×
27.05.2013
216.012.4592

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ПРЕДЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ГЕРМАНИЕВОЙ ПОДЛОЖКИ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области полупроводниковой опто- и микроэлектроники. Способ предэпитаксиальной обработки поверхности подложки из германия включает удаление с поверхности подложки оксидного слоя, очистку поверхности германия от неорганических загрязнений и пассивацию поверхности подложки. Удаление оксида с поверхности германия осуществляют погружением подложки в раствор соляной кислоты с концентрацией 30-40 мас.% в течение 2-4 минут. Очистку германия от неорганических примесей проводят погружением подложки в раствор, содержащий плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду в течение 0,5-1,5 минут; пассивацию поверхности германия в растворе соляной кислоты с концентрацией 30-40 мас.% в течение 2-5 минут. Подготовку поверхности подложки ведут при температуре 19-23°С. Способ позволяет упростить процесс предэпитаксиальной обработки поверхности германиевой подложки за счет сокращения числа стадий обработки при минимальной модификации поверхности подложки.
Основные результаты: Способ предэпитаксиальной обработки поверхности подложки из германия, включающий последовательную обработку при температуре 19-23°С поверхности подложки раствором соляной кислоты с концентрацией 30-40 мас.% в течение 2-4 мин для удаления оксидного слоя, раствором, содержащим плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду при следующем их соотношении в пересчете на литр раствора: в течение 0,5-1,5 мин для удаления неорганических загрязнений и пассивацию поверхности подложки раствором соляной кислоты с концентрацией 30-40 мас.% в течение 2-5 мин.

Изобретение относится к области полупроводниковой опто- и микроэлектроники и может быть использовано в электронной промышленности для создания приборов на основе полупроводниковых гетероструктур, в т.ч. каскадных фотопреобразователей на основе системы GaInP/GaAs/Ge.

Известен способ химического травления поверхности германиевой подложки (ГП) (см. патент US №2941875, опубликован 21.06.1960), основанный на воздействии на германиевую подложку травильного раствора, содержащего гипохлорит натрия, оксид германия (IV) в качестве ингибитора и растворенный в воде углекислый газ. Использование ингибитора позволило снизить селективность травления кристаллических граней германия и повысить однородность поверхности германиевой подложки. Отсутствие коррозионных реагентов в травителе позволило отказаться от использования дорогого коррозионно-стойкого оборудования для травления.

Недостатком такого способа является сложная конструкция системы подачи углекислого газа, сильная зависимость скорости травления ГП от температуры окружающей среды, осаждение ингибитора и ионов металлов на поверхности ГП.

Известен способ обработки полупроводниковых германиевых пластин (см. J.Kim, К.Saraswat and Y.Nishi. - Study of germanium surface in wet chemical solutions for surface cleaning applications / 208th ECS Meeting, Abstr. №779, 2005), заключающийся во взаимодействии поверхности ГП с растворенным в воде озоном. Использование озона в качестве травителя позволило снизить величину среднеквадратичной шероховатости поверхности подложки германия до 0,12 нм, что соответствует межатомному расстоянию в германии. Также, благодаря расщеплению озоном органических примесей на поверхности германия отпадает необходимость в предварительной стадии обезжиривания подложки.

Недостатком известного способа является сложная система приготовления озонированной дистиллированной воды, а также высокая зависимость концентрации озона в воде от температуры окружающей среды и, как следствие, различная скорость травления германия. Также, озон является канцерогенным веществом.

Известен способ предэпитаксиальной обработки поверхности ГП (см. S.K.Agarwal, R.Tyagi, M.Singh, R.K.Jain. Effect of growth parameters on the MOVPE of GaAs/Ge for solar cell applications / Solar Energy Materials & Solar Cells, V.59. 1999. P.1926), заключающийся в обезжиривании ГП в органическом растворителе (четыреххлористый углерод, изопропиловый спирт, ацетон), затем травлении в растворе состава HF:H2О2:H2O=1:1:5 в течение двух минут и последующей обработке разбавленной плавиковой кислотой для удаления поверхностного оксида.

Недостатком известного способа является высокая скорость травления германия (более 1 мкм/мин), что приводит, при малой вязкости раствора, к увеличению шероховатости поверхности. К тому же, при использовании плавиковой кислоты происходит неполное удаление оксида с поверхности германиевой подложки. Очищенные от оксида участки поверхности подложки покрыты слоем атомов водорода, который неустойчив на воздухе, вследствие чего поверхность подложки неравномерно покрывается оксидной пленкой.

Наиболее близким к настоящему изобретению является способ предэпитаксиальной обработки поверхности германиевой подложки (см. Н.Okumura. - Applied Surface Science. - V.125, 1998. PP.125-128), совпадающий с настоящим изобретением по наибольшему числу существенных признаков, принятый за прототип. Способ-прототип заключается в очистке ГП от органических загрязнений в метаноле (10 минут), затем в дихлорметане, затем снова в метаноле. Естественный оксид с поверхности германия удаляли кратковременным (несколько минут) опусканием подложки в плавиковую кислоту (2,5 мас.%). После чего следовало окисление германия в перекиси водорода (30 мас.%) в течение 30 секунд с образованием на поверхности оксидной пленки, а затем растворение оксида в соляной кислоте (35 мас.%) в течение 30 секунд. Процедуру окисления-растворения повторяли три раза. На последнем этапе проводили пассивацию поверхности германиевой подложки, для чего подложку помещали в водный раствор, содержащий гидроксид аммония и перекись водорода в соотношении 1:2, на одну минуту, где на поверхности ГП формировался толстый слой оксида, защищающий подложку от примесей из атмосферы. Затем следовала сушка подложки и помещение ее в реактор для эпитаксии.

Недостатком способа-прототипа является большое количество стадий обработки (более 10-ти) и значительная модификация поверхности ГП вследствие высокой скорости травления на последнем этапе.

Задачей настоящего технического решения является упрощение процесса предэпитаксиальной обработки поверхности германиевой подложки за счет сокращения числа стадий обработки ГП при минимальной ее модификации.

Поставленная задача решается тем, что способ предэпитаксиальной обработки германиевой подложки включает удаление с поверхности оксидного слоя, очистку поверхности германия от неорганических загрязнений и пассивацию поверхности германия при температуре 19-23°С. Новым в способе является удаление оксида с поверхности германиевой подложки обработкой раствором соляной кислоты с концентрацией 30-40 мас.% в течение 2-4 минут; очистка германиевой подложки от неорганических примесей обработкой раствором, содержащим плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду, при следующем их соотношении в пересчете на литр раствора:

плавиковая кислота (40 мас.%) 10-30 мл
перекись водорода (30 мас.%) 200-400 мл
винная кислота 36-72 г
вода остальное;

в течение 0,5-1,5 минут и пассивация поверхности подложки раствором соляной кислоты с концентрацией 30-40 мас.% в течение 2-5 минут.

Помещение ГП в раствор соляной кислоты приводит к удалению оксидов германия с поверхности подложки. При этом происходит удаление крупных частиц примеси с поверхности. При использовании соляной кислоты с концентрацией менее 30 мас.% велика вероятность повторного окисления германия растворенным в кислоте кислородом. Использование соляной кислоты с концентрацией выше 40 мас.% нецелесообразно вследствие снижения степени диссоциации молекул НСl и следовательно, неполного восстановления оксида германия на поверхности подложки. При времени взаимодействия соляной кислоты с поверхностью ГП менее 2 минут происходит неполное восстановление поверхностного оксида. При времени более 4 минут возможно осаждение на поверхность германия примесей из раствора.

После предыдущего этапа на поверхности ГП могут оставаться неорганические примеси, например, адсорбированные ионы железа, никеля, меди, а также углерод. Для их удаления используется травильный раствор, содержащий 40 мас.% плавиковую кислоту, 30 мас.% перекись водорода, винную кислоту и воду. Плавиковая и винная кислоты являются хорошими комплексообразователями для ионов металлов, т.е. связывают их в устойчивый комплекс и уносят с поверхности ГП. Перекись водорода создает на поверхности ГП тонкий оксидный слой, который далее растворяется при помощи вышеуказанных комплексообразователей. В результате такого процесса происходит удаление с поверхности германия крепкосвязанного адсорбированного углерода. При содержании плавиковой кислоты в травильном растворе менее 10 мл (на 1 литр раствора) происходит неполное удаление неорганических примесей с поверхности ГП. При содержании более 30 мл - проявляется адсорбция анионов фтора на поверхности ГП. При содержании винной кислоты в травильном растворе менее 36 г/литр происходит неполное удаление неорганических примесей с поверхности ГП. При содержании более 72 г вследствие высокой вязкости полученного раствора скорость травления ГП значительно понижается, и происходит переосаждение на поверхность удаленных примесей. При содержании перекиси водорода в травильном растворе менее 200 мл (на 1 литр раствора) скорость удаления поверхностного слоя германия достаточна низка, в результате чего происходит осаждение на поверхность подложки удаленных примесей. При содержании перекиси более 400 мл - скорость травления ГП достаточно высока, что проявляется в увеличении шероховатости поверхности ГП. При обработке ГП менее 0,5 минуты удаляется менее 300 нм германия, что недостаточно для полного удаления примесей с поверхности подложки, за время обработки более 1,5 минут велика вероятности деградации поверхности ГП. Пассивацию обработанной поверхности ГП производят в концентрированном растворе соляной кислоты. При времени взаимодействия соляной кислоты с поверхностью ГП менее двух минут происходит неполное удаление поверхностного оксида, соответственно не вся поверхность ГП оказывается пассивированной. При обработке более 5 минут возможно осаждение на поверхность германия примесей из раствора.

При температуре окружающей среды менее 19°С наблюдается торможение скорости реакций восстановления оксидов, травления и пассивации. При температуре более 23°С снижается вязкость травителя, повышается скорость селективного травления германия.

Заявляемый способ предэпитаксиальной обработки полированных германиевых подложек ведут в несколько стадий: удаление естественного оксида с поверхности германия осуществляют погружением подложки в раствор соляной кислоты на 2-4 минуты; очистку германия от неорганических примесей проводят погружением подложки в раствор, содержащий плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду при следующем их соотношении (на литр раствора):

HF (40 мас.%) 10-30 мл
H2O2 (30 мас.%) 200-400 мл
Винная кислота 36-72 г
Н2О остальное,

в течение 0,5-1,5 минут; пассивацию поверхности германия осуществляют в растворе соляной кислоты в течение 2-5 минут. Температура окружающей среды 19-23°С. Качество обработанной подложки из германия оценивают по отсутствию дефектов и оксидных пленок на поверхности ГП (по результатам сканирующей электронной, атомно-силовой микроскопии, а также по данным рентгеноспектрального анализа).

Пример 1

Была осуществлена предэпитаксиальная обработка поверхности германиевых подложек. Процесс обработки осуществляли в несколько стадий: удаление естественного оксида с поверхности германия осуществляли погружением подложки в раствор соляной кислоты на 2 минуты; очистку германия от неорганических примесей проводили погружением подложки в раствор, содержащий плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду при следующем их соотношении (на литр раствора):

HF (40 мас.%) 10 мл
H2O2 (30 мас.%) 200 мл
Винная кислота 36 г
Н2О остальное,

в течение 0,5 минут; пассивацию поверхности германия осуществляли в растворе соляной кислоты в течение 2 минут. Температура окружающей среды 19°С. Качество поверхности ГП соответствовало требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек отсутствовали дефекты травления и оксидные пленки.

Пример 2

Была осуществлена предэпитаксиальная обработка поверхности германиевых подложек способом, описанным в примере 1, со следующими отличиями: удаление естественного оксида с поверхности германия осуществляли погружением подложки в раствор соляной кислоты на 4 минуты; очистку германия от неорганических примесей проводили погружением подложки в раствор, содержащий плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду при следующем их соотношении (на литр раствора):

HF (40 мас.%) 10 мл
H2O2 (30 мас.%) 200 мл
Винная кислота 36 г
Н2О остальное,

в течение 0,5 минут; пассивацию поверхности германия осуществляли в растворе соляной кислоты в течение 2 минут. Температура окружающей среды 19°С. Качество поверхности ГП соответствовало требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек отсутствовали дефекты травления и оксидные пленки.

Пример 3

Была осуществлена предэпитаксиальная обработка поверхности германиевых подложек способом, описанным в примере 1, со следующими отличиями: удаление естественного оксида с поверхности германия осуществляли погружением подложки в раствор соляной кислоты на 2 минуты; очистку германия от неорганических примесей проводили погружением подложки в раствор, содержащий плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду при их соотношении (на литр раствора):

HF (40 мас.%) 1 10 мл
H2O2 (30 мас.%) 200 мл
Винная кислота 36 г
Н2О остальное,

в течение 1,5 минут; пассивацию поверхности германия осуществляли в растворе соляной кислоты в течение 2 минут. Температура окружающей среды 19°С. Качество поверхности ГП соответствовало требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек отсутствовали дефекты травления и оксидные пленки.

Пример 4

Была осуществлена предэпитаксиальная подготовка поверхности германиевых подложек способом, описанным в примере 1, со следующими отличиями: удаление естественного оксида с поверхности германия осуществляли погружением подложки в раствор соляной кислоты на 2 минуты; очистку германия от неорганических примесей проводили погружением подложки в раствор, содержащий плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду при их соотношении (на литр раствора):

HF (40 мас.%) 10 мл
H2O2 (30 мас.%) 200 мл
Винная кислота 36 г
Н2О остальное,

в течение 1,5 минут; пассивацию поверхности германия осуществляли в растворе соляной кислоты в течение 2 минут. Температура окружающей среды 23°С. Качество поверхности ГП соответствовало требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек отсутствовали дефекты травления и оксидные пленки.

Пример 5

Была осуществлена предэпитаксиальная подготовка поверхности германиевых подложек способом, описанным в примере 1, со следующими отличиями: удаление естественного оксида с поверхности германия осуществляли погружением подложки в раствор соляной кислоты на 4 минуты; очистку германия от неорганических примесей проводили погружением подложки в раствор, содержащий плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду при их соотношении (на литр раствора):

HF (40 мас.%) 10 мл
H2O2 (30 мас.%) 200 мл
Винная кислота 36 г
H2O остальное

в течение 1,5 минут; пассивацию поверхности германия осуществляли в растворе соляной кислоты в течение 2 минут. Температура окружающей среды 23°С. Качество поверхности ГП соответствовало требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек отсутствовали дефекты травления и оксидные пленки.

Пример 6

Была осуществлена предэпитаксиальная подготовка поверхности германиевых подложек способом, описанным в примере 1, со следующими отличиями: удаление естественного оксида с поверхности германия осуществляли погружением подложки в раствор соляной кислоты на 2 минуты; очистку германия от неорганических примесей проводили погружением подложки в раствор, содержащий плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду при их соотношении (на литр раствора):

HF (40 мас.%) 30 мл
H2O2 (30 мас.%) 200 мл
Винная кислота 36 г
Н2О остальное,

в течение 0,5 минут; пассивацию поверхности германия осуществляли в растворе соляной кислоты в течение 2 минут. Температура окружающей среды 19°С. Качество поверхности ГП соответствовало требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек отсутствовали дефекты травления и оксидные пленки.

Пример 7

Была осуществлена предэпитаксиальная подготовка поверхности германиевых подложек способом, описанным в примере 1, со следующими отличиями: удаление естественного оксида с поверхности германия осуществляли погружением подложки в раствор соляной кислоты на 2 минуты; очистку германия от неорганических примесей проводили погружением подложки в раствор, содержащий плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду при их соотношении (на литр раствора):

HF (40 мас.%) 10 мл
H2O2 (30 мас.%) 200 мл
Винная кислота 72 г
Н2О остальное,

в течение 0,5 минут; пассивацию поверхности германия осуществляли в растворе соляной кислоты в течение 2 минут. Температура окружающей среды 19°С. Качество поверхности ГП соответствовало требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек отсутствовали дефекты травления и оксидные пленки.

Пример 8

Была осуществлена предэпитаксиальная подготовка поверхности германиевых подложек способом, описанным в примере 1, со следующими отличиями: удаление естественного оксида с поверхности германия осуществляли погружением подложки в раствор соляной кислоты на 2 минуты; очистку германия от неорганических примесей проводили погружением подложки в раствор, содержащий плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду при их соотношении (на литр раствора):

HF (40 мас.%) 10 мл
H2O2 (30 мас.%) 400 мл
Винная кислота 72 г
Н2О остальное,

в течение 0,5 минут; пассивацию поверхности германия осуществляли в растворе соляной кислоты в течение 2 минут. Температура окружающей среды 19°С. Качество поверхности ГП соответствовало требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек отсутствовали дефекты травления и оксидные пленки.

Пример 9

Была осуществлена предэпитаксиальная подготовка поверхности германиевых подложек способом, описанным в примере 1, со следующими отличиями: удаление естественного оксида с поверхности германия осуществляли погружением подложки в раствор соляной кислоты на 2 минуты; очистку германия от неорганических примесей проводили погружением подложки в раствор, содержащий плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду при их соотношении (на литр раствора):

HF (40 мас.%) 30 мл
H2O2 (30 мас.%) 400 мл
Винная кислота 72 г
Н2О остальное,

в течение 0,5 минут; пассивацию поверхности германия осуществляли в растворе соляной кислоты в течение 2 минут. Температура окружающей среды 19°С. Качество поверхности ГП соответствовало требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек отсутствовали дефекты травления и оксидные пленки.

Пример 10

Была осуществлена предэпитаксиальная подготовка поверхности германиевых подложек способом, описанным в примере 1, со следующими отличиями: удаление естественного оксида с поверхности германия осуществляли погружением подложки в раствор соляной кислоты на 4 минуты; очистку германия от неорганических примесей проводили погружением подложки в раствор, содержащий плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду при их соотношении (на литр раствора):

HF (40 мас.%) 30 мл
H2O2 (30 мас.%) 400 мл
Винная кислота 72 г
Н2О остальное,

в течение 0,5 минут; пассивацию поверхности германия осуществляли в растворе соляной кислоты в течение 2 минут. Температура окружающей среды 19°С. Качество поверхности ГП соответствовало требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек отсутствовали дефекты травления и оксидные пленки.

Пример 11

Была осуществлена предэпитаксиальная подготовка поверхности германиевых подложек способом, описанным в примере 1, со следующими отличительными признаками: удаление естественного оксида с поверхности германия осуществляли погружением подложки в раствор соляной кислоты на 4 минуты; очистку германия от неорганических примесей проводили погружением подложки в раствор, содержащий плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду при их соотношении (на литр раствора):

HF (40 мас.%) 30 мл
H2O2 (30 мас.%) 400 мл
Винная кислота 72 г
Н2О остальное,

в течение 1,5 минут; пассивацию поверхности германия осуществляли в растворе соляной кислоты в течение 2 минут. Температура окружающей среды 19°С. Качество поверхности ГП соответствовало требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек отсутствовали дефекты травления и оксидные пленки.

Пример 12

Была осуществлена предэпитаксиальная подготовка поверхности германиевых подложек способом, описанным в примере 1, со следующими отличиями: удаление естественного оксида с поверхности германия осуществляли погружением подложки в раствор соляной кислоты на 4 минуты; очистку германия от неорганических примесей проводили погружением подложки в раствор, содержащий плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду при их соотношении (на литр раствора):

НF (40 мас.%) 30 мл
H2O2 (30 мас.%) 400 мл
Винная кислота 72 г
Н2О остальное,

в течение 1,5 минут; пассивацию поверхности германия осуществляли в растворе соляной кислоты в течение 5 минут. Температура окружающей среды 19°С. Качество поверхности ГП соответствовало требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек отсутствуют дефекты травления и оксидные пленки.

Пример 13

Была осуществлена предэпитаксиальная подготовка поверхности германиевых подложек способом, описанным в примере 1, со следующими отличиями: удаление естественного оксида с поверхности германия осуществляли погружением подложки в раствор соляной кислоты на 4 минуты; очистку германия от неорганических примесей проводили погружением подложки в раствор, содержащий плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду при их соотношении (на литр раствора):

HF (40 мас.%) 30 мл
H2O2 (30 мас.%) 400 мл
Винная кислота 72 г
Н2О остальное,

в течение 1,5 минут; пассивацию поверхности германия осуществляли в растворе соляной кислоты в течение 5 минут. Температура окружающей среды 23°С. Качество поверхности ГП соответствовало требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек отсутствовали дефекты травления и оксидные пленки.

Пример 14

Была осуществлена предэпитаксиальная подготовка поверхности германиевых подложек из германия способом, описанным в примере 1, со следующими отличиями: удаление естественного оксида с поверхности германия осуществляли погружением подложки в раствор соляной кислоты на 2 минуты; очистку германия от неорганических примесей проводили погружением подложки в раствор, содержащий плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду при их соотношении (на литр раствора):

HF (40 мас.%) 30 мл
H2O2 (30 мас.%) 400 мл
Винная кислота 72 г
Н2О остальное,

в течение 1,5 минут; пассивацию поверхности германия осуществляли в растворе соляной кислоты в течение 5 минут. Температура окружающей среды 23°С. Качество поверхности ГП соответствовало требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек отсутствовали дефекты травления и оксидные пленки.

Пример 15

Была осуществлена предэпитаксиальная обработка поверхности германиевых подложек. Процесс обработки осуществляли в несколько стадий: удаление естественного оксида с поверхности германия осуществляли погружением подложки в раствор соляной кислоты на 2 минуты; очистку германия от неорганических примесей проводили погружением подложки в раствор, содержащий плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду при следующем их соотношении (на литр раствора):

HF (40 мас.%) 5 мл
H2O2 (30 мас.%) 200 мл
Винная кислота 36 г
Н2О остальное,

в течение 0,5 минут; пассивацию поверхности германия осуществляли в растворе соляной кислоты в течение 2 минут. Температура окружающей среды 19°С. Качество поверхности ГП не соответствовало требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек присутствовали следы неорганических примесей.

Пример 16

Была осуществлена предэпитаксиальная обработка поверхности германиевых подложек. Процесс обработки осуществляли в несколько стадий: удаление естественного оксида с поверхности германия осуществляли погружением подложки в раствор соляной кислоты на 2 минуты; очистку германия от неорганических примесей проводили погружением подложки в раствор, содержащий плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду при следующем их соотношении (на литр раствора):

HF (40 мас.%) 10 мл
H2O2 (30 мас.%) 600 мл
Винная кислота 36 г
Н2О остальное,

в течение 0,5 минут; пассивацию поверхности германия осуществляли в растворе соляной кислоты в течение 2 минут. Температура окружающей среды 19°С. Качество поверхности ГП не соответствовало требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек присутствовали многочисленные неровности и шероховатости.

Пример 17

Была осуществлена предэпитаксиальная обработка поверхности германиевых подложек. Процесс обработки осуществляли в несколько стадий: удаление естественного оксида с поверхности германия осуществляли погружением подложки в раствор соляной кислоты на 2 минуты; очистку германия от неорганических примесей проводили погружением подложки в раствор, содержащий плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду при следующем их соотношении (на литр раствора):

HF (40 мас.%) 10 мл
H2O2 (30 мас.%) 200 мл
Винная кислота 36 г
Н2О остальное,

в течение 0,5 минут; пассивацию поверхности германия осуществляли в растворе соляной кислоты в течение 2 минут. Температура окружающей среды 15°С. Качество поверхности ГП не соответствовало требованиям эпитаксиального наращивания, на поверхности подложек присутствовали следы оксидов.

Способ предэпитаксиальной обработки поверхности подложки из германия, включающий последовательную обработку при температуре 19-23°С поверхности подложки раствором соляной кислоты с концентрацией 30-40 мас.% в течение 2-4 мин для удаления оксидного слоя, раствором, содержащим плавиковую кислоту, перекись водорода, винную кислоту и воду при следующем их соотношении в пересчете на литр раствора: в течение 0,5-1,5 мин для удаления неорганических загрязнений и пассивацию поверхности подложки раствором соляной кислоты с концентрацией 30-40 мас.% в течение 2-5 мин.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 101-110 из 121.
31.12.2020
№219.017.f458

Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на основе gasb

Изобретение относится к способам изготовления фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb, применяемых в солнечных элементах, термофотоэлектрических генераторах, в системах с расщеплением спектра солнечного излучения, в преобразователях лазерного излучения. Во всех перечисленных случаях...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002710605
Дата охранного документа: 30.12.2019
17.01.2020
№220.017.f630

Высокочастотный спектрометр электронного парамагнитного резонанса

Использование: для создания высокочастотного спектрометра электронного парамагнитного резонанса. Сущность изобретения заключается в том, что высокочастотный спектрометр электронного парамагнитного резонанса включает микроволновый блок, содержащий управляемый напряжением высокочастотный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002711228
Дата охранного документа: 15.01.2020
21.01.2020
№220.017.f74d

Высокочастотный спектрометр электронного парамагнитного резонанса

Использование: для создания высокочастотного спектрометра электронного парамагнитного резонанса. Сущность изобретения заключается в том, что высокочастотный спектрометр электронного парамагнитного резонанса включает микроволновый блок, криогенную систему, сверхпроводящий электромагнит, блок...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002711345
Дата охранного документа: 16.01.2020
06.03.2020
№220.018.098f

Установка слежения за солнцем и способ ее ориентации

Установка слежения за Солнцем включает промежуточную раму в виде круглой цилиндрической балки (1), установленную с возможностью вращения посредством первых цилиндрических шарниров (2), (5) на двух стойках (3), (6), прикрепленных к основанию (4), раму (13) солнечных панелей, прикрепленную с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002715901
Дата охранного документа: 04.03.2020
20.05.2020
№220.018.1dbe

Способ изготовления фотопреобразователя

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу изготовления фотопреобразователей, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую энергию. Способ изготовления фотопреобразователя включает формирование меза-структуры...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002721161
Дата охранного документа: 18.05.2020
20.05.2020
№220.018.1dcb

Способ изготовления нитридного светоизлучающего диода

Способ изготовления нитридного светоизлучающего диода включает последовательное формирование на диэлектрической подложке слоя нитридного полупроводника n-типа проводимости, активного слоя нитридного полупроводника, слоя нитридного полупроводника р-типа проводимости. На полученной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002721166
Дата охранного документа: 18.05.2020
20.05.2020
№220.018.1df3

Устройство мониторинга солнечной электростанции

Изобретение относится к солнечной фотоэнергетике, к мониторингу солнечных электростанций. Устройство мониторинга солнечной электростанции включает блок измерения параметров и отбора максимальной мощности солнечной батареи, блок коммутации, блок электронной нагрузки, блок управления, блок...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002721164
Дата охранного документа: 18.05.2020
23.05.2020
№220.018.2063

Устройство для получения поляризованного света на основе ориентированного массива нанопластинок gase/gaas

Изобретение относится к области оптоэлектроники. Устройство для получения поляризованного света со степенью линейной поляризации света ~(50-60):1 включает в себя источник (1) импульсного или постоянного неполяризованного света, в качестве которого используется, например, коммерческий светодиод...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002721717
Дата охранного документа: 21.05.2020
18.07.2020
№220.018.338d

Пирометр

Изобретение относится к области измерительной техники и касается пирометра. Пирометр включает в себя по крайней мере два полупроводниковых инфракрасных фотоприемника с возрастающей по ходу входящих лучей граничной длиной волны фоточувствительности, расположенную по ходу входящих лучей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002726901
Дата охранного документа: 16.07.2020
12.04.2023
№223.018.43a0

Гетероструктурный инфракрасный светоизлучающий диод

Изобретение относится к электронной технике, в частности к полупроводниковым приборам, и может быть использовано при разработке и изготовлении светоизлучающих диодов и различных устройств на их основе. Гетероструктурный инфракрасный светоизлучающий диод включает подложку-носитель с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002793618
Дата охранного документа: 04.04.2023
Показаны записи 101-109 из 109.
29.05.2020
№220.018.218c

Радиофотонный оптоволоконный модуль

Изобретение относится к радиофотонике. Радиофотонный оптоволоконный модуль включает лазерный источник оптического сигнала СВЧ импульсов, две сборки последовательно соединенных СВЧ фотодетекторов и три оптических разветвителя, вторичные оптоволокна первого оптического разветвителя оптически...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002722085
Дата охранного документа: 26.05.2020
25.06.2020
№220.018.2b58

Конструкция многопереходного фотоэлектрического преобразователя с вертикально-ориентированной столбчатой структурой на основе интеграции полупроводниковых соединений и кристаллического кремния и способ его изготовления

Изобретение относится к изготовлению солнечных элементов и может быть использовано в фотоэнергетике, преимущественно в солнечных элементах или фотоэлектрических преобразователях (ФЭП) при преобразовании солнечного излучения. Способ изготовления периодической вертикально-ориентированной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002724319
Дата охранного документа: 22.06.2020
12.04.2023
№223.018.43a0

Гетероструктурный инфракрасный светоизлучающий диод

Изобретение относится к электронной технике, в частности к полупроводниковым приборам, и может быть использовано при разработке и изготовлении светоизлучающих диодов и различных устройств на их основе. Гетероструктурный инфракрасный светоизлучающий диод включает подложку-носитель с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002793618
Дата охранного документа: 04.04.2023
16.05.2023
№223.018.606e

Концентраторная солнечная энергетическая установка

Концентраторная солнечная энергетическая установка содержит основание (1) с размещенной на нем солнечной батареей (2), набранной из рядов концентраторных фотоэлектрических модулей (3) с корпусами (4) прямоугольной или квадратной формы с отбортовками (5) для прикрепления силиконом-герметиком (6)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740437
Дата охранного документа: 14.01.2021
16.05.2023
№223.018.606f

Концентраторная солнечная энергетическая установка

Концентраторная солнечная энергетическая установка содержит основание (1) с размещенной на нем солнечной батареей (2), набранной из рядов концентраторных фотоэлектрических модулей (3) с корпусами (4) прямоугольной или квадратной формы с отбортовками (5) для прикрепления силиконом-герметиком (6)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740437
Дата охранного документа: 14.01.2021
16.05.2023
№223.018.60a4

Мощный концентраторный фотоэлектрический модуль

Концентраторный фотоэлектрический модуль содержит монолитную фронтальную панель (3), боковые стенки (1) и тыльную панель (2), по меньшей мере один первичный оптический концентратор (4), по меньшей мере один вторичный оптический концентратор в форме фокона (9), меньшим основанием обращенным к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740738
Дата охранного документа: 20.01.2021
29.05.2023
№223.018.727a

Инфракрасный светодиод

Изобретение относится к электронной технике, в частности к полупроводниковым приборам. Инфракрасный светодиод включает световыводящий слой (1), активную область (3), выполненную на основе нескольких квантовых ям InGaAs, окруженную барьерными широкозонными слоями (2, 4), брегговский отражатель...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002796327
Дата охранного документа: 22.05.2023
16.06.2023
№223.018.7c95

Способ изготовления фотоэлектрического концентраторного модуля

Способ изготовления фотоэлектрического концентраторного модуля включает формирование множества солнечных элементов, формирование вторичных концентраторов солнечного излучения, расположенных соосно над солнечными элементами, формирование панели первичных концентраторов, расположенных соосно над...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740862
Дата охранного документа: 21.01.2021
17.06.2023
№223.018.8105

Солнечный фотоэлектрический модуль

Солнечный фотоэлектрический модуль включает, по меньшей мере, два субмодуля (1), каждый субмодуль (1) содержит зеркальный параболический концентратор (5) солнечного излучения и солнечный элемент (6), расположенный в фокусе зеркального параболического концентратора (5). Зеркальный параболический...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002763386
Дата охранного документа: 28.12.2021
+ добавить свой РИД