×
27.05.2015
216.013.4f3e

ПОЛОСКОВОЕ УСТРОЙСТВО КВАДРАТУРНОГО ДЕЛЕНИЯ И СЛОЖЕНИЯ СВЧ СИГНАЛОВ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0002551804
Дата охранного документа
27.05.2015
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в широкополосных приемных, передающих и измерительных устройствах СВЧ. Технический результат - повышение уровня мощности СВЧ-сигналов и уменьшение потерь. Для этого полосковое устройство квадратурного деления и сложения СВЧ-сигналов содержит диэлектрическую плату, обратная сторона которой металлизирована, размещенную на металлическом основании, систему близко расположенных электромагнитно связанных полосковых проводников и четыре подводящих полосковых электрода, расположенных на лицевой стороне платы, при этом на обратной стороне платы соосно с системой связанных полосковых проводников сформировано прямоугольное окно в металлизации, по длине равное длине системы связанных проводников, а по ширине превышающее общую ширину системы связанных полосковых проводников, при этом в металлическом основании под сформированным окном формируется прямоугольная полость глубиной не менее половины толщины диэлектрической платы и шириной, превышающей более чем на 5% ширину окна в металлизации диэлектрической платы. 2 ил., 1 табл.
Основные результаты: Полосковое устройство квадратурного деления и сложения СВЧ-сигналов, включающее диэлектрическую плату, обратная сторона которой металлизирована, размещенную на металлическом основании, систему близко расположенных электромагнитно связанных полосковых проводников и четыре подводящих полосковых электрода, расположенных на лицевой стороне платы, отличающееся тем, что на обратной стороне платы соосно с системой связанных полосковых проводников сформировано прямоугольное окно в металлизации, по длине равное длине системы связанных проводников, а по ширине превышающее общую ширину системы связанных полосковых проводников, при этом в металлическом основании под сформированным окном формируется прямоугольная полость глубиной не менее половины толщины диэлектрической платы и шириной, превышающей более чем на 5% ширину окна в металлизации диэлектрической платы.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области радиотехники и может быть использовано в широкополосных приемных, передающих и измерительных устройствах СВЧ.

Известен микрополосковый направленный ответвитель (патент РФ №2101808), содержащий две электромагнитно связанные линии передачи, сформированные параллельно друг другу на диэлектрической подложке, обратная сторона которой полностью металлизирована, в который дополнительно введен замкнутый кольцевой проводник, сформированный вокруг линий передачи параллельно им. Недостатками данной конструкции являются ограниченный уровень мощности СВЧ сигналов и сложность формирования узких зазоров между полосками.

Известно микрополосковое направленное устройство (патент РФ №2364996), принятое за прототип, которое снабжено средствами усиления направленности в широкой полосе частот в виде трех емкостных пластин и узкой щели в металлизированном основании диэлектрической подложки, расположенной перпендикулярно системе связанных линий передачи. Недостатком данного устройства является громоздкость конструкции, связанная с необходимостью использования относительно толстых диэлектрических плат для реализации приемлемой электрической прочности и приемлемого уровня потерь.

Техническим результатом изобретения является возможность создания полоскового устройства квадратурного деления и сложения СВЧ-сигналов, удовлетворяющего требованиям малых габаритов и воспроизводимых электрических параметров.

Технический результат достигается тем, что на обратной стороне диэлектрической платы соосно с системой связанных полосковых проводников реализуется прямоугольное окно в исходно сплошной металлизации, по длине равное длине упомянутой системы связанных проводников, а по ширине превышающее общую ширину системы связанных проводников в зависимости от заданного коэффициента деления, при этом в металлическом основании под указанным окном формируется прямоугольная полость глубиной не менее половины толщины диэлектрической платы и шириной, превышающей не менее чем на 5% ширину окна в металлизации диэлектрической платы.

Сочетание отличительных признаков и свойства предлагаемого изобретения из литературы не известны, поэтому оно соответствует критериям новизны.

Предлагаемое техническое решение имеет изобретательский уровень, так как сочетание новых признаков с уже известными не очевидно для специалиста.

На рис.1 представлена топология системы электромагнитно связанных полосковых проводников 1, которые обеспечивают деление входного СВЧ сигнала на электроде 2 в заданном отношении между двумя выходными электродами 3 и 5 при том, что отраженные от нагрузок сигналы складываются и направляются на электрод 4, где устанавливается балластная нагрузка.

На рис.2 показано поперечное сечение устройства на диэлектрической плате типовой толщины 6 с прямоугольной полостью 7 под системой связанных полосковых проводников 1.

Пример конкретной реализации предлагаемого изобретения.

Необходимый уровень электрической и магнитной связи между полосковыми проводниками обеспечивается выбором отношения размеров зазоров между проводниками s и ширины самих проводников w для конкретной толщины h диэлектрической платы, которая выбирается исходя из требуемой электрической прочности устройства и достижения конструктивного единства полосковых устройств сопутствующих узлов.

Общая ширина системы связанных полосковых проводников d0 определяется количеством таких проводников n. При коэффициенте деления k=3÷6 дБ n=4, а при k>6 дБ n=2 для обеспечения условия малых габаритов устройства. Параметром оптимизации является ширина прямоугольного окна d1 в металлизации диэлектрической платы. Оптимизация проведена расчетным путем и подтверждена экспериментально.

Ширина полости в металлическом основании d2 должна превышать параметр d1 более чем на 5% для снижения потерь, связанных с перетеканием СВЧ токов с основания на металлизацию диэлектрической платы.

Согласно предложенной конструкции были изготовлены устройства с коэффициентами деления 3, 4.7, 6, 7 и 7.8 дБ. При этом использовались синтетические диэлектрические платы типа «Орлон» с толщиной 1.3 мм. Глубина прямоугольной полости в металлическом основании составила 0.7 мм. В таблице приведены основные параметры изготовленных устройств.

При такой реализации достигнута полоса рабочих частот 1-1.5 ГГц, коэффициент стоячей волны по напряжению входов/выходов не более 1.2, неидентичность коэффициента передачи - ±0.35 дБ.

Таблица
Коэффициент деления 1 с, дБ Количество полосковых проводников, n Ширина полоскового проводника w, мкм Зазор между полосковыми проводниками s, мкм Ширина системы связанных полосковых проводников d0, мм Ширина окна в металлизации диэлектрической платы d1, мм Ширина полости в металлическом основании d2, мм
3 4 180 120 1.08 3.5 4
4.7 4 330 370 2.43 3.5 4
6 4 300 600 3 4 4.5
7 2 1500 150 3.15 3.5 4
7.8 2 1700 250 3.65 3.5 4

Полосковое устройство квадратурного деления и сложения СВЧ-сигналов, включающее диэлектрическую плату, обратная сторона которой металлизирована, размещенную на металлическом основании, систему близко расположенных электромагнитно связанных полосковых проводников и четыре подводящих полосковых электрода, расположенных на лицевой стороне платы, отличающееся тем, что на обратной стороне платы соосно с системой связанных полосковых проводников сформировано прямоугольное окно в металлизации, по длине равное длине системы связанных проводников, а по ширине превышающее общую ширину системы связанных полосковых проводников, при этом в металлическом основании под сформированным окном формируется прямоугольная полость глубиной не менее половины толщины диэлектрической платы и шириной, превышающей более чем на 5% ширину окна в металлизации диэлектрической платы.
ПОЛОСКОВОЕ УСТРОЙСТВО КВАДРАТУРНОГО ДЕЛЕНИЯ И СЛОЖЕНИЯ СВЧ СИГНАЛОВ
ПОЛОСКОВОЕ УСТРОЙСТВО КВАДРАТУРНОГО ДЕЛЕНИЯ И СЛОЖЕНИЯ СВЧ СИГНАЛОВ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 17.
27.08.2014
№216.012.efb8

Аналого-цифровой преобразователь

Изобретение относится к электронике и может быть использовано в микроэлектронных системах обработки аналоговых сигналов и преобразовании аналоговой информации в цифровую, в частности при разработке аналого-цифровых преобразователей (АЦП) с малым энергопотреблением, многоканальных системах...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002527187
Дата охранного документа: 27.08.2014
20.09.2014
№216.012.f606

Металлизационная паста и способ металлизации алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области электронной техники, в частности металлизации алюмонитридной керамики с высокой теплопроводностью для электронных приборов с высокой рассеиваемой мощностью. Изобретение позволяет получать металлизированные изделия из алюмонитридной керамики с повышенной адгезией...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528815
Дата охранного документа: 20.09.2014
27.11.2014
№216.013.0bdf

Псевдоморфный гетеростуктурный модулировано-легированный полевой транзистор

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. Гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор содержит фланец, пьедестал, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534447
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.12.2014
№216.013.0f1a

Способ изготовления мощных кремниевых свч ldmos транзисторов

Изобретение относится к электронной технике. В способе изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов нанесенный на подзатворный диэлектрик поликремний покрывают тугоплавким металлом, высокотемпературным отжигом формируют полицид тугоплавкого металла на поверхности поликремния, методом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535283
Дата охранного документа: 10.12.2014
27.01.2015
№216.013.2072

Модулированно-легированный полевой транзистор

Изобретение относится к электронной технике. Модулированно-легированный полевой транзистор содержит фланец, пьедестал, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты. Пьедестал изготовлен из теплопроводящего слоя поликристаллического алмаза. Поверх...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539754
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.04.2015
№216.013.3f00

Интегральная схема задержки включения

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для задержки включения нагрузки. Технический результат заключается в уменьшении площади, занимаемой схемой задержки включения на кристалле, уменьшении потребляемой мощности и расширении диапазона изменения напряжения питания....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002547616
Дата охранного документа: 10.04.2015
27.07.2015
№216.013.6892

Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области получения металлических покрытий на пластинах из алюмонитридной керамики и может быть использовано в электронной, электротехнической и радиотехнической промышленности при производстве металлизированных подложек для силовых модулей, теплоотводящих элементов мощных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558323
Дата охранного документа: 27.07.2015
10.08.2015
№216.013.69d4

Способ определения толщины металлических пленок

Изобретение относится к измерительной технике. Способ контроля состава материала при формировании структуры заключается в том, что в процессе формирования слоя осуществляют измерение эллипсометрических параметров Δ и ψ. Предварительно определяют эллипсометрическим методом с использованием...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558645
Дата охранного документа: 10.08.2015
10.08.2015
№216.013.69d8

Органичитель мощности свч

Использование: для изготовления полупроводниковых изделий. Сущность изобретения заключается в том, что ограничитель мощности СВЧ включает электроды и емкостные элементы. Емкостные элементы представляют собой конденсаторы, ограничитель мощности СВЧ включает подложку из сапфира, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558649
Дата охранного документа: 10.08.2015
10.08.2015
№216.013.6b62

Гибридный фотопреобразователь

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для создания фотопреобразователей, преобразующих энергию света в электрическую энергию. Гибридный фотопреобразователь содержит диэлектрическую подложку, расположенные на ее лицевой поверхности изолированные друг от...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002559048
Дата охранного документа: 10.08.2015
Показаны записи 1-10 из 18.
27.08.2014
№216.012.efb8

Аналого-цифровой преобразователь

Изобретение относится к электронике и может быть использовано в микроэлектронных системах обработки аналоговых сигналов и преобразовании аналоговой информации в цифровую, в частности при разработке аналого-цифровых преобразователей (АЦП) с малым энергопотреблением, многоканальных системах...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002527187
Дата охранного документа: 27.08.2014
20.09.2014
№216.012.f606

Металлизационная паста и способ металлизации алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области электронной техники, в частности металлизации алюмонитридной керамики с высокой теплопроводностью для электронных приборов с высокой рассеиваемой мощностью. Изобретение позволяет получать металлизированные изделия из алюмонитридной керамики с повышенной адгезией...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528815
Дата охранного документа: 20.09.2014
27.11.2014
№216.013.0bdf

Псевдоморфный гетеростуктурный модулировано-легированный полевой транзистор

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам, предназначенным для усиления СВЧ-электромагнитных колебаний. Гетероструктурный модулировано-легированный полевой транзистор содержит фланец, пьедестал, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534447
Дата охранного документа: 27.11.2014
10.12.2014
№216.013.0f1a

Способ изготовления мощных кремниевых свч ldmos транзисторов

Изобретение относится к электронной технике. В способе изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов нанесенный на подзатворный диэлектрик поликремний покрывают тугоплавким металлом, высокотемпературным отжигом формируют полицид тугоплавкого металла на поверхности поликремния, методом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535283
Дата охранного документа: 10.12.2014
27.01.2015
№216.013.2072

Модулированно-легированный полевой транзистор

Изобретение относится к электронной технике. Модулированно-легированный полевой транзистор содержит фланец, пьедестал, гетероэпитаксиальную структуру, буферный слой, исток, затвор, сток и омические контакты. Пьедестал изготовлен из теплопроводящего слоя поликристаллического алмаза. Поверх...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539754
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.04.2015
№216.013.3f00

Интегральная схема задержки включения

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для задержки включения нагрузки. Технический результат заключается в уменьшении площади, занимаемой схемой задержки включения на кристалле, уменьшении потребляемой мощности и расширении диапазона изменения напряжения питания....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002547616
Дата охранного документа: 10.04.2015
27.07.2015
№216.013.6892

Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области получения металлических покрытий на пластинах из алюмонитридной керамики и может быть использовано в электронной, электротехнической и радиотехнической промышленности при производстве металлизированных подложек для силовых модулей, теплоотводящих элементов мощных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558323
Дата охранного документа: 27.07.2015
10.08.2015
№216.013.69d4

Способ определения толщины металлических пленок

Изобретение относится к измерительной технике. Способ контроля состава материала при формировании структуры заключается в том, что в процессе формирования слоя осуществляют измерение эллипсометрических параметров Δ и ψ. Предварительно определяют эллипсометрическим методом с использованием...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558645
Дата охранного документа: 10.08.2015
10.08.2015
№216.013.69d8

Органичитель мощности свч

Использование: для изготовления полупроводниковых изделий. Сущность изобретения заключается в том, что ограничитель мощности СВЧ включает электроды и емкостные элементы. Емкостные элементы представляют собой конденсаторы, ограничитель мощности СВЧ включает подложку из сапфира, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558649
Дата охранного документа: 10.08.2015
10.08.2015
№216.013.6b62

Гибридный фотопреобразователь

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для создания фотопреобразователей, преобразующих энергию света в электрическую энергию. Гибридный фотопреобразователь содержит диэлектрическую подложку, расположенные на ее лицевой поверхности изолированные друг от...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002559048
Дата охранного документа: 10.08.2015
+ добавить свой РИД