×
27.11.2014
216.013.0bca

Результат интеллектуальной деятельности: ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям термоэлектрических батарей (ТЭБ). Технический результат: повышение эффективности отвода (подвода) теплоты с горячих (холодных) контактов ТЭБ. Сущность: поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за исключением областей, близлежащих к выступающим частям коммутационных пластин, покрыта слоем теплоизоляционного диэлектрического материала. Площадь, не покрытая слоем теплоизоляционного диэлектрического материала, определяется произведением толщины ветви термоэлемента на / ее высоты. Поверхность, не покрытая слоем теплоизоляции, выполнена с выступающими шипами в виде треугольной призмы. Съем теплоты с горячих коммутационных пластин, а также с близлежащих к ним областей осуществляется в контейнер с плавящимся рабочим веществом. Съем теплоты с охлажденных коммутационных пластин и близлежащих к ним областей производится за счет прокачивания жидкости в контактирующем с ними жидкостном теплообменнике. 3 ил.
Основные результаты: Термоэлектрическая батарея (ТЭБ), состоящая из последовательно соединенных в электрическую цепь посредством коммутационных пластин полупроводниковых термоэлементов, каждый из которых образован двумя ветвями, изготовленными из полупроводника соответственно p- и n-типа, причем ветви p-типа и n-типа контактируют торцевыми поверхностями соответственно с двумя противоположными поверхностями коммутационной пластины, коммутационные пластины имеют несколько большую площадь, чем площадь поперечного сечения ветвей, вследствие чего они выступают за поверхность структуры, образованной ветвями термоэлектрической батареи, отличающаяся тем, что поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за исключением областей, близлежащих к выступающим частям коммутационных пластин, покрыта слоем теплоизоляционного диэлектрического материала, а площадь, не покрытая слоем теплоизоляционного диэлектрического материала, имеющая профилированную боковую поверхность, выполненную с выступающими шипами в виде треугольной призмы, расположенными в коридорном порядке, определяется произведением толщины ветви термоэлемента на / ее высоты, при этом съем теплоты с горячих коммутационных пластин, а также с близлежащих к ним областей осуществляется в контейнер с плавящимся рабочим веществом, а съем теплоты с охлажденных коммутационных пластин и близлежащих к ним областей производится за счет прокачивания жидкости в контактирующем с ними жидкостном теплообменнике.

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям термоэлектрических батарей (ТЭБ).

Прототипом изобретения является ТЭБ, описанная в [1]. ТЭБ состоит из последовательно соединенных в электрическую цепь полупроводниковых термоэлементов, каждый из которых образован двумя ветвями (столбиками, выполненными либо цилиндрическими, либо в виде прямоугольного параллелепипеда), изготовленными из полупроводника соответственно p- и n-типа. Ветви термоэлементов соединяются между собой посредством коммутационных пластин, причем ветви p-типа и n-типа контактируют торцевыми поверхностями соответственно с двумя противоположными поверхностями коммутационной пластины. Коммутационные пластины имеют несколько большую площадь, чем площадь поперечного сечения ветвей, вследствие чего они выступают за поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, причем нечетные коммутационные пластины выступают за одну поверхность структуры, а четные коммутационные пластины - за другую. Соответственно отвод и подвод теплоты осуществляется с выступающих частей коммутационных пластин за счет воздушного или жидкостного теплообмена.

Недостатком известной конструкции является отвод (подвод) теплоты только с поверхности выступающих частей коммутационных пластин, тогда как вследствие теплопроводности имеет место также нагрев (охлаждение) близлежащих к ним областей ветвей термоэлементов.

Целью изобретения является повышение эффективности отвода (подвода) теплоты с горячих (холодных) контактов ТЭБ за счет отвода (подвода) теплоты также и с близлежащих к ним областей ветвей термоэлементов.

Цель достигается тем, что поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за исключением областей, близлежащих к выступающим частям коммутационных пластин, покрыта слоем теплоизоляционного диэлектрического материала. Площадь, не покрытая слоем теплоизоляционного диэлектрического материала, определяется произведением толщины ветви термоэлемента на 1/4 ее высоты. Указанная поверхность, не покрытая слоем теплоизоляции, имеет профилированную боковую поверхность, выполненную с выступающими шипами в виде треугольной призмы, установленными под углом, варьирующимся в пределах 45-135° к плоскости их установки, расположенными в коридорном порядке. Съем теплоты с горячих коммутационных пластин, а также с близлежащих к ним областей осуществляется в контейнер с плавящимся рабочим веществом (например, парафином), а съем теплоты с охлажденных коммутационных пластин и близлежащих к ним областей производится за счет прокачивания жидкости в контактирующем с ними жидкостном теплообменнике.

Конструкция термоэлектрической батареи приведена на фиг.1-3. ТЭБ состоит из последовательно соединенных в электрическую цепь посредством коммутационных пластин 1 и 2 чередующихся ветвей, изготовленных соответственно из полупроводника p-типа 3 и n-типа 4. Электрическое соединение ветвей осуществляют посредством контакта ветвь p-типа 3 - коммутационная пластина 1 или 2 - ветвь n-типа 4, где ветвь p-типа 3 контактирует торцевой поверхностью с одной из поверхностей коммутационной пластины, а ветвь n-типа 4 - с другой. Каждая ветвь в ТЭБ контактирует противоположными торцевыми поверхностями с двумя коммутационными пластинами 1 и 2. Коммутационные пластины 1 и 2 имеют площадь, несколько большую, чем площадь поперечного сечения ветвей p- и n-типа 3 и 4, вследствие чего их концы выступают за поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ. Концы нечетных коммутационных пластин 1 выступают за одну поверхность структуры, а концы четных коммутационных пластин 2 - за другую.

Поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за исключением областей, близлежащих к выступающим частям коммутационных пластин 1 и 2, покрыта слоем теплоизоляционного диэлектрического материала 5. Площадь, не покрытая слоем теплоизоляционного диэлектрического материала 5, определяется произведением толщины ветви термоэлемента на 1/4 ее высоты. Указанная поверхность, не покрытая слоем теплоизоляции, имеет профилированную боковую поверхность, выполненную с выступающими шипами в виде треугольной призмы, установленными под углом, варьирующимся в пределах 45-135° к плоскости их установки, расположенными в коридорном порядке (вид сверху единичного термоэлемента с профилированной поверхностью показан на фиг.2).

Съем теплоты с горячих коммутационных пластин, а также с близлежащих к ним областей осуществляется в контейнер с плавящимся рабочим веществом 7, а съем теплоты с охлажденных коммутационных пластин и близлежащих к ним областей производится за счет прокачивания жидкости в контактирующем с ними жидкостном теплообменнике 8.

ТЭБ функционирует следующим образом.

При прохождении через ТЭБ постоянного электрического тока, подаваемого от источника электрической энергии, между коммутационными пластинами 1 и 2, представляющими собой контакты ветвей p- и n-типа 3 и 4, возникает разность температур, обусловленная выделением и поглощением теплоты Пельтье. При указанной на фиг.1 полярности электрического тока происходит нагрев нечетных коммутационных пластин 1 и охлаждение четных 2. Съем теплоты с горячих коммутационных пластин, а также с близлежащих к ним областей осуществляется в контейнер с плавящимся рабочим веществом 7, а съем теплоты с охлажденных коммутационных пластин и близлежащих к ним областей производится за счет прокачивания жидкости в контактирующем с ними жидкостном теплообменнике 8.

Повышение эффективности отвода теплоты с горячих и холодных контактов ТЭБ осуществляется за счет ее съема также и с близлежащих к коммутационным пластинам областей поверхности структуры, образованной ветвями ТЭБ. Причем за счет профилирования поверхности ветви термоэлемента, с которой осуществляется съем тепла, увеличивается коэффициент теплопередачи от нее к приемникам холода и тепла. Теплоизоляция 5 служит для уменьшения теплопритока из окружающей среды.

Литература

1. Поздняков Б.С., Коптелов Е.А. Термоэлектрическая энергетика. М.: Атомиздат, 1974.

Термоэлектрическая батарея (ТЭБ), состоящая из последовательно соединенных в электрическую цепь посредством коммутационных пластин полупроводниковых термоэлементов, каждый из которых образован двумя ветвями, изготовленными из полупроводника соответственно p- и n-типа, причем ветви p-типа и n-типа контактируют торцевыми поверхностями соответственно с двумя противоположными поверхностями коммутационной пластины, коммутационные пластины имеют несколько большую площадь, чем площадь поперечного сечения ветвей, вследствие чего они выступают за поверхность структуры, образованной ветвями термоэлектрической батареи, отличающаяся тем, что поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за исключением областей, близлежащих к выступающим частям коммутационных пластин, покрыта слоем теплоизоляционного диэлектрического материала, а площадь, не покрытая слоем теплоизоляционного диэлектрического материала, имеющая профилированную боковую поверхность, выполненную с выступающими шипами в виде треугольной призмы, расположенными в коридорном порядке, определяется произведением толщины ветви термоэлемента на / ее высоты, при этом съем теплоты с горячих коммутационных пластин, а также с близлежащих к ним областей осуществляется в контейнер с плавящимся рабочим веществом, а съем теплоты с охлажденных коммутационных пластин и близлежащих к ним областей производится за счет прокачивания жидкости в контактирующем с ними жидкостном теплообменнике.
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 31-40 из 135.
27.11.2014
№216.013.0ba6

Способ защиты поверхности кристаллов p-n переходов на основе алюминия

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и кремниевых транзисторов, в частности к способам защиты поверхности кристаллов. Изобретение обеспечивает получение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса. Защита поверхности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534390
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bc9

Способ защиты p-n переходов на основе окиси титана

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и кремниевых транзисторов, в частности к способам защиты поверхности кристаллов. Изобретение обеспечивает сокращение длительности процесса. В способе защиты поверхности р-n переходов процесс ведут в печи вакуумным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534425
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd1

Термоэлектрическая батарея

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям термоэлектрических батарей (ТЭБ). Технический результат: повышение эффективности теплоотдачи коммутационных пластин ТЭБ. Сущность: ветви термоэлементов установлены наклонно в одной из координатных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534433
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd2

Способ выявления дефектов на полупроводниковой пластине

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к процессам обработки поверхности подложек для выявления дефектов линий скольжения. Изобретение позволяет получить однородную и ненарушенную поверхность подложек, снизить температуру и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534434
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd4

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534436
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd6

Способ защиты поверхности p-n переходов на основе ванадия

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам защиты поверхности p-n переходов. Изобретение обеспечивает получение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса. В способе защиты поверхности p-n...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534438
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd7

Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Изобретение обеспечивает повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и стабильности процесса присоединения. В способе присоединения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534439
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd8

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534440
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bd9

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534441
Дата охранного документа: 27.11.2014
27.11.2014
№216.013.0bdc

Способ удаления окисла с поверхности кремниевых пластин

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны кремниевых пластин перед процессом напыления. Изобретение обеспечивает полное удаление остатков окисла с поверхности кремниевых пластин, уменьшение времени...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534444
Дата охранного документа: 27.11.2014
Показаны записи 31-40 из 147.
10.08.2014
№216.012.e73c

Способ производства компота из черники

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ включает предварительный нагрев плодов в банках горячей водой температурой 85 °C, замену воды на сироп температурой 98 °C с последующей герметизацией банок самоэксгаустируемыми крышками. Стерилизацию компота проводят без создания...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524989
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e73e

Способ производства компота из земляники

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ характеризуется тем, что включает предварительный нагрев плодов в банках горячей водой температурой 85°C, заменой воды на сироп температурой 98°C с последующей герметизацией банок самоэксгаустируемыми крышками и стерилизацией без...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524991
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e741

Способ стерилизации компота из груш и айвы

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ стерилизации компота из груш и айвы включает нагрев компота в потоке воздуха температурой 130°C и скоростью 3,5-4 м/с в течение 22 мин при одновременном прерывистом 2-3-х минутном вращении банки с «донышка на крышку» с частотой 0,133 с с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524994
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e742

Способ стерилизации компота из груш и айвы

Изобретение предназначено для использования в пищевой промышленности, а именно для стерилизации компота из груш и айвы в банках СКО 1-82-500. Способ включает процесс нагрева в потоке воздуха температурой 130°С и скоростью 6-7 м/с в течение 20 мин с последующей выдержкой в течение 15-20 мин при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524995
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e744

Способ стерилизации компота из груш и айвы

Изобретение относится к консервной промышленности, в частности к стерилизации компота из груш и айвы. Способ включает установку банок в носитель, обеспечивающий герметичность и процессы нагрева, выдержки и охлаждения. Нагрев компота осуществляют в потоке воздуха температурой 130°C и скоростью...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002524997
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e747

Способ стерилизации компота из груш и айвы

Изобретение относится к консервной промышленности. Способ стерилизации компота из груш и айвы в банках СКО 1-82-500 включает процесс нагрева в потоке воздуха температурой 130 °C и скоростью 3,5-4 м/с в течение 23 мин с последующей выдержкой в течение 12-15 мин при температуре нагретого воздуха...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525000
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e7e8

Способ производства компота из дыни

Изобретение предназначено для использования в пищевой промышленности при производстве компота из дыни. Способ характеризуется тем, что включает предварительный нагрев плодов в банках горячей водой температурой 85°С, замену воды на сироп температурой 98°С с последующей герметизацией банок...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525161
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e7ef

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525168
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e7f0

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525169
Дата охранного документа: 10.08.2014
10.08.2014
№216.012.e7f1

Выпрямитель переменного напряжения

Изобретение относится к электронике, в частности к средствам выпрямления переменного электрического напряжения. Целью изобретения является увеличение значения постоянного напряжения, генерируемого устройством. Выпрямитель переменного напряжения состоит из омической области, на которую подается...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002525170
Дата охранного документа: 10.08.2014
+ добавить свой РИД