводимости, в каждой из которых у поверхности, примыкающей к второй диэлектрической подложке, расположен дополнительный скрытый слой того же типа проводимости, что и дополнительные области, но с большей концентрацией легирующей примеси, а у поверхности, наиболее удаленной от второй диэлектрической подложки, расположены два дополнительных участка разного типа проводимости с большей по сравнению с дополнительными областями концентрацией легирующей примеси, причем на всех участках и всех дополнительных участках сформированы металлические объемные выводы, диэлектрические подложки обращены лицевыми поверхностями друг к другу и участки разного типа проводимости каждой области соединены через посредство объемных выводов каждый с соответствующим ему дополнительным участком противоположного типа проводимости, расположенными в двух соседних дополнительных областях, и второй контактный вывод соединен с участком того же типа проводимости, что и области.
ГИБРИДНЫЙ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ
ГИБРИДНЫЙ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ
ГИБРИДНЫЙ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ
ГИБРИДНЫЙ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ
ГИБРИДНЫЙ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ
ГИБРИДНЫЙ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ
ГИБРИДНЫЙ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 16.
27.08.2014
№216.012.efb8

Аналого-цифровой преобразователь

Изобретение относится к электронике и может быть использовано в микроэлектронных системах обработки аналоговых сигналов и преобразовании аналоговой информации в цифровую, в частности при разработке аналого-цифровых преобразователей (АЦП) с малым энергопотреблением, многоканальных системах...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002527187
Дата охранного документа: 27.08.2014
20.09.2014
№216.012.f606

Металлизационная паста и способ металлизации алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области электронной техники, в частности металлизации алюмонитридной керамики с высокой теплопроводностью для электронных приборов с высокой рассеиваемой мощностью. Изобретение позволяет получать металлизированные изделия из алюмонитридной керамики с повышенной адгезией...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528815
Дата охранного документа: 20.09.2014
27.11.2014
№216.013.0bdf

Псевдоморфный гетеростуктурный модулировано-легированный полевой транзистор

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. Гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор содержит фланец, пьедестал, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534447
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.12.2014
№216.013.0f1a

Способ изготовления мощных кремниевых свч ldmos транзисторов

Изобретение относится к электронной технике. В способе изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов нанесенный на подзатворный диэлектрик поликремний покрывают тугоплавким металлом, высокотемпературным отжигом формируют полицид тугоплавкого металла на поверхности поликремния, методом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535283
Дата охранного документа: 10.12.2014
27.01.2015
№216.013.2072

Модулированно-легированный полевой транзистор

Изобретение относится к электронной технике. Модулированно-легированный полевой транзистор содержит фланец, пьедестал, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты. Пьедестал изготовлен из теплопроводящего слоя поликристаллического алмаза. Поверх...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539754
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.04.2015
№216.013.3f00

Интегральная схема задержки включения

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для задержки включения нагрузки. Технический результат заключается в уменьшении площади, занимаемой схемой задержки включения на кристалле, уменьшении потребляемой мощности и расширении диапазона изменения напряжения питания....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002547616
Дата охранного документа: 10.04.2015
27.05.2015
№216.013.4f3e

Полосковое устройство квадратурного деления и сложения свч сигналов

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в широкополосных приемных, передающих и измерительных устройствах СВЧ. Технический результат - повышение уровня мощности СВЧ-сигналов и уменьшение потерь. Для этого полосковое устройство квадратурного деления и сложения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002551804
Дата охранного документа: 27.05.2015
27.07.2015
№216.013.6892

Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области получения металлических покрытий на пластинах из алюмонитридной керамики и может быть использовано в электронной, электротехнической и радиотехнической промышленности при производстве металлизированных подложек для силовых модулей, теплоотводящих элементов мощных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558323
Дата охранного документа: 27.07.2015
10.08.2015
№216.013.69d4

Способ определения толщины металлических пленок

Изобретение относится к измерительной технике. Способ контроля состава материала при формировании структуры заключается в том, что в процессе формирования слоя осуществляют измерение эллипсометрических параметров Δ и ψ. Предварительно определяют эллипсометрическим методом с использованием...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558645
Дата охранного документа: 10.08.2015
10.08.2015
№216.013.69d8

Органичитель мощности свч

Использование: для изготовления полупроводниковых изделий. Сущность изобретения заключается в том, что ограничитель мощности СВЧ включает электроды и емкостные элементы. Емкостные элементы представляют собой конденсаторы, ограничитель мощности СВЧ включает подложку из сапфира, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558649
Дата охранного документа: 10.08.2015
Показаны записи 1-10 из 16.
27.08.2014
№216.012.efb8

Аналого-цифровой преобразователь

Изобретение относится к электронике и может быть использовано в микроэлектронных системах обработки аналоговых сигналов и преобразовании аналоговой информации в цифровую, в частности при разработке аналого-цифровых преобразователей (АЦП) с малым энергопотреблением, многоканальных системах...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002527187
Дата охранного документа: 27.08.2014
20.09.2014
№216.012.f606

Металлизационная паста и способ металлизации алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области электронной техники, в частности металлизации алюмонитридной керамики с высокой теплопроводностью для электронных приборов с высокой рассеиваемой мощностью. Изобретение позволяет получать металлизированные изделия из алюмонитридной керамики с повышенной адгезией...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528815
Дата охранного документа: 20.09.2014
27.11.2014
№216.013.0bdf

Псевдоморфный гетеростуктурный модулировано-легированный полевой транзистор

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. Гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор содержит фланец, пьедестал, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534447
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.12.2014
№216.013.0f1a

Способ изготовления мощных кремниевых свч ldmos транзисторов

Изобретение относится к электронной технике. В способе изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов нанесенный на подзатворный диэлектрик поликремний покрывают тугоплавким металлом, высокотемпературным отжигом формируют полицид тугоплавкого металла на поверхности поликремния, методом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535283
Дата охранного документа: 10.12.2014
27.01.2015
№216.013.2072

Модулированно-легированный полевой транзистор

Изобретение относится к электронной технике. Модулированно-легированный полевой транзистор содержит фланец, пьедестал, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты. Пьедестал изготовлен из теплопроводящего слоя поликристаллического алмаза. Поверх...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539754
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.04.2015
№216.013.3f00

Интегральная схема задержки включения

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для задержки включения нагрузки. Технический результат заключается в уменьшении площади, занимаемой схемой задержки включения на кристалле, уменьшении потребляемой мощности и расширении диапазона изменения напряжения питания....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002547616
Дата охранного документа: 10.04.2015
27.05.2015
№216.013.4f3e

Полосковое устройство квадратурного деления и сложения свч сигналов

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в широкополосных приемных, передающих и измерительных устройствах СВЧ. Технический результат - повышение уровня мощности СВЧ-сигналов и уменьшение потерь. Для этого полосковое устройство квадратурного деления и сложения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002551804
Дата охранного документа: 27.05.2015
27.07.2015
№216.013.6892

Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области получения металлических покрытий на пластинах из алюмонитридной керамики и может быть использовано в электронной, электротехнической и радиотехнической промышленности при производстве металлизированных подложек для силовых модулей, теплоотводящих элементов мощных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558323
Дата охранного документа: 27.07.2015
10.08.2015
№216.013.69d4

Способ определения толщины металлических пленок

Изобретение относится к измерительной технике. Способ контроля состава материала при формировании структуры заключается в том, что в процессе формирования слоя осуществляют измерение эллипсометрических параметров Δ и ψ. Предварительно определяют эллипсометрическим методом с использованием...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558645
Дата охранного документа: 10.08.2015
10.08.2015
№216.013.69d8

Органичитель мощности свч

Использование: для изготовления полупроводниковых изделий. Сущность изобретения заключается в том, что ограничитель мощности СВЧ включает электроды и емкостные элементы. Емкостные элементы представляют собой конденсаторы, ограничитель мощности СВЧ включает подложку из сапфира, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558649
Дата охранного документа: 10.08.2015
+ добавить свой РИД